JP4893367B2 - 薄膜磁気デバイス - Google Patents
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Description
また、上記帯状磁性膜またはスリットは、帯状磁性膜または磁性膜の磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域にのみ、この磁化容易軸と直交する方向を長手方向として形成されている。これにより、磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域の高周波での透磁率が、選択的に増加される。なお、「直交する」とは、文字通り完全に直交する態様だけでなく、略直交する態様をも含むものである。
また、帯状磁性膜または磁性膜の磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域にのみ帯状磁性膜またはスリットを形成すると共に、磁化容易軸と直交する方向に延在させるようにしたので、磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域の高周波での透磁率を選択的に増加させることができる。よって、高周波領域での透磁率をさらに効果的に向上させることが可能となる。
Claims (7)
- 薄膜コイルと、
前記薄膜コイルの延在面上に積層され、積層面内の一方向に延設された複数の帯状磁性膜と
を備え、
前記複数の帯状磁性膜は、各帯状磁性膜の磁化容易軸と前記薄膜コイルとが直交する領域にのみ、前記磁化容易軸と直交する方向を長手方向として形成されており、
前記帯状磁性膜は、この帯状磁性膜の長手方向に沿って並んだ複数の磁区を有し、
前記磁区の長手方向が、前記帯状磁性膜の幅方向と一致している
ことを特徴とする薄膜磁気デバイス。 - 薄膜コイルと、
前記薄膜コイルの延在面上に積層され、積層面内の一方向に延びる複数のスリットが形成された磁性膜と
を備え、
前記複数のスリットは、前記磁性膜の磁化容易軸と前記薄膜コイルとが直交する領域にのみ、前記磁化容易軸と直交する方向を長手方向として形成されており、
前記磁性膜のうちの前記複数のスリット間に挟まれた帯状領域に、複数の磁区が前記帯状領域の長手方向に沿って並んでおり、
前記磁区の長手方向が、前記帯状領域の幅方向と一致している
ことを特徴とする薄膜磁気デバイス。 - 前記薄膜コイルは、
前記磁化容易軸に沿って延在する第1のコイルパターンと、
前記磁化容易軸と直交する方向に沿って延在する第2のコイルパターンとを含み、
前記帯状磁性膜または前記スリットは、前記第2のコイルパターンに沿って形成されている
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の薄膜磁気デバイス。 - 前記帯状磁性膜または前記帯状領域の幅が、0.1mm以上かつ5mm以下である
ことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の薄膜磁気デバイス。 - 前記帯状磁性膜または前記帯状領域の幅が、0.3mm以上かつ2mm以下である
ことを特徴とする請求項4に記載の薄膜磁気デバイス。 - 前記帯状磁性膜または前記帯状領域の幅が、0.3mm以上かつ1mm以下である
ことを特徴とする請求項5に記載の薄膜磁気デバイス。 - 前記磁区の長手方向の長さに対する前記磁区の幅方向の長さの比が、0.3以下である
ことを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の薄膜磁気デバイス。
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