JP4879286B2 - リソグラフィ装置 - Google Patents
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Description
基板を支持するように構成された支持構造と、
パターン化されたビームを、液体を通して基板のターゲット部分に投射するように構成された投影システムと、
基板から残留液を除去するように構成されたポンプおよびバッファ・ボリューム(バッファ空間あるいはバッファ容積)であって、バッファ・ボリューム内へのガス・サクションによって基板の近傍に吸引浄化ガス流を生成するように構成されたポンプおよびバッファ・ボリュームと
を有するリソグラフィ装置が提供される。
放射線ビームB(例えばUV放射線)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
パターン化デバイス(例えばマスク)MAを支持するように構築された支持構造であって、特定のパラメータに従ってパターン化デバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスク・テーブル)MTと、
基板(例えばレジスト被覆ウェハ)Wを保持するように構築された基板テーブルであって、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェハ・テーブル)WTと、
パターン化デバイスMAによって放射線ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つまたは複数のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズ系)PSと
を有している。
(1)ステップ・モード
ステップ・モードでは、マスク・テーブルMTおよび基板テーブルWTが基本的に静止状態に維持され、放射線ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Cに1回で投影される(すなわち単一の静止露光)。次に、基板テーブルWTがXおよび/またはY方向にシフトされ、異なるターゲット部分Cが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
(2)走査モード
走査モードでは、放射線ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影されている間にマスク・テーブルMTおよび基板テーブルWTが同期走査される(すなわち単一の動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの倍率(縮小率)およびイメージ反転特性によって決定される。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の幅(非走査方向の幅)が制限され、また、走査運動の長さによってターゲット部分の高さ(走査方向の高さ)が決まる。
(3)その他のモード
その他のモードでは、プログラム可能パターン化デバイスを保持するようにマスク・テーブルMTが基本的に静止状態に維持され、放射線ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影されている間に基板テーブルWTが移動もしくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射線源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する毎に、あるいは連続する放射線パルスと放射線パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化デバイスが更新される。この動作モードは、上で言及したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化デバイスを利用したマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
流入量×流れている時間×入口圧力=容器の容積×(貯蔵終了時の圧力−貯蔵開始時の圧力)
である。
流入量が1001/分、流れている時間が1分間、圧力変化が0.5−0.0=0.5バールの場合、容積は約200リットルであるが、圧力差が変化するため、流入量が変化し、したがって必要な容積に対するより特定の容積を得るためには、時間に対する積分を使用(あるいは引き出される総ガス容積を使用)しなければならないことに留意されたい。バッファ・ボリュームの圧力が再び元の圧力値まで降下すると、例えばバルブ11を閉じ、バッファ・ボリューム10を排気することによって新しいサイクルを開始することができる。他の寸法のバッファ・ボリュームを使用することも可能であることは明らかであろう。
BD ビーム・デリバリ・システム
C 基板のターゲット部分
IF1、IF2 位置センサ
IL 照明システム(イルミネータ)
MA パターン化デバイス(マスク)
MT 支持構造(マスク・テーブル)
M1、M2 マスク・アライメント・マーク
PM 第1のポジショナ
PS、20 投影システム
PW 第2のポジショナ
P1、P2 基板アライメント・マーク
SO 放射線源
W、2 基板
WT、6 基板テーブル
1 乾燥ステーション
3 ノズル
4 基板表面
5 液滴
8 ポンプ
9 ホース
10 バッファ・ボリューム(バックアップ・バッファ・ボリューム)
11、12 バルブ
13 中央処理装置(プロセッサ)
14 信号線
16 液体拘束構造
17 シール
18 液浸液
19 ターゲット領域
21 サクション入口
22 スイッチ
Claims (3)
- 基板を支持するように構成された支持構造と、
パターン化されたビームを、液体を通して前記基板のターゲット部分に投射するように構成された投影システムと、
前記基板と前記投影システムとの間の空間に液体を提供する液体拘束構造であって、残留した液体を前記基板から除去するためのサクション入り口を備える液体拘束構造と、
前記サクション入り口に接続され、前記基板の近傍に吸引浄化ガス流を生成するポンプと、
前記サクション入り口にバルブを介して接続されたバックアップ・バッファ・ボリュームであって、前記バルブが閉じているときに前記ポンプにより低圧に吸引され、前記バルブが開いているときに前記基板の近傍に吸引浄化ガス流を生成するバックアップ・バッファ・ボリュームと、
を備えるリソグラフィ装置。 - 前記バルブは、前記残留した液体が存在している間に前記ポンプが停止した場合に開くように構成されている、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ポンプは、リソグラフィ処理の間に、前記バックアップ・バッファ・ボリュームを低圧に吸引する、請求項1又は請求項2に記載のリソグラフィ装置。
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CN101044594B (zh) * | 2004-10-26 | 2010-05-12 | 株式会社尼康 | 衬底处理方法、曝光装置及器件制造方法 |
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JP2007103658A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Canon Inc | 露光方法および装置ならびにデバイス製造方法 |
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US9632425B2 (en) | 2006-12-07 | 2017-04-25 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface |
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NL1036579A1 (nl) * | 2008-02-19 | 2009-08-20 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and methods. |
US8665350B2 (en) * | 2008-05-08 | 2014-03-04 | Altasens, Inc. | Method for fixed pattern noise (FPN) correction |
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CN102714911A (zh) * | 2010-01-07 | 2012-10-03 | Asml荷兰有限公司 | Euv辐射源和光刻设备 |
US9177849B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-11-03 | Intermolecular, Inc. | Chuck for mounting a semiconductor wafer for liquid immersion processing |
WO2015193036A1 (en) * | 2014-06-16 | 2015-12-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method of transferring a substrate and device manufacturing method |
WO2016164159A1 (en) | 2015-04-07 | 2016-10-13 | Brazas Megan | Communication system and method |
CN111381448B (zh) * | 2018-12-28 | 2021-05-25 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 浸没光刻设备的液体控制***及方法 |
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US3573975A (en) | 1968-07-10 | 1971-04-06 | Ibm | Photochemical fabrication process |
EP0023231B1 (de) | 1979-07-27 | 1982-08-11 | Tabarelli, Werner, Dr. | Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
JPS5754317A (en) | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Method and device for forming pattern |
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4390273A (en) | 1981-02-17 | 1983-06-28 | Censor Patent-Und Versuchsanstalt | Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS58208590A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-05 | Babcock Hitachi Kk | 熱媒循環型熱交換器 |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
US5040020A (en) | 1988-03-31 | 1991-08-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography |
JPH0281457A (ja) | 1988-09-16 | 1990-03-22 | Canon Inc | 保持システム |
JPH03209479A (ja) | 1989-09-06 | 1991-09-12 | Sanee Giken Kk | 露光方法 |
US5121256A (en) | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP2520833B2 (ja) | 1992-12-21 | 1996-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 浸漬式の液処理装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH07325279A (ja) | 1994-06-01 | 1995-12-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 減圧処理装置及び方法 |
WO1998009278A1 (en) | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Digital Papyrus Technologies | Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
US5900354A (en) | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
WO1999010917A1 (fr) * | 1997-08-26 | 1999-03-04 | Nikon Corporation | Dispositif d'alignement, procede d'exposition, procede de regulation de la pression d'un systeme optique de projection, et procede de montage du dispositif d'alignement |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
EP1039511A4 (en) | 1997-12-12 | 2005-03-02 | Nikon Corp | PROJECTION EXPOSURE PROCESSING METHOD AND PROJECTION APPARATUS |
JPH11312640A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-11-09 | Canon Inc | 処理装置および該処理装置を用いたデバイス製造方法 |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
TWI242111B (en) | 1999-04-19 | 2005-10-21 | Asml Netherlands Bv | Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus |
JP2000350902A (ja) | 1999-06-09 | 2000-12-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 脱気方法 |
JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
US6488040B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-12-03 | Lam Research Corporation | Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying |
TW591653B (en) | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
WO2002091078A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus employing an index matching medium |
US6600547B2 (en) | 2001-09-24 | 2003-07-29 | Nikon Corporation | Sliding seal |
EP1446703A2 (en) | 2001-11-07 | 2004-08-18 | Applied Materials, Inc. | Optical spot grid array printer |
JP2003200594A (ja) * | 2002-01-04 | 2003-07-15 | Canon Inc | 液体供給装置および記録装置 |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
US6788477B2 (en) | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
CN101424881B (zh) | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
SG121819A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
TWI232357B (en) | 2002-11-12 | 2005-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR20120127755A (ko) | 2002-12-10 | 2012-11-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
KR20050085236A (ko) | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
EP1571696A4 (en) | 2002-12-10 | 2008-03-26 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE |
US7242455B2 (en) | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
EP1571700A4 (en) | 2002-12-10 | 2007-09-12 | Nikon Corp | OPTICAL DEVICE AND PROJECTION EXPOSURE DEVICE USING THE OPTICAL DEVICE |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1571698A4 (en) | 2002-12-10 | 2006-06-21 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
EP1571694A4 (en) | 2002-12-10 | 2008-10-15 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
WO2004053951A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
AU2003289272A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method |
KR20130010039A (ko) | 2002-12-10 | 2013-01-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP4184346B2 (ja) | 2002-12-13 | 2008-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去 |
DE60307322T2 (de) | 2002-12-19 | 2007-10-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts |
USRE48515E1 (en) | 2002-12-19 | 2021-04-13 | Asml Netherlands B.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
KR101177331B1 (ko) | 2003-04-09 | 2012-08-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
SG10201604762UA (en) | 2003-04-10 | 2016-08-30 | Nikon Corp | Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus |
KR101409565B1 (ko) * | 2003-04-10 | 2014-06-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
EP2921905B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-12-27 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
WO2004090633A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
WO2004092830A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Liquid jet and recovery system for immersion lithography |
WO2004090577A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | Maintaining immersion fluid under a lithographic projection lens |
SG10201803122UA (en) | 2003-04-11 | 2018-06-28 | Nikon Corp | Immersion lithography apparatus and device manufacturing method |
ATE542167T1 (de) | 2003-04-17 | 2012-02-15 | Nikon Corp | Lithographisches immersionsgerät |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2004102646A1 (ja) | 2003-05-15 | 2004-11-25 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7274472B2 (en) | 2003-05-28 | 2007-09-25 | Timbre Technologies, Inc. | Resolution enhanced optical metrology |
US7684008B2 (en) | 2003-06-11 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4343597B2 (ja) | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005019616A (ja) | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
JP3862678B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1498778A1 (en) | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG109000A1 (en) | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6954256B2 (en) | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
JP4378136B2 (ja) | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3870182B2 (ja) | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005159322A (ja) | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
JP2005175016A (ja) | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP2005175034A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
US7589818B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
JP2005191393A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP2005191381A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP4429023B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4018647B2 (ja) | 2004-02-09 | 2007-12-05 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置およびデバイス製造方法 |
JP4510494B2 (ja) | 2004-03-29 | 2010-07-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP2005286068A (ja) | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
US7379155B2 (en) * | 2004-10-18 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006120941A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Toshiba Corp | レジストパターンの形成方法、露光装置および半導体装置の製造方法 |
US7362412B2 (en) * | 2004-11-18 | 2008-04-22 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate in an immersion lithography system |
US7446850B2 (en) * | 2004-12-03 | 2008-11-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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