JP4880695B2 - 積層コンデンサ - Google Patents

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Description

本発明は、ICの電源端子に供給される電源電流を安定させるデカップリング回路等に好適に用いられる積層コンデンサに関する。
従来より、ICと電源との間にはICに対して並列にデカップリング回路を接続し、電源電流のうち交流成分をデカップリング回路で迂回させ、直流成分のみをICに供給するようにしている。このようなデカップリング回路の機能は、低周波から高周波までの広い周波数帯域でインピーダンスを所定の値よりも低くすることによって得られるものである。通常、デカップリング回路は複数のコンデンサにより構成される。コンデンサは、静電容量の他に等価直列インダクタンス(以下、ESLという。)を有していることから、このESLと静電容量とによる自己共振周波数の付近の周波数帯域のみにおいてインピーダンスが低いものとなっているので、デカップリング回路は、自己共振周波数の異なる複数のコンデンサを並列に配置することによって構成することとされている。デカップリング回路の回路規模を小さなものとするためには構成するコンデンサの数を少なくしなければならず、そのためには、単独で、インピーダンスの低い周波数帯域が広く得られるコンデンサを採用すれば良い。例えば、従来より、デカップリング回路には積層コンデンサが好適に用いられている。
図4は、従来の積層コンデンサの一例を示す外観斜視図である。デカップリング回路に従来から用いられている積層コンデンサ40としては、例えば、特開2004−296940号公報に開示されているように、複数の長方形状の誘電体層42を積層方向に積層して成る直方体状の積層体41と、この積層体41の内部で誘電体層42を挟んで互いに対向するように交互に配置された複数の第1内部電極および第2内部電極(図示せず)と、積層体41の、積層方向に垂直でかつ誘電体層42の長手方向に平行な方向に垂直な左右面のそれぞれから、積層体41の、積層方向に垂直でかつ誘電体層42の長手方向に垂直な幅方向に平行な方向に垂直な上下面の両方にかけて積層方向に渡って形成され、第1内部電極同士および第2内部電極同士をそれぞれ電気的に接続する第1外部電極45および第2外部電極46とを備え、積層体41の上下面のいずれか一方を実装面とする積層コンデンサ40が知られている。
このような積層コンデンサ40は、第1内部電極と第2内部電極との間に形成される静電容量を並列に複数配列することによって高い静電容量が得られるものであり、また、積層体41の上下面を実装面とすることによって、それぞれの第1内部電極および第2内部電極に流れる電流の経路が短くなってESLを低くすることができるものである。他方、コンデンサのインピーダンスは、自己共振周波数において最小になり、自己共振周波数よりも低周波側では静電容量にほぼ反比例し、高周波側ではESLにほぼ比例することが知られている。これらを考慮すると、積層コンデンサ40は、高い静電容量と低いESLを有していることから、自己共振周波数の低周波側および高周波側の両方において広い範囲までインピーダンスが低いものとなるので、単独で、インピーダンスの低い周波数帯域が広く得られるものであることが分かる。従って、積層コンデンサ40はデカップリング回路に採用するコンデンサとして好適であるといえる。
しかしながら、上述した従来の積層コンデンサ40は、ESLを低くするために電流の経路を短くしたことから、等価直列抵抗(以下、ESRという。)も低くなるので、自己共振周波数付近におけるインピーダンスが低くなりすぎていた。図5はデカップリング回路におけるインピーダンス特性を示す線図であり、横軸は周波数(単位:MHz)を示し、縦軸はインピーダンス|Z|(単位:Ω)を示す。図中の破線の特性曲線xおよび特性曲線yはそれぞれデカップリング回路を構成する異なる2つのコンデンサのインピーダンス特性を示し、実線の特性曲線zはデカップリング回路のインピーダンス特性を示す。図5に示すように、デカップリング回路にこのような積層コンデンサ40を複数用いた場合には、デカップリング回路のインピーダンス特性が、自己共振周波数が近い2つのコンデンサ同士が形成する***振周波数rの付近において高くなりすぎることになる。このようなデカップリング回路は、インピーダンスが周波数によって大きく変動するので、周波数によっては電源電流の交流成分を迂回させる機能が働かないという問題点がある。
このような問題点を解決するために、デカップリング回路に用いるコンデンサについては、ESRが低くなり過ぎないようにESRを制御する必要がある。しかしながら、ESRを高くするために単純に電流経路を長くしたのではESLも高くなってしまうという問題点がある。ESRを高くするために単純に電流経路を狭くする方法もあるが、この方法を用いたとしても、やはりESLが高くなってしまうという問題点がある。例えば、上述した従来の積層コンデンサ40において、第1外部電極45と第2外部電極46との間隔を長くして第1内部電極および第2内部電極に流れる電流の経路を長くすると、ESRを高くすることができる反面、ESLも高いものとなる。
本発明は上記のような従来の積層コンデンサにおける問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、ESLを低く保ちつつESRを制御することが可能な積層コンデンサを提供することである。
本発明は、複数の長方形状の誘電体層を積層方向に積層して成る直方体状の積層体と、該積層体の内部で前記誘電体層を挟んで互いに対向するように交互に配置され、前記積層体の、積層方向に垂直でかつ誘電体層の長手方向に平行な方向に垂直な左右面にそれぞれ導出された容量電極導出部を有する複数の第1内部容量電極および第2内部容量電極と、前記左右面にそれぞれ形成され、前記第1内部容量電極の前記容量電極導出部が接続された第1外部中継電極と、前記左右面にそれぞれ形成され、前記第2内部容量電極の前記容量電極導出部が接続された第2外部中継電極と、前記積層体の内部で前記第1内部容量電極および第2内部容量電極とは異なる誘電体層間に配置され、前記左右面に導出されて前記第1外部中継電極に接続された中継電極導出部を有するとともに、前記積層体の、積層方向に垂直でかつ誘電体層の長手方向に垂直な幅方向に平行な方向に垂直な上下面にそれぞれ引き出された引出部を有する第1内部中継電極と、前記積層体の内部で前記第1内部容量電極および第2内部容量電極とは異なる誘電体層間で前記誘電体層を挟んで前記第1内部中継電極と対向するように配置され、前記左右面に導出されて前記第2外部中継電極に接続された中継電極導出部を有するとともに、前記積層体の上下面にそれぞれ引き出された引出部を有する第2内部中継電極と、前記上下面のそれぞれに形成され、前記第1内部中継電極の前記引出部が接続された第1外部端子電極と、前記上下面のそれぞれに形成され、前記第2内部中継電極の前記引出部が接続された第2外部端子電極とを備え、前記上下面のいずれか一方のみを、回路基板に対向する実装面とする積層コンデンサである。
本発明によれば、第1内部容量電極と第1外部端子電極との間に配置された第1内部中継電極と、第2内部容量電極と第2外部端子電極との間に配置された第2内部中継電極とが存在することによって、積層コンデンサの内部の電流経路が長くなるので、積層コンデンサのESRが大きく増加する。ESRの増加量を少なくしたいときには第1内部中継電極および第2内部中継電極の数を多くして並列に抵抗成分を増加すればよい。そして、これら第1内部中継電極および第2内部中継電極は、それぞれがインダクタンスを有しているが、誘電体層を挟んで対向していることによってそれぞれが有するインダクタンスは相殺されるので、積層コンデンサとしてはESLを低く保つことが可能となる。このように、本発明の積層コンデンサによれば、ESLを低く保ちつつESRを制御することが可能となる。
また、積層体の上下面のいずれにも第1外部端子電極および第2外部端子電極が形成されていることから、積層体の上下面のいずれをも回路基板に対向する実装面とすることができ、回路基板に実装する方向についての制約が少ない。さらに、積層体は複数の長方形状の誘電体層を積層方向に積層したものであり、実装面である上下面と積層体の重心との距離が、左右面と積層体の重心との距離よりも短くなるので、回路基板に実装する際に積層コンデンサが倒れにくい。
また、本発明において、前記第1外部端子電極および前記第2外部端子電極は、それぞれ複数個が交互に形成されていることが好ましい。
本発明によれば、第1外部端子電極および第2外部端子電極は、それぞれ複数個が交互に形成されているときには、第1内部中継電極から第1外部端子電極へと流れる電流、および第2内部中継電極から第2外部端子電極へと流れる電流は、分散して複数の電流経路が形成されてインダクタンスが低いものとなる。さらに、隣り合う第1内部中継電極の引出部および第2内部中継電極の引出部に流れる電流によるインダクタンスが相殺される。このように、分散して低くしたインダクタンスがさらに相殺されるので、ESLが低いものとすることが可能となる。
また、本発明において、前記第1内部容量電極、前記第2内部容量電極、前記第1内部中継電極および前記第2内部中継電極は、前記積層体の積層方向に垂直な前後面の中央を通る対称軸に対して回転対称であることが好ましい。
本発明によれば、第1内部容量電極、第2内部容量電極、第1内部中継電極および第2内部中継電極は、前後面の中央を通る対称軸に対して回転対称であり、積層体の上下面のいずれを実装面としても特性が変化しないので、回路基板に実装する方向についての制約が少ない。
また、本発明において、前記第1外部中継電極および前記第2外部中継電極の幅を前記第1外部端子電極および前記第2外部端子電極の幅よりも狭くすることが好ましい。
本発明によれば、第1外部中継電極および第2外部中継電極の幅を第1外部端子電極および第2外部端子電極の幅よりも狭くしたときには、左右面の面積を小さくすることができるので、積層コンデンサの薄型化が可能になる。
また、本発明において、前記第1外部中継電極と前記第2外部中継電極との間隔を前記第1外部端子電極と前記第2外部端子電極との間隔よりも狭くすることが好ましい。
本発明によれば、第1外部中継電極と第2外部中継電極との間隔を第1外部端子電極と第2外部端子電極との間隔よりも狭くしたときには、左右面の面積を小さくすることができるので、積層コンデンサの薄型化が可能となることに加え、第1外部中継電極および第2外部中継電極にそれぞれ流れる電流のインダクタンスを相殺させる効果が高くなるので、ESLをより低くすることが可能となる。
また、本発明において、複数の前記第1内部中継電極および前記第2内部中継電極の対が前記積層体の積層方向に等間隔に配置していることが好ましい。
本発明によれば、複数の第1内部中継電極および第2内部中継電極の対が前記積層体の積層方向に等間隔に配置しているときには、積層コンデンサにおけるインピーダンスの低い周波数帯域においてインピーダンスの変化が少ないものとすることができる。
本発明の目的、特色、および利点は、下記の詳細な説明と図面とからより明確になるであろう。
図1Aは、本発明の一実施形態の積層コンデンサを示す外観斜視図である。
図1Bは、図1Aの積層コンデンサの第1外部中継電極、第2外部中継電極、第1外部端子電極および第2外部端子電極を除いた外観斜視図である。
図2Aは、図1の積層コンデンサの第1内部容量電極が形成された誘電体層を積層体の前方から見た平面図である。
図2Bは、図1の積層コンデンサの第2内部容量電極が形成された誘電体層を積層体の前方から見た平面図である。
図2Cは、図1の積層コンデンサの第1内部中継電極が形成された誘電体層を積層体の前方から見た平面図である。
図2Dは、図1の積層コンデンサの第2内部中継電極が形成された誘電体層を積層体の前方から見た平面図である。
図3は、積層コンデンサのインピーダンス特性を示す線図である。
図4は、従来の積層コンデンサの一例を示す外観斜視図である。
図5は、デカップリング回路におけるインピーダンス特性を示す線図である。
以下図面を参考にして本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。
図1Aは本発明の一実施形態の積層コンデンサを示す外観斜視図であり、図1Bは図1Aの積層コンデンサの第1外部中継電極、第2外部中継電極、第1外部端子電極および第2外部端子電極を除いた外観斜視図である。図2A〜図2Dは、それぞれ図1の積層コンデンサの第1内部容量電極、第2内部容量電極、第1内部中継電極および第2内部中継電極が形成された誘電体層を積層体の前方から見た平面図である。これらの図に示す本発明の積層コンデンサ10は、概説すると、複数の誘電体層2を積層方向に積層して成る積層体1と、この積層体1の内部で誘電体層2を挟んで互いに対向するように交互に配置されて形成された複数の第1内部容量電極3、第2内部容量電極4、第1内部中継電極5および第2内部中継電極6と、積層体1の左右面のそれぞれに形成された第1外部中継電極13および第2外部中継電極14と、積層体1の上下面のそれぞれに形成された第1外部端子電極15および第2外部端子電極16とを備えたものである。なお積層体1の左右面は、積層体1の、積層方向に垂直でかつ誘電体層の長手方向に平行な方向に垂直な面である。積層体1の上下面は、積層体1の、積層方向に垂直でかつ誘電体層の長手方向に垂直な幅方向に平行な方向に垂直な面である。
積層体1は、複数の長方形状の誘電体層2を、例えば、70層〜1000層積層して成る直方体状の誘電体ブロックである。なお、図1においては本実施形態を簡略化して説明するために誘電体層2の積層数を省略して示している。
誘電体層2は、1層当り1μm〜5μmの厚みで、長方形状に形成されている。材料としては、例えば、チタン酸バリウム,チタン酸カルシウム,チタン酸ストロンチウム等の比較的誘電率が高いセラミックスを主成分とする誘電体材料が用いられる。
第1内部容量電極3および第2内部容量電極4は、外部との絶縁性を保つために、その周縁部が誘電体層2の周縁部よりも若干内側に位置するような形状で、0.5μm〜2μmの厚みに形成されている。材料としては、例えば、ニッケル,銅,ニッケル−銅,銀−パラジウム等の金属を主成分とする導体材料が用いられる。第1内部容量電極3は積層体1の左右面1a,1cにそれぞれ導出された容量電極導出部3aを有し、第2内部容量電極4は積層体1の左右面1a,1cにそれぞれ導出された容量電極導出部4aを有している。
第1外部中継電極13および第2外部中継電極14は、積層体1の左右面1a,1cに積層体1の積層方向に渡って帯状に2μm〜70μmの厚みで形成されている。材料としては、例えば、ニッケル,銅,銀,パラジウム等の金属を主成分とする導体材料が用いられる。第1外部中継電極13には第1内部容量電極3の容量電極導出部3aが接続され、第2外部中継電極14には第2内部容量電極4の容量電極導出部4aが接続される。
第1内部中継電極5および第2内部中継電極6は、第1内部容量電極3および第2内部容量電極4と同様に、その周縁部が誘電体層2の周縁部よりも若干内側に位置するような形状で、0.5μm〜2μmの厚みに形成されている。材料としても、第1内部容量電極3および第2内部容量電極4と同様に、例えば、ニッケル,銅,ニッケル−銅,銀−パラジウム等の金属を主成分とする導体材料が用いられる。
また、第1内部中継電極5および第2内部中継電極6は、第1内部容量電極3および第2内部容量電極4とは異なる誘電体層2間で誘電体層2を挟んで対向するように配置されている。第1内部中継電極5は、積層体1の左右面1a,1cに導出されて第1外部中継電極13に接続された中継電極導出部5aを有するとともに、積層体1の上下面1b,1dにそれぞれ引き出された引出部5bを有している。第2内部中継電極6は、積層体1の左右面1a,1cに導出されて第2外部中継電極14に接続された中継電極導出部6aを有するとともに、積層体1の上下面1b,1dにそれぞれ引き出された引出部6bを有している。
なお、本発明の積層コンデンサ10においては、第1内部容量電極3、第2内部容量電極4、第1内部中継電極5および第2内部中継電極6により挟まれる有効層として機能する誘電体層2に対し、第1内部容量電極3、第2内部容量電極4、第1内部中継電極5および第2内部中継電極6により挟まれることがなく積層体1の前後面側にそれぞれ配置される誘電体層2は、保護層として機能する。なお積層体1の前後面は、積層体1の積層方向に垂直な面である。
第1外部端子電極15および第2外部端子電極16は、積層体1の左右面1a,1cに積層方向に渡って帯状に2μm〜70μmの厚みで形成されている。第1外部端子電極15には第1内部中継電極5の引出部5bが接続され、第2外部端子電極16には第2内部中継電極6の引出部6bが接続されている。材料としては、第1外部中継電極13および第2外部中継電極14と同様に、例えば、ニッケル,銅,銀,パラジウム等の金属を主成分とする導体材料が用いられる。なお、第1外部端子電極15および第2外部端子電極16の表面には、外部の回路基板上に実装する際に用いるハンダ等との接合を良好にするために、ニッケル等の導体材料から成るハンダ喰われ防止用のメッキ膜を形成することが好ましく、さらにその上に、錫,ハンダもしくは金等の導体材料から成るハンダ濡れ向上用のメッキ膜を形成することが好ましい。
このように本発明の積層コンデンサ10は、誘電体層2を挟んで電荷を蓄える第1内部容量電極3および第2内部容量電極4が複数形成されていることから、高い静電容量を得ることができるものとなっている。
本発明の積層コンデンサ10は、第1内部容量電極3と第1外部端子電極15との間に配置された第1内部中継電極5と、第2内部容量電極4と第2外部端子電極16との間に配置された第2内部中継電極6とが存在することによって、積層コンデンサ10の内部の電流経路が長くなるので、積層コンデンサ10のESRが大きく増加する。例えば、第1内部中継電極5および第2内部中継電極6の数をそれぞれ5枚以下に設定すると、ESRを大きく増加することができる。ESRの増加量を少なくしたいときには、第1内部中継電極5および第2内部中継電極6の数を多くして並列に抵抗成分を増加すればよい。そして、これら第1内部中継電極5および第2内部中継電極6は、それぞれがインダクタンスを有しているが、誘電体層2を挟んで対向していることによってそれぞれが有するインダクタンスは相殺されるので、積層コンデンサ10としてはESLを低く保つことが可能となる。このように、本発明の積層コンデンサ10によれば、ESLを低く保ちつつESRを制御することが可能となる。
以上説明したように、本発明の積層コンデンサ10は、高い静電容量と低いESLを有していることから、インピーダンスの低い周波数帯域が広く得られ、かつESRが低くなりすぎないように制御されているので、デカップリング回路に採用するコンデンサとして特に好適なものとなる。
また、積層体1の上下面1b,1dのいずれにも第1外部端子電極15および第2外部端子電極16が形成されていることから、積層体1の上下面1b,1dのいずれをも回路基板に対向する実装面とすることができるので、回路基板に実装する方向についての制約が少ない。さらに、積層体1は複数の長方形状の誘電体層2を積層方向に積層したものであることから、実装面である上下面1b,1dと積層体1の重心との距離が左右面1a,1cと積層体1の重心との距離よりも短くなるので、回路基板に実装する際に積層コンデンサ10が倒れにくいという効果も有している。
また、本発明の積層コンデンサ10は、第1外部端子電極15および第2外部端子電極16は、それぞれ複数個が交互に形成されていることから、第1内部中継電極5から第1外部端子電極15へと流れる電流、および第2内部中継電極6から第2外部端子電極16へと流れる電流は、分散して複数の電流経路が形成されてインダクタンスが低いものとなる。さらに、隣り合う第1内部中継電極5の引出部5bおよび第2内部中継電極6の引出部6bに流れる電流によるインダクタンスが相殺される。このように、本発明の積層コンデンサ10によれば、電流が分散されてインダクタンスが低くなった上に、さらにインダクタンスが相殺されて低くなるので、ESLが低いものとすることが可能となる。
また、本発明の積層コンデンサ10は、第1内部容量電極3、第2内部容量電極4、第1内部中継電極5および第2内部中継電極6は、前後面1e,1fの中央を通る対称軸に対して回転対称であるときには、積層体1の上下面1b,1dのいずれを実装面としても特性が変化しないので、回路基板に実装する方向についての制約が少ない。
また、本発明の積層コンデンサ10において、第1外部中継電極13および第2外部中継電極14の幅を第1外部端子電極15および第2外部端子電極16の幅よりも狭くすることが好ましい。第1外部中継電極13および第2外部中継電極14の幅を第1外部端子電極15および第2外部端子電極16の幅よりも狭くしたときには、左右面1a,1cの面積を小さくすることができるので、積層コンデンサ10の薄型化が可能になる。
また、本発明の積層コンデンサ10において、第1外部中継電極13と第2外部中継電極14との間隔を第1外部端子電極15と第2外部端子電極16との間隔よりも狭くすることが好ましい。第1外部中継電極13と第2外部中継電極14との間隔を第1外部端子電極15と第2外部端子電極16との間隔よりも狭くしたときには、左右面1a,1cの面積を小さくすることができるので、積層コンデンサ10の薄型化が可能となることに加え、第1外部中継電極13および第2外部中継電極14にそれぞれ流れる電流のインダクタンスを相殺させる効果が高くなるので、ESLをより低くすることが可能となる。
また、本発明の積層コンデンサ10において、複数の第1内部中継電極5および第2内部中継電極6の対が積層体1の積層方向に等間隔に配置していることが好ましい。複数の第1内部中継電極5および第2内部中継電極6の対が積層体1の積層方向に等間隔に配置しているときには、積層コンデンサ10におけるインピーダンスの低い周波数帯域においてインピーダンスの変化が少ないものとすることができる。積層体1の内部に、第1内部容量電極3および第2内部容量電極4をそれぞれ40枚ずつ、第1内部中継電極5および第2内部中継電極6をそれぞれ5枚ずつ形成する場合であれば、第1内部中継電極5および第2内部中継電極6の対と10枚の第1内部容量電極3および10枚の第2内部容量電極4が交互に配置するようなものとすればよい。
次に、本発明の積層コンデンサ10を製造する方法について説明する。
本発明の積層コンデンサ10の積層体1は、予め作製しておいた誘電体材料の粉末と有機バインダとからなる積層体1の前駆体を焼成してセラミックスを焼結させることによって得られる。この積層体1の前駆体は、誘電体層2に対応する長方形状の領域が縦横の並びに複数配置されている厚みが1μm〜10μmの複数のセラミックグリーンシートを積層して積層シートを作製しておいて、この積層シートを誘電体層2に対応する長方形状の領域の境界に沿って切断することによって得られる。
本発明の積層コンデンサ10の第1内部容量電極3、第2内部容量電極4、第1内部中継電極5および第2内部中継電極6は、積層体1の前駆体を作製するときに、第1内部容量電極3、第2内部容量電極4、第1内部中継電極5および第2内部中継電極6に対応する導電体膜のパターンをセラミックグリーンシート上に予め形成しておくことによって、積層体1の前駆体を焼成したときに積層体1の作製とともに形成されるものである。
第1外部中継電極13、第2外部中継電極14、第1外部端子電極15および第2外部端子電極16は、例えば、予め作製しておいた導体材料の粉末とビヒクルとからなる導体ペーストを容量電極導出部3a,4a、中継電極導出部5a,6aおよび引出部5b,6bが積層体1から露出した部分に塗布し、焼成して焼き付けることによって、形成することができる。
なお、本発明は上述した実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更や改良等が可能である。
例えば、上述した実施の形態の例においては、第1外部中継電極13および第2外部中継電極14は、積層体1の左右面1a,1cで表面が露出したものとなっているが、表面を樹脂等の保護膜で覆うようにしてもよい。この場合には、積層体1の左右面1a,1cが絶縁されるので、回路基板上における実装密度を高めることができる。あるいは、樹脂等の保護膜を被着して覆うのに代えて、第1外部中継電極13および第2外部中継電極14の表面を酸化させることによって絶縁させてもよい。
また、上述した実施の形態の例においては、第1外部中継電極13、第2外部中継電極14、第1外部端子電極15および第2外部端子電極16を形成する方法として、導体ペーストを塗布して焼成する方法を採用しているが、積層体1を無電解銅メッキ液に浸すことによって、容量電極導出部3a,4a、中継電極導出部5a,6aおよび引出部5b,6bが積層体1から露出した部分を基点に、銅メッキ膜を析出させることによって形成することもできる。またこの場合には、積層体1の上下面1b,1dに導出されるダミー電極を第1外部端子電極15または第2外部端子電極16と接続されるように誘電体層2間に形成しておいてもよく、これにより、第1外部端子電極15および第2外部端子電極16が積層体1に強固に接着されるようになる。
本発明の積層コンデンサ10として、以下に示す構成の試料1を作製した。
積層体1は、縦が0.8mmで横が1.6mmの長方形状の誘電体層2を積層方向に積層して、積層方向が1.6mmの直方体状の誘電体ブロックとして製造した。誘電体層2には、材料としてチタン酸バリウムを主成分とする強誘電体セラミックスを用いた。第1内部容量電極3および第2内部容量電極4は、材料としてニッケルを主成分とする導体材料を採用し、積層体1の内部に交互にそれぞれ100枚ずつ配置した。第1内部中継電極5および第2内部中継電極6は、材料としてニッケルを主成分とする導体材料を用い、積層体1の内部に交互にそれぞれ2枚ずつ配置した。第1外部中継電極13、第2外部中継電極14、第1外部端子電極15および第2外部端子電極16は、材料として銅を採用し、その表面にはニッケルのメッキ膜を形成し、さらにその表面には錫のメッキ膜を形成した。
また、比較例として、従来の積層コンデンサの試料2を作製した。試料2は、試料1と比べて、第1内部中継電極5および第2内部中継電極6を有しておらず、積層体1の上面が実装面となるようにした点を除いては、試料1と同じ形状および同じ材料のものとした。
これら試料1,2について、1×10〜1×10Hzの周波数帯域におけるインピーダンスを測定した。図3は積層コンデンサのインピーダンス特性を示す線図であり、横軸は周波数(単位:MHz)を示し、縦軸はインピーダンス|Z|(単位:Ω)を示す。図中の実線の特性曲線Xは試料1(本発明の積層コンデンサ10)のインピーダンス特性を示し、破線の特性曲線Yは試料2(従来の積層コンデンサ)のインピーダンス特性を示す。ここでは、インピーダンスが1Ωよりも低い周波数帯域を、実用周波数帯域とした。
図3に示す結果の通り、試料1は試料2に比べてインピーダンスの最小値が3倍以上となっていることが分かる。これは、試料1が2枚の第1内部中継電極5および2枚の第2内部中継電極6により電流経路が長くなってESRが高くなったことによるものである。また試料1は、第1内部中継電極5および第2内部中継電極6によって電流経路が長くなっているものの、第1内部中継電極5と第2内部中継電極6とは誘電体層2を挟んで対向していることから、それぞれに発生するインダクタンスは相殺されることとなるので、ESLの増加量は少なくなり、その結果、自己共振周波数の付近より高周波側でインピーダンス特性がほとんど変化していない。
以上の結果によって、本発明の積層コンデンサによれば、第1内部容量電極と第1外部端子電極との間に配置された第1内部中継電極と、第2内部容量電極と第2外部端子電極との間に配置された第2内部中継電極とが存在することによって、積層コンデンサの内部の電流経路が長くなるので、積層コンデンサのESRが大きく増加し、ESRを制御することが可能となることが確認された。また、これら第1内部中継電極および第2内部中継電極は、それぞれがインダクタンスを有しているものの、誘電体層を挟んで対向していることによってそれぞれが有するインダクタンスが相殺されるので、積層コンデンサとしてはESLを低く保つことが可能となることが確認された。
本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形態で実施できる。したがって、前述の実施形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、本発明の範囲は特許請求の範囲に示すものであって、明細書本文には何ら拘束されない。さらに、特許請求の範囲に属する変形や変更は全て本発明の範囲内のものである。

Claims (6)

  1. 複数の長方形状の誘電体層を積層方向に積層して成る直方体状の積層体と、
    該積層体の内部で前記誘電体層を挟んで互いに対向するように交互に配置され、前記積層体の、積層方向に垂直でかつ誘電体層の長手方向に平行な方向に垂直な左右面にそれぞれ導出された容量電極導出部を有する複数の第1内部容量電極および第2内部容量電極と、
    前記左右面にそれぞれ形成され、前記第1内部容量電極の前記容量電極導出部が接続された第1外部中継電極と、
    前記左右面にそれぞれ形成され、前記第2内部容量電極の前記容量電極導出部が接続された第2外部中継電極と、
    前記積層体の内部で前記第1内部容量電極および第2内部容量電極とは異なる誘電体層間に配置され、前記左右面に導出されて前記第1外部中継電極に接続された中継電極導出部を有するとともに、前記積層体の、積層方向に垂直でかつ誘電体層の長手方向に垂直な幅方向に平行な方向に垂直な上下面にそれぞれ引き出された引出部を有する第1内部中継電極と、
    前記積層体の内部で前記第1内部容量電極および第2内部容量電極とは異なる誘電体層間で前記誘電体層を挟んで前記第1内部中継電極と対向するように配置され、前記左右面に導出されて前記第2外部中継電極に接続された中継電極導出部を有するとともに、前記積層体の上下面にそれぞれ引き出された引出部を有する第2内部中継電極と、
    前記上下面のそれぞれに形成され、前記第1内部中継電極の前記引出部が接続された第1外部端子電極と、
    前記上下面のそれぞれに形成され、前記第2内部中継電極の前記引出部が接続された第2外部端子電極とを備え
    前記上下面のいずれか一方のみを、回路基板に対向する実装面とすることを特徴とする積層コンデンサ。
  2. 前記第1外部端子電極および前記第2外部端子電極は、それぞれ複数個が交互に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の積層コンデンサ。
  3. 前記第1内部容量電極、前記第2内部容量電極、前記第1内部中継電極および前記第2内部中継電極は、前記積層体の積層方向に垂直な前後面の中央を通る対称軸に対して回転対称であることを特徴とする請求項1に記載の積層コンデンサ。
  4. 前記第1外部中継電極および前記第2外部中継電極の幅を前記第1外部端子電極および前記第2外部端子電極の幅よりも狭くすることを特徴とする請求項1に記載の積層コンデンサ。
  5. 前記第1外部中継電極と前記第2外部中継電極との間隔を前記第1外部端子電極と前記第2外部端子電極との間隔よりも狭くすることを特徴とする請求項1に記載の積層コンデンサ。
  6. 複数の前記第1内部中継電極および前記第2内部中継電極の対が前記積層体の積層方向に等間隔に配置していることを特徴とする請求項1に記載の積層コンデンサ。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150073917A (ko) * 2013-07-11 2015-07-01 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4475298B2 (ja) * 2007-07-09 2010-06-09 Tdk株式会社 積層コンデンサ
JP4600561B2 (ja) * 2008-09-30 2010-12-15 Tdk株式会社 積層コンデンサ
KR101952845B1 (ko) * 2011-12-22 2019-02-28 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조 방법
US9093974B2 (en) * 2012-09-05 2015-07-28 Avx Corporation Electromagnetic interference filter for implanted electronics
KR101994713B1 (ko) 2013-04-22 2019-07-01 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판
US9609753B2 (en) * 2013-07-11 2017-03-28 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor and board for mounting of the same
US10312028B2 (en) 2014-06-30 2019-06-04 Avx Corporation Electrochemical energy storage devices and manufacturing methods
DE102015117203A1 (de) * 2015-10-08 2017-04-13 Epcos Ag Drucksensor
KR102198540B1 (ko) * 2015-11-25 2021-01-06 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판
KR101771824B1 (ko) * 2015-12-30 2017-08-25 삼성전기주식회사 적층형 커패시터 및 그 실장 기판
DE202016102203U1 (de) * 2016-04-26 2016-06-29 Epcos Ag Vielschichtbauelement
KR101832611B1 (ko) * 2016-06-21 2018-02-26 삼성전기주식회사 적층형 커패시터 및 그 실장 기판
KR102632352B1 (ko) * 2016-09-08 2024-02-02 삼성전기주식회사 커패시터 부품
CN109216025A (zh) * 2018-08-27 2019-01-15 丰宾电子(深圳)有限公司 一种立式叠层电容器

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2956362B2 (ja) 1992-07-17 1999-10-04 東京瓦斯株式会社 吸収式冷凍機
JPH0634229U (ja) * 1992-09-30 1994-05-06 太陽誘電株式会社 Lc複合部品
JP3988651B2 (ja) * 2003-01-31 2007-10-10 株式会社村田製作所 積層コンデンサ、配線基板、デカップリング回路および高周波回路
JP2004296940A (ja) 2003-03-27 2004-10-21 Tdk Corp 積層コンデンサ
JP3832505B2 (ja) * 2004-12-24 2006-10-11 株式会社村田製作所 積層コンデンサおよびその実装構造
KR100884902B1 (ko) * 2004-12-24 2009-02-19 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 적층 커패시터 및 그 실장구조

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150073917A (ko) * 2013-07-11 2015-07-01 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판
KR102171678B1 (ko) * 2013-07-11 2020-10-29 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판

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