JP6626966B2 - 積層型コンデンサ - Google Patents
積層型コンデンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6626966B2 JP6626966B2 JP2018519637A JP2018519637A JP6626966B2 JP 6626966 B2 JP6626966 B2 JP 6626966B2 JP 2018519637 A JP2018519637 A JP 2018519637A JP 2018519637 A JP2018519637 A JP 2018519637A JP 6626966 B2 JP6626966 B2 JP 6626966B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- external electrode
- multilayer
- internal electrode
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 272
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 29
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 27
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ca+2].[Ti+4] WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/35—Feed-through capacitors or anti-noise capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/38—Multiple capacitors, i.e. structural combinations of fixed capacitors
- H01G4/385—Single unit multiple capacitors, e.g. dual capacitor in one coil
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
本発明は、高周波数領域での等価直列インダクタンス（ＥＳＬ：Equivalent Series Inductance）を低減した、ノイズフィルタ等に用いられる積層型コンデンサに関するものである。
近年、情報処理機器または通信機器等はデジタル化されており、これらの機器は情報処理能力の高速化に伴って取り扱われるデジタル信号の高周波数化が進んでいる。したがって、これらの機器は、発生するノイズも同様に高周波数領域で増大する傾向にあり、ノイズ対策のために、例えば、積層型コンデンサ等の電子部品が使用される。このような積層型コンデンサは、例えば、特許文献１に開示されている。
本開示の積層型コンデンサは、複数の誘電体層が積層された、対向する第１の面と第２の面、対向する第１の側面と第２の側面および対向する第１の端面と第２の端面を有する直方体状の積層体と、前記第１の端面に配置された第１の外部電極、前記第２の端面に配置された第２の外部電極、前記第１の側面に配置された第３の外部電極および前記第２の側面に配置された第４の外部電極と、前記積層体内に積層方向に従って前記第１の面から前記第２の面に向かって配列された第１のキャパシタ部、第２のキャパシタ部および第３のキャパシタ部と、を備えている。前記第１のキャパシタ部および前記第３のキャパシタ部は、前記第１の端面に露出した、前記第１の外部電極に電気的に接続された第１の内部電極と前記第１の側面および前記第２の側面のそれぞれに露出した、前記第３の外部電極および前記第４の外部電極に電気的に接続された第２の内部電極とが前記誘電体層を介して互いに対向するように交互に配置されている。第２のキャパシタ部は、前記第１のキャパシタ部と前記第３のキャパシタ部との間に配置されており、前記第２の端面に露出した、前記第２の外部電極に電気的に接続された第３の内部電極と前記第１の側面および前記第２の側面のそれぞれに露出した、前記第３の外部電極および前記第４の外部電極に電気的に接続された第２の内部電極とが前記誘電体層を介して対向するように交互に配置されている。前記第１のキャパシタ部および前記第３のキャパシタ部は、前記第２のキャパシタ部よりも大きな容量を有している。前記第１のキャパシタ部および前記第３のキャパシタ部のインダクタ成分は、互いに物理長が異なるとともに前記第１の外部電極と前記第３の外部電極および前記第４の外部電極との間で並列接続となっている。
例えば、ＣＰＵ等のＬＳＩの電源回路等において、積層型コンデンサは、電源ラインまたは他のデバイスからＬＳＩへのノイズの入り込み、または、ＬＳＩのノイズによる誤動作等を抑制するために用いられる。
しかしながら、情報処理機器または通信機器等は、高周波数化の傾向がさらに増加しつつある。積層型コンデンサは、例えば、信号ラインまたは電源ライン等の高周波数領域のノイズを低減するために、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）をさらに低減する必要がある。
本開示の積層型コンデンサは、積層体の積層方向において、１つのキャパシタ部を間にして両端部にそれぞれキャパシタ部を配置するとともに両端部のキャパシタ部のインダクタ成分を並列接続している。これにより、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を低くすることができる。以下、本開示の積層型コンデンサについて、詳細に説明する。
＜実施の形態＞
以下、本開示の実施の形態に係る積層型コンデンサ１０について、図面を参照しながら説明する。
以下、本開示の実施の形態に係る積層型コンデンサ１０について、図面を参照しながら説明する。
積層型コンデンサ１０は、便宜的に、直交座標系ＸＹＺを定義するとともに、Ｚ方向の正側を上方として、上面もしくは下面の用語を用いるものとする。なお、各図面において、同じ部材および同じ部分に関しては、共通の符号を用いて、重複する説明は省略する。
積層型コンデンサ１０は、図１乃至図５に示すように、積層体１と、外部電極２（第１の外部電極２ａ、第２の外部電極２ｂ、第３の外部電極２ｃおよび第４の外部電極２ｄ）と、内部電極３（第１の内部電極３ａ、第２の内部電極３ｂおよび第３の内部電極３ｃ）と、キャパシタ部４（第１のキャパシタ部４ａ、第２のキャパシタ部４ｂおよび第３のキャパシタ部４ｃ）とを備えている。
第１の外部電極２ａは第１の端面１ｃに配置され、第２の外部電極２ｂは第２の端面１ｄに配置されている。第３の外部電極２ｃは第１の側面１ｅに配置され、第４の外部電極２ｄは第２の側面１ｆに配置されている。第１のキャパシタ部４ａ、第２のキャパシタ部４ｂおよび第３のキャパシタ部４ｃは、積層体１内に形成され、積層方向に従って第１の面１ａ（上面）から第２の面１ｂ（下面）に向かって配列されている。また、第１のキャパシタ部４ａおよび第３のキャパシタ部４ｃは、第２のキャパシタ部４ｂよりも大きな容量を有している。
積層体１は、複数の誘電体層１ｇが積層されて直方体状に形成されており、誘電体層１ｇとなるセラミックグリーンシートを複数枚積層して焼成することで得られる焼結体である。このように、積層体１は、直方体状に形成されており、一対の面が互いに対向する第１の面１ａおよび第２の面１ｂであり、一対の端面が互いに対向する第１の端面１ｃおよび第２の端面１ｄである。また、一対の側面は、第１の端面１ｃおよび第２の端面１ｄに直交し、互いに対向する第１の側面１ｅおよび第２の側面１ｆである。また、積層体１は、誘電体層１ｇの積層方向（Ｚ方向）に対して、直交する断面（ＸＹ面）となる平面が、図４および図５に示すように長方形状となっている。
積層型コンデンサ１０は、長手方向（Ｘ方向）の長さが、例えば、０．６（ｍｍ）〜２．２（ｍｍ）であり、短手方向（Ｙ方向）の長さが、例えば、０．３（ｍｍ）〜１．２（ｍｍ）であり、高さ方向（Ｚ方向）の長さが、例えば、０．３（ｍｍ）〜１．５（ｍｍ）である。
積層型コンデンサ１０は、積層体１内に、積層方向に従って第１のキャパシタ部４ａ、第２のキャパシタ部４ｂおよび第３のキャパシタ部４ｃが形成されており、例えば、高さ方向（Ｚ方向）の長さが短手方向（Ｙ方向）の長さよりも大きい。例えば、積層型コンデンサ１０は、長手方向（Ｘ方向）の長さが１．１５（ｍｍ）であり、短手方向（Ｙ方向）の長さが０．６５（ｍｍ）、高さ方向（Ｚ方向）の長さが０，８（ｍｍ）であり、いわゆる、高背コンデンサである。
誘電体層１ｇは、積層方向（Ｚ方向）からの平面視において長方形状であり、１層当たりの厚みが、例えば、０．５（μｍ）〜３（μｍ）である。積層体１は、例えば、１０（層）〜１０００（層）の複数の誘電体層１ｇがＺ方向に積層されている。
誘電体層１ｇは、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）またはジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３）等である。また、誘電体層１ｇは、高い誘電率の点から、特に、誘電率の高い強誘電体材料としてチタン酸バリウムを用いてもよい。
積層型コンデンサ１０は、第１の外部電極２ａおよび第２の外部電極２ｂが一対の外部電極になり、第１の外部電極２ａが積層体１の第１の端面１ｃに配置され、第２の外部電極２ｂが積層体１の第２の端面１ｄに配置されている。図１に示すように、第１の外部電極２ａは、第１の端面１ｃの全体を覆うように設けられ、第２の外部電極２ｂは、第２の端面１ｄの全体を覆うように設けられている。
また、積層型コンデンサ１０は、第３の外部電極２ｃおよび第４の外部電極２ｄが一対の外部電極２になり、第３の外部電極２ｃが積層体１の第１の側面１ｅに配置され、第４の外部電極２ｄが積層体１の第２の側面１ｆに配置されている。図１に示すように、第３の外部電極２ｃは、第１の側面１ｅから第１の面１ａおよび第２の面１ｂにそれぞれ延在するように設けられ、第４の外部電極２ｄは、第２の側面１ｆから第１の面１ａおよび第２の面１ｂにそれぞれ延在するように設けられている。
第１の外部電極２ａおよび第２の外部電極２ｂは、図８に示すように、積層型コンデンサ１０が搭載される実装基板５上の、例えば、信号ラインまたは電流ラインにそれぞれ接続されることになる。また、第３の外部電極２ｃおよび第４の外部電極２ｄは、積層型コンデンサ１０が搭載される実装基板５上の、例えば、グランド用ラインにそれぞれ接続されることになる。
外部電極２は、下地電極とめっき層（図示せず）とを含んでいる。下地電極は、積層体１の表面に設けられ、第１の端面１ｃに露出した第１の内部電極３ａおよび第２の端面１ｄに露出した第３の内部電極３ｃに電気的に接続されている。また、下地電極は、第１の側面１ｅおよび第２の側面１ｆに露出した第２の内部電極３ｂに電気的に接続されている。めっき層は、下地電極を覆うように下地電極の表面上に設けられている。また、めっき層は、下地電極を保護するために下地電極を覆うように設けられる。
下地電極の導電材料は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）または金（Ａｕ）等の金属材料である。または、下地電極の導電材料は、これらの金属材料の一種以上を含む、例えば、Ａｇ−Ｐｄ合金等の合金材料である。
また、めっき層は、積層体１の表面に形成された下地電極を覆うように下地電極の表面上に設けられている。めっき層は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）めっき層、銅（Ｃｕ）めっき層、金（Ａｕ）めっき層またはスズ（Ｓｎ）めっき層等である。また、めっき層は、例えば、電解めっき法を用いて設けられる。
めっき層は、下地電極の表面上に、単一のめっき層で設けても、また、複数のめっき層で設けてもよい。めっき層は、複数のめっき層の場合、例えば、第１のめっき層および第１のめっき層の表面に形成された第２のめっき層からなる２層の積層体である。例えば、めっき層は、下地電極の表面にＮｉめっき層を設け、さらに、Ｎｉめっき層の表面にＳｎめっき層を設け、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層の２層の積層体にすることができる。
また、積層型コンデンサ１０は、図２および図３に示すように、積層体１内に、第１の面１ａから第２の面１ｂに向かって、第１のキャパシタ部４ａ、第２のキャパシタ部４ｂおよび第３のキャパシタ部４ｃが順に配列されている。
第１のキャパシタ部４ａは、図３および図４に示すように、第１の内部電極３ａ、誘電体層１ｇおよび第２の内部電極３ｂを含んでおり、第１の内部電極３ａと第２の内部電極３ｂが誘電体層１ｇを介して互いに対向するように交互に配置されている。
第１の内部電極３ａは、図４（ａ）に示すように、一端が第１の端面１ｃに露出しており、第１の外部電極２ａに電気的に接続されている。第２の内部電極３ｂは、図４（ｂ）に示すように、第１の側面１ｅ側にリード部３ｂ１および第２の側面１ｆ側にリード部３ｂ２を有している。リード部３ｂ１は第１の側面１ｅに露出し、リード部３ｂ２は第２の側面１ｆに露出している。第２の内部電極３ｂは、リード部３ｂ１が第３の外部電極２ｃに電気的に接続され、リード部３ｂ２が第４の外部電極２ｄに電気的に接続されている。
第２のキャパシタ部４ｂは、図２に示すように、第１のキャパシタ部４ａと第３のキャパシタ部４ｃとの間に配置されている。また、第２のキャパシタ部４ｂは、図３および図５に示すように、第３の内部電極３ｃ、誘電体層１ｇおよび第２の内部電極３ｂを含んでおり、第３の内部電極３ｃと第２の内部電極３ｂが誘電体層１ｇを介して互いに対向するように交互に配置されている。
第３の内部電極３ｃは、図５（ａ）に示すように、一端が第２の端面１ｄに露出しており、第２の外部電極２ｂに電気的に接続されている。第２の内部電極３ｂは、図５（ｂ）に示すように、第１の側面１ｅ側にリード部３ｂ１および第２の側面１ｆ側にリード部３ｂ２を有している。リード部３ｂ１は第１の側面１ｅに露出し、リード部３ｂ２は第２の側面１ｆに露出している。第２の内部電極３ｂは、リード部３ｂ１が第３の外部電極２ｃに電気的に接続され、リード部３ｂ２が第４の外部電極２ｄに電気的に接続されている。
第３のキャパシタ部４ｃは、第１の内部電極３ａ、誘電体層１ｇおよび第２の内部電極３ｂを含んでおり、第１の内部電極３ａと第２の内部電極３ｂが誘電体層１ｇを介して互いに対向するように交互に配置されている。第３のキャパシタ部４ｃは、第１のキャパシタ部４ａと同じ構成で設けられている。
積層型コンデンサ１０は、第１のキャパシタ部４ａおよび第３のキャパシタ部４ｃが第２のキャパシタ部４ｂよりも大きな容量を有している。容量を異ならせるために、例えば、積層型コンデンサ１０は、第１のキャパシタ部４ａおよび第３のキャパシタ部４ｃにおける第１の内部電極３ａと第２の内部電極３ｂとの総積層数を第２のキャパシタ部４ｂにおける第３の内部電極３ｃと第２の内部電極３ｂとの総積層数よりも多くしている。
積層型コンデンサ１０は、第２の内部電極３ｂが第１のキャパシタ部４ａ、第２のキャパシタ部４ｂおよび第３のキャパシタ部４ｃにおいてそれぞれ用いられており、第１〜第３のキャパシタ部４ａ〜４ｃにおいて共通である。積層型コンデンサ１０は、積層体１内の積層方向において、第１のキャパシタ部４ａが第１の内部電極３ａと第２の内部電極３ｂとで容量を形成しており、第２のキャパシタ部４ｂが第２の内部電極３ｂと第３の内部電極３ｃとで容量を形成しており、第３のキャパシタ部４ｃが第１の内部電極３ａと第２の内部電極３ｂとで容量を形成している。
内部電極３の導電材料は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）または金（Ａｕ）等の金属材料である。または、内部電極３の導電材料は、これらの金属材料の１種以上を含む、例えば、Ａｇ−Ｐｄ合金等の合金材料である。内部電極３は、同一の金属材料または合金材料を用いてもよい。また、内部電極３は、厚みが、例えば、０．５（μｍ）〜２（μｍ）である。
このように、積層型コンデンサ１０において、図３に示すように、積層体１内に第１のキャパシタ部４ａ、第２のキャパシタ部４ｂおよび第３のキャパシタ部４ｃが設けられている。第１のキャパシタ部４ａは、第１の内部電極３ａと第２の内部電極３ｂとが第１の面１ａ側から第２の面１ｂ側に向かって順に配置され、第１の内部電極３ａと第２の内部電極３ｂとの間には誘電体層１ｇが配置されている。
また、第２のキャパシタ部４ｂは第２の内部電極３ｂと第３の内部電極３ｃとが第１の面１ａ側から第２の面１ｂ側に向かって順に配置され、第２の内部電極３ｂと第３の内部電極３ｃとの間には誘電体層１ｇが配置されている。
また、第３のキャパシタ部４ｃは、第１のキャパシタ部４ａと同じように、第１の内部電極３ａと第２の内部電極３ｂとが第１の面１ａ側から第２の面１ｂ側に向かって順に配置され、第１の内部電極３ａと第２の内部電極３ｂとの間には誘電体層１ｇが配置されている。
図２に示すように、積層型コンデンサ１０において、第１のキャパシタ部４ａおよび第３のキャパシタ部４ｃは、第１の面１ａ側から第２の面１ｂ側に向かって第１の内部電極３ａと第２の内部電極３ｂとがこの順に交互に配置されている。積層型コンデンサ１０は、第１の面１ａ側から第２の面１ｂ側に向かって第２の内部電極３ｂと第１の内部電極３ａとがこの順に交互に配置されていてもよい。
また、図２に示すように、積層型コンデンサ１０において、第２のキャパシタ部４ｂは、第１の面１ａ側から第２の面１ｂ側に向かって第２の内部電極３ｂと第３の内部電極３ｃとがこの順に交互に配置されている。積層型コンデンサ１０は、第１の面１ａ側から第２の面１ｂ側に向かって第３の内部電極３ｃと第２の内部電極３ｂとがこの順に交互に配置されていてもよい。内部電極３のそれぞれの積層数は、積層型コンデンサ１０の特性等に応じて適宜設計される。
このように、積層型コンデンサ１０は、図２に示すような内部電極３の配置には限定されない。例えば、積層型コンデンサ１０Ａは、図６に示すように、積層方向において、第１のキャパシタ部４ａの第１の面１ａ側の最外層に第２の内部電極３ｂを配置し、第３のキャパシタ部４ｃの第２の面側の最外層に第２の内部電極３ｂを配置することができる。
積層型コンデンサ１０Ａは、例えば、第２の内部電極３ｂがグランド用ラインに接続される場合には、積層方向において、第１のキャパシタ部４ａの第１の面１ａ側の最外層に第２の内部電極３ｂを配置し、第３のキャパシタ部４ｃの第２の面１ｂ側の最外層に第２の内部電極３ｂを配置することができる。すなわち、積層型コンデンサ１０Ａは、第１の面１ａ側および第２の面１ｂ側にグランド用ラインに接続される第２の内部電極３ｂを配置することにより、外部からの電界等が遮られるのでシールド性を向上させることができる。
このように、積層型コンデンサ１０Ａは、第１の面１ａ側の最外層および第２の面１ｂ側の最外層にグランド用ラインに接続される第２の内部電極３ｂをそれぞれ配置することにより、シールド性が向上し、例えば、入力耐性以上のノイズまたは静電気による放電等の外乱ノイズの影響を低減することができる。
図７に示すように、積層型コンデンサ１０Ｂは、積層体１内に２つのキャパシタ部を有している。積層型コンデンサ１０は、図７に示す積層型コンデンサ１０Ｂのキャパシタ部４Ａを第１のキャパシタ部４ａおよび第３のキャパシタ部４ｃの２つキャパシタ部に分割し、積層体１内の積層方向の両端部にそれぞれに配置している。
積層型コンデンサ１０Ｂのキャパシタ部４Ａの容量が１５（μＦ）およびキャパシタ部４Ｂの容量が１（μＦ）であるとすると、積層型コンデンサ１０は、例えば、第１のキャパシタ部４ａの容量が７．５（μＦ）であり、第３のキャパシタ部４ｃの容量が７．５（μＦ）であり、第２のキャパシタ部４ｂの容量が１（μＦ）である。さらに、積層型コンデンサ１０は、積層型コンデンサ１０Ｂのキャパシタ部４Ｂに相当する第２のキャパシタ部４ｂを第１のキャパシタ部４ａと第３のキャパシタ部４ｃとの間に配置している。
また、積層型コンデンサ１０Ｂのキャパシタ部４Ａの容量が１５（μＦ）およびキャパシタ部４Ｂの容量が１（μＦ）であるとすると、積層型コンデンサ１０は、例えば、第１のキャパシタ部４ａの容量が５（μＦ）であり、第２のキャパシタ部４ｂの容量が（１μＦ）であり、第３のキャパシタ部４ｃの容量が１０（μＦ）であってもよい。第１のキャパシタ部４ａおよび第３のキャパシタ部４ｃの容量の組み合わせは適宜設定することができる。
図８は、積層型コンデンサ１０および積層型コンデンサ１０Ｂを実装基板５上に実装した場合の断面図を示している。積層型コンデンサ１０は、積層体１内に３つのキャパシタ部を有している。一方、積層型コンデンサ１０Ｂは、積層体１内に２つのキャパシタ部を有している。Ｌ０は、積層型コンデンサ１０Ｂのキャパシタ部４Ａのインダクタ成分である。Ｌ１は、積層型コンデンサ１０の第１のキャパシタ部４ａのインダクタ成分である。Ｌ３は、積層型コンデンサ１０の第３のキャパシタ部４ｃのインダクタ成分である。
積層型コンデンサ１０Ｂは、図８（ｂ）に示すように、実装基板５上に実装した場合に、キャパシタ部４Ａは、実装基板５の表面からの距離（Ｚ方向の距離）が大きいことから、実装基板５の入力端子５ａから実装基板５のＧＮＤ端子５ｂに流れる電流経路の物理長（ループ長）が長くなり、インダクタ成分Ｌ０が大きくなる。
一方、積層型コンデンサ１０は、図８（ａ）に示すように、実装基板５上に実装した場合に、第１のキャパシタ部４ａおよび第３のキャパシタ部４ｃは、実装基板５の表面からの高さ方向（Ｚ方向）の位置が異なっている。
このように、第１のキャパシタ部４ａは、実装基板５の表面からの高さ方向（Ｚ方向）の距離が大きいことから、図８（ａ）に示すように、実装基板５の入力端子５ａから実装基板５のＧＮＤ端子５ｂに流れる電流経路の物理長（ループ長）が長くなり、インダクタ成分Ｌ１が大きくなる。一方、第３のキャパシタ部４ｃは、実装基板５の表面からの距離（Ｚ方向の距離）が小さいことから、図８（ａ）に示すように、実装基板５の入力端子５ａから実装基板５のＧＮＤ端子５ｂに流れる電流経路の物理長（ループ長）が小さくなり、インダクタ成分Ｌ３が小さくなる。なお、積層型コンデンサ１０Ｂのキャパシタ部４Ａとキャパシタ部４Ｂとの間の距離は、積層型コンデンサ１０の第１のキャパシタ部４ａと第２のキャパシタ部４ｂとの間の距離および第２のキャパシタ部４ｂと第３のキャパシタ部４ｃとの間の距離の合計の距離とほぼ同じである。
このように、積層型コンデンサ１０は、第１のキャパシタ部４ａおよび第３のキャパシタ部４ｃが異なるインダクタ成分Ｌ１およびインダクタ成分Ｌ３を有することになる。
また、積層型コンデンサ１０は、インダクタ成分Ｌ１およびインダクタ成分Ｌ３の物理長が互いに異なり、インダクタ成分が互いに異なっており、インダクタ成分Ｌ１およびインダクタ成分Ｌ３が並列接続となっている。すなわち、積層型コンデンサ１０は、第１のキャパシタ部４ａのインダクタ成分Ｌ１および第３のキャパシタ部４ｃのインダクタ成分Ｌ３の物理長が互いに異なるとともに、第１の外部電極２ａと第３の外部電極２ｃおよび第４の外部電極２ｄとの間で並列接続となっている。第１のキャパシタ部４ａと第３のキャパシタ部４ｃとで合成されたインダクタ成分は、並列に接続されたインダクタ成分Ｌ１およびインダクタ成分Ｌ３の２つのインダクタ成分で形成されることになる。
このように、積層型コンデンサ１０は、物理長の異なるインダクタ成分Ｌ１およびインダクタ成分Ｌ３が並列接続されており、積層型コンデンサ１０Ｂのインダクタ成分Ｌ０よりも小さく、高周波数領域で低インピーダンス化を実現することができる。したがって、積層型コンデンサ１０は、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）が小さくなり、共振周波数を高周波数領域側にシフトさせることができるので、高周波数領域のノイズを低減することができる。
図９は、積層型コンデンサ１０および積層型コンデンサ１０Ｂの周波数帯のインピーダンス特性を示すグラフであり、Ａは積層型コンデンサ１０のインピーダンス特性を示し、Ｂは積層型コンデンサ１０Ｂのインピーダンス特性を示している。積層型コンデンサ１０は、第１のキャパシタ部４ａおよび第３のキャパシタ部４ｃの容量が７．５（μＦ）であり、第２のキャパシタ部４ｂの容量が１（μＦ）である。また、積層型コンデンサ１０Ｂは、キャパシタ部４Ａの容量が１５（μＦ）であり、キャパシタ部４Ｂの容量が１（μＦ）である。その他の構成は同じである。なお、積層型コンデンサ１０および積層型コンデンサ１０Ｂは、長手方向（Ｘ方向）の長さが１．１５（ｍｍ）であり、短手方向（Ｙ方向）の長さが０．６５（ｍｍ）であり、高さ方向（Ｚ方向）の長さが０．８（ｍｍ）である。
図９に示すように、積層型コンデンサ１０は、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）が小さくなり、共振周波数が高周波数領域側にシフトし、高周波数領域のインピーダンスが積層型コンデンサ１０Ｂよりも小さくなっている。
また、積層型コンデンサ１０は、第１のキャパシタ部４ａおよび第３のキャパシタ部４ｃの容量が同じであり、実装基板５に実装する際のキャパシタ部の上下方向に関する方向性がなくなる。したがって、積層型コンデンサ１０は、上下の区別なく実装基板５に実装することができる。第１のキャパシタ部４ａおよび第３のキャパシタ部４ｃの容量を同じにするために、積層型コンデンサ１０は、例えば、第１のキャパシタ部４ａ内および第３のキャパシタ部４ｃ内の第１の内部電極３ａおよび第２の内部電極３ｂの総積層数を同じにする。積層型コンデンサ１０は、第１のキャパシタ部４ａの容量の値を１００とした場合に、第３のキャパシタ部４ｃの容量の値が９７〜１０３の範囲内にあることを容量が同じであるという。
また、積層型コンデンサは、製造プロセスにおいて、上下面からの圧力または収縮応力等が内部電極の配置されていない領域（例えば、積層型コンデンサ１０Ｂの第２の外部電極２ｂ側の領域）で発生し、内部電極が変形しやすくなる。しかしながら、積層型コンデンサ１０は、第１のキャパシタ部４ａおよび第３のキャパシタ部４ｃを第２のキャパシタ部４ｂを間にして積層体１内の積層方向において互いに対称に配置している。第１のキャパシタ部４ａおよび第３のキャパシタ部４ｃは、第２のキャパシタ部４ｂを間に挟んで上下対称となり、積層型コンデンサ１０は、第２の外部電極２ｂ側の領域において、第１のキャパシタ部４ａおよび第３のキャパシタ部４ｃの第１の内部電極３ａおよび第２の内部電極３ｂが変形しにくくなる。また、積層型コンデンサ１０は、第２のキャパシタ部４ｂの第２の内部電極３ｂおよび第３の内部電極３ｃが変形しにくくなる。
したがって、積層型コンデンサ１０は、積層体１内の第１〜第３の内部電極３ａ〜３ｃが変形しにくくなり、信頼性が向上する。また、積層型コンデンサは、実装基板５に実装する際のキャパシタ部の上下方向に関する方向性がなくなる。
ここで、図１に示す積層型コンデンサ１０の製造方法の一例を説明する。
複数の第１〜第３のセラミックグリーンシートを準備する。第１のセラミックグリーンシートは第１の内部電極３ａを形成するものである。第２のセラミックグリーンシートは第２の内部電極３ｂを形成するものである。第３のセラミックグリーンシートは第３の内部電極３ｃを形成するものである。
複数の第１のセラミックグリーンシートは、セラミックグリーンシート上に、第１の内部電極３ａの導体ペースト層を第１の内部電極３ａ用の導体ペーストを用いて形成する。なお、第１のセラミックグリーンシートには、多数個の積層型コンデンサ１０を得るために、１枚のセラミックグリーンシート内に第１の内部電極３ａが複数個形成される。
また、複数の第２のセラミックグリーンシートは、セラミックグリーンシート上に、第２の内部電極３ｂの導体ペースト層を第２の内部電極３ｂ用の導体ペーストを用いて形成する。なお、第２のセラミックグリーンシートには、多数個の積層型コンデンサ１０を得るために、１枚のセラミックグリーンシート内に第２の内部電極３ｂが複数個形成される。
また、複数の第３のセラミックグリーンシートには、セラミックグリーンシート上に、第３の内部電極３ｃの導体ペースト層を第３の内部電極３ｃ用の導体ペーストを用いて形成する。なお、第３のセラミックグリーンシートには、多数個の積層型コンデンサ１０を得るために、１枚のセラミックグリーンシート内に第３の内部電極３ｃが複数個形成される。
上述の内部電極３の導体ペースト層は、セラミックグリーンシート上に、例えば、それぞれの導体ペーストを所定のパターン形状でスクリーン印刷法を用いて形成される。
なお、第１〜第３のセラミックグリーンシートは誘電体層１ｇとなり、第１の内部電極３ａの導体ペースト層は第１の内部電極３ａとなり、第２の内部電極３ｂの導体ペースト層は第２の内部電極３ｂとなり、第３の内部電極３ｃの導体ペースト層は第３の内部電極３ｃとなる。
セラミックグリーンシートの材料は、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３またはＣａＺｒＯ３等の誘電体セラミックスを主成分とする。副成分として、例えば、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物またはＮｉ化合物等が添加されたものを用いてもよい。
第１〜第３のセラミックグリーンシートは、誘電体セラミックスの原料粉末および有機バインダに適当な有機溶剤等を添加して混合することによって泥漿状のセラミックスラリーを作製し、ドクターブレード法等を用いて成形する。
内部電極３用の導体ペーストは、上述した内部電極３の導体材料（金属材料）の粉末に添加剤（誘電体材料）、バインダ、溶剤、分散剤等を加えて混練することで作製される。内部電極３の導電材料は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）または金（Ａｕ）等の金属材料である。または、内部電極３の導電材料は、これらの金属材料の１種以上を含む、例えば、Ａｇ−Ｐｄ合金等の合金材料である。内部電極３は、同一の金属材料または合金材料を用いてもよい。
例えば、第１〜第３のセラミックグリーンシートを図３に示すように順次積層する。そして、内部電極を形成していないセラミックグリーンシートを積層方向（Ｚ方向）の最外層にそれぞれ積層して、図３に示すような積層体とする。
このように積層された積層体は、プレスして一体化することによって、多数個の生積層体１を含む大型の生積層体となる。この大型の生積層体を切断することによって、図１に示す積層型コンデンサ１０の積層体１となる生積層体１を得ることができる。大型の生積層体の切断は、例えば、ダイシングブレード等を用いて行なうことができる。
そして、積層体１は、生積層体を、例えば、８００（℃）〜１３００（℃）で焼成して得られる。焼成によって、複数の第１〜第３のセラミックグリーンシートが誘電体層１ｇとなり、第１の内部電極３ａの導体ペースト層が第１の内部電極３ａとなり、第２の内部電極３ｂの導体ペースト層が第２の内部電極３ｂとなり、第３の内部電極３ｃの導体ペースト層が第３の内部電極３ｃとなる。また、積層体１は、例えば、バレル研磨等の研磨手段を用いて角部または辺部を丸めることによって、角部または辺部が欠けにくいものとなる。
次に、第１の外部電極２ａおよび第２の外部電極２ｂは、例えば、積層体１の第１の端面１ｃおよび第２の端面１ｄに第１の外部電極２ａ用および第２の外部電極２ｂ用の導電ペーストを塗布して、焼き付けることによって形成する。第１の外部電極２ａ用および第２の外部電極２ｂ用の導電ペーストは、上述した第１の外部電極２ａおよび第２の外部電極２ｂを構成する金属材料の粉末にバインダ、溶剤および分散剤等を加えて混練することで作製される。
また、第３の外部電極２ｃおよび第４の外部電極２ｄは、例えば、ローラ転写法を用いて、第３の外部電極２ｃ用および第４の外部電極２ｄ用の導電性ペーストを第１の側面１ｅおよび第２の側面１ｆに形成する。具体的には、ローラ転写法を用いて、第３の外部電極２ｃ用および第４の外部電極２ｄ用の導電性ペーストを第１の側面１ｅおよび第２の側面１ｆに転写することよって、導電性ペーストは、第１の側面１ｅ（第２の側面１ｆ）に設けられるとともに、第１の面１ａおよび第２の面１ｂに延在することになる。
外部電極２は、外部電極２の保護または積層型コンデンサ１０の実装性の向上等のために、表面に金属層が形成される。金属層は、例えば、めっき法を用いて形成される。外部電極２は、例えば、Ｎｉめっき層とＮｉめっき層上にＳｎめっき層が形成される。
また、外部電極２の形成方法は、導体ペーストを焼き付ける方法以外に、蒸着法、めっき法またはスパッタリング法等の薄膜形成法を用いてもよい。
本開示は、上述の実施の形態の積層型コンデンサ１０に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
１ 積層体
１ａ 第１の面
１ｂ 第２の面
１ｃ 第１の端面
１ｄ 第２の端面
１ｅ 第１の側面
１ｆ 第２の側面
１ｇ 誘電体層
２ 外部電極
２ａ 第１の外部電極
２ｂ 第２の外部電極
２ｃ 第３の外部電極
２ｄ 第４の外部電極
３ 内部電極
３ａ 第１の内部電極
３ｂ 第２の内部電極
３ｃ 第３の内部電極
４ キャパシタ部
４ａ 第１のキャパシタ部
４ｂ 第２のキャパシタ部
４ｃ 第３のキャパシタ部
５ 実装基板
５ａ 入力端子
５ｂ ＧＮＤ端子
１０、１０Ａ、１０Ｂ 積層型コンデンサ
１ａ 第１の面
１ｂ 第２の面
１ｃ 第１の端面
１ｄ 第２の端面
１ｅ 第１の側面
１ｆ 第２の側面
１ｇ 誘電体層
２ 外部電極
２ａ 第１の外部電極
２ｂ 第２の外部電極
２ｃ 第３の外部電極
２ｄ 第４の外部電極
３ 内部電極
３ａ 第１の内部電極
３ｂ 第２の内部電極
３ｃ 第３の内部電極
４ キャパシタ部
４ａ 第１のキャパシタ部
４ｂ 第２のキャパシタ部
４ｃ 第３のキャパシタ部
５ 実装基板
５ａ 入力端子
５ｂ ＧＮＤ端子
１０、１０Ａ、１０Ｂ 積層型コンデンサ
Claims (5)
- 複数の誘電体層が積層された、対向する第１の面と第２の面、対向する第１の側面と第２の側面および対向する第１の端面と第２の端面を有する直方体状の積層体と、
前記第１の端面に配置された第１の外部電極、前記第２の端面に配置された第２の外部電極、前記第１の側面に配置された第３の外部電極および前記第２の側面に配置された第４の外部電極と、
前記積層体内に積層方向に従って前記第１の面から前記第２の面に向かって配列された第１のキャパシタ部、第２のキャパシタ部および第３のキャパシタ部と、を備えており、
前記第１のキャパシタ部および前記第３のキャパシタ部は、前記第１の端面に露出した、前記第１の外部電極に電気的に接続された第１の内部電極と前記第１の側面および前記第２の側面のそれぞれに露出した、前記第３の外部電極および前記第４の外部電極に電気的に接続された第２の内部電極とが前記誘電体層を介して互いに対向するように交互に配置され、
第２のキャパシタ部は、前記第１のキャパシタ部と前記第３のキャパシタ部との間に配置されており、前記第２の端面に露出した、前記第２の外部電極に電気的に接続された第３の内部電極と前記第１の側面および前記第２の側面のそれぞれに露出した、前記第３の外部電極および前記第４の外部電極に電気的に接続された第２の内部電極とが前記誘電体層を介して対向するように交互に配置されており、
前記第１のキャパシタ部および前記第３のキャパシタ部は、前記第２のキャパシタ部よりも大きな容量を有しており、
前記第１のキャパシタ部および前記第３のキャパシタ部のインダクタ成分は、互いに物理長が異なるとともに前記第１の外部電極と前記第３の外部電極および前記第４の外部電極との間で並列接続となっていることを特徴とする積層型コンデンサ。 - 前記第１のキャパシタ部および前記第３のキャパシタ部における前記第１の内部電極および前記第２の内部電極の総積層数は、前記第２のキャパシタ部における前記第２の内部電極および前記第３の内部電極の総積層数よりも多いことを特徴とする請求項１に記載の積層型コンデンサ。
- 前記第１のキャパシタ部および前記第３のキャパシタ部は、容量が同じであることを特徴とする請求項1または請求項２に記載の積層型コンデンサ。
- 前記第１のキャパシタ部および前記第３のキャパシタ部における前記第１の内部電極および前記第２の内部電極の総積層数が同じであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の積層型コンデンサ。
- 前記第１のキャパシタ部および前記第３のキャパシタ部は、前記第２のキャパシタ部を間にして前記積層体の積層方向において互いに対称に配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の積層型コンデンサ。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016106467 | 2016-05-27 | ||
| JP2016106467 | 2016-05-27 | ||
| PCT/JP2017/019750 WO2017204338A1 (ja) | 2016-05-27 | 2017-05-26 | 積層型コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2017204338A1 JPWO2017204338A1 (ja) | 2019-03-14 |
| JP6626966B2 true JP6626966B2 (ja) | 2019-12-25 |
Family
ID=60411487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018519637A Active JP6626966B2 (ja) | 2016-05-27 | 2017-05-26 | 積層型コンデンサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10790089B2 (ja) |
| JP (1) | JP6626966B2 (ja) |
| CN (1) | CN109155196B (ja) |
| WO (1) | WO2017204338A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6930114B2 (ja) * | 2017-01-20 | 2021-09-01 | Tdk株式会社 | 電子部品装置 |
| WO2021065487A1 (ja) | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 京セラ株式会社 | フィルムコンデンサ素子 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04105311A (ja) * | 1990-08-24 | 1992-04-07 | Murata Mfg Co Ltd | 積層コンデンサ |
| JP3832504B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2006-10-11 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサおよびその実装構造 |
| KR100884902B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2009-02-19 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 커패시터 및 그 실장구조 |
| JP4418969B2 (ja) * | 2005-06-03 | 2010-02-24 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP4049182B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2008-02-20 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
| JP4049181B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2008-02-20 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
| JP4378371B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2009-12-02 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層コンデンサ |
| JP4400612B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2010-01-20 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層コンデンサ、および積層コンデンサの製造方法 |
| KR100925623B1 (ko) * | 2007-08-31 | 2009-11-06 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 및 이를 구비한 회로기판 장치 및회로기판 |
| US8159813B2 (en) * | 2008-04-01 | 2012-04-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer chip capacitor, motherboard apparatus having the same, and power distribution network |
| KR100992311B1 (ko) * | 2008-08-13 | 2010-11-05 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 및 이를 구비한 회로기판 장치 |
| KR101548771B1 (ko) * | 2011-06-23 | 2015-09-01 | 삼성전기주식회사 | 칩 타입 적층 커패시터 |
| KR102048091B1 (ko) * | 2013-05-28 | 2019-11-22 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법 |
| KR102048094B1 (ko) * | 2014-10-08 | 2019-11-22 | 삼성전기주식회사 | 전자 부품 및 이의 제조 방법 |
-
2017
- 2017-05-26 CN CN201780030909.3A patent/CN109155196B/zh active Active
- 2017-05-26 JP JP2018519637A patent/JP6626966B2/ja active Active
- 2017-05-26 US US16/301,459 patent/US10790089B2/en active Active
- 2017-05-26 WO PCT/JP2017/019750 patent/WO2017204338A1/ja active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2017204338A1 (ja) | 2017-11-30 |
| US10790089B2 (en) | 2020-09-29 |
| CN109155196A (zh) | 2019-01-04 |
| US20190287724A1 (en) | 2019-09-19 |
| JPWO2017204338A1 (ja) | 2019-03-14 |
| CN109155196B (zh) | 2020-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6852253B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| US9627142B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor and board for mounting of the same | |
| JP5932946B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP2021002645A (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
| JP2021010000A (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
| JP4637674B2 (ja) | 積層コンデンサ | |
| JP2014003328A (ja) | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP5733836B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP2013055321A (ja) | 積層セラミックキャパシタ | |
| JP5804569B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| KR20140058841A (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
| JP2014116570A (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
| KR101197787B1 (ko) | 적층형 세라믹 캐패시터 및 이의 제조방법 | |
| JP2021044533A (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
| KR101422949B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 | |
| KR20190053693A (ko) | 3단자 적층형 커패시터 | |
| JP2010034272A (ja) | 積層コンデンサおよび積層コンデンサの等価直列抵抗値の調整方法 | |
| JP2021022720A (ja) | 積層セラミックキャパシタ | |
| US10297386B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor and board having the same | |
| JP6466690B2 (ja) | 積層型コンデンサ | |
| JP6626966B2 (ja) | 積層型コンデンサ | |
| US11515091B2 (en) | Multilayer capacitor | |
| JP5675860B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| WO2018043397A1 (ja) | 積層型コンデンサ | |
| KR20190006060A (ko) | 적층형 커패시터 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181101 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191105 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191202 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6626966 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |