JP4886488B2

JP4886488B2 - 液晶表示装置用の液晶パネル

Info

Publication number: JP4886488B2
Application number: JP2006326390A
Authority: JP
Inventors: 洋之神谷; 鄭新安
Original assignee: インフォビジョンオプトエレクトロニクスホールデングズリミティッド
Priority date: 2006-12-02
Filing date: 2006-12-02
Publication date: 2012-02-29
Anticipated expiration: 2026-12-02
Also published as: JP2008139604A; CN101191969A; CN101191969B; US7868987B2; US20080284963A1

Description

本発明は、アクティブマトリックス型液晶表示装置に用いられる液晶パネルに関する。

近年、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）−ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ
ｃｒｙｓｔａｌｄｉｓｐｌａｙ）パネルはデスクトップ型パソコンのモニターや、ノート型パソコンの表示デバイスとして広く使用されている。今後は、ＴＦＴ−ＬＣＤパネルに関して、表示デバイスとして求められる性能を満たす点以外に、製品コストを低減する観点から、より大きなマザーグラスを使用することによる生産性の向上や、部材の共通化等による量産効果による製造コストの低減を図ることが、重要となる。

したがって、生産性の向上に不可欠な工法である、１枚のマザーガラスから複数のＬＣＤパネルを生産するという所謂多面取りにおいて、何枚のＬＣＤパネルをレイアウトできるかということは、生産量に直接的に関係する重要なパラメータである。より多くの枚数のパネルを配置できれば、量産効果が上がり、パネルの価格を低減できるからである。

マザーガラス上にはＴＦＴ−ＬＣＤパネルの設計のために必要な配線やパーツを配置するために必要なスペースが存在する。

ＴＦＴ基板とＣＦ（ＣｏｌｏｒＦｉｌｔｅｒ）基板の二枚のガラス基板を組み立てる工程にはＯＤＦ（ＯｎｅＤｒｏｐＦｉｌｌ、液晶滴下）工法といわれる、予め液晶やシール材を基板に滴下してから、ガラス基板同士を張り合わせ、その後にシール材を硬化するという工法がある。ＯＤＦ工法によりＴＦＴ基板とＣＦ基板の二枚のガラス基板を組み立てる場合には、シール材には硬化が速いＵＶ硬化シール材が用いられる。該ＵＶ硬化シール材を用いることにより該ＵＶ硬化シール材の有する即硬化性により、硬化する前のシール材が液晶と接触する際に発生してしまうコンタミを最小限に抑えることができる。シール材をＵＶ照射により硬化した後は、さらに接着力を強化するために加熱してＵＶ硬化シール材のエポキシ樹脂を硬化する。

従来の液晶パネルにおいては、該シール材をＣＦのブラックマトリックス（以下「ＢＭ」ともいう）の外側に配置して、ＵＶ光をＣＦ基板側から照射して該シール材を硬化させるような設計をするのが一般的である。このような設計方法の場合においては照射されるＵＶ光を遮るものはないために問題はない。

しかし、ＢＭの外側にシール材を配置すると、画素領域以外の、周辺領域に相当のスペースが必要となり、無駄なスペースとなる。図に基づいて説明する。

図１はＴＦＴ−ＬＣＤパネルの周辺におけるＣＦ基板のブラックマトリックスと、シール材との配置関係を示す部分平面図である。
図１において、１０１はシール材であり、１０２はＢＭであり、１０３はマザーガラスを切断する切断線であり、１０５乃至１０７はＣＦ基板の着色部である。

図２は、図１のＡ−Ａ切断線断面図である。
図２において、２０１はＣＦ基板であり、２０２はＴＦＴ基板であり、２０３は配線であり、２１０はシール材１０１をＵＶ硬化させるためにＵＶ光を照射する方向を示す矢印である。

図１および２に示されているように、シール材１０１をＢＭ１０２の外側に配置している場合は、シール材１０１を硬化させるためのＵＶ光は矢印２１０に示されているようにＣＦ基板の上から照射すればＵＶ光を遮るものはないために問題はない。しかし、ＢＭ１０２からマザーガラス切断線１０３までにシール材１０１を設置するためのスペースを必要とする。

画素領域以外のスペースを可能な限り低減するためには、シール材１０１をＢＭ１０２と重ねて塗布し、ＵＶ光をＴＦＴ基板側から照射する構造とすることが考えられる。

図３はシール材１０１をＢＭ１０２と重ねて塗布し、ＵＶ光をＴＦＴ基板側から照射する構造とした場合を示す部分平面図である。
図３において、１０１はシール材であり、１０２はＢＭであり、１０３は切断線である。

図４は図３のＢ−Ｂ切断線断面図である。
図４において、２０３はＴＦＴ基板の上に設置されシール材１０１と重なっている金属配線であり、４０１はＣＦ基板２０２側から照射されるＵＶ光の照射方向を示す矢印である。この構造においては、ＢＭ１０２の外側のスペースは最小限ですむ。

しかしながら、ＴＦＴ基板上には金属配線２０３が設置されており、この構造においては、ＴＦＴ基板上の金属配線２０３がシール材１０１を硬化させるためのＵＶ光を遮光してしまい、シール材１０１上に部分的にＵＶ光が照射されない箇所ができ、所謂「ＳｈａｄｏｗＣｕｒｅ」といわれる問題が発生する。ＵＶ硬化シール材が硬化していない状態で液晶と接している箇所は、その後の熱硬化工程で温度が上昇すると、熱硬化する前のシール材から液晶の中に容易にコンタミが溶出して、液晶パネルの周辺部分に、ムラが発生するという問題がある。この問題に対して、図６乃至８に示されている対処方法が考案されている。

図６は金属配線がシール材を横断する場合には、重なる部分の配線幅を狭くする配線構造を示す図である。配線幅を狭くすれば、狭くした分だけＵＶ光がシール材にあたるからである。
図６において、１０１はシール材であり、６０１は金属配線であり、６０２は金属配線のうちシール材と交差し、線幅が狭くなっている部分である。
図６の場合は、欠点として、線幅が細くなっている部分の配線抵抗が大きくなって、電圧を印加した場合の電流値が制限されたり、抵抗による電圧降下が大きくなり、所望の電圧値が得られないという問題がある。

図７は金属配線がシール材を横断する場合に、重なる部分の配線を透明電極で形成して、ＵＶ光が透明電極部分を通過して、シール材に到達するような配線構造を示す図である。
図７において、１０１はシール材であり、６０１は金属配線であり、７０２は金属配線のうちシール材と交差し、配線が透明電極で形成されている部分であり、７０１は金属配線と透明電極とを接続するためのコンタクトホールである。
図７の場合の欠点は、金属配線と透明電極とを接続するためのコンタクトホールには、連結部に低抵抗のオーム接合を形成する必要があるが、この結合部分には相当量の電流が流れるために、該電流に対応できる信頼性の高いオーム結合を形成することが困難という点である。なお、画素領域において同様なオーム結合が形成されているが、画素領域においては電流量がはるかに少ないので、このような問題は生じない。

図８は金属配線がシール材を横断する場合に、重なる部分の金属配線にスリットを形成して、ＵＶ光がスリットを通過して、シール材に到達するような配線構造を示す図である。
図８において、１０１はシール材であり、６０１は金属配線であり、８０１は金属配線のうちシール材と交差している部分に形成されたスリットである。
図８の場合の欠点は、スリットが形成された部分の配線抵抗が大きくなって、電圧を印加した場合の電流値が制限されたり、抵抗による電圧降下が大きくなり、所望の電圧値が得られないという問題がある。

また、これ以外の対応策として、金属配線をシール材と重ならないように設計するということが考えられるが、この場合には、結局、周辺部分に金属配線を配置することとなり、周辺スペースを有効活用するという課題を解決できない。

発明者は、シール材の役割は均一ではなく、その領域によって異なることに着目した。

まず、シール材のうち画素領域に近接している領域は、十分に硬化する前に液晶と接してしまうと、コンタミ問題を生じるので、この領域は液晶パネルの品質に深く関与する部分であり、十分なＵＶ硬化が必要な領域である。

逆にシール材のうち画素領域から最も遠い、外側の領域は、液晶と接していないために、液晶パネルの信頼性への寄与度は小さいが、ガラス基板の切断線に近いために、切断の際に、シール材が外側に飛散して、切断線をまたぐと、ガラス基板を切断できなくなったりして、歩留まりを低下させる。より詳細に説明すると、シール材のＵＶ硬化が不十分で、ゲル状の未硬化部が存在すると、その後の熱硬化の初期に、シール材の粘度が低下してシール材が金属配線に沿って流出したり、急激な温度変化によって、シール材が飛散したりする。これらのことより、シール材の外側の領域においては、これらの現象の発生を防ぐために必要な程度にまでシール材を硬化させるためのＵＶ光が照射されればよい。具体的にはＵＶ硬化度は１から１０％程度、言い換えれば、ゲル状でなければよい。

近接領域と外側領域の間の中間領域は、液晶と接せず、シール材が外側の切断線へ流出する恐れもなく、シール材として基板への接着力を確保できればよい。一般的に、ＯＤＦ工法に用いられるシール材はＵＶ光と、熱によって硬化するものであり、熱硬化部にはエポキシが使用されており、この場合、ＵＶ光を照射しないで、熱だけで硬化させても接着力はＵＶ光を照射した場合と比べて、ほとんど差異がない。したがって、この中間領域には、ＵＶ光が照射されなくても必要な機能をもたせることができるので、この部分と重なる金属配線については、低抵抗を得るために配線幅を広くすることができる。

特開平１１−５２３９４

そこで、本発明は、液晶パネルのパネルスペースを有効に活用するために、液晶パネルの構造として、シール材をＢＭと重ねて塗布して、ＵＶ光をＴＦＴ基板側から照射する構造を採用した場合であっても、ＵＶ光をシール材の領域に対応して効率的にシール材に照射することにより、シール材と重なった部分の金属配線の電気抵抗の増加が所定範囲内に収まる配線構造を有する液晶パネル提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明は薄膜トランジスタを含む画素がマトリックス状に配置されたＴＦＴ基板と、
カラーフィルターが配置された基板（以下「ＣＦ基板」ともいう）と、を
前記ＴＦＴ基板と前記ＣＦ基板との間に滴下された液晶を狭持させながら、両基板の周辺部に設置された光硬化型シール材を用いて張り合わせてなる液晶パネルであって、
前記ＴＦＴ基板上に設けられている金属配線のうち前記光硬化型シール材と重なっている部分の配線については、
前記光硬化型シール材を前記画素が配置されている領域（以下「画素領域」ともいう）に近接する領域（以下「近接領域」ともいう）と、最も離れている外側の領域（以下「外側領域」ともいう）と、その中間の領域（以下「中間領域」ともいう）とに分けて、
前記金属配線が前記光硬化型シール材の近接領域と交差する部分の前記金属配線については配線幅を狭くし、
前記金属配線が前記光硬化型シール材の中間領域と交差する部分の前記金属配線については配線幅を太くし、
前記金属配線が前記光硬化型シール材の外側領域と交差する部分の前記金属配線については配線幅を狭くすることを特徴とする。

また、請求項２に記載の発明は薄膜トランジスタを含む画素がマトリックス状に配置されたＴＦＴ基板と、
カラーフィルターが配置されたＣＦ基板と、を
前記ＴＦＴ基板と前記ＣＦ基板との間に滴下された液晶を狭持させながら、両基板の周辺部に設置された光硬化型シール材を用いて張り合わせてなる液晶パネルであって、
前記ＴＦＴ基板上に設けられている金属配線のうち前記光硬化型シール材と重なっている部分の配線については、
前記光硬化型シール材をマトリックス状に配置された画素が配置されている画素領域に近い近接領域と、最も離れている外側領域と、その中間の中間領域に分けて、
前記金属配線が前記光硬化型シール材の近接領域と重なり、平行に配置されている前記金属配線については配線幅を狭くし、
前記金属配線が前記光硬化型シール材の中間領域と重なり、平行に配置されている前記金属配線については配線幅を太くし、
前記金属配線が前記光硬化型シール材の外側領域と重なり、平行に配置されている前記金属配線については配線幅を狭くすることを特徴とする。

また、請求項３に記載の発明は薄膜トランジスタを含む画素がマトリックス状に配置されたＴＦＴ基板と、
カラーフィルターが配置されたＣＦ基板と、を
前記ＴＦＴ基板と前記ＣＦ基板との間に滴下された液晶を狭持させながら、両基板の周辺部に設置された光硬化型シール材を用いて張り合わせてなる液晶パネルであって、
前記ＴＦＴ基板上に設けられている金属配線のうち前記光硬化型シール材と重なっている部分の配線については、
前記光硬化型シール材をマトリックス状に配置された画素が配置されている画素領域に近い近接領域と、最も離れている外側領域と、その中間の中間領域に分けて、
前記金属配線が前記光硬化型シール材の近接領域と交差する部分の前記金属配線については配線幅を狭くし、
前記金属配線が前記光硬化型シール材の中間領域と重なっている部分の前記金属配線については面配線として、該面配線領域に格子状に開口部を配置して、
前記金属配線が前記光硬化型シール材の外側領域と交差する部分の前記金属配線については配線幅を狭くすることを特徴とする。

また、請求項４に記載の発明は請求項１に記載の液晶パネルに係り、
前記近接領域における金属配線の幅は略４０ミクロンメートルであり、
前記近接領域における隣接する金属配線の間隔は略４０ミクロンメートルであり、
前記中間領域における金属配線の幅は略１００ミクロンメートルであり、
前記中間領域における隣接する金属配線の間隔は略５０ミクロンメートルであり、
前記外側領域における金属配線の幅は略５０ミクロンメートルであり、
前記外側領域における隣接する金属配線の間隔は略２５ミクロンメートルであることを特徴とする。

また、請求項５に記載の発明は請求項２に記載の液晶パネルに係り、
前記近接領域における金属配線の幅は略２０ミクロンメートルであり、
前記近接領域における隣接する金属配線の間隔は略２０ミクロンメートルであり、
前記中間領域における金属配線の幅は略１００ミクロンメートルであり、
前記中間領域における隣接する金属配線の間隔は略５０ミクロンメートルであり、
前記外側領域における金属配線の幅は略５０ミクロンメートルであり、
前記外側領域における隣接する金属配線の間隔は略２５ミクロンメートルであることを特徴とする。

また、請求項６に記載の発明は請求項１乃至５のいずれかに記載の液晶パネルに係り、
前記近接領域の幅は３０〜１００ミクロンメートルであり、
前記外側領域の幅は３０〜１００ミクロンメートルであることを特徴とする。

また、請求項７に記載の発明は請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶パネルに係り、
前記近接領域は前記光硬化型シール材のうち前記画素領域との境界線から前記外側領域方向へ略１００ミクロンメートルの領域とし、
前記近接領域における前記光硬化型シール材のＵＶ光による硬化度が６０％以上となるように、前記近接領域内の金属配線の配線幅を調節することを特徴とする。

また、請求項８に記載の発明は請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶パネルに係り、
前記外側領域は前記光硬化型シール材のうち外側の境界線から前記近接領域方向へ略１００ミクロンメートルの領域とし、
前記外側領域において、未硬化の前記光硬化型シール材が熱硬化するときに膨張して、液晶パネルをマザーガラスから切り出すための切断線を超えないように、前記外側領域における前記光硬化型シール材のＵＶ光による硬化度が略１０％程度となるように、前記外側領域内の金属配線の配線幅を調節することを特徴とする。

本発明によれば、シール材をＢＭと重ねることにより、ＵＶ光をＴＦＴ基板側から照射することが必要な場合に生じる、ＴＦＴ基板上の金属配線により、ＵＶ光が遮られて、シール材が部分的に硬化しないという問題を、ＵＶ光をシール材の領域に合わせて効率的に照射することにより、照射が必要な領域には必要な量のＵＶ光を照射し、それほど必要ではない領域においては、金属配線幅を広くして、導電性を確保し、全体的に金属配線の電気抵抗値の低下を所定範囲内に収めることが可能となった。その結果、シール材をＢＭと重ねることが可能となりパネルの周辺部分を有効に活用するという、近年の表示装置に求められる狭額縁の要請に応えられる。

以下、図を参照しつつ、発明を実施するための形態につき説明する。

図５は本発明を実施するための形態に係る液晶パネルの配線構造を概念的に説明するための平面図である。
図５において、１０１はシール材であり、１０３は基板の切断線であり、Ｒ１はシール材の近接領域であり、Ｒ２は中間領域であり、Ｒ３は外側領域であり、Ｈ１は金属配線がシール材と交差する場合の配線構造であり、Ｈ２は金属配線がシール材と平行に設置されている場合の配線構造であり、Ｈ３は金属配線がシール材と平面的に重なっている場合の配線構造であり、５２１はＨ１の配線構造の場合の近接領域における金属配線であり、５２２はＨ１の配線構造の場合の中間領域における金属配線であり、５２３はＨ１の配線構造の場合の外側領域における金属配線であり、５２４はＨ１の配線構造の場合の、近接領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域であり、５２５はＨ１の配線構造の場合の中間領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域であり、５２６はＨ１の配線構造の場合の外側領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域であり、５３１はＨ２の配線構造の場合の近接領域における金属配線であり、５３２はＨ２場合の中間領域における金属配線であり、５３３はＨ２の配線構造の場合の外側領域における金属配線であり、５３４はＨ２の配線構造の場合の、近接領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域であり、５３５はＨ２の配線構造の場合の中間領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域であり、５３６はＨ２の配線構造の場合の外側領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域であり、５４１はＨ３の配線構造の場合の近接領域における金属配線であり、５４２はＨ３場合の中間領域における金属配線であり、５４３はＨ３の配線構造の場合の外側領域における金属配線であり、５４４はＨ３の配線構造の場合の、近接領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域であり、５４５はＨ３の配線構造の場合の中間領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域であり、５４６はＨ３の配線構造の場合の外側領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域である。

最初に、Ｈ１の配線構造のように金属配線がシール材と交差するように設置されている場合について、説明する。この場合には、近接領域における金属配線５２１については、配線幅を狭くする。この結果、配線幅を狭くした分だけ近接領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域５２４が広くなり、ＵＶ光がシール材に十分に照射され、シール材が十分に硬化し、隣接する液晶にコンタミが混入することを防止できる。中間領域における金属配線５２２の配線幅は広くする。その結果、金属配線の配線抵抗を小さくできる。逆に中間領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域５２５は小さくなる。しかし、中間領域のシール材はＵＶ光によって十分硬化しなくても問題はなく、その後の加熱による熱硬化によって十分にガラス基板に接着すればよいから問題はない。

Ｈ１の配線構造の場合の、外側領域における金属配線５２３の配線幅は狭い。この結果外側領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域５２６を確保でき、ＵＶ光がシール材に十分に照射され、シール材が十分に硬化し、未硬化のシール材が切断線１０３に飛散することを防止できる。

Ｈ１の配線構造の構造の場合における金属配線幅等の具体的な数値の例としては、例えば、近接領域における金属配線の幅Ｌ１は略４０ミクロンメートルであり、
近接領域における隣接する金属配線の間隔Ｓ１は略４０ミクロンメートルであり、
中間領域における金属配線の幅は略１００ミクロンメートルであり、
中間領域における隣接する金属配線の間隔は略５０ミクロンメートルであり、
外側領域における金属配線の幅は略５０ミクロンメートルであり、
外側領域における隣接する金属配線の間隔は略２５ミクロンメートルである。

また、シール材の近接領域の幅は３０〜１００ミクロンメートルであり、
シール材の外側領域の幅は３０〜１００ミクロンメートルである。シール材の近接領域の幅と外側領域の幅については、次に説明するＨ２とＨ３の配線構造の場合においても同じ値である。
なお、以上の数値は例示であり、また、図５は、実施の形態の概略を示すものであり、以上の配線幅等の具体的な寸法は、図５のＨ１部分に描かれている金属配線幅や隣接する金属配線の間隔と正確に一致するものではない。以下のＨ２とＨ３の場合においても同様である。

次に、Ｈ２の配線構造の場合の金属配線がシール材と平行に設置されている場合について、説明する。この場合には、近接領域における金属配線５３１については、配線幅を狭くする。この結果近接領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域５３４が広くなり、ＵＶ光がシール材に十分に照射され、シール材が十分に硬化し、隣接する液晶にコンタミが混入することを防止できる。中間領域における金属配線５３２の配線幅は広くする。その結果、金属配線の配線抵抗を小さくできる。逆に中間領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域５３５は小さくなる、しかし、中間領域のシール材はＵＶ光によって十分硬化しなくても問題はなく、その後の加熱による熱硬化によって十分にガラス基板に接着すればよい。

Ｈ２の配線構造の場合の、外側領域における金属配線５３３の配線幅は狭い。この結果外側領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域５３６を確保でき、ＵＶ光がシール材に十分に照射され、シール材が十分に硬化し、未硬化のシール材が切断線１０３に飛散することを防止できる。

Ｈ２の配線構造の構造の場合における金属配線幅等の具体的な数値の例としては、例えば、近接領域における金属配線の幅Ｌ２は略２０ミクロンメートルであり、
近接領域における隣接する金属配線の間隔Ｓ２は略２０ミクロンメートルであり、
中間領域における金属配線の幅は略１００ミクロンメートルであり、
中間領域における隣接する金属配線の間隔は略５０ミクロンメートルであり、
外側領域における金属配線の幅は略５０ミクロンメートルであり、
外側領域における隣接する金属配線の間隔は略２５ミクロンメートルである。

最後に、Ｈ３の配線構造の場合の金属配線がシール材と平面状に重なって設置されている場合について、説明する。この場合には、近接領域における金属配線５４１については、配線幅を狭くする。この結果近接領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域５４４が広くなり、ＵＶ光がシール材に十分に照射され、シール材が十分に硬化し、隣接する液晶にコンタミが混入することを防止できる。中間領域における金属配線５４２は面配線とし格子状に開口部を設ける。その結果、金属配線の配線抵抗を小さくできる。逆に中間領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域５４５は開口部だけとなる。しかし、中間領域のシール材はＵＶ光によって十分硬化しなくても問題はなく、その後の加熱による熱硬化によって十分にガラス基板に接着すればよい。

Ｈ３の配線構造の場合の、外側領域における金属配線５４３の配線幅は狭い。この結果外側領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域５４６を確保でき、ＵＶ光がシール材に十分に照射され、シール材が十分に硬化し、未硬化のシール材が切断線１０３に飛散することを防止できる。

Ｈ３の配線構造の構造の場合における金属配線幅等の具体的な数値の例としては、例えば、近接領域における金属配線の幅Ｌ３は略１５ミクロンメートルであり、
近接領域における隣接する金属配線の間隔は略２０ミクロンメートルであり、
外側領域における金属配線の幅は略４０ミクロンメートルであり、
外側領域における隣接する金属配線の間隔は略４０ミクロンメートルである。

以上の説明においては、典型的な３タイプの配線方法について説明した。しかし、発明の要旨は、シール材の領域を、近接領域、中間領域、外側領域の３領域に分け、各領域の機能を把握し、各機能を十分に満たす範囲内で、最大限に金属配線の配線抵抗を小さくするように配線構造を構成する点にあるので、本発明は、説明したＨ１、Ｈ２、Ｈ３の場合の配線構造に制限されるものではない。

なお、シール材、金属配線、ＴＦＴ基板、ＣＦ基板の詳細については公知なので、説明は省略する。

ＴＦＴ−ＬＣＤパネルの周辺におけるＣＦ基板のブラックマトリックスと、シール材との配置関係を示す部分平面図である。図１のＡ−Ａ切断線断面図である。シール材１０１をＢＭ１０２と重ねて塗布し、ＵＶ光をＴＦＴ基板側から照射する構造とした場合を示す部分平面図である。図３のＢ−Ｂ切断線断面図である。本発明を実施するための形態に係る液晶パネルの配線構造を概念的に説明するための平面図である。金属配線がシール材を横断する場合には、重なる部分の配線幅を狭くする配線構造を示す図である。金属配線がシール材を横断する場合に、重なる部分の配線を透明電極で形成して、ＵＶ光が透明電極部分を通過して、シール材に到達するような配線構造を示す図である。金属配線がシール材を横断する場合に、重なる部分の金属配線にスリットを形成して、ＵＶ光がスリットを通過して、シール材に到達するような配線構造を示す図である。

符号の説明

１０１シール材
１０３切断線
５２１近接領域における金属配線
５２２中間領域における金属配線
５２３外側領域における金属配線
５２４近接領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域
５２５中間領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域
５２６外側領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域
５３１近接領域における金属配線
５３２中間領域における金属配線
５３３外側領域における金属配線
５３４近接領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域
５３５中間領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域
５３６外側領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域
５４１近接領域における金属配線
５４２中間領域における金属配線
５４３外側領域における金属配線
５４４近接領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域
５４５中間領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域
５４６外側領域におけるシール材にＵＶ光が照射され得る領域
Ｈ１金属配線がシール材と交差する場合の配線構造
Ｈ２金属配線がシール材と平行に設置されている場合の配線構造
Ｈ３金属配線がシール材と平面的に重なっている場合の配線構造
Ｒ１シール材の近接領域
Ｒ２シール材の中間領域
Ｒ３シール材の外側領域
Ｌ１近接領域における金属配線の幅
Ｓ１近接領域における隣接する金属配線の間隔
Ｌ２近接領域における金属配線の幅
Ｓ２近接領域における隣接する金属配線の間隔
Ｌ３近接領域における金属配線の幅
Ｓ３近接領域における金属配線の幅

Claims

薄膜トランジスタを含む画素がマトリックス状に配置されたＴＦＴ基板と、
カラーフィルターが配置された基板（以下「ＣＦ基板」ともいう）と、を
前記ＴＦＴ基板と前記ＣＦ基板との間に滴下された液晶を狭持させながら、両基板の周辺部に設置された光硬化型シール材を用いて張り合わせてなる液晶パネルにおいて、
前記ＴＦＴ基板上に設けられている金属配線のうち前記光硬化型シール材と重なっている部分の配線については、
前記光硬化型シール材を前記画素が配置されている領域（以下「画素領域」ともいう）に近接する領域（以下「近接領域」ともいう）と、最も離れている外側の領域（以下「外側領域」ともいう）と、その中間の領域（以下「中間領域」ともいう）とに分けて、
前記金属配線が前記光硬化型シール材の近接領域と交差する部分の前記金属配線については配線幅を狭くし、
前記金属配線が前記光硬化型シール材の中間領域と交差する部分の前記金属配線については配線幅を太くし、
前記金属配線が前記光硬化型シール材の外側領域と交差する部分の前記金属配線については配線幅を狭くすることを特徴とする液晶パネル。
薄膜トランジスタを含む画素がマトリックス状に配置されたＴＦＴ基板と、
カラーフィルターが配置されたＣＦ基板と、を
前記ＴＦＴ基板と前記ＣＦ基板との間に滴下された液晶を狭持させながら、両基板の周辺部に設置された光硬化型シール材を用いて張り合わせてなる液晶パネルにおいて、
前記ＴＦＴ基板上に設けられている金属配線のうち前記光硬化型シール材と重なっている部分の配線については、
前記光硬化型シール材をマトリックス状に配置された画素が配置されている画素領域に近い近接領域と、最も離れている外側領域と、その中間の中間領域に分けて、
前記金属配線が前記光硬化型シール材の近接領域と重なり、平行に配置されている前記金属配線については配線幅を狭くし、
前記金属配線が前記光硬化型シール材の中間領域と重なり、平行に配置されている前記金属配線については配線幅を太くし、
前記金属配線が前記光硬化型シール材の外側領域と重なり、平行に配置されている前記金属配線については配線幅を狭くすることを特徴とする液晶パネル。
薄膜トランジスタを含む画素がマトリックス状に配置されたＴＦＴ基板と、
カラーフィルターが配置されたＣＦ基板と、を
前記ＴＦＴ基板と前記ＣＦ基板との間に滴下された液晶を狭持させながら、両基板の周辺部に設置された光硬化型シール材を用いて張り合わせてなる液晶パネルにおいて、
前記ＴＦＴ基板上に設けられている金属配線のうち前記光硬化型シール材と重なっている部分の配線については、
前記光硬化型シール材をマトリックス状に配置された画素が配置されている画素領域に近い近接領域と、最も離れている外側領域と、その中間の中間領域に分けて、
前記金属配線が前記光硬化型シール材の近接領域と交差する部分の前記金属配線については配線幅を狭くし、
前記金属配線が前記光硬化型シール材の中間領域と重なっている部分の前記金属配線については面配線として、該面配線領域に格子状に開口部を配置して、
前記金属配線が前記光硬化型シール材の外側領域と交差する部分の前記金属配線については配線幅を狭くすることを特徴とする液晶パネル。
請求項１に記載の液晶パネルにおいて、
前記近接領域における金属配線の幅は略４０ミクロンメートルであり、
前記近接領域における隣接する金属配線の間隔は略４０ミクロンメートルであり、
前記中間領域における金属配線の幅は略１００ミクロンメートルであり、
前記中間領域における隣接する金属配線の間隔は略５０ミクロンメートルであり、
前記外側領域における金属配線の幅は略５０ミクロンメートルであり、
前記外側領域における隣接する金属配線の間隔は略２５ミクロンメートルであることを特徴とする液晶パネル。
請求項２に記載の液晶パネルにおいて、
前記近接領域における金属配線の幅は略２０ミクロンメートルであり、
前記近接領域における隣接する金属配線の間隔は略２０ミクロンメートルであり、
前記中間領域における金属配線の幅は略１００ミクロンメートルであり、
前記中間領域における隣接する金属配線の間隔は略５０ミクロンメートルであり、
前記外側領域における金属配線の幅は略５０ミクロンメートルであり、
前記外側領域における隣接する金属配線の間隔は略２５ミクロンメートルであることを特徴とする液晶パネル。
請求項１乃至５のいずれかに記載の液晶パネルにおいて、
前記近接領域の幅は３０〜１００ミクロンメートルであり、
前記外側領域の幅は３０〜１００ミクロンメートルであることを特徴とする液晶パネル。
請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶パネルにおいて、
前記近接領域は前記光硬化型シール材のうち前記画素領域との境界線から前記外側領域方向へ略１００ミクロンメートルの領域とし、
前記近接領域における前記光硬化型シール材のＵＶ光による硬化度が６０％以上となるように、前記近接領域内の金属配線の配線幅を調節することを特徴とする液晶パネル。
請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶パネルにおいて、
前記外側領域は前記光硬化型シール材のうち外側の境界線から前記近接領域方向へ略１００ミクロンメートルの領域とし、
前記外側領域において、未硬化の前記光硬化型シール材が熱硬化するときに膨張して、液晶パネルをマザーガラスから切り出すための切断線を超えないように、前記外側領域における前記光硬化型シール材のＵＶ光による硬化度が略１０％程度となるように、前記外側領域内の金属配線の配線幅を調節することを特徴とする液晶パネル。