JP3229718B2 - 軟磁性合金、軟磁性薄膜および多層膜 - Google Patents
軟磁性合金、軟磁性薄膜および多層膜Info
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Description
薄膜と、多層膜とに関する。
い高保磁力を有する磁気記録媒体が用いられるようにな
っている。この場合、良好な磁気記録を行なうために
は、磁気ヘッドから密度の高い磁束を発生させる必要が
あるので、飽和磁束密度(Bs )の高い軟磁性薄膜や軟
磁性多層膜を利用したメタル・イン・ギャップ(MI
G)型磁気ヘッド、積層型磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッド
などが用いられるようになってきている。これらの磁気
ヘッドに用いられる軟磁性薄膜や軟磁性多層膜には、高
いBs の他、保磁力(Hc )が低く透磁率(μ)が高い
ことも要求され、さらに、飽和磁歪値(λs )が小さい
ことが極めて重要である。磁歪が大きいと良好な軟磁気
特性が得られない。
つか提案されているが、他の特性が十分とはいえない。
たはFe−Co合金を基本成分とする系が知られてい
る。しかし、Fe−Co合金系の材料は磁歪が大きい。
このため、スパッタ法により形成する際に基板温度や熱
処理温度を最適化したとしてもHc が高くなり、十分な
軟磁気特性が得られない。
技術としては、FeにNとOとを数パーセント以下添加
することが提案されている(特開平2−57665号公
報)。このものは、Bs が15kG以上、Hc が1.5 O
e 以下であって良好な軟磁気特性を示すが、耐食性が低
く、常温で通常の湿度の環境で容易に酸化が進み、磁気
特性が大幅に劣化するという問題がある。また、耐熱性
にも問題があり、素子作製の際に必然的に加わる熱によ
り、特性の劣化が生じてしまう。
の7pF−15には、Co=50〜60wt% 、Fe=2
0〜30wt% 、Ni=20〜30wt% を含有するめっき
膜で、19kG以上の高Bs と良好な耐食性とが得られる
ことが報告されている。しかし、このめっき膜は透磁率
(μ)が600〜700程度であり、パーマロイに比べ
て低い。
3元組成図には、Fe−Co−Niめっき膜におけるλ
s =0線が示されている。また、同公報第2図の3元組
成図には、等固有磁束密度線が示されている。これらの
図から、従来知られているλs =0線付近では高Bs が
得られないことがわかる。実際、λs が実質的に零とな
るCoNiFe被膜(約80:10:10)における4
πMsは16kGとなっており、この組成系の特徴を十分
にいかしているとはいえない。一方、前述した第16回
日本応用磁気学会学術講演概要集に記載されている高B
s のFe−Co−Niめっき膜では、λs の絶対値が大
きいために透磁率が低くなっていると考えられる。
情からなされたものであり、Fe−Co−Ni系軟磁性
合金、特に薄膜について、λs を低くしてHc の劣化を
防止し、かつ、高Bs を実現することを目的とする。
(1)〜(13)の構成によって達成される。 (1) Fe、CoおよびNiの各元素の原子比が、 式 Fex Coy Niz において 0.10≦x≦0.55、 0.20≦y≦0.85、 0.05≦z≦0.35 x+y+z=1 で表わされ、実質的に面心立方晶単相から構成され、X
線回折における(200)面のピーク強度および(11
1)面のピーク強度をそれぞれI(200)およびI
(111)としたとき、 I(200)/I(111)≧0.25 であり、飽和磁歪値(λs )の絶対値が5×10-6以下
であることを特徴とする軟磁性合金。 (2) NおよびOを含み、Fe、CoおよびNiとの
合計中におけるこれらの原子比が、 式 (Fex Coy Niz )100-a-b Na Ob において a+b≦30、 で表わされる上記(1)の軟磁性合金。 (3) 0.1≦a≦20、 0.1≦b≦10 である上記(2)の軟磁性合金。 (4) 0.20≦x≦0.50、 0.20≦y≦0.70、 0.10≦z≦0.35 である上記(1)ないし(3)のいずれかの軟磁性合
金。 (5) 0.7≧I(200)/I(111)≧0.3 である上記(1)ないし(4)のいずれかの軟磁性合
金。 (6) 飽和磁歪値(λs)の絶対値が4.8×10-6
以下である上記(1)ないし(5)のいずれかの軟磁性
合金。 (7) 飽和磁束密度(Bs)が16〜22kGである
上記(1)ないし(6)のいずれかの軟磁性合金。 (8) 平均結晶粒径が20〜350Aである上記
(1)ないし(7)のいずれかの軟磁性合金。 (9) 溶融合金を冷却することにより製造された上記
(1)ないし(8)のいずれかの軟磁性合金。 (10) 液体急冷法により製造された上記(9)の軟
磁性合金。 (11) 上記(1)ないし(8)のいずれかの軟磁性
合金から構成されていることを特徴とする軟磁性薄膜。 (12) スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング
法、CVD法または電気めっき法により形成された上記
(11)の軟磁性薄膜。 (13) 少なくとも1層が上記(11)または(1
2)の軟磁性薄膜であることを特徴とする多層膜。
磁性合金、特に薄膜において、結晶配向を最適化するこ
とにより磁歪を制御する。従来、Fe−Co−Ni系合
金において、λs が実質的に零となる組成領域ではBs
が不十分であったが、I(200)/I(111)を上
記範囲とすることにより、高いBs が得られる組成範囲
においてもλs を実質的に零とすることができるように
なった。このため、本発明の軟磁性合金は、Bs が高
く、Hc が低く、μが高く、Hc およびμの劣化が少な
い。
り、配向の制御が容易となり、また、微細な結晶粒とす
ることができるので、より良好な軟磁気特性が得られ
る。
組成がFe20Co35Ni45(原子%)で(111)面と
(200)面とを優先的に配向させたスパッタ蒸着膜が
記載されているが、このスパッタ蒸着膜はNiの含有率
が本発明範囲を外れており、また、(111)面と(2
00)面とは主な配向面として挙げられているだけでI
(200)/I(111)についての記載はない。そし
て、初透磁率は200と極めて低く、評価は×となって
いる。従って、このスパッタ蒸着膜は、本発明の軟磁性
合金とは全く異なるものである。
Fe30Co40Ni30(原子%)で面心立方構造を有する
軟磁性薄膜が開示されている。この軟磁性薄膜は、I
(200)/I(111)が約0.22であり、本発明
範囲を外れている。そして、同公報の第1図に示される
ように、同公報記載の軟磁性薄膜のλ=0線は特公昭6
3−53277号公報に記載されているλs =0線と同
じであるので、特公昭63−53277号公報と同様
に、高Bs かつ低磁歪を実現することはできない。
(パーマロイ)にNを添加して結晶配向を制御できるこ
とが報告されている{A.K.Jhingan,J.A
ppl.phys.57,3991(1985)}。こ
の報告では、N添加により、Ni−Fe合金の配向を
(111)優先配向から(200)を含む配向へ制御し
ているが、Ni−Fe合金を主成分とするため、Bs が
10kG以下となってしまう。
に説明する。
Niを主成分とする。主成分中における各元素の原子比
は、 式 Fex Coy Niz において、0.10≦x≦0.55、0.20≦y≦
0.85、0.05≦z≦0.35 x+y+z=1 である。x、yおよびzのいずれかが前記範囲を外れる
と、|λs |が十分に小さくならない。具体的には、y
<0.20あるいはz>0.35であると、|λs |が
1×10-5を超え、軟磁気特性が不十分となる。また、
y>0.85あるいはz<0.05であると、結晶構造
が面心立方晶単相とならず、良好な軟磁気特性が得られ
ない。なお、|λs |を小さくし、かつ高いBs を得る
ためには、0.20≦x≦0.50、0.20≦y≦
0.70、0.10≦z≦0.35 とすることが好ましい。
NおよびOを含むことが好ましい。Nは、結晶粒を微細
化し、Hc を低下させてμを向上させる。Oは、Nと複
合添加することでNの効果を促進する。主成分とNとO
との合計を表わす 式 (Fex Coy Niz )100-a-b Na Ob において、NとOとの合計含有率(原子比)を表わすa
+bは、好ましくは30以下、より好ましくは20以下
である。NとOとの合計含有率が30原子%を超える
と、Bs が14kG以下に低下してしまう。より詳細に
は、Nの含有率を表わすaは0.1〜20であることが
好ましく、Oの含有率を表わすbは0.1〜10である
ことが好ましい。Nが少なすぎると添加による効果が不
十分となり、Nが多すぎるとBs が著しく低下し、例え
ば14kG以下になってしまう。Oが少なすぎると添加に
よる効果が不十分となり、Oが多すぎるとFeの酸化物
が形成されてBs が大幅に低下し、例えば10kG以下に
なってしまう。本発明の軟磁性合金を薄膜磁気ヘッドに
適用する場合、Bs が15kG未満であると、高保磁力媒
体、例えば1400 Oe 以上の保磁力を有する磁気記録
媒体に対するオーバーライト特性が不十分となる。
に、Feの一部をCr、Cu、Sn、Rh、Pd、M
n、P、B、Zn、Sn、Pt等から選択される少なく
とも1種の元素を含有させてもよい。Bs の低下を抑え
るためには、これらの元素の含有率を3重量%以下とす
ることが好ましい。
晶単相から構成され、X線回折における(200)面の
ピーク強度および(111)面のピーク強度をそれぞれ
I(200)およびI(111)としたとき、 I(200)/I(111)≧0.25 であり、好ましくは 0.7≧I(200)/I(111)≧0.3 である。体心立方晶単相となったり、面心立方晶と体心
立方晶相との混晶となったりすると、|λs |を小さく
することができなくなる。また、I(200)/I(1
11)が小さすぎても大きすぎても、Bs が高くなる組
成範囲において|λs |を十分に小さくすることができ
なくなる。
範囲は、体心立方晶相が共析する組成範囲と隣接してい
るので、極めて微量の体心立方晶が局部的に偏析して特
殊構造が形成され、これにより高特性が得られている可
能性も考えられる。従って、本発明における「実質的に
面心立方晶単相」とは、汎用のX線回折装置を用いた場
合の評価結果とし、上記したような特殊構造を含む概念
とする。
組成や製造方法によっても異なるが、Bs が16〜22
kG程度と高く、しかも、|λs |が5×10-6以下と小
さい。
0〜350A であることが好ましい。このように結晶粒
が微細化されることにより、良好な軟磁気特性が得られ
る。
いて説明する。
状、薄帯状、板状等の各種形状に形成される。
法、蒸着法、イオンプレーティング法、CVD法などの
ように気相中で薄膜を形成する方法や、電気めっき法な
どのように液相中で薄膜を形成する方法を用いることが
できる。
を5〜15mTorr とし、基板温度を300〜600℃と
することが好ましい。この条件下でスパッタを行なうこ
とにより、前述した結晶配向が容易に得られる。また、
結晶配向制御のためにはバイアススパッタ法も好まし
い。バイアス電圧は−30〜−200V とすることが好
ましい。ターゲットには、合金の鋳造体や焼結体を用い
ればよく、複合ターゲットを用いてもよい。スパッタ法
において軟磁性合金中にNおよびOを含有させるために
は、Arに加えて窒素および酸素を含む雰囲気中で反応
性スパッタを行なってもよく、NおよびOを含有するタ
ーゲットを用いてもよい。反応性スパッタを用いる場
合、Ar100体積%に、Nを0.1〜20体積%、O
を0.1〜2.5体積%混合した雰囲気中でスパッタす
ることが好ましい。この他、形成中の膜表面にデュアル
イオンビームスパッタリング(DIBS)装置によりN
イオンおよびOイオンを照射して、膜中にNおよびOを
導入することもできる。
0〜600℃とすることが好ましい。この条件下で蒸着
することにより、前述した結晶配向が容易に得られる。
窒素や酸素の存在下で蒸着すれば、膜中にNおよびOを
含有させることができる。
には内部応力が存在し、このために良好な軟磁気特性が
得られにくいので、膜形成後に応力緩和のための熱処理
を施すことが好ましい。この熱処理は、真空中または不
活性ガス雰囲気中で行なうことが好ましく、保持温度は
300〜700℃とすることが好ましく、処理時間は1
〜2時間とすることが好ましい。
法や蒸着法などにより導電性膜を形成して下地膜とし、
この上に軟磁性合金の薄膜を形成する。下地膜には、パ
ーマロイやFeを用いることが好ましい。これにより、
目的とする結晶配向が得やすくなる。
iイオンが含有される。めっき浴のpHは好ましくは2
〜10、より好ましくは2.5〜4.0とし、浴温度は
好ましくは10〜80℃、より好ましくは35〜45℃
とする。めっき浴のpHが低くなると金属の析出速度が
低下し、pHが高くなるとアンモニアガスの発生などに
より作業環境が悪くなる。また、浴温度が低くなると金
属の析出速度が低下し、浴温度が高くなると浴の安定性
が低くなる。
ンおよびNiイオンの濃度は目的とする膜組成等に応じ
適宜選択すればよいが、通常、各イオンの濃度は0.0
1モル/リットルから溶解限度までとする。各金属イオ
ンの濃度が低くなりすぎると金属の析出速度が低下し、
実用的でない。Co、Fe、Niの各イオンの供給源
は、硫酸塩、スルファミン酸塩、酢酸塩、硝酸塩等の水
溶性の塩から選択することが好ましく、安価であること
から特に硫酸塩を用いることが好ましい。また、Coイ
オンおよびFeイオンは、金属をめっき浴中に浸漬して
自然溶解させたり、電解により陽極を溶解して供給する
こともできる。
とで、Nを共析させることが可能である。
もよい。有機光沢剤としてはサッカリンが好ましい。添
加量は0.5グラム/リットル以上とすれば十分である
が、使用中の消耗等を考慮して1〜6グラム/リットル
とすることが好ましい。めっき浴中には、この他、ラウ
リル硫酸ナトリウム等の界面活性剤、ホウ酸、塩化アン
モニウム等の通常の電気めっき浴に添加する成分を適宜
含有させてもよい。また、適宜、安定化剤として有機酸
イオン、還元剤、キレート剤等を添加してもよい。な
お、一般の条件では3価のFeイオンは沈澱を生じ好ま
しくないが、クエン酸、酒石酸等の安定剤ないしキレー
ト剤(錯体形成剤)を添加した場合は沈澱を生じないば
かりでなく、Hc低下に効果があるため、むしろ3価の
Feイオンを浴中に存在させる方が好ましい。
よりめっき浴中の微粒子や水酸化物を取り除いてもよ
い。
TiPt、フェライト電極が好ましい。しかし、陽極に
おいて酸化反応が起こるので、例えばイオン交換膜によ
り陰極部と分離することが望ましい。
80mA/cm2、より好ましくは20〜70mA/cm2とする。
電流密度をこのような範囲とすることにより、目的とす
る結晶配向が容易に得られる。なお、直流以外に、パル
ス電解や、陰極溶解まで行なう交流併用型も使用可能で
ある。
非水系溶媒、例えばメチルアルコール、ジメチルホルム
アミド、エチルアルコール、プロピレンカーバイド、溶
融塩等も使用可能である。
とがあるが、これらのものは磁気特性に大きな影響を与
えるので注意が必要となる。具体的には共に1000pp
m 以下であることが望ましい。
一軸異方性を付与することが好ましい。一軸異方性付与
の方法としては、磁界中成膜や成膜後の磁界中アニール
を用いることができる。磁界中成膜としては、一定の直
流磁界中で成膜する方法が一般的である。しかし、本発
明の軟磁性薄膜では異方性磁界Hkが大きくなりすぎる
ことが多く、高透磁率を得るためにはHkの適正化が要
求される場合も多い。Hkの適正化方法としては直交磁
界中成膜や回転磁界中アニール、あるいは直流磁界中成
膜時と直流磁界中アニール時の磁界方向とを面内直交さ
せる等の方法が有効である。直交磁界中成膜は、磁場を
コイルで発生させ交互に電流を印加することで可能であ
る。また、永久磁石を用いる場合には陰極を90°回転
させることで可能となる。アニールの際には飽和磁歪値
が正の方向に増加することが多いので、アニール後の飽
和磁歪値が所望の値となるように成膜を行なうことが好
ましい。薄膜磁気ヘッドのバルクハウゼンノイズを低減
するためには、軟磁性薄膜の飽和磁歪値を小さな負の値
に保つ必要があるとされている。この目的のためには、
成膜時にはやや大きな負の磁歪とし、アニール後に小さ
な負の値となるように設計を行なう。また、複数回の面
内直交方向磁界印加熱処理を行なって異方性を制御する
ことも、透磁率の向上や磁区構造制御等に有効である。
磁区構造の適性化により、デバイス化した場合のバルク
ハウゼンノイズの低減が可能となる。
述した各方法のいずれを用いる場合にも適用できる。そ
して、スパッタ法または蒸着法を用いた場合には、磁界
中アニールを前述した応力緩和のための熱処理に代える
ことができる。
膜の厚さは、目的に応じて適宜決定すればよく、特に限
定されないが、低い保磁力を得るためには、通常、0.
5〜10μm 程度とすることが好ましく、また、薄膜磁
気ヘッドに適用する場合は0.5〜4.5μm 程度、薄
膜トランスに適用する場合は3〜7μm 程度とすること
が好ましい。
こともできる。多層膜の他の層には、SiO2 、Si3
N4 等の非磁性絶縁層や、他の軟磁性薄膜を用いればよ
い。多層膜とすることにより目的とする結晶配向が得や
すくなり、また、損失の少ない磁気ヘッドが実現する。
法を用いることが好ましい。液体急冷法では、溶融合金
を射出して冷却ロール等の冷却基体表面に接触させて急
速に冷却し、薄帯状の軟磁性合金を製造する。液体急冷
法には、溶融合金を一方向から冷却する単ロール法や、
対向する二方向から冷却する双ロール法などがあるが、
本発明では単ロール法を用いることが好ましい。前述し
た結晶配向の軟磁性合金を製造するためには、溶融合金
の冷却速度や薄帯の厚さなどの各種条件を適宜選択すれ
ばよい。これら各条件の好ましい範囲は合金組成によっ
ても異なるが、例えば、冷却速度は一般に1×103 〜
1×106 K/s 、特に1×104 〜1×106 K/s とす
ることが好ましく、薄帯の厚さは一般に3〜100μm
、特に10〜70μm とすることが好ましい。
の軟磁性合金を製造してもよい。
型、積層型、薄膜型の誘導型磁気ヘッド、磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの磁気シールド膜や磁気抵抗効果膜、薄膜
トランスなどに適用され、薄帯状の軟磁性合金は、例え
ば、チョークコイル、トランスなどに適用され、鋳造法
により板状などに形成された軟磁性合金は、例えば、磁
気シールド板などに適用されるが、本発明の軟磁性合金
は、これら以外の各種磁気デバイスへの適用も可能であ
る。
をさらに詳細に説明する。
(コーニング社製フォトセラム)基板上にRFマグネト
ロンスパッタ法により軟磁性薄膜を形成し、測定用サン
プルとした。
のチップおよびNiのチップを円環状に配置した複合タ
ーゲットを用いた。一部のサンプルでは、膜形成中にバ
イアス電圧を印加するバイアススパッタ法を用いた。バ
イアス電圧は−50V とした。スパッタはArガス中で
行なったが、一部のサンプルではAr、窒素および酸素
からなる混合ガス中で反応性スパッタを行なって、膜中
に窒素および酸素を導入した。到達圧力は5×10-7To
rr、RFパワーは400W、膜形成速度は1〜2.8A/
s 、膜厚は1μm とした。スパッタ時における雰囲気圧
力および基板温度をそれぞれ表1に示す。なお、基板温
度の欄に「水冷」と表示してあるものでは基板を間接水
冷しており、基板温度は30℃以下であった。
e−Co−Ni)と非磁性絶縁層(Si3 N4 )とを積
層して多層膜とした。軟磁性層の厚さは500A 、非磁
性絶縁層の厚さは50A とし、各々20層積層した。
1×10-5Torr以下の圧力下で400℃に1時間保持し
た。
なった。結果を表1に示す。
酸素窒素分析計により測定した。
界中で測定した。
配置し、レーザー光線を使用してサンプルの磁歪による
伸縮を反りとして同期整流方式で検出し、λsを算出し
た。なお、飽和磁歪値測定用のサンプルには、厚さ0.
1mmのガラス板を基板として使用した。
(111)ピークの半値幅から求めた。
ピーク強度比I(200)/I(111)を求めた。
で実効成分μ’と虚数成分μ”とを測定し、実効透磁率
|μ|を算出した。
より軟磁性薄膜サンプルを作製した。基板には実施例1
と同じものを用いた。蒸着源にはCo45Ni55合金と純
鉄とを用い、これらの蒸着速度を変更することにより膜
組成を調整した。到達圧力は2×10-6Torr、膜形成速
度は10A/s 、膜厚は1μm とした。蒸着時の基板の温
度を表2に示す。膜形成後、実施例1と同様にして応力
緩和のための熱処理を施した。
定を行なった。結果を表2に示す。
により軟磁性薄膜サンプルを作製した。基板には実施例
1と同じものを用い、この上にスパッタ法によりパーマ
ロイを厚さ500A に形成して、下地膜とした。
組成は、めっき浴中の金属イオン濃度を変更することに
より調整した。各膜形成時の電流密度を表3に示す。な
お、めっきは基板の面内方向に300 Oe の直流磁界を
印加しながら行ない、膜形成後、めっき時と同方向に2
kOe の磁界を印加しながら200℃に1時間保持してア
ニールした。
9.9%)、電解ニッケル(純度99.9%)および電
解コバルト(純度99.9%)を所定の組成となるよう
に秤量し、アーク炉で溶解を4回繰り返し、合金母材を
作製した。この母材を粉砕して約30g 取り出し、単ロ
ール法により薄帯状の軟磁性合金サンプルを作製した。
母材はノズル中で高周波誘導加熱により溶解し、ノズル
の射出孔(直径0.5mm)からCu製冷却ロール(直径
160mm、回転数5000rpm )の周面にArガス圧
(0.5kgf/cm2 )により射出した。射出孔と冷却ロー
ル周面との距離は1mmとした。得られたサンプルは、幅
約2mm、厚さ50〜80μm であった。
を測定した。サンプルには張りがないため、厚さ20〜
30μm に圧延した後、飽和磁歪値を測定した。この測
定から得られた飽和磁歪値の組成依存性を、図1に示
す。また、X線回折により調べた結晶構造の組成依存性
も図1に示す。図中に示すfccは面心立方構造、bc
cは体心立方構造、hcpは六方最密構造である。
明らかである。すなわち、所定の組成を有し、かつI
(200)/I(111)が所定の範囲内に存在する本
発明の軟磁性合金では、低λs と高Bs とが得られるこ
とがわかる。
性を表わす3成分組成図である。
Claims (13)
- 【請求項1】 Fe、CoおよびNiの各元素の原子比
が、 式 Fex Coy Niz において 0.10≦x≦0.55、 0.20≦y≦0.85、 0.05≦z≦0.35 x+y+z=1 で表わされ、 実質的に面心立方晶単相から構成され、X線回折におけ
る(200)面のピーク強度および(111)面のピー
ク強度をそれぞれI(200)およびI(111)とし
たとき、 I(200)/I(111)≧0.25 であり、 飽和磁歪値(λs )の絶対値が5×10-6以下であるこ
とを特徴とする軟磁性合金。 - 【請求項2】 NおよびOを含み、Fe、CoおよびN
iとの合計中におけるこれらの原子比が、 式 (Fex Coy Niz )100-a-b Na Ob において a+b≦30、 で表わされる請求項1の軟磁性合金。 - 【請求項3】 0.1≦a≦20、 0.1≦b≦10 である請求項2の軟磁性合金。
- 【請求項4】 0.20≦x≦0.50、 0.20≦y≦0.70、 0.10≦z≦0.35 である請求項1ないし3のいずれかの軟磁性合金。
- 【請求項5】 0.7≧I(200)/I(111)≧0.3 である請求項1ないし4のいずれかの軟磁性合金。
- 【請求項6】 飽和磁歪値(λs)の絶対値が4.8×
10-6以下である請求項1ないし5のいずれかの軟磁性
合金。 - 【請求項7】 飽和磁束密度(Bs)が16〜22kG
である請求項1ないし6のいずれかの軟磁性合金。 - 【請求項8】 平均結晶粒径が20〜350Aである請
求項1ないし7のいずれかの軟磁性合金。 - 【請求項9】 溶融合金を冷却することにより製造され
た請求項1ないし8のいずれかの軟磁性合金。 - 【請求項10】 液体急冷法により製造された請求項9
の軟磁性合金。 - 【請求項11】 請求項1ないし8のいずれかの軟磁性
合金から構成されていることを特徴とする軟磁性薄膜。 - 【請求項12】 スパッタ法、蒸着法、イオンプレーテ
ィング法、CVD法または電気めっき法により形成され
た請求項11の軟磁性薄膜。 - 【請求項13】 少なくとも1層が請求項11または1
2の軟磁性薄膜であることを特徴とする多層膜。
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