JPH1152394A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置及びその製造方法

Info

Publication number
JPH1152394A
JPH1152394A JP20312597A JP20312597A JPH1152394A JP H1152394 A JPH1152394 A JP H1152394A JP 20312597 A JP20312597 A JP 20312597A JP 20312597 A JP20312597 A JP 20312597A JP H1152394 A JPH1152394 A JP H1152394A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
display device
crystal display
substrate
wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20312597A
Other languages
English (en)
Inventor
Chikaaki Mizoguchi
親明 溝口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Electric Kagoshima Ltd
NEC Kagoshima Ltd
Original Assignee
Nippon Electric Kagoshima Ltd
NEC Kagoshima Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Kagoshima Ltd, NEC Kagoshima Ltd filed Critical Nippon Electric Kagoshima Ltd
Priority to JP20312597A priority Critical patent/JPH1152394A/ja
Publication of JPH1152394A publication Critical patent/JPH1152394A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】TFT液晶表示装置の引き出し配線とシール部
とCFブラックとのオーバーラップ部分で紫外線硬化樹
脂シールの硬化不良が発生するのを防ぐ。 【解決手段】引き出し配線とシール部とのオーバーラッ
プ部分に対応する位置のTFT基板引き出し配線を透明
電極とする。これにより、オーバーラップ部分が遮光材
料であることによって生じていた光硬化性樹脂シールの
硬化不良を解消し、実用的強度を有したTFT液晶表示
装置を得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その製造方法に関し、特に二枚の基板のシール部分のU
V硬化向上を目指した液晶表示装置及びその製造方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来の薄膜トランジスタを使ったアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の周辺部の概略の断面図
を図7に示す。金属配線5を有するTFT基板1とCF
ブラック4を有するCF基板2とをシール部3により接
合した構造をしている。この構造の欠点は、シール部3
に光硬化性樹脂を使用する場合、これを硬化させるため
に必要なUV光9がCFブラック4と金属配線5によっ
て遮られ、配線パターンの下でシールの硬化不良を引き
起こすことにより、その部分でリークが発生するなど信
頼性上の問題が生じることである。
【0003】その理由は、実際の製品においては、CF
ブラック4と金属配線5の隙間は約5μmであるのに対
し、金属配線5の線幅は50μm程であり、隙間から入
射したUV光は配線パターンの中央部に達する前に著し
く減衰してしまうからである。
【0004】この点に関する改善として特開平8−87
019では、パネルをUV光源と光反射部材の間に入れ
てパネルの表・裏両面からUV光が当たるようにしたU
V照射装置が示されている。又、特開平8−87020
ではUV光源側に光散乱部材をいれてCFブラックに斜
めに光を当てて影の部分も光が当たるようにしたUV照
射装置が示されている。又、特開平5−192933で
は光硬化性樹脂内に照射光を反射もしくは屈折させるた
めの微少個体粒子を予め混入分散させ、影の部分にもU
V光が当たるようにした光硬化性樹脂が提示されてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の技術において、特開平8−87019に提案されて
いる方法は、予め2枚のガラス基板の間に接着剤を挟み
込んで一体形状としたワークに対し、CFブラック側か
らUV光を当ててワークを透過したUV光を光反射部材
で反射させて、この反射したUV光をTFT基板側から
当てるものであり、CFブラック側から入射するUV光
をCFブラックが遮ることについては回避出来てもTF
T基板に存在する金属配線パターンによる遮光に対して
の効果は無いため配線パターン下の部分の光硬化性樹脂
は硬化しない。
【0006】また、特開平8−87020に提案されて
いる方法は、上記のワークに対してCFブラック側のワ
ーク近傍に光拡散部材を配置して、CFブラックに斜め
にUV光を当てて影の部分に届かせようとしたものであ
るが、前記のように5μmの隙間から斜めに入射した光
では減衰が著しいため配線パターン下の部分の光硬化性
樹脂は実用的な強度までの硬化を得ることが出来ない。
【0007】また、特開平5−192933に提案され
ている方法は、紫外線硬化樹脂内に、照射光を反射もし
くは屈折させるための微少個体粒子群を分散させること
によって紫外線が当たりにくい部分にも到達させようと
したものであるが、液晶表示装置のような間口が狭く奥
行きの長い形状の部分に対するものとしては、やはり減
衰が大きく光硬化性樹脂は実用的な強度までの硬化を得
ることが出来ない。
【0008】本発明の目的は、金属配線を有するTFT
液晶表示装置において、光硬化性樹脂を使用したシール
剤が、金属配線とCFブラックマトリクスとの間で光強
度不足による硬化不良を起こしていた問題を解消し、実
用的な信頼性強度を保った製品を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、画素マトリク
スが形成されている第一の基板とカラーフィルターが形
成されている第二の基板を、その周辺部をシール材を用
いて貼り合わせて、その内部に液晶を封入して成る液晶
表示装置において、前記第一の基板の周辺部に配置され
る電極端子へ引き出される配線と前記シールの部分とが
オーバーラップする部分の前記配線部分を透明導電膜と
してUV光が効果的に光硬化性樹脂シールへ照射できる
様にしたものである。
【0010】なお、前記オーバーラップ部分以外の前記
配線は金属として配線抵抗による電圧低下を最小限に抑
えるようにしてもよいし、前記オーバーラップ部分以外
の前記配線は金属と透明電極膜の2層として電圧低下を
最小限に抑えるようにしてもよい。
【0011】本発明は、前記オーバーラップ部分の前記
配線に穴又はスリットを形成してUV光が光硬化性樹脂
シールへ照射できる様にしたものである。前記穴又はス
リット上に透明電極膜を形成して電圧低下を最小限に抑
えるようにしてもよい。
【0012】また、本発明によれば、フォトリソグラフ
法で配線を形成するに当たってシール部とオーバーラッ
プする部分も金属を除去する工程と、透明導電膜を形成
する工程と、フォトリソグラフ法で配線及びオーバーラ
ップ部上に透明導電膜を形成する工程とを含む液晶表示
装置の製造方法が得られる。
【0013】さらに、本発明によれば、画素マトリクス
が形成されている第一の基板とカラーフィルタが形成さ
れている第二の基板を、その周辺部をシール剤を用いて
貼り合わせて、その内部に液晶を封入して液晶表示装置
を製造する方法において、前記第一の基板の周辺部に配
置される電極端子へ引き出される配線と前記シールの部
分とがオーバーラップする部分に対応する前記第二の基
板のブラックマトリクス部分に光透過用の窓を形成して
UV光が効果的に光硬化性樹脂シールへ照射できる様に
した液晶表示装置が得られる。
【0014】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て詳細に説明する。図1は本発明の第一の実施の形態の
液晶表示装置の周辺部を示す断面図である。同図におい
てCF基板2上に形成されたCFブラック4により遮光
されたシール部3に対向する部分について、TFT基板
1上に形成された金属配線5がオーバーラップしないよ
うにパターニングを行い、同時に形成された端子取り出
し側金属配線10との間をITO(透明導電膜,酸化イ
ンジウムスズ)配線6で接続しUV光9がこのITO配
線6を透過してシール部3へ達する構造としたものであ
る。
【0015】ここでITO配線6のみで端子取り出し側
金属配線10と金属配線5とを接続する領域は、ITO
配線6の電気抵抗による駆動電圧低下を抑えるためにシ
ール部3の幅全体を含んだ必要最小限の部分とするのが
望ましいが、実駆動上の障害にならない範囲であれば例
えば端子取り出し側金属配線10を形成せず、ITO配
線6のみとした構造も可能となる。
【0016】図2はその平面図である。ここではTFT
基板1側から直視した図を示す。ここでCF基板2のC
Fブラック4はシール部3とオーバーラップしていて図
の裏面側即ちCF側からはシール部3にUV光を当てる
ことは出来ない。一方TFT基板側では、金属配線5と
端子取り出し側金属配線10間はITO配線6としてシ
ール部3にUV光を当てる際に障害の無いような構造と
している。
【0017】図3(a)〜(d)は本発明における配線
形成工程を示す図である。最初に(a)に示すようにT
FT基板1上に金属膜31を成膜する。次に(b)に示
すように金属膜31をパターニングする。この時シール
部3とオーバーラップする部分は予め間を開けておく。
次に(c)に示すようにITO膜32を成膜する。
【0018】最後に(d)に示すようにITO膜をパタ
ーニングしITO配線6を形成する。この例ではITO
配線6は、金属電極5上と端子取り出し側電極10上全
面に形成したが、ITO配線は最低限金属電極5と端子
取り出し側電極10間を接続できるように形成してもよ
い。以上の工程手順は通常のTFT素子形成フロー内で
実現可能であり、本発明の工程についてはフォトマスク
の形成のみで実現される。
【0019】図4は本発明の第二の実施の形態を示す平
面図である。この実施の形態においては、シール部3と
金属配線5とのオーバーラップする部分にスリット7を
設け、配線外端及びスリット7部分から入射した斜め方
向のUV光が、線幅8で示した金属配線とCFブラック
4との間にあるシール部3の紫外線硬化樹脂に対し多重
反射等により到達する構造としている。
【0020】本実施の形態は、第一の実施の形態で生じ
るITO接合部での電気抵抗による電圧ダウンの緩和を
目的としたものであり、この意味からスリット7へのI
TO形成は第一の実施の形態と同様に実施したほうが望
ましい。この第二の実施の形態においては、スリット7
の幅と線幅8の寸法を電気抵抗と紫外線硬化樹脂へのU
V光到達度の兼ね合いを考慮した上で決定すべきもので
ある。但し第二の実施の形態においては、シール剤の硬
化強度は原理的に第一の実施の形態より劣るため、通常
の駆動条件下では第一の実施の形態のほうが優る。ま
た、スリット部のパターニング不良が寸法精度的に発生
し易くなるため、歩留まり上も第一の実施形態のほうが
よい。なお、この実施の形態では金属配線にスリットを
設ける場合を示したが、スリットの代わりに丸や4角の
穴を設けてもよい。
【0021】次に本発明の第三の実施の形態について説
明する。図5はその断面図である。この実施の形態はC
F側のブラックマトリクスに対してシール部及びTFT
基板側配線とオーバーラップする部分にUV光を透過す
る窓を設けたものである(以下「BM窓」と称す)。
【0022】図5に示すように、CFブラック4のシー
ル部3と金属配線5とのオーバーラップする部分につい
てBM窓11を設け、配線外端及びBM窓11部分から
入射した斜め方向のUV光がシール部3の紫外線硬化樹
脂に対し多重反射等により到達する構造としている。
【0023】図6はその平面図である。この場合はTF
T基板側の配線パターンは従来通りで良く、電圧降下に
ついての考慮は不要であるが、UV光を素子の表裏両方
から照射する必要があるのとCF,TFT両方のパター
ン精度さらに両基板の重ね合わせ精度が要求されること
になる。
【0024】
【発明の効果】以上説明した本発明の効果は、TFT基
板引き出し配線とCF基板のCFブラックマトリクスと
の間に挟まれた部分の紫外線硬化樹脂シールを実用的強
度に硬化させられることである。その理由は、引き出し
配線とシールとがオーバーラップする部分に紫外線を透
過する導電材料にするか又は配線部分に穴又はスリット
を設け、あるいは引き出し配線とシールとがオーバーラ
ップする部分のCFブラックマトリクスのオーバーラッ
プ部分に紫外線を透過する窓となるパターンを設けたか
らである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態を示す断面図であ
る。
【図2】本発明の第1の実施の形態を示す平面図であ
る。
【図3】(a)〜(d)は本発明の第1の実施の形態の
製造工程を示す斜視図である。
【図4】(a),(b)は本発明の第2の実施の形態を
示す平面図及びスリット部分拡大図である。
【図5】本発明の第3の実施の形態を示す断面図であ
る。
【図6】本発明の第3の実施の形態を示す断面図であ
る。
【図7】従来の技術を示す断面図である。
【符号の説明】
1 TFT基板 2 CF基板 3 シール部 4 CFブラック 5 金属配線 6 ITO配線 7 スリット 8 線幅 9 UV光 10 端子取り出し側金属配線 11 BM窓

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 画素マトリクスが形成されている第一の
    基板とカラーフィルタが形成されている第二の基板を、
    その周辺部をシール剤を用いて貼り合わせて、その内部
    に液晶を封入して成る液晶表示装置において、前記第一
    の基板の周辺部に配置される電極端子へ引き出される配
    線と前記シール部分とがオーバーラップする部分の前記
    配線部分を透明導電膜としたことを特徴とする液晶表示
    装置。
  2. 【請求項2】 前記オーバーラップ部分以外の前記配線
    が金属であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示
    装置。
  3. 【請求項3】 前記オーバーラップ部分以外の前記配線
    が金属と透明電極膜の2層であることを特徴とする請求
    項1記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項4】 画素マトリクスが形成されている第一の
    基板とカラーフィルタが形成されている第二の基板をそ
    の周辺部をシール剤を用いて貼り合わせて、その内部に
    液晶を封入して成る液晶表示装置において、前記第一の
    基板の周辺部に配置される電極端子へ引き出される配線
    と前記シール部分とがオーバーラップする部分の配線部
    分に穴又はスリットが形成されていることを特徴とする
    液晶表示装置。
  5. 【請求項5】 前記穴又はスリット上に透明電極膜を形
    成したことを特徴とする請求項4記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項6】 画素マトリクスが形成されている第一の
    基板とカラーフィルタが形成されている第二の基板を、
    その周辺部をシール剤を用いて貼り合わせて、その内部
    に液晶を封入する液晶表示装置の製造方法において、前
    記第一の基板に配線用の金属膜を形成し、フォトリソグ
    ラフ法で配線を形成するに当たって前記シール部分とオ
    ーバーラップする部分も金属を除去する工程と、透明導
    電膜を形成する工程と、フォトリソグラフ法で前記配線
    及び前記オーバーラップ部上に透明導電膜を形成する工
    程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  7. 【請求項7】 画素マトリクスが形成されている第一の
    基板とカラーフィルタが形成されている第二の基板を、
    その周辺部をシール剤を用いて貼り合わせて、その内部
    に液晶を封入してなる液晶表示装置において、前記第一
    の基板の周辺部に配置される電極端子へ引き出される配
    線と前記シールの部分とがオーバーラップする部分に対
    応する前記第二の基板のブラックマトリクス部分に光透
    過用の窓が形成されていることを特徴とする液晶表示装
    置。
JP20312597A 1997-07-29 1997-07-29 液晶表示装置及びその製造方法 Pending JPH1152394A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20312597A JPH1152394A (ja) 1997-07-29 1997-07-29 液晶表示装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20312597A JPH1152394A (ja) 1997-07-29 1997-07-29 液晶表示装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1152394A true JPH1152394A (ja) 1999-02-26

Family

ID=16468828

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20312597A Pending JPH1152394A (ja) 1997-07-29 1997-07-29 液晶表示装置及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1152394A (ja)

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1176457A2 (en) * 2000-07-25 2002-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2002311439A (ja) * 2001-04-17 2002-10-23 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
KR20020081562A (ko) * 2001-04-17 2002-10-28 닛본 덴기 가부시끼가이샤 액정표시장치 및 그 제조방법
JP2005283790A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Nec Lcd Technologies Ltd アクティブマトリクス基板及び該基板を備える液晶表示装置
JP2006039524A (ja) * 2004-07-27 2006-02-09 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む表示装置
JP2006343530A (ja) * 2005-06-09 2006-12-21 Sharp Corp 液晶表示装置および液晶パネル
JP2007041625A (ja) * 1999-05-24 2007-02-15 Sharp Corp 液晶表示装置及びその製造方法
US7196753B2 (en) 1998-08-07 2007-03-27 Kabushiki Kaisha Advanced Display Liquid crystal display and manufacturing process thereof
KR100744390B1 (ko) 2006-03-17 2007-07-30 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치
KR100775709B1 (ko) 2002-03-27 2007-11-09 샤프 가부시키가이샤 액정 표시 장치용 기판 및 그것을 구비한 액정 표시장치와 그 제조 방법 및 제조 장치
JP2008107488A (ja) * 2006-10-24 2008-05-08 Mitsubishi Electric Corp 表示装置、及びその製造方法
JP2008139823A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Lg Phillips Lcd Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
KR100887634B1 (ko) * 2002-02-23 2009-03-11 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR100954328B1 (ko) * 2002-12-24 2010-04-21 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 제조 방법
JP2010097224A (ja) * 2002-11-27 2010-04-30 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP2010113377A (ja) * 1999-05-24 2010-05-20 Sharp Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP2010204417A (ja) * 2009-03-04 2010-09-16 Sony Corp 液晶表示装置およびその製造方法
US7868987B2 (en) 2006-12-02 2011-01-11 Infovision Optoelectronics Holdings Limited Liquid crystal panel for liquid crystal display device
US7897003B2 (en) 1999-05-24 2011-03-01 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display and method of fabricating the same
KR101026805B1 (ko) * 2003-06-25 2011-04-04 삼성전자주식회사 액정표시장치
WO2011062009A1 (ja) * 2009-11-20 2011-05-26 シャープ株式会社 液晶パネルおよび液晶表示装置
US7986393B2 (en) 2008-03-14 2011-07-26 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2011150187A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Casio Computer Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP2011242705A (ja) * 2010-05-21 2011-12-01 Sony Corp 表示装置、および表示装置の製造方法
WO2012073828A1 (ja) * 2010-12-03 2012-06-07 住友化学株式会社 電気装置
WO2012144434A1 (ja) * 2011-04-22 2012-10-26 シャープ株式会社 表示装置
JP2013231786A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Japan Display Inc 液晶表示パネル
JP2014112666A (ja) * 2012-11-02 2014-06-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 封止体及び封止体の作製方法
CN103885221A (zh) * 2014-04-14 2014-06-25 深圳市华星光电技术有限公司 大板加电线路及其制造方法
US9543533B2 (en) 2013-03-07 2017-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN108153071A (zh) * 2017-12-29 2018-06-12 惠州市华星光电技术有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
TWI642998B (zh) * 2015-05-06 2018-12-01 凌巨科技股份有限公司 窄邊框顯示器
CN116300238A (zh) * 2023-03-24 2023-06-23 光羿智能科技(苏州)有限公司 一种电致变色器件及后视镜

Cited By (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7227601B2 (en) 1998-08-07 2007-06-05 Kabushiki Kaisha Advanced Display Liquid crystal display and manufacturing process thereof
US7196753B2 (en) 1998-08-07 2007-03-27 Kabushiki Kaisha Advanced Display Liquid crystal display and manufacturing process thereof
JP2007041625A (ja) * 1999-05-24 2007-02-15 Sharp Corp 液晶表示装置及びその製造方法
US8289481B2 (en) 1999-05-24 2012-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device comprising a shading film with a plurality of light incident holes above each of the transfers and method of fabricating the same
US7897003B2 (en) 1999-05-24 2011-03-01 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display and method of fabricating the same
JP2010113377A (ja) * 1999-05-24 2010-05-20 Sharp Corp 液晶表示装置及びその製造方法
EP2275860A3 (en) * 2000-07-25 2011-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring and sealing scheme for an active matrix display device
US7019718B2 (en) 2000-07-25 2006-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1176457A3 (en) * 2000-07-25 2005-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1176457A2 (en) * 2000-07-25 2002-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR20020081562A (ko) * 2001-04-17 2002-10-28 닛본 덴기 가부시끼가이샤 액정표시장치 및 그 제조방법
JP2002311439A (ja) * 2001-04-17 2002-10-23 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
KR100887634B1 (ko) * 2002-02-23 2009-03-11 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR100775709B1 (ko) 2002-03-27 2007-11-09 샤프 가부시키가이샤 액정 표시 장치용 기판 및 그것을 구비한 액정 표시장치와 그 제조 방법 및 제조 장치
JP2010097224A (ja) * 2002-11-27 2010-04-30 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
KR100954328B1 (ko) * 2002-12-24 2010-04-21 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 제조 방법
KR101026805B1 (ko) * 2003-06-25 2011-04-04 삼성전자주식회사 액정표시장치
US7609354B2 (en) 2004-03-29 2009-10-27 Nec Lcd Technologies, Ltd Active matrix substrate and liquid crystal display device with the same
JP2005283790A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Nec Lcd Technologies Ltd アクティブマトリクス基板及び該基板を備える液晶表示装置
US8199309B2 (en) 2004-03-29 2012-06-12 Nec Corporation Active matrix subtrate and liquid crystal display device with the same
US9874794B2 (en) 2004-07-27 2018-01-23 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel and display device including the same
JP2006039524A (ja) * 2004-07-27 2006-02-09 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む表示装置
US9310657B2 (en) 2004-07-27 2016-04-12 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel and display device including the same
TWI382264B (zh) * 2004-07-27 2013-01-11 Samsung Display Co Ltd 薄膜電晶體陣列面板及包括此面板之顯示器裝置
US10025149B2 (en) 2004-07-27 2018-07-17 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel and display device including the same
JP2006343530A (ja) * 2005-06-09 2006-12-21 Sharp Corp 液晶表示装置および液晶パネル
KR100744390B1 (ko) 2006-03-17 2007-07-30 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치
JP2008107488A (ja) * 2006-10-24 2008-05-08 Mitsubishi Electric Corp 表示装置、及びその製造方法
US7868987B2 (en) 2006-12-02 2011-01-11 Infovision Optoelectronics Holdings Limited Liquid crystal panel for liquid crystal display device
JP2008139823A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Lg Phillips Lcd Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
US7986393B2 (en) 2008-03-14 2011-07-26 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2010204417A (ja) * 2009-03-04 2010-09-16 Sony Corp 液晶表示装置およびその製造方法
WO2011062009A1 (ja) * 2009-11-20 2011-05-26 シャープ株式会社 液晶パネルおよび液晶表示装置
JP2011150187A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Casio Computer Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP2011242705A (ja) * 2010-05-21 2011-12-01 Sony Corp 表示装置、および表示装置の製造方法
JP2012119255A (ja) * 2010-12-03 2012-06-21 Sumitomo Chemical Co Ltd 電気装置
WO2012073828A1 (ja) * 2010-12-03 2012-06-07 住友化学株式会社 電気装置
JP5798619B2 (ja) * 2011-04-22 2015-10-21 シャープ株式会社 表示装置
WO2012144434A1 (ja) * 2011-04-22 2012-10-26 シャープ株式会社 表示装置
US10451913B2 (en) 2012-04-27 2019-10-22 Japan Display Inc. Liquid crystal display panel
JP2013231786A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Japan Display Inc 液晶表示パネル
JP2014112666A (ja) * 2012-11-02 2014-06-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 封止体及び封止体の作製方法
US10096669B2 (en) 2013-03-07 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US11271070B2 (en) 2013-03-07 2022-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9543533B2 (en) 2013-03-07 2017-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US11950474B2 (en) 2013-03-07 2024-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US11678538B2 (en) 2013-03-07 2023-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10263063B2 (en) 2013-03-07 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10680055B2 (en) 2013-03-07 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN103885221A (zh) * 2014-04-14 2014-06-25 深圳市华星光电技术有限公司 大板加电线路及其制造方法
WO2015158052A1 (zh) * 2014-04-14 2015-10-22 深圳市华星光电技术有限公司 大板加电线路及其制造方法
TWI642998B (zh) * 2015-05-06 2018-12-01 凌巨科技股份有限公司 窄邊框顯示器
US10684502B2 (en) 2017-12-29 2020-06-16 Huizhou China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and the manufacturing method thereof, and display device
CN108153071B (zh) * 2017-12-29 2020-12-11 惠州市华星光电技术有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN108153071A (zh) * 2017-12-29 2018-06-12 惠州市华星光电技术有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN116300238A (zh) * 2023-03-24 2023-06-23 光羿智能科技(苏州)有限公司 一种电致变色器件及后视镜

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1152394A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
JP3874920B2 (ja) 液晶表示装置
KR100356603B1 (ko) 액정표시장치
JP3471579B2 (ja) マルチパネル方式液晶表示装置
JP4177658B2 (ja) 液晶表示装置
KR100775709B1 (ko) 액정 표시 장치용 기판 및 그것을 구비한 액정 표시장치와 그 제조 방법 및 제조 장치
TW200528813A (en) Liquid crystal display device
JP3161528B2 (ja) 液晶表示パネル
JP4065609B2 (ja) 液晶表示装置
JP4747133B2 (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
JP2006053518A (ja) 液晶表示パネルおよびその製造方法
KR100235073B1 (ko) 액정 디스플레이
KR100259180B1 (ko) 액정 표시 장치
JPH11212075A (ja) 液晶表示装置の製造方法
JP2008139555A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
JP2000352717A (ja) 液晶表示パネルおよびその製造方法
JPH09311344A (ja) 画像表示装置
JP5304518B2 (ja) 液晶表示パネル及びその製造方法
JP2000089235A (ja) 液晶表示素子
JP3399882B2 (ja) 液晶表示装置
US6268896B1 (en) LCD having slits formed on shade film and shade wiring
JP3648337B2 (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2004294799A (ja) 液晶表示素子
JP4646956B2 (ja) 液晶表示装置
KR101087328B1 (ko) 액정표시장치 및 편광판 구조

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20000321