CN111381448B - 浸没光刻设备的液体控制***及方法 - Google Patents
浸没光刻设备的液体控制***及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111381448B CN111381448B CN201811627086.5A CN201811627086A CN111381448B CN 111381448 B CN111381448 B CN 111381448B CN 201811627086 A CN201811627086 A CN 201811627086A CN 111381448 B CN111381448 B CN 111381448B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- liquid
- immersion
- lithographic apparatus
- pumping mechanism
- negative pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明提供一种浸没光刻设备的液体控制***及方法,该***包括设置在投影物镜与浸液维持***之间的间隙内的液体抽排机构,所述液体抽排机构不与投影物镜和/或浸液维持***连接,所述液体抽排机构的下表面高于或者等于浸液流场的自由液面的预设等高线,所述液体抽排机构通过管路连接有负压抽吸源。该方法包括当浸液流场的自由液面在垂向上波动时,高于所述液体抽排机构的下表面的浸液由负压抽吸源通过管路抽离。本发明能够解决浸液流场的自由液面波动影响投影物镜的温度稳定性的缺陷以及浸液溢流的缺陷。
Description
技术领域
本发明涉及光刻技术领域,特别涉及一种浸没光刻设备的液体控制***及方法。
背景技术
现代光刻设备以光学光刻为基础,它利用光学***将掩膜版上的图形精确地投影曝光到涂过光刻胶的衬底(例如:硅片)上。浸没光刻是指在曝光镜头与硅片之间充满水或更高折射的液体,以取代传统干式光刻技术中对应的空气。由于水的折射率比空气大,这就使得透镜组数值孔径增大,进而可获得更加小的特征线宽。请参考图1,现有的浸没式光刻机,包括主基板1支撑一照明***2、一投影物镜4和一工件台8,工件台8上放置有一涂有感光光刻胶的硅片7。该浸没式光刻机,将浸液(水)通过浸液限制机构6填充在投影物镜4和硅片7之间缝隙内。其中浸液限制机构,也称浸液维持***,又称为浸没头。工作时,光电测量装置10通过处理测量光9获取工件台8位置,工件台8带动硅片7作高速的扫描、步进动作,浸液维持***6根据工件台8的运动状态,在投影物镜4的视场范围,在浸液维持***6内提供一个稳定的浸液流场5,同时保证浸液流场5与外界的密封,保证液体***漏。掩模版3上集成电路的图形通过照明***2和投影物镜4,浸液流场5中的浸液5以成像曝光的方式,转移到涂有感光光刻胶的硅片7上,从而完成曝光。
在半导体厂房服务区设置供液设备11,向浸液维持***6供给浸没液体。在供液设备11中设置液体压力、流量控制单元,将浸没液体供给的压力、流量限制在一定范围内。通过在供液设备11中设置水污染处理单元,将水中污染处理至符合浸没液体污染要求;通过在供液设备11中设置温度控制单元,将供水处理至符合浸没液体温度要求。
在半导体厂房服务区设置供气设备13与气液回收设备12,用于超洁净湿空气的供给与气液回收。在供气设备13与气液回收设备12中设置超洁净湿空气压力、流量控制单元,将供气压力、流量控制在一定范围之内,设置气液回收压力、流量控制单元,将气液回收压力和流量控制在一定范围之内;设置超洁净湿空气污染控制单元,将超洁净湿空气中污染处理至符合要求;设置超洁净湿空气温度和湿度控制单元,将超洁净湿空气处理至符合温度和湿度要求。
请参考图2,浸没式光刻机的工作原理如下:供液设备11通过管路向浸液维持***6的浸液供给口602供给浸液,供气设备13通过管路连通浸液维持***6的供气口605,通过浸液回收口603和气液回收口604将残余的浸液通过气液回收设备12回收,从而形成稳定的浸液流场5。
请参考图2,投影物镜4的外轮廓表面401与浸液维持***6的内轮廓表面601间存在一定间隙;该间隙中浸没液体流场5上表面是与空气接触的自由液面501。
由于浸液供给口602的浸液供给压力波动,浸液回收口603的浸液回收压力波动,气液回收口604的气液回收压力波动和供气口605的供气压力波动,以及硅片7位置的变化等原因将导致自由液面501产生波动,即自由液面501产生晃动,自由液面501在垂向上忽高忽低。这将至少带来两个严重的问题:
(1)、自由液面501在垂向上忽高忽低将导致投影物镜4的外轮廓表面401被浸没液体5润湿的面积忽大忽小,由于外轮廓表面401被润湿处会产生蒸发制冷,润湿面积不断变化等同于制冷源的不断变化,这将严重影响投影物镜4的温度稳定性,进而产生曝光误差。
(2)、自由液面501在垂向上波动较大时,浸没液体5会出现溢流,即浸没液体5会从浸液维持***6上表面606溢出流至硅片7上,这将导致曝光缺陷,甚至使整机产生漏液安全风险。
对于上述问题(2):现有技术中提供一种浸没液体出现溢流的方案,其缺点在于,溢流抽排结构设置在浸液维持***6结构本体上。其存在以下三个技术问题:
A、由于将溢流抽排结构设置在浸液维持***上,因此增大了浸液维持***6的加工制造难度。
B、由于自由液面501在垂向上波动较大时,浸没液体5才会出现溢流,现有方案仅能防止自由液面501在垂向上产生大波动。
C、在溢流抽排过程中抽排流路内气液两相流会产生振动,现有方案将溢流抽排结构设置在浸液维持***6结构本体上,抽排过程中的振动直接传递给了浸液维持***6,从而影响了浸液维持***6在光刻过程中的稳定性。
发明内容
本发明的目的在于提供了一种浸没光刻设备的液体控制***及方法,以解决浸液流场的自由液面波动影响投影物镜的温度稳定性的缺陷以及浸液溢流的缺陷。
为了解决上述技术问题,本发明提供一种浸没光刻设备的液体控制***,包括设置在投影物镜与浸液维持***之间的间隙内的液体抽排机构,所述液体抽排机构不与投影物镜和/或浸液维持***连接,所述液体抽排机构的下表面高于或者等于浸液维持***的浸液流场的自由液面的预设等高线,所述液体抽排机构通过管路连接有负压抽吸源。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制***,所述液体抽排机构设置在浸没光刻设备的主基板上。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制***,所述液体抽排机构通过固定件设置在所述主基板上。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制***,所述负压抽吸源为气液回收设备。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制***,所述液体抽排机构的高度位置是可调节的。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制***,所述液体抽排机构为吸嘴。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制***,所述吸嘴为内含狭缝的环形薄板。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制***,所述吸嘴为呈环形分布的多段内含狭缝的弧形薄板,所述弧形薄板的分布避开浸液维持***的浸液供给口和浸液回收口的位置。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制***,所述液体抽排机构为毛细管。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制***,所述毛细管为多根,多根所述毛细管呈环形分布构成毛细管阵列。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制***,所述毛细管阵列包括多段弧形阵列,每段弧形阵列上分布有若多根毛细管,所述多段弧形阵列的分布避开浸液维持***的浸液供给口和浸液回收口的位置。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制***,所述液体抽排机构为两个,两个所述液体抽排机构的下表面的高度不同。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制***,下表面较低位置的所述液体抽排机构通过管路连接有第一负压抽吸源,下表面较高位置的所述液体抽排机构通过管路连接有第二负压抽吸源。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制***,所述第一负压抽吸源为低真空气液回收设备,所述第二负压抽吸源为高真空气液回收设备。
为了解决上述技术问题,本发明还提供一种浸没光刻设备的液体控制方法,
在投影物镜与浸液维持***之间的间隙内设置液体抽排机构,使所述液体抽排机构不与投影物镜和/或浸液维持***接触连接;
将所述液体抽排机构的下表面高于或者等于浸液维持***的浸液流场的自由液面的预设等高线设置;
当浸液流场的自由液面在垂向上波动时,高于所述液体抽排机构的下表面的浸液由负压抽吸源通过管路抽离。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制方法,将所述液体抽排机构设置在浸没光刻设备的主基板上。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制方法,将所述液体抽排机构通过固定件设置在所述主基板上。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制方法,所述负压抽吸源为气液回收设备。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制方法,将所述液体抽排机构设置为高度可调节的。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制方法,所述液体抽排机构为吸嘴。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制方法,所述吸嘴为内含狭缝的环形薄板。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制方法,所述吸嘴为呈环形分布的多段内含狭缝的弧形薄板,将所述弧形薄板的分布避开浸液维持***的浸液供给口和浸液回收口的位置。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制方法,所述液体抽排机构为毛细管。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制方法,所述毛细管为多根,多根所述毛细管呈环形分布构成毛细管阵列。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制方法,所述毛细管阵列包括多段弧形阵列,每段弧形阵列上分布有若多根毛细管,所述多段弧形阵列的分布避开浸液维持***的浸液供给口和浸液回收口的位置。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制方法,将所述液体抽排机构设置为两个,使两个所述液体抽排机构的下表面的高度不同。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制方法,将下表面较低的所述液体抽排机构通过管路连接第一负压抽吸源,将下表面较高的所述液体抽排机构通过管路连接第二负压抽吸源;当浸液流场的自由液面在垂向上波动较小时,高于所述液体抽排机构较低位置的下表面的浸液由第一负压抽吸源通过第一管路抽离;当浸液流场的自由液面在垂向上波动较大时,高于所述液体抽排机构较高位置的下表面的浸液由第二负压抽吸源通过第二管路抽离。
进一步的,本发明提供的浸没光刻设备的液体控制方法,所述第一负压抽吸源为低真空气液回收设备,所述第二负压抽吸源为高真空气液回收设备。
本发明提供的浸没光刻设备的液体控制***及方法,液体抽排机构分立设置,不与投影物镜和/或浸液维持***物理连接,则液体抽排机构在气液抽排过程中的产生的振动不会传递给投影物镜或浸液维持***,从而提高了光刻过程的稳定性。液体抽排机构的下表面高于或者等于浸液维持***的浸液流场的自由液面的预设等高线,当浸液流场的自由液面在垂向上波动时,高于所述液体抽排机构的下表面的浸液被负压抽吸源通过管路抽离,从而防止浸液溢流。本发明的液体抽排机构、管路和负压抽吸源能够使自由液面的波动得到抑制,同时能够避免自由液面在垂向波动时导致投影物镜的外轮廓表面被浸液润湿产生蒸发制冷的现象对投影物镜的温度稳定性的影响,以克服由于温度稳定性缺陷而产生的曝光误差,防止整机产生漏液安全问题,从而提高光刻质量和光刻安全。
附图说明
图1是浸没光刻机的结构示意图;
图2是浸没光刻机的浸液控制***的结构示意图;
图3是安装有液体抽排机构的浸没光刻机的浸液控制***的结构示意图;
图4是第一种液体抽排机构的结构示意图;
图5是第二种液体抽排机构的结构示意图;
图6是第三种液体抽排机构的结构示意图;
图7是第四种液体抽排机构的结构示意图;
图8是安装有两个液体抽排机构的浸没光刻机的浸液控制***的结构示意图;
图9是第五种液体抽排机构的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作详细描述:
请参考图3,本发明实施例提供一种浸没光刻设备的液体控制***,包括设置在投影物镜4与浸液维持***6之间的间隙内的液体抽排机构101,所述液体抽排机构101不与投影物镜4和/或浸没头6连接,所述液体抽排机构101的下表面高于或者等于浸液流场5的自由液面501的预设等高线H,如图3中虚线H位置所示,所述液体抽排机构101通过管路103连接有负压抽吸源。其中,负压抽吸源可以为气液回收设备12,也可以为独立的负压抽吸源。本发明实施例的液体抽排机构101的具***置包括但不限于设置在投影物镜4的外轮廓表面401与浸液维持***6的内轮廓表面601之间的间隙内,根据不同结构的浸液维持***6可进行适当的调整。根据图3示例的浸液维持***6的结构,可以将液体抽排机构101的下表面设置在低于浸液维持***6的上表面606且高于或者等于浸液流场5的自由液面501的预设等高线H的位置。
本发明实施例还提供一种浸没光刻设备的液体控制方法,包括:
步骤S1,在投影物镜4与浸液维持***6之间的间隙内设置液体抽排机构101,使所述液体抽排机构101不与投影物镜4和/或浸液维持***6接触连接。液体抽排机构101具***置关系可以设置在投影物镜4的外轮廓表面401与浸液维持***6的内轮廓表面601之间的间隙内。
步骤S2,将所述液体抽排机构101的下表面高于或者等于浸液维持***的浸液流场5的自由液面501的预设等高线H设置。例如根据图3示例的浸液维持***6的结构,可以将液体抽排机构101的下表面设置在低于浸液维持***6的上表面606且高于或者等于浸液流场5的自由液面501的预设等高线H的位置。
步骤S3,当浸液流场5的自由液面501在垂向上波动时,高于所述液体抽排机构101的下表面的浸液由负压抽吸源通过管路103抽离。
本发明实施例提供的浸没光刻设备的液体控制方法中,负压抽吸源可以为气液回收设备12,也可以为独立的负压抽吸源。
请参考图3,本发明实施例提供的浸没光刻设备的液体控制***及方法,液体抽排机构101分立设置,不与投影物镜4和/或浸液维持***6物理连接,则液体抽排机构101在气液抽排过程中的产生的振动不会传递给投影物镜4或浸液维持***6,从而提高了光刻过程的稳定性。液体抽排机构101的下表面低于浸液维持***6的上表面606,当浸液流场5的自由液面501在垂向上波动时,高于所述液体抽排机构101的下表面的浸液被负压抽吸源通过管路103抽离,从而防止浸液溢流。本发明实施例的液体抽排机构101、管路103和负压抽吸源能够使自由液面501的波动得到抑制,同时能够避免自由液面501在垂向波动时导致投影物镜4的外轮廓表面401被浸液润湿产生蒸发制冷的现象对投影物镜4的温度稳定性的影响,以克服由于温度稳定性缺陷而产生的曝光误差,防止整机产生漏液安全问题,从而提高光刻质量和光刻安全。
请参考图3,本发明实施例提供的浸没光刻设备的液体控制***及方法,所述液体抽排机构101设置在浸没光刻设备的主基板1上,此种方案为直接固定方案,具有稳定性好的优点。液体抽排机构101与主基板1例如焊接、卡扣连接等其它方式直接连接。当然,液体抽排机构101也可以通过固定件102设置在所述主基板1上,此种方案为间接固定方案,具有便于拆装、更换的优点。例如固定件102可以是螺栓等紧固件,也可以是绳索等捆绑件。液体抽排机构101与主基板1连接、不与浸液维持***6和/或投影物镜4直接的物理连接,即液体抽排机构101与浸液维持***6或者投影物镜的脱离分立设计,能够防止液体抽排机构101在抽排浸液过程中产生的振动对浸液维持***6和/或投影物镜4的影响,从而提高了光刻质量。
本发明实施例提供的浸没光刻设备的液体控制***及方法,所述液体抽排机构101的高度位置是可调节的,将液体抽排机构101设置为高度可调节的,以调节所述液体抽排机构101的下表面在浸液维持***6的上表面606与浸液流场5的自由液面501的预设等高线H之间的高度位置。例如液体抽排机构101可以通过升降机构调节高度,以快速、准确、及时地抽排浸液。
本发明实施例提供的浸没光刻设备的液体控制***及方法,所述液体抽排机构101可以为吸嘴,吸嘴的端口可以为平面,以使吸嘴的端口与水平面平行,从而使吸嘴的端口与自由液面501保持平行,以在浸液波动抽离时,保持在同一平面均匀的抽排,以使自由液面501保持稳定的抽排,防止由于抽离位置的不同,导致浸液流场5的自由液面501不在同一平面上而产生的振动影响。本发明实施例提供以下二种结构的吸嘴,为了便于区分,每种吸嘴采用了不同的附图标记。
请参考图4,本发明实施例提供了第一种结构的吸嘴101a,其为内含狭缝的环形薄板。请参考图3,当自由液面501在垂向上波动较大,自由液面501高于吸嘴101a的端口1011时;高于吸嘴101a的端口1011的浸液会迅速被吸嘴101a通过管路103抽排至气液回收设备12或其它分立的负压抽吸源。图4中的吸嘴101a为一体结构,具有拆装方便,便于调节的效果。
为了不影响浸液头6的浸液供给口602的浸液供给以及浸液回收口603的浸液回收,本发明实施例提供了第二种结构的吸嘴101c。请参考图6,第二种结构的吸嘴101c,其为呈环形分布的多段内含狭缝的弧形薄板,所述弧形薄板的分布避开浸液维持***6的浸液供给口和浸液回收口的位置,即弧形薄板的分布不与浸液供给口和浸液回收口的位置在垂直方向或者水平方向上重合或者覆盖。其与第一种结构的吸嘴101a相比,其增加了避让间隙,以防止第一种结构的吸嘴101a在抽排浸液过程中与液头6的浸液供给口602的浸液供给以及浸液回收口603的浸液回收发生干涉,避免了相互之间产生的振动等不利因素对光刻设备的稳定性影响。图6中示出了两段内含狭缝的弧形薄板的分体结构,吸嘴101c包括不限于两段,也可以是任意多段,其中上段吸嘴101c包括端口1013a,下段吸嘴101c包括端口1013b,即吸嘴101c分为上下弧形段的两部分。上段和下段的吸嘴101c均可以采用若干段内含狭缝的弧形薄板构成,多段所述吸嘴101c呈环形分布。端口1013a和端口1013b均与水平面平行、且在同一平面,以在同一平面抽排高于的浸液,使自由液面501保持稳定,减小浸液抽排过程中浸液流场5的在不同平面抽排时浸液流场5造成不稳定的液体流动而产生的振动影响。
本发明实施例的液体抽排机构101可以为毛细管。毛细管的端口可以为平面,以使毛细管的端口与水平面平行,从而吸嘴的端口与自由液面501保持平行,以在浸液波动抽离时,保持在同一平面均匀的抽排,以使自由液面501保持稳定的抽排,防止由于抽离位置的不同,导致浸液流场5的自由液面501不在同一平面上而产生的振动影响。本发明实施例的毛细管可以是单根,也可以是多根。以下提供二种结构的多根毛细管的方案,为了便于区分,每种多根毛细管的方案采用了不同的附图标记。
请参考图5,本发明实施例提供了第一种结构的毛细管阵列101b,其由多根所述毛细管呈环形分布。当自由液面501在垂向上波动较大,自由液面501高于毛细管阵列101b的端口1012时;高于端口1012的浸液会迅速被毛细管阵列101b通过管路103抽排至气液回收设备12或其它分立的负压抽吸源。图5中的毛细管阵列101b,相比于吸嘴101a,由于为毛细管阵列101b,其具有吸力强的效果,在浸液抽排过程中各个毛细管分散的抽排产生的振动,其具有振动小的效果,从而使在抽排过程中自由液面501的影响较小,以保持浸液流场5的稳定性,防止自由液面501在抽排过程中出现较大的振动。
请参考图7,为了不影响浸液头6的浸液供给口602的浸液供给以及浸液回收口603的浸液回收,本发明实施例提供的第二种结构的毛细管阵列101d,其在对第一种结构的毛细管阵列101b的改进,其去掉了浸液维持***6的浸液供给口602和浸液回收口603的位置的毛细管,以避让影响浸液头6的浸液供给口602的浸液供给以及浸液回收口603的浸液回收。毛细管阵列101d包括但不限于上下两段弧形阵列,所述多段弧形阵列的分布避开浸液维持***的浸液供给口602和浸液回收口603的位置。即多段弧形阵列的分布不与浸液供给口和浸液回收口的位置在垂直方向或者水平方向上重合或者覆盖。每段弧形阵列包括若干毛细管,毛细管阵列101d的包括上段的若干端口1014a和下段的若干端口1014b,端口1014a和1014b均与水平面平行、且在同一平面,以在同一平面抽排高于的浸液,使自由液面501保持稳定,减小浸液抽排过程中浸液流场5的在不同平面抽排时浸液流场5造成不稳定的液体流动而产生的振动影响。
上述结构的吸嘴101c和毛细管阵列101d,弧形薄板或者弧形阵列可以采用连接件连接为一体结构,也可以设计为分体结构。
请参考图8和图9,本发明实施例提供的浸没光刻设备的液体控制***及方法,所述液体抽排机构为两个,两个所述液体抽排机构的下表面的高度不同。为了与一个的液体抽机构相区分,两个液体抽排机构分别记载液体抽排机构104和液体抽排机构106,可以共同一个负压抽吸源,也可以分别使用不同的负压抽吸源。例如:下表面较低位置的所述液体抽排机构106通过第一管路107连接有第一负压抽吸源,下表面较高位置的所述液体抽排机构104通过第二管路105连接有第二负压抽吸源。当浸液流场5的自由液面501在垂向上波动较小时,高于所述液体抽排机构106较低位置的下表面的浸液由第一负压抽吸源通过第一管路107抽离;当浸液流场5的自由液面501在垂向上波动较大时,高于所述液体抽排机构104较高位置的下表面的浸液由第二负压抽吸源通过第二管路105抽离。其中较低位置的下表面的液体抽排机构106主要用于防止自由液面501出现波动,较高位置的下表面的液体抽排机构104主要用于防止溢流。为了更好的防止溢流的发生以及减小少量抽排的振动影响,本发明实施例可以将两个负压抽吸源采用不同的真空吸力。即第一负压抽吸源可以为低真空气液回收设备12a或者其它分立抽吸源,第二负压抽吸源可以为高真空气液回收设备12b或其它分立抽吸源。当自由液面501在垂向上波动较小时,通过低真空气液回收设备12a的较低真空吸力抽排浸液,以防止自由液面501出现波动。当自由液面501在垂向上波动较大时,通过高真空气液回收设备12b的较大真空吸力快速的抽排,以防止溢流。
当液体抽排机构为两个时,本发明实施例提供的液体抽排机构104和106可以采用吸嘴方案,也可以采用毛细管方案。请参考图9,本发明实施例的液体抽排机构104为毛细管阵列104a,液体抽排机构106为毛细管阵列106a。毛细管阵列104a的下表面为端口1041,毛细管阵列106a的下表面为端口1061,其中端口1061的高度低于端口1041的高度。当自由液面501在垂向向上波动较大有产生溢流风险时;高于端口1041的浸液会迅速通过毛细管阵列104a和第二管路105被高真空回收设备12b或其它分立的高真空负压源抽排,防止出现溢流。当自由液面501在垂向向上波动较小时,自由液面501高于端口1061,高于端口1061的浸液5会迅速通过毛细管阵列106a和第一管路107被低真空回收设备12a或其它分立的低真空负压源抽排,防止自由液面501出现波动。
请参考图9,毛细管阵列104a和毛细管阵列106a可以设计为一体结构,即毛细管阵列104a和毛细管阵列106a采用一个公共的通道,采用一个负压抽吸源进行抽排,也可以将毛细管阵列104a和毛细管阵列106a分别采用一个公共的通道,采用两个负压抽吸源进行抽排。
本发明实施例的附图中的X、Y为坐标轴。
本发明不限于上述具体实施方式,凡在本发明实施例的保护范围之内所作出的各种变化和润饰,均在本发明实施例的保护范围之内。
Claims (28)
1.一种浸没光刻设备的液体控制***,其特征在于,包括设置在投影物镜与浸液维持***之间的间隙内的液体抽排机构,所述液体抽排机构不与投影物镜和/或浸液维持***连接,所述液体抽排机构的下表面高于或者等于浸液维持***的浸液流场的自由液面的预设等高线,所述液体抽排机构通过管路连接有负压抽吸源。
2.如权利要求1所述的浸没光刻设备的液体控制***,其特征在于,所述液体抽排机构设置在浸没光刻设备的主基板上。
3.如权利要求2所述的浸没光刻设备的液体控制***,其特征在于,所述液体抽排机构通过固定件设置在所述主基板上。
4.如权利要求1所述的浸没光刻设备的液体控制***,其特征在于,所述负压抽吸源为气液回收设备。
5.如权利要求1所述的浸没光刻设备的液体控制***,其特征在于,所述液体抽排机构的高度位置是可调节的。
6.如权利要求1所述的浸没光刻设备的液体控制***,其特征在于,所述液体抽排机构为吸嘴。
7.如权利要求6所述的浸没光刻设备的液体控制***,其特征在于,所述吸嘴为内含狭缝的环形薄板。
8.如权利要求6所述的浸没光刻设备的液体控制***,其特征在于,所述吸嘴为呈环形分布的多段内含狭缝的弧形薄板,所述弧形薄板的分布避开浸液维持***的浸液供给口和浸液回收口的位置。
9.如权利要求1所述的浸没光刻设备的液体控制***,其特征在于,所述液体抽排机构为毛细管。
10.如权利要求9所述的浸没光刻设备的液体控制***,其特征在于,所述毛细管为多根,多根所述毛细管呈环形分布构成毛细管阵列。
11.如权利要求10所述的浸没光刻设备的液体控制***,其特征在于,所述毛细管阵列包括多段弧形阵列,每段弧形阵列上分布有若多根毛细管,所述多段弧形阵列的分布避开浸液维持***的浸液供给口和浸液回收口的位置。
12.如权利要求1-11中任一项所述的浸没光刻设备的液体控制***,其特征在于,所述液体抽排机构为两个,两个所述液体抽排机构的下表面的高度不同。
13.如权利要求12所述的浸没光刻设备的液体控制***,其特征在于,下表面较低位置的所述液体抽排机构通过管路连接有第一负压抽吸源,下表面较高位置的所述液体抽排机构通过管路连接有第二负压抽吸源。
14.如权利要求13所述的浸没光刻设备的液体控制***,其特征在于,所述第一负压抽吸源为低真空气液回收设备,所述第二负压抽吸源为高真空气液回收设备。
15.一种浸没光刻设备的液体控制方法,其特征在于,
在投影物镜与浸液维持***之间的间隙内设置液体抽排机构,使所述液体抽排机构不与投影物镜和/或浸液维持***接触连接;
将所述液体抽排机构的下表面高于或者等于浸液维持***的浸液流场的自由液面的预设等高线设置;
当浸液流场的自由液面在垂向上波动时,高于所述液体抽排机构的下表面的浸液由负压抽吸源通过管路抽离。
16.如权利要求15所述的浸没光刻设备的液体控制方法,其特征在于,将所述液体抽排机构设置在浸没光刻设备的主基板上。
17.如权利要求16所述的浸没光刻设备的液体控制方法,其特征在于,将所述液体抽排机构通过固定件设置在所述主基板上。
18.如权利要求15所述的浸没光刻设备的液体控制方法,其特征在于,所述负压抽吸源为气液回收设备。
19.如权利要求15所述的浸没光刻设备的液体控制方法,其特征在于,将所述液体抽排机构设置为高度可调节的。
20.如权利要求15所述的浸没光刻设备的液体控制方法,其特征在于,所述液体抽排机构为吸嘴。
21.如权利要求20所述的浸没光刻设备的液体控制方法,其特征在于,所述吸嘴为内含狭缝的环形薄板。
22.如权利要求20所述的浸没光刻设备的液体控制方法,其特征在于,所述吸嘴为呈环形分布的多段内含狭缝的弧形薄板,将所述弧形薄板的分布避开浸液维持***的浸液供给口和浸液回收口的位置。
23.如权利要求15所述的浸没光刻设备的液体控制方法,其特征在于,所述液体抽排机构为毛细管。
24.如权利要求23所述的浸没光刻设备的液体控制方法,其特征在于,所述毛细管为多根,多根所述毛细管呈环形分布构成毛细管阵列。
25.如权利要求24所述的浸没光刻设备的液体控制方法,其特征在于,所述毛细管阵列包括多段弧形阵列,每段弧形阵列上分布有若多根毛细管,所述多段弧形阵列的分布避开浸液维持***的浸液供给口和浸液回收口的位置。
26.如权利要求15-25中任一项所述的浸没光刻设备的液体控制方法,其特征在于,将所述液体抽排机构设置为两个,使两个所述液体抽排机构的下表面的高度不同。
27.如权利要求26所述的浸没光刻设备的液体控制方法,其特征在于,将下表面较低的所述液体抽排机构通过管路连接第一负压抽吸源,将下表面较高的所述液体抽排机构通过管路连接第二负压抽吸源;
当浸液流场的自由液面在垂向上波动较小时,高于所述液体抽排机构较低位置的下表面的浸液由第一负压抽吸源通过第一管路抽离;
当浸液流场的自由液面在垂向上波动较大时,高于所述液体抽排机构较高位置的下表面的浸液由第二负压抽吸源通过第二管路抽离。
28.如权利要求27所述的浸没光刻设备的液体控制方法,其特征在于,所述第一负压抽吸源为低真空气液回收设备,所述第二负压抽吸源为高真空气液回收设备。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811627086.5A CN111381448B (zh) | 2018-12-28 | 2018-12-28 | 浸没光刻设备的液体控制***及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811627086.5A CN111381448B (zh) | 2018-12-28 | 2018-12-28 | 浸没光刻设备的液体控制***及方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111381448A CN111381448A (zh) | 2020-07-07 |
CN111381448B true CN111381448B (zh) | 2021-05-25 |
Family
ID=71220524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811627086.5A Active CN111381448B (zh) | 2018-12-28 | 2018-12-28 | 浸没光刻设备的液体控制***及方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111381448B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112255135B (zh) * | 2020-09-30 | 2022-01-18 | 华中科技大学 | 一种液膜蒸发功率的测试装置及方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5040020A (en) * | 1988-03-31 | 1991-08-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography |
US9477158B2 (en) * | 2006-04-14 | 2016-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002110512A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 成膜方法及び成膜装置 |
US7684008B2 (en) * | 2003-06-11 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7394521B2 (en) * | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7446850B2 (en) * | 2004-12-03 | 2008-11-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR20090002475A (ko) * | 2007-06-29 | 2009-01-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이머젼 리소그래피용 노광 장치 및 이를 이용한 워터마크제거방법 |
JP5001343B2 (ja) * | 2008-12-11 | 2012-08-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 流体抽出システム、液浸リソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置で使用される液浸液の圧力変動を低減する方法 |
-
2018
- 2018-12-28 CN CN201811627086.5A patent/CN111381448B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5040020A (en) * | 1988-03-31 | 1991-08-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography |
US9477158B2 (en) * | 2006-04-14 | 2016-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111381448A (zh) | 2020-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR860000158B1 (ko) | 감광성 내식막에 균일한 정제 패턴을 노출시키는 방법 및 장치 | |
US9086636B2 (en) | Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography | |
US9785057B2 (en) | Liquid jet and recovery system for immersion lithography | |
US9285683B2 (en) | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography | |
CN101430508B (zh) | 为浸没光刻提供流体的装置和方法 | |
US7349064B2 (en) | Immersion exposure technique | |
CN1847987A (zh) | 光刻装置和器件制造方法 | |
WO2005041276A1 (ja) | 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法 | |
CN111381448B (zh) | 浸没光刻设备的液体控制***及方法 | |
JP2008227452A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
US20080198346A1 (en) | Exposure apparatus and method for manufacturing device | |
US20100118286A1 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
TWI729426B (zh) | 晶片承載系統和沉浸式光刻設備 | |
CN111322902A (zh) | 一种两级换热精密温控*** | |
CN210294802U (zh) | 气液两相供给回收装置及浸没式光刻设备 | |
US9760025B2 (en) | Reticle shape regulation device and method, and exposure apparatus using same | |
CN100394244C (zh) | 为浸没光刻提供流体的装置和方法 | |
CN111435222B (zh) | 一种运动台随动压力补偿装置、光刻机***及其驱动方法 | |
JPH09298151A (ja) | 投影露光装置 | |
KR20000061436A (ko) | 반도체 에지 노광 장치 | |
TW202248763A (zh) | 流體處理系統、方法、及微影設備 | |
KR200261685Y1 (ko) | 노광 장치 | |
KR20240106227A (ko) | 약액 공급 장치 및 기판 처리 장치 | |
CN113457318A (zh) | 一种超洁净湿空气制备装置及光刻设备 | |
JP2011018826A (ja) | 露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |