JP4858187B2 - 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法並びに電子機器 - Google Patents
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Description
本発明は、液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法並びに電子機器に関する。
液晶表示装置の広視野角化を図る一手段として、液晶層に対して基板方向の電界を発生させて液晶分子の配向制御を行う方式（以下、横電界方式と称する）を用いることが知られており、このような横電界方式としてＩＰＳ（In-Plane Switching）方式やＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式が知られている（例えば、特許文献１参照）。
このような横電界方式を用いた液晶表示装置では、液晶層を挟持する一対の基板の一方に液晶分子を駆動するための一対の電極である画素電極及び共通電極が電極絶縁膜を介して設けられている。一般に、電極絶縁膜下に形成される一方の電極は、例えばアクリルなどの樹脂膜上に形成されている。また、半透過反射型の液晶表示装置では、例えばＡｌ（アルミニウム）で構成された反射膜が樹脂膜上に設けられると共に、一方の電極が反射膜及び樹脂膜上に設けられている。
ここで、隣接する画素領域同士において電界の影響を抑制するため、ＴＦＴ素子などの駆動素子と導通する画素電極を、共通電極よりも液晶層から離間した位置に設けることがある。これは、画素電極を共通電極よりも液晶層側に設けると、液晶層を介して画素領域で発生した電界が隣接する他の画素領域に広がり、隣接する画素領域の周辺部がこの電界の影響を受けるためである。
特開２００５−３３８２５６号公報
このような横電界方式を用いた液晶表示装置では、液晶層を挟持する一対の基板の一方に液晶分子を駆動するための一対の電極である画素電極及び共通電極が電極絶縁膜を介して設けられている。一般に、電極絶縁膜下に形成される一方の電極は、例えばアクリルなどの樹脂膜上に形成されている。また、半透過反射型の液晶表示装置では、例えばＡｌ（アルミニウム）で構成された反射膜が樹脂膜上に設けられると共に、一方の電極が反射膜及び樹脂膜上に設けられている。
ここで、隣接する画素領域同士において電界の影響を抑制するため、ＴＦＴ素子などの駆動素子と導通する画素電極を、共通電極よりも液晶層から離間した位置に設けることがある。これは、画素電極を共通電極よりも液晶層側に設けると、液晶層を介して画素領域で発生した電界が隣接する他の画素領域に広がり、隣接する画素領域の周辺部がこの電界の影響を受けるためである。
しかしながら、上記従来の液晶表示装置においても、以下の課題が残されている。すなわち、従来の液晶表示装置では、一方の電極が有機の酸化物であるアクリルで構成された樹脂膜上に形成されている。そのため、酸素系ガスによる樹脂膜の損傷を抑制するため、電極絶縁膜は酸素系ガスを多く使用しない材料であるＳｉＮ（窒化珪素）で構成されていることが望ましい。しかし、電極絶縁膜をＳｉＮで構成すると、ＳｉＮが電気的な欠陥準位（トラップ）を有しており電荷の蓄積効果が大きいため、表示の焼付が発生してしまう。そこで、樹脂膜上にＳｉＮで構成される追加絶縁膜を別途形成し、電極絶縁膜を欠陥準位の少ないＳｉＯ２で構成することが考えられるが、画素電極と駆動素子とを導通させるために別途形成した追加絶縁膜を貫通する貫通孔を形成する必要がある。したがって、追加絶縁膜を形成する工程のほか追加絶縁膜のみを貫通する貫通孔を形成する工程が別途必要となり、製造工程が複雑化するという問題がある。
また、Ａｌで構成された反射膜上に一方の電極を形成する場合、反射膜を被覆するように一方の電極を構成するＩＴＯ膜を形成してパターニングするが、ＩＴＯとＡｌとの間に接触電位があるため、電解液に浸漬したときに腐食してしまう。そこで、反射膜を被覆するように追加絶縁膜を別途形成して反射膜と一方の電極とを絶縁させることが考えられるが、上述と同様に、画素電極と駆動素子とを導通させるために別途形成した追加絶縁膜を貫通する貫通孔を形成する必要がある。したがって、追加絶縁膜を別途形成する工程のほか、追加絶縁膜のみを貫通する貫通孔を形成する工程が別途必要となり、製造工程が複雑化するという問題がある。
本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされたもので、樹脂膜と画素電極との間に絶縁膜を別途形成しても、貫通孔を形成する工程の数を増加させることなく製造工程を簡略化させた液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法並びに電子機器を提供することを目的とする。
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明にかかる液晶表示装置は、液晶層を挟持する一対の基板の一方に、前記液晶層を駆動する第１及び第２電極と該第１電極の駆動を制御する駆動素子とが設けられた液晶表示装置であって、前記一方の基板が、樹脂膜と、該樹脂膜上に形成されて上面に前記第１電極が形成される被覆膜と、前記第１電極を被覆して上面に前記第２電極が形成される電極絶縁膜と、前記電極絶縁膜上に形成されて前記第１電極及び前記駆動素子を導通させる接続電極と、前記被覆膜よりも下層に形成されて前記第２電極と導通させる接続線とを有し、前記接続電極が、前記電極絶縁膜を貫通する第１貫通孔を介して前記第１電極に接続されると共に、前記被覆膜及び前記電極絶縁膜を貫通する第２貫通孔を介して前記駆動素子と導通し、前記第２電極が、前記被覆膜及び前記電極絶縁膜を貫通する第３貫通孔を介して前記接続線と導通することを特徴とする。
また、本発明にかかる液晶表示装置の製造方法は、液晶層を挟持する一対の基板の一方に、前記液晶層を駆動する第１及び第２電極と該第１電極の駆動を制御する駆動素子とが設けられた液晶表示装置の製造方法であって、前記一方の基板に前記第２電極と導通される接続線を形成する工程と、該接続線よりも上層に樹脂膜を形成する工程と、該樹脂膜上に被覆膜を形成する工程と、該被覆膜上に前記第１電極を形成する工程と、前記被覆膜上に前記第１電極を被覆する電極絶縁膜を形成する工程と、前記電極絶縁膜を貫通する第１貫通孔と前記電極絶縁膜及び前記被覆膜を貫通する第２及び第３貫通孔とを形成する工程と、前記電極絶縁膜上に、前記第１貫通孔を介して前記第１電極に接続されると共に前記第２貫通孔を介して前記駆動素子と導通する接続電極と、前記第３貫通孔を介して前記接続線と導通する前記第２電極とを形成する工程とを備えることを特徴とする。
この発明では、第２電極と接続線とを導通させるために形成される第３貫通孔と同時に第１及び第２貫通孔を形成すると共に、第１電極と駆動素子とを接続電極を介して導通させているため、被覆膜に貫通孔を形成するための工程を別途設ける必要がなくなる。したがって、製造工程が大きく複雑化することを抑制できる。すなわち、各画素領域に設けられた第２電極同士を接続するために設けられた接続線と導通させるため、少なくとも被覆膜及び電極絶縁膜を貫通する第３貫通孔を形成する必要がある。また、第１電極と駆動素子とを直接導通させるのではなく、電極絶縁膜上に形成された接続電極を介して第１電極と駆動素子とを導通させている。ここで、接続電極は、第２電極と同一工程で形成可能である。そして、被覆膜上に形成された第１電極に対して選択性を有するパターニングにより電極絶縁膜のみを貫通する第１貫通孔と、電極絶縁膜及び被覆膜を貫通する第２及び第３貫通孔とが同一工程で形成可能となる。そのため、樹脂膜と第１電極との間に被覆膜を設けても、被覆膜のみを貫通する貫通孔を形成する工程を設ける必要がなくなる。これにより、貫通孔を形成する工程を別途増加させることなく樹脂膜上に被覆膜を形成する工程を追加できる。
また、樹脂膜上に被覆膜を配置しているため、電極絶縁膜として表示焼付けの抑制効果の高い絶縁材料を用いることができる。
また、樹脂膜上に被覆膜を配置しているため、電極絶縁膜として表示焼付けの抑制効果の高い絶縁材料を用いることができる。
また、本発明にかかる液晶表示装置は、液晶層を挟持する一対の基板の一方に、前記液晶層を駆動する第１及び第２電極と該第１電極の駆動を制御する駆動素子とが設けられた液晶表示装置であって、前記一方の基板が、樹脂膜と、該樹脂膜上に形成された反射膜と、該反射膜を被覆して上面に前記第１電極が形成される被覆膜と、前記第１電極を被覆して上面に前記第２電極が形成される電極絶縁膜と、前記電極絶縁膜上に形成されて前記第１電極及び前記駆動素子を導通させる接続電極と、前記被覆膜よりも下層に形成されて前記第２電極と導通させる接続線とを有し、前記接続電極が、前記電極絶縁膜を貫通する第１貫通孔を介して前記第１電極に接続されると共に、前記被覆膜及び前記電極絶縁膜を貫通する第２貫通孔を介して前記駆動素子と導通し、前記第２電極が、前記被覆膜及び前記電極絶縁膜を貫通する第３貫通孔を介して前記接続線と導通することを特徴とする。
また、本発明にかかる液晶表示装置の製造方法は、液晶層を挟持する一対の基板の一方に、前記液晶層を駆動する第１及び第２電極と該第１電極の駆動を制御する駆動素子とが設けられた液晶表示装置の製造方法であって、前記一方の基板に前記第２電極と導通される接続線を形成する工程と、該接続線よりも上層に樹脂膜を形成する工程と、該樹脂膜上に反射膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に前記反射膜を被覆する被覆膜を形成する工程と、該被覆膜上に前記第１電極を形成する工程と、前記被覆膜上に前記第１電極を被覆する電極絶縁膜を形成する工程と、前記電極絶縁膜を貫通する第１貫通孔と前記電極絶縁膜及び前記被覆膜を貫通する第２及び第３貫通孔とを形成する工程と、前記電極絶縁膜上に、前記第１貫通孔を介して前記第１電極に接続されると共に前記第２貫通孔を介して前記駆動素子と導通する接続電極と、前記第３貫通孔を介して前記接続線と導通する前記第２電極とを形成する工程とを備えることを特徴とする。
この発明では、上述と同様に、第２電極と接続線とを導通させるために形成される第３貫通孔と同時に第１及び第２貫通孔を形成すると共に、第１電極と駆動素子とを接続電極を介して導通させているため、被覆膜に貫通孔を形成するための工程を別途設ける必要がなくなる。したがって、製造工程が大きく複雑化することを抑制できる。すなわち、上述と同様に、第２電極と接続線とを導通させるために少なくとも被覆膜及び電極絶縁膜を貫通する第３貫通孔を形成する必要がある。そして、第１電極と駆動素子とを接続電極を介して導通させることで、樹脂膜と第１電極との間に被覆膜を設けても、被腹膜のみを貫通する貫通孔を形成する工程を設ける必要がなくなる。
また、反射膜を被覆膜で被覆して第１電極と反射膜とを絶縁させているため、反射膜と第１電極との間に接触電位があっても、第１電極の形成時に反射膜が腐食されることを防止し、歩留まりの向上が図れる。
また、反射膜を被覆膜で被覆して第１電極と反射膜とを絶縁させているため、反射膜と第１電極との間に接触電位があっても、第１電極の形成時に反射膜が腐食されることを防止し、歩留まりの向上が図れる。
また、本発明にかかる液晶表示装置は、前記被覆膜の屈折率が、前記第１電極の屈折率よりも低いことが好ましい。
この発明では、反射膜と被覆膜との屈折率差を反射膜上に第１電極を設ける場合と比較して大きくすることで、反射表示の表示品質が向上する。
この発明では、反射膜と被覆膜との屈折率差を反射膜上に第１電極を設ける場合と比較して大きくすることで、反射表示の表示品質が向上する。
また、本発明にかかる液晶表示装置は、前記被覆膜が、酸素含有量の少ない絶縁膜であることが好ましい。
この発明では、被覆膜を酸素含有量の少ない絶縁膜とすることで、酸素系ガスに起因した樹脂膜の損傷を抑制できる。また、電極絶縁膜として表示焼付け効果の高い絶縁材料を用いることができる。
この発明では、被覆膜を酸素含有量の少ない絶縁膜とすることで、酸素系ガスに起因した樹脂膜の損傷を抑制できる。また、電極絶縁膜として表示焼付け効果の高い絶縁材料を用いることができる。
また、本発明にかかる液晶表示装置は、前記被覆膜が、窒化珪素で構成されていることとしてもよい。
この発明では、被覆膜を窒化珪素で構成することで、酸素系ガスの透過を有効に抑制できる。これにより、樹脂膜を有機の酸化物で構成した場合でも樹脂膜の損傷を抑制できる。
この発明では、被覆膜を窒化珪素で構成することで、酸素系ガスの透過を有効に抑制できる。これにより、樹脂膜を有機の酸化物で構成した場合でも樹脂膜の損傷を抑制できる。
また、本発明にかかる液晶表示装置は、前記電極絶縁膜が、二酸化珪素で構成されていることとしてもよい。
この発明では、電気的な欠陥準位が少ない二酸化珪素で電極絶縁膜を構成することで、第１及び第２電極間で発生した電界により生じた電荷の蓄積が軽減される。これにより、表示焼付けの発生を抑制できる。
この発明では、電気的な欠陥準位が少ない二酸化珪素で電極絶縁膜を構成することで、第１及び第２電極間で発生した電界により生じた電荷の蓄積が軽減される。これにより、表示焼付けの発生を抑制できる。
また、本発明にかかる電子機器は、上記記載の液晶表示装置を備えることを特徴とする。
この発明では、上述と同様に、樹脂膜と第１電極との間に被腹膜を形成しても、貫通孔の形成工程数を増加させることがなく、製造工程が大きく複雑化することを抑制できる。
この発明では、上述と同様に、樹脂膜と第１電極との間に被腹膜を形成しても、貫通孔の形成工程数を増加させることがなく、製造工程が大きく複雑化することを抑制できる。
［第１の実施形態］
以下、本発明における液晶表示装置の第１の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。ここで、図１は液晶表示装置の等価回路図、図２はサブ画素領域を示す平面構成図、図３は図２のＡ−Ａ矢視断面図である。
以下、本発明における液晶表示装置の第１の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。ここで、図１は液晶表示装置の等価回路図、図２はサブ画素領域を示す平面構成図、図３は図２のＡ−Ａ矢視断面図である。
〔液晶表示装置〕
本実施形態における液晶表示装置１は、透過型のカラー液晶表示装置であって、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出力する３個のサブ画素領域で１個の画素を構成する液晶表示装置である。ここで、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」と称する。
まず、液晶表示装置１の概略構成について説明する。液晶表示装置１は、図１に示すように、画像表示領域を構成する複数のサブ画素領域がマトリックス状に配置されている。
この複数のサブ画素領域には、それぞれ画素電極（第１電極）１１と、画素電極１１をスイッチング制御するためのＴＦＴ素子（駆動素子）１２とが設けられている。このＴＦＴ素子１２は、ソースが液晶表示装置１に設けられた駆動回路（図示略）から延出するデータ線１３に接続され、ゲートが液晶表示装置１に設けられた駆動回路（図示略）から延出する走査線１４に接続され、ドレインが画素電極１１に接続されている。
本実施形態における液晶表示装置１は、透過型のカラー液晶表示装置であって、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出力する３個のサブ画素領域で１個の画素を構成する液晶表示装置である。ここで、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」と称する。
まず、液晶表示装置１の概略構成について説明する。液晶表示装置１は、図１に示すように、画像表示領域を構成する複数のサブ画素領域がマトリックス状に配置されている。
この複数のサブ画素領域には、それぞれ画素電極（第１電極）１１と、画素電極１１をスイッチング制御するためのＴＦＴ素子（駆動素子）１２とが設けられている。このＴＦＴ素子１２は、ソースが液晶表示装置１に設けられた駆動回路（図示略）から延出するデータ線１３に接続され、ゲートが液晶表示装置１に設けられた駆動回路（図示略）から延出する走査線１４に接続され、ドレインが画素電極１１に接続されている。
データ線１３は、液晶表示装置１に設けられた駆動回路（図示略）から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各サブ画素領域に供給する構成となっている。ここで、データ線１３は、画像信号Ｓ１〜Ｓｎをこの順で線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線１３同士に対してグループごとに供給してもよい。
走査線１４は、液晶表示装置１に設けられた駆動回路（図示略）から供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを各サブ画素領域に供給する構成となっている。ここで、走査線１４は、走査信号Ｇ１〜Ｇｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
走査線１４は、液晶表示装置１に設けられた駆動回路（図示略）から供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを各サブ画素領域に供給する構成となっている。ここで、走査線１４は、走査信号Ｇ１〜Ｇｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
また、液晶表示装置１は、スイッチング素子であるＴＦＴ素子１２が走査信号Ｇ１〜Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線１３から供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎが所定のタイミングで画素電極１１に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１１を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、画素電極１１と後述する共通電極４５との間で一定期間保持される。
次に、液晶表示装置１の詳細な構成について、図２及び図３を参照しながら説明する。なお、図２では、対向基板２２の図示を省略している。また、図２において、平面視でほぼ矩形状のサブ画素領域の長軸方向をＸ軸方向、短軸方向をＹ軸方向とする。そして、図２において、図示する共通電極４５の帯状部４５ｂの本数を適宜変更している。
液晶表示装置１は、図３に示すように、素子基板（一方の基板）２１と、素子基板２１と対向配置された対向基板（他方の基板）２２と、素子基板２１及び対向基板２２の間に挟持された液晶層２３と、素子基板２１の外面側（液晶層２３と反対側）に設けられた偏光板２４と、対向基板２２の外面側に設けられた偏光板２５とを備えている。そして、液晶表示装置１は、素子基板２１の外面側から照明光が照射される構成となっている。
また、液晶表示装置１は、素子基板２１と対向基板２２とが対向する領域の縁部に沿ってシール材（図示略）が設けられており、このシール材、素子基板２１及び対向基板２２によって液晶層２３が封止されている。
液晶表示装置１は、図３に示すように、素子基板（一方の基板）２１と、素子基板２１と対向配置された対向基板（他方の基板）２２と、素子基板２１及び対向基板２２の間に挟持された液晶層２３と、素子基板２１の外面側（液晶層２３と反対側）に設けられた偏光板２４と、対向基板２２の外面側に設けられた偏光板２５とを備えている。そして、液晶表示装置１は、素子基板２１の外面側から照明光が照射される構成となっている。
また、液晶表示装置１は、素子基板２１と対向基板２２とが対向する領域の縁部に沿ってシール材（図示略）が設けられており、このシール材、素子基板２１及び対向基板２２によって液晶層２３が封止されている。
素子基板２１は、図３に示すように、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料からなる基板本体３１と、基板本体３１の内側（液晶層２３側）から順次積層された下地保護膜３２、ゲート絶縁膜３３、層間絶縁膜３４、樹脂膜３５、被覆膜３６、電極絶縁膜３７及び配向膜３８とを備えている。
また、素子基板２１は、下地保護膜３２の内側の表面に配置された半導体層４１と、ゲート絶縁膜３３の内側の表面に配置された走査線１４及び共通線（接続線）４２と、層間絶縁膜３４の内側の表面に配置されたデータ線１３、第１中継電極４３及び第２中継電極４４と、被覆膜３６の内側の表面に配置された画素電極１１と、電極絶縁膜３７の内側の表面に配置された共通電極４５及び接続電極４６とを備えている。
また、素子基板２１は、下地保護膜３２の内側の表面に配置された半導体層４１と、ゲート絶縁膜３３の内側の表面に配置された走査線１４及び共通線（接続線）４２と、層間絶縁膜３４の内側の表面に配置されたデータ線１３、第１中継電極４３及び第２中継電極４４と、被覆膜３６の内側の表面に配置された画素電極１１と、電極絶縁膜３７の内側の表面に配置された共通電極４５及び接続電極４６とを備えている。
下地保護膜３２は、例えばＳｉＯ２などの透光性のシリコン酸化物で構成されており、基板本体３１を被覆している。なお、下地保護膜３２は、ＳｉＯ２に限らず、ＳｉＮやＳｉＯＮ（酸窒化珪素）、セラミックス薄膜などの絶縁材料で構成されてもよい。
ゲート絶縁膜３３は、例えばＳｉＯ２などの透光性材料で構成されており、下地保護膜３２上に形成された半導体層４１を覆うように設けられている。
層間絶縁膜３４は、例えばＳｉＯ２などの透光性材料で構成されており、ゲート絶縁膜３３とゲート絶縁膜３３上に形成された走査線１４及び共通線４２とを覆うように設けられている。
ゲート絶縁膜３３は、例えばＳｉＯ２などの透光性材料で構成されており、下地保護膜３２上に形成された半導体層４１を覆うように設けられている。
層間絶縁膜３４は、例えばＳｉＯ２などの透光性材料で構成されており、ゲート絶縁膜３３とゲート絶縁膜３３上に形成された走査線１４及び共通線４２とを覆うように設けられている。
樹脂膜３５は、例えばアクリルなどの感光性を有する透光性の樹脂材料で構成されており、層間絶縁膜３４と層間絶縁膜３４上に形成されたデータ線１３、第１中継電極４３及び第２中継電極４４とを覆うように設けられている。また、樹脂膜３５には、第１及び第２中継電極４３、４４の少なくとも一部をそれぞれ露出させる貫通孔Ｈ１、Ｈ２が形成されている。
被覆膜３６は、例えばＳｉＮなどの、成膜時に酸素系のガスによる樹脂膜３５へのダメージを少なくするために設けられた追加絶縁膜である。また、被覆膜３６の屈折率は、画素電極１１の屈折率と比較して小さくなっている。
電極絶縁膜３７は、例えばＳｉＯ２などの透光性材料で構成されており、被覆膜３６上に形成された画素電極１１を覆うように設けられている。
配向膜３８は、例えばポリイミドなどの樹脂材料で構成されており、電極絶縁膜３７上に形成された共通電極４５及び接続電極４６を覆うように設けられている。また、配向膜３８の表面には、図３に示すサブ画素領域の短軸方向（Ｙ軸方向）を配向方向とする配向処理が施されている。
被覆膜３６は、例えばＳｉＮなどの、成膜時に酸素系のガスによる樹脂膜３５へのダメージを少なくするために設けられた追加絶縁膜である。また、被覆膜３６の屈折率は、画素電極１１の屈折率と比較して小さくなっている。
電極絶縁膜３７は、例えばＳｉＯ２などの透光性材料で構成されており、被覆膜３６上に形成された画素電極１１を覆うように設けられている。
配向膜３８は、例えばポリイミドなどの樹脂材料で構成されており、電極絶縁膜３７上に形成された共通電極４５及び接続電極４６を覆うように設けられている。また、配向膜３８の表面には、図３に示すサブ画素領域の短軸方向（Ｙ軸方向）を配向方向とする配向処理が施されている。
半導体層４１は、図３及び図４に示すように平面視でほぼＬ字状であって、平面視でゲート絶縁膜３３を介して走査線１４と重なる領域の一部を含んで形成され、ポリシリコンなどの半導体で構成されている。そして、半導体層４１には、平面視でゲート絶縁膜３３を介して走査線１４と重なる領域にチャネル領域４１ａが設けられている。
また、半導体層４１は、不純物イオンを打ち込むことによって形成されたソース領域４１ｂ及びドレイン領域４１ｃを有している。そして、半導体層４１を主体としてＴＦＴ素子１２が構成される。なお、チャネル領域４１ａは、ポリシリコンに不純物イオンを打ち込まないことによって形成される。ここで、半導体層４１は、ソース領域及びドレイン領域に不純物濃度が相対的に高い高濃度領域と相対的に低い低濃度（ＬＤＤ（Lightly Doped Drain））領域とを形成したＬＤＤ構造としてもよい。
また、半導体層４１は、不純物イオンを打ち込むことによって形成されたソース領域４１ｂ及びドレイン領域４１ｃを有している。そして、半導体層４１を主体としてＴＦＴ素子１２が構成される。なお、チャネル領域４１ａは、ポリシリコンに不純物イオンを打ち込まないことによって形成される。ここで、半導体層４１は、ソース領域及びドレイン領域に不純物濃度が相対的に高い高濃度領域と相対的に低い低濃度（ＬＤＤ（Lightly Doped Drain））領域とを形成したＬＤＤ構造としてもよい。
走査線１４は、平面視でほぼ矩形状のサブ画素領域の短軸方向（Ｙ軸方向）に沿って配置されており、例えばＡｌなどの金属材料で構成されている。また、走査線１４のうちゲート絶縁膜３３を介してチャネル領域４１ａと対向配置する部分は、ゲート電極として機能する。
共通線４２は、平面視でＹ軸方向に沿って配置されており、例えばＡｌなどの金属材料で構成されている。
データ線１３は、平面視でサブ画素領域の長軸方向（Ｘ軸方向）に沿って配置されており、例えばＡｌなどの金属材料で構成されている。また、データ線１３は、ゲート絶縁膜３３及び層間絶縁膜３４を貫通する貫通孔Ｈ３を介して半導体層４１のソース領域４１ｂに接続されている。すなわち、データ線１３は、Ｘ軸方向に沿って配置されたＴＦＴ素子１２同士を接続している。
第１中継電極４３は、例えばＡｌなどの金属材料で構成されており、ゲート絶縁膜３３及び層間絶縁膜３４を貫通する貫通孔Ｈ４を介して半導体層４１のドレイン領域４１ｃに接続されている。
第２中継電極４４は、例えばＡｌなどの金属材料で構成されており、層間絶縁膜３４を貫通する貫通孔Ｈ５を介して共通線４２に接続されている。
共通線４２は、平面視でＹ軸方向に沿って配置されており、例えばＡｌなどの金属材料で構成されている。
データ線１３は、平面視でサブ画素領域の長軸方向（Ｘ軸方向）に沿って配置されており、例えばＡｌなどの金属材料で構成されている。また、データ線１３は、ゲート絶縁膜３３及び層間絶縁膜３４を貫通する貫通孔Ｈ３を介して半導体層４１のソース領域４１ｂに接続されている。すなわち、データ線１３は、Ｘ軸方向に沿って配置されたＴＦＴ素子１２同士を接続している。
第１中継電極４３は、例えばＡｌなどの金属材料で構成されており、ゲート絶縁膜３３及び層間絶縁膜３４を貫通する貫通孔Ｈ４を介して半導体層４１のドレイン領域４１ｃに接続されている。
第２中継電極４４は、例えばＡｌなどの金属材料で構成されており、層間絶縁膜３４を貫通する貫通孔Ｈ５を介して共通線４２に接続されている。
画素電極１１は、図２及び図３に示すように、平面視でほぼ矩形状を有しており、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透光性導電材料で構成されている。
共通電極４５は、平面視でほぼ梯子形状であって、画素電極１１と同様に、例えばＩＴＯなどの透光性導電材料で構成されている。そして、共通電極４５は、平面視でほぼ矩形の枠状の枠部４５ａと、ほぼサブ画素領域の短軸方向（Ｙ軸方向）に延在すると共にサブ画素領域の長軸方向（Ｘ軸方向）で間隔をあけて複数配置された帯状部４５ｂとを備えている。
共通電極４５は、平面視でほぼ梯子形状であって、画素電極１１と同様に、例えばＩＴＯなどの透光性導電材料で構成されている。そして、共通電極４５は、平面視でほぼ矩形の枠状の枠部４５ａと、ほぼサブ画素領域の短軸方向（Ｙ軸方向）に延在すると共にサブ画素領域の長軸方向（Ｘ軸方向）で間隔をあけて複数配置された帯状部４５ｂとを備えている。
枠部４５ａは、２対の帯状電極を平面視でほぼ矩形の枠状となるように接続した構成となっており、互いに対向する２対の辺がそれぞれ長軸方向（Ｘ軸方向）及び短軸方向（Ｙ軸方向）に沿って延在している。また、枠部４５ａには、平面視で層間絶縁膜３４などを介して共通線４２と重なる分岐部４５ｃが設けられている。そして、この分岐部４５ｃは、被覆膜３６及び電極絶縁膜３７を貫通する貫通孔（第３貫通孔）Ｈ６を介して第２中継電極４４に接続されている。
帯状部４５ｂは、互いが平行となるように形成されており、その両端がそれぞれ枠部４５ａのうちＹ軸方向に沿って延在する部分と接続されている。また、帯状部４５ｂは、その延在方向がＹ軸方向と非平行となるように設けられている。すなわち、帯状部４５ｂは、その延在方向が平面視においてデータ線１３から近接する一端から離間する他端に向かうにしたがって走査線１４に近接するように形成されている。
また、共通電極４５には、例えば液晶層２３の駆動に用いられる所定の一定の電圧あるいは０Ｖ、または所定の一定の電位とこれと異なる他の所定の一定の電位とが周期的（フレーム期間ごとまたはフィールド期間ごと）に切り替わる信号が印加される。
帯状部４５ｂは、互いが平行となるように形成されており、その両端がそれぞれ枠部４５ａのうちＹ軸方向に沿って延在する部分と接続されている。また、帯状部４５ｂは、その延在方向がＹ軸方向と非平行となるように設けられている。すなわち、帯状部４５ｂは、その延在方向が平面視においてデータ線１３から近接する一端から離間する他端に向かうにしたがって走査線１４に近接するように形成されている。
また、共通電極４５には、例えば液晶層２３の駆動に用いられる所定の一定の電圧あるいは０Ｖ、または所定の一定の電位とこれと異なる他の所定の一定の電位とが周期的（フレーム期間ごとまたはフィールド期間ごと）に切り替わる信号が印加される。
接続電極４６は、画素電極１１及び共通電極４５と同様に、例えばＩＴＯなどの透光性導電材料で構成されている。そして、接続電極４６は、電極絶縁膜３７を貫通する貫通孔（第１貫通孔）Ｈ７を介して画素電極１１に接続されている。また、接続電極４６は、被覆膜３６及び電極絶縁膜３７を貫通する貫通孔（第２貫通孔）Ｈ８を介して第１中継電極４３に接続されている。これにより、画素電極１１がＴＦＴ素子１２のドレインと接続される。
以上より、液晶表示装置１は、画素電極１１と共通電極４５の帯状部４５ｂとの間に電圧を印加し、これによって生じる基板平面方向の電界（横電界）によって液晶を駆動する構成となっている。これにより、画素電極１１及び共通電極４５は、ＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式の電極構造を構成している。
以上より、液晶表示装置１は、画素電極１１と共通電極４５の帯状部４５ｂとの間に電圧を印加し、これによって生じる基板平面方向の電界（横電界）によって液晶を駆動する構成となっている。これにより、画素電極１１及び共通電極４５は、ＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式の電極構造を構成している。
一方、対向基板２２は、図４に示すように、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で構成された基板本体５１と、基板本体５１の内側（液晶層２３側）の表面に順次積層された、遮光膜５２、カラーフィルタ層５３及び配向膜５４とを備えている。
遮光膜５２は、基板本体５１の表面のうち平面視でサブ画素領域の縁部であって液晶層２３などを介してＴＦＴ素子１２、データ線１３及び走査線１４と重なる領域に平面視でほぼ格子状に形成されており、サブ画素領域を縁取っている。
また、カラーフィルタ層５３は、遮光膜５２を覆うように各サブ画素領域に対応して配置されており、例えばアクリルなどで構成されて各サブ画素領域で表示する色に対応する色材を含有している。
配向膜５４は、例えばポリイミドなどの透光性の樹脂材料で構成されており、カラーフィルタ層５３を覆うように設けられている。そして、配向膜５４の内側の表面には、配向膜５４の配向方向と同方向のラビング処理が施されている。
遮光膜５２は、基板本体５１の表面のうち平面視でサブ画素領域の縁部であって液晶層２３などを介してＴＦＴ素子１２、データ線１３及び走査線１４と重なる領域に平面視でほぼ格子状に形成されており、サブ画素領域を縁取っている。
また、カラーフィルタ層５３は、遮光膜５２を覆うように各サブ画素領域に対応して配置されており、例えばアクリルなどで構成されて各サブ画素領域で表示する色に対応する色材を含有している。
配向膜５４は、例えばポリイミドなどの透光性の樹脂材料で構成されており、カラーフィルタ層５３を覆うように設けられている。そして、配向膜５４の内側の表面には、配向膜５４の配向方向と同方向のラビング処理が施されている。
液晶層２３を構成する液晶分子は、配向膜３８、５４にサブ画素領域の短軸方向（Ｙ軸方向）を配向方向とする配向処理が施されているため、画素電極１１及び共通電極４５の間に電圧を印加しない状態（オフ状態）において、Ｙ軸方向に沿って水平に配向している。また、液晶分子は、画素電極１１及び共通電極４５の間に電圧を印加した状態（オン状態）において、帯状部４５ｂの延在方向と直交する方向に沿って配向する。したがって、液晶層２３では、オフ状態とオン状態とにおける液晶分子の配向状態の差異に基づく複屈折性を利用して液晶層２３を透過する光に対して位相差を付与している。
偏光板２４、２５は、その透過軸が互いにほぼ直交するように設けられている。ここで、偏光板２４、２５の一方または双方の内側には、光学補償フィルム（図示略）を配置してもよい。光学補償フィルムを配置することで、液晶表示装置１を斜視した場合の液晶層２３の位相差を補償することができ、光漏れを減少させてコントラストを増加させることができる。光学補償フィルムとしては、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせたものや、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙである二軸性媒体が用いられる。
〔液晶表示装置の製造方法〕
次に、以上のような構成の液晶表示装置１の製造方法について、図４及び図５を参照しながら説明する。ここで、図４及び図５は、液晶表示装置１の製造工程を示す工程図である。なお、本実施形態では、素子基板２１の製造工程に特徴があるため、この点を中心に説明する。
次に、以上のような構成の液晶表示装置１の製造方法について、図４及び図５を参照しながら説明する。ここで、図４及び図５は、液晶表示装置１の製造工程を示す工程図である。なお、本実施形態では、素子基板２１の製造工程に特徴があるため、この点を中心に説明する。
まず、基板本体３１の上面に下地保護膜３２を形成し、この下地保護膜３２上に半導体層４１を形成する。そして、半導体層４１を被覆するゲート絶縁膜３３を形成し、このゲート絶縁膜３３上に走査線１４及び共通線４２を形成する。さらに、走査線１４及び共通線４２を被覆する層間絶縁膜３４を形成する。続いて、層間絶縁膜３４上にデータ線１３と第１及び第２中継電極４３、４４とを形成する。このとき、ゲート絶縁膜３３及び層間絶縁膜３４を貫通する貫通孔Ｈ３〜Ｈ５を形成しておく（図４（ａ））。
次に、データ線１３と第１及び第２中継電極４３、４４とを被覆する樹脂膜３５を形成する。ここでは、樹脂膜３５を構成する樹脂材料を塗布し、フォトリソグラフィ技術などを用いてパターニングする。これにより、第１及び第２中継電極４３、４４のそれぞれの少なくとも一部が露出する貫通孔Ｈ１、Ｈ２を形成する（図４（ｂ））。
続いて、樹脂膜３５上に被覆膜３６を形成する。ここでは、樹脂膜３５上に被覆膜３６を構成する透光性材料膜を形成する（図４（ｃ））。
続いて、樹脂膜３５上に被覆膜３６を形成する。ここでは、樹脂膜３５上に被覆膜３６を構成する透光性材料膜を形成する（図４（ｃ））。
次に、被覆膜３６上に画素電極１１を形成する。ここでは、画素電極１１を構成する導電材料膜をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて形成し、フォトリソグラフィ技術などを用いてパターニングする。
そして、画素電極１１を被覆する電極絶縁膜３７を形成する。ここでは、電極絶縁膜３７を構成する透光性材料膜を形成する（図５（ａ））。このとき、樹脂膜３５上に被覆膜３６が形成されているため、ＣＶＤ法を用いた電極絶縁膜３７の形成時に酸素系ガスによる樹脂膜３５の損傷が防止される。
続いて、電極絶縁膜３７を貫通する貫通孔Ｈ７と、電極絶縁膜３７及び被覆膜３６を貫通する貫通孔Ｈ６、Ｈ８とを形成する。ここでは、フォトリソグラフィ技術などを用いて貫通孔Ｈ７〜Ｈ８を形成する。これにより、電極絶縁膜３７を貫通する貫通孔Ｈ７と、電極絶縁膜３７及び被覆膜３６を貫通する貫通孔Ｈ６、Ｈ８とが一括して形成される（図５（ｂ））。このとき、被覆膜３６及び電極絶縁膜３７を個別にパターニングする必要がなくなる。
そして、画素電極１１を被覆する電極絶縁膜３７を形成する。ここでは、電極絶縁膜３７を構成する透光性材料膜を形成する（図５（ａ））。このとき、樹脂膜３５上に被覆膜３６が形成されているため、ＣＶＤ法を用いた電極絶縁膜３７の形成時に酸素系ガスによる樹脂膜３５の損傷が防止される。
続いて、電極絶縁膜３７を貫通する貫通孔Ｈ７と、電極絶縁膜３７及び被覆膜３６を貫通する貫通孔Ｈ６、Ｈ８とを形成する。ここでは、フォトリソグラフィ技術などを用いて貫通孔Ｈ７〜Ｈ８を形成する。これにより、電極絶縁膜３７を貫通する貫通孔Ｈ７と、電極絶縁膜３７及び被覆膜３６を貫通する貫通孔Ｈ６、Ｈ８とが一括して形成される（図５（ｂ））。このとき、被覆膜３６及び電極絶縁膜３７を個別にパターニングする必要がなくなる。
次に、電極絶縁膜３７上に共通電極４５及び接続電極４６を形成する。ここでは、共通電極４５及び接続電極４６を構成する導電材料膜をＣＶＤ法などを用いて形成し、フォトリソグラフィ技術などを用いてパターニングする。このとき、貫通孔Ｈ６を介して共通電極４５と第２中継電極４４とが接続され、貫通孔Ｈ７、Ｈ８を介して接続電極４６と第１中継電極４３とが接続される（図５（ｃ））。
そして、共通電極４５及び接続電極４６を被覆する配向膜３８を形成する。以上のようにして、素子基板２１を形成する。
その後、素子基板２１と別途形成した対向基板２２とを上述したシール材で貼り合わせ、液晶を注入してこれを封止することで、液晶層２３を形成する。さらに、素子基板２１及び対向基板２２の外面に偏光板２４、２５を設ける。以上のようにして、図２及び図３に示すような液晶表示装置１を製造する。
その後、素子基板２１と別途形成した対向基板２２とを上述したシール材で貼り合わせ、液晶を注入してこれを封止することで、液晶層２３を形成する。さらに、素子基板２１及び対向基板２２の外面に偏光板２４、２５を設ける。以上のようにして、図２及び図３に示すような液晶表示装置１を製造する。
〔液晶表示装置の動作〕
次に、このような構成の液晶表示装置１の動作について説明する。素子基板２１の外面側から入射した光は、偏光板２４によってサブ画素領域の長軸方向（図２に示すＸ軸方向）に平行な直線偏光に変換されて液晶層２３に入射する。
ここで、オフ状態の場合であれば、液晶層２３に入射した直線偏光は、液晶層２３により入射時と同一の偏光状態で液晶層２３から射出する。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板２５の透過軸と直交するため、偏光板２５で遮断され、サブ画素領域が暗表示となる。
一方、オン状態の場合であれば、液晶層２３に入射した直線偏光は、液晶層２３により所定の位相差（１／２波長分）が付与され、入射時の偏光方向と直交する直線偏光に変換されて液晶層２３から射出する。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板２５の透過軸と平行であるため、偏光板２５を透過して表示光として視認され、サブ画素領域が明表示となる。
次に、このような構成の液晶表示装置１の動作について説明する。素子基板２１の外面側から入射した光は、偏光板２４によってサブ画素領域の長軸方向（図２に示すＸ軸方向）に平行な直線偏光に変換されて液晶層２３に入射する。
ここで、オフ状態の場合であれば、液晶層２３に入射した直線偏光は、液晶層２３により入射時と同一の偏光状態で液晶層２３から射出する。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板２５の透過軸と直交するため、偏光板２５で遮断され、サブ画素領域が暗表示となる。
一方、オン状態の場合であれば、液晶層２３に入射した直線偏光は、液晶層２３により所定の位相差（１／２波長分）が付与され、入射時の偏光方向と直交する直線偏光に変換されて液晶層２３から射出する。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板２５の透過軸と平行であるため、偏光板２５を透過して表示光として視認され、サブ画素領域が明表示となる。
このとき、液晶層２３を駆動するための画像信号Ｓ１〜Ｓｎがデータ線１３を介して供給されることで、素子基板２１に設けられた画素電極１１と共通電極４５との間で電界が発生する。ここで、画素電極１１と共通電極４５との間に電気的な欠陥準位（トラップ）の少ないＳｉＯ２で構成された電極絶縁膜３７が設けられているため、表示の焼付が抑制される。また、共通電極４５が画素電極１１よりも液晶層２３に近接して配置されているため、１つのサブ画素領域で発生した電界の影響が隣接する他のサブ画素領域の周辺部に及ぶことが抑制される。
〔電子機器〕
以上のような構成の液晶表示装置１は、例えば図６に示すような携帯電話機（電子機器）１００の表示部１０１として用いられる。この携帯電話機１００は、表示部１０１、複数の操作ボタン１０２、受話口１０３、送話口１０４及び上記表示部１０１を有する本体部を備えている。
以上のような構成の液晶表示装置１は、例えば図６に示すような携帯電話機（電子機器）１００の表示部１０１として用いられる。この携帯電話機１００は、表示部１０１、複数の操作ボタン１０２、受話口１０３、送話口１０４及び上記表示部１０１を有する本体部を備えている。
以上のように、本実施形態における液晶表示装置１及び液晶表示装置１の製造方法並びに携帯電話機１００によれば、共通電極４５と共通線４２とを導通させるために形成される貫通孔Ｈ６と同時に貫通孔Ｈ７、Ｈ８を形成すると共に、画素電極１１とＴＦＴ素子１２とを接続電極４６を介して導通させることで、被覆膜３６のみを貫通する貫通孔を形成する工程を別途設ける必要がない。したがって、製造工程を大きく複雑化させることなく樹脂膜３５上に被覆膜３６を形成することができる。
また、樹脂膜３５上に被覆膜３６を設けることで、電極絶縁膜３７として表示焼付けの発生を抑制できるが形成時に酸素系ガスを用いる例えばＳｉＯ２などを用いることができる。
また、樹脂膜３５上に被覆膜３６を設けることで、電極絶縁膜３７として表示焼付けの発生を抑制できるが形成時に酸素系ガスを用いる例えばＳｉＯ２などを用いることができる。
［第２の実施形態］
次に、本発明における液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法の第２の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図７はサブ画素領域を示す平面構成図、図８は図７のＢ−Ｂ矢視断面図である。なお、本実施形態では、第１の実施形態とサブ画素領域の構成が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
次に、本発明における液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法の第２の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図７はサブ画素領域を示す平面構成図、図８は図７のＢ−Ｂ矢視断面図である。なお、本実施形態では、第１の実施形態とサブ画素領域の構成が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
〔液晶表示装置〕
本実施形態における液晶表示装置１１０は、図７及び図８に示すように、サブ画素領域の長軸方向（Ｘ軸方向）で分割して形成された反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの２つの表示領域を有する半透過反射型のカラー液晶表示装置である。そして、液晶表示装置１１０は、素子基板１１１、対向基板１１２及び液晶層２３を備えている。
本実施形態における液晶表示装置１１０は、図７及び図８に示すように、サブ画素領域の長軸方向（Ｘ軸方向）で分割して形成された反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの２つの表示領域を有する半透過反射型のカラー液晶表示装置である。そして、液晶表示装置１１０は、素子基板１１１、対向基板１１２及び液晶層２３を備えている。
素子基板１１１は、樹脂膜３５の内側の表面のうち反射表示領域Ｒと対応して形成された反射膜１１３を有している。この反射膜１１３は、例えばＡｌなどの光反射性を有する金属膜であって追加絶縁膜である被覆膜３６により被覆されている。ここで、被覆膜３６は、ＳｉＮなどにより構成されている。
対向基板１１２は、カラーフィルタ層５３の内側の表面のうち反射表示領域Ｒと対応して形成された液晶層厚調整層１１４を有している。この液晶層厚調整層１１４は、例えばアクリルなどの透光性材料で構成されており、配向膜５４により被覆されている。ここで、液晶層厚調整層１１４は、反射表示領域Ｒにおける液晶層２３の層厚と透過表示領域Ｔにおける液晶層２３の層厚とを異なる厚さとし、液晶層２３を透過する光に付与される位相差を反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとのそれぞれで最適化する機能を有している。
対向基板１１２は、カラーフィルタ層５３の内側の表面のうち反射表示領域Ｒと対応して形成された液晶層厚調整層１１４を有している。この液晶層厚調整層１１４は、例えばアクリルなどの透光性材料で構成されており、配向膜５４により被覆されている。ここで、液晶層厚調整層１１４は、反射表示領域Ｒにおける液晶層２３の層厚と透過表示領域Ｔにおける液晶層２３の層厚とを異なる厚さとし、液晶層２３を透過する光に付与される位相差を反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとのそれぞれで最適化する機能を有している。
〔液晶表示装置の製造方法〕
次に、以上のような構成の液晶表示装置１１０の製造方法について、図９を参照しながら説明する。ここで、図９は、液晶表示装置１１０の製造工程を示す工程図である。なお、本実施形態では、素子基板１１１の製造工程に特徴があるため、この点を中心に説明する。
次に、以上のような構成の液晶表示装置１１０の製造方法について、図９を参照しながら説明する。ここで、図９は、液晶表示装置１１０の製造工程を示す工程図である。なお、本実施形態では、素子基板１１１の製造工程に特徴があるため、この点を中心に説明する。
まず、上述した第１の実施形態と同様に、樹脂膜３５を形成する。そして、この樹脂膜３５上に、反射膜１１３を構成する金属膜を形成してこれをパターニングすることで、反射膜１１３を形成する（図９（ａ））。続いて、樹脂膜３５上に反射膜１１３を被覆する被覆膜３６を形成する（図９（ｂ））。そして、上述した第１の実施形態と同様に、画素電極１１などを形成し、素子基板１１１を形成する。このとき、反射膜１１３を被覆膜３６で被覆して反射膜１１３と画素電極１１とを絶縁させているので、反射膜１１３と画素電極１１との間に接触電位があっても、例えばウェットエッチングなどの電解液を用いた画素電極１１のパターニング時における反射膜１１３の腐食の発生が抑制される。
その後、素子基板１１１と別途形成した対向基板１１２とを上述したシール材で貼り合わせ、液晶を注入してこれを封止することで、液晶層２３を形成する。さらに、素子基板１１１及び対向基板１１２の外面に偏光板２４、２５を設ける。以上のようにして、図７及び図８に示すような液晶表示装置１１０を製造する。
その後、素子基板１１１と別途形成した対向基板１１２とを上述したシール材で貼り合わせ、液晶を注入してこれを封止することで、液晶層２３を形成する。さらに、素子基板１１１及び対向基板１１２の外面に偏光板２４、２５を設ける。以上のようにして、図７及び図８に示すような液晶表示装置１１０を製造する。
以上のように、本実施形態における液晶表示装置１１０及び液晶表示装置１１０の製造方法並びに携帯電話機によれば、上述と同様に、製造工程を大きく複雑化させることなく樹脂膜３５上に被覆膜３６を形成することができる。
また、反射膜１１３を被覆膜３６で被覆して反射膜１１３と画素電極１１とを絶縁させているため、画素電極１１のパターニング時において、反射膜１１３に腐食が発生することを抑制できる。したがって、液晶表示装置１１０の製造歩留まりの向上が図れる。
そして、被覆膜３６が画素電極１１よりも屈折率が低いため、反射膜１１３と被覆膜３６との屈折率差を大きくして反射表示領域Ｒにおける表示品質が向上する。
また、反射膜１１３を被覆膜３６で被覆して反射膜１１３と画素電極１１とを絶縁させているため、画素電極１１のパターニング時において、反射膜１１３に腐食が発生することを抑制できる。したがって、液晶表示装置１１０の製造歩留まりの向上が図れる。
そして、被覆膜３６が画素電極１１よりも屈折率が低いため、反射膜１１３と被覆膜３６との屈折率差を大きくして反射表示領域Ｒにおける表示品質が向上する。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、被覆膜がＳｉＮで構成されているが、酸素系ガスによる樹脂膜の損傷を抑制できれば、他の材料であってもよい。
また、電極絶縁膜がＳｉＯ２で構成されているが、表示焼付けを抑制できれば、他の材料であってもよい。
そして、共通線がゲート絶縁膜上に形成されているが、樹脂膜よりも下層に形成されていれば他の層上に形成されてもよい。
また、第２の実施形態において、被覆膜がＳｉＮなどで構成されているが、ＳｉＮに限られない。そして、対向基板に液晶層厚調整層を設けているが、素子基板に液晶層厚調整層を設けてもよく、樹脂膜が液晶層厚調整層の機能を兼ねてもよい。
例えば、被覆膜がＳｉＮで構成されているが、酸素系ガスによる樹脂膜の損傷を抑制できれば、他の材料であってもよい。
また、電極絶縁膜がＳｉＯ２で構成されているが、表示焼付けを抑制できれば、他の材料であってもよい。
そして、共通線がゲート絶縁膜上に形成されているが、樹脂膜よりも下層に形成されていれば他の層上に形成されてもよい。
また、第２の実施形態において、被覆膜がＳｉＮなどで構成されているが、ＳｉＮに限られない。そして、対向基板に液晶層厚調整層を設けているが、素子基板に液晶層厚調整層を設けてもよく、樹脂膜が液晶層厚調整層の機能を兼ねてもよい。
また、液晶表示装置は、画素電極及び共通電極がＦＦＳ方式の電極構造を有しているが、画素電極と共通電極とが電極絶縁膜を介して配置されていれば、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式など、いわゆる横電界方式を用いた他の電極構造を採用してもよい。
そして、液晶表示装置は、カラー液晶表示装置に限られない。
そして、液晶表示装置は、カラー液晶表示装置に限られない。
また、液晶表示装置を備える電子機器としては、モバイル型パーソナルコンピュータに限らず、携帯電話機やＰＤＡ（Personal Digital Assistant：携帯情報端末機）、パーソナルコンピュータ、ノート型パーソナルコンピュータ、ワークステーション、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、カーナビゲーション装置、ヘッドアップディスプレイ、デジタルビデオカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ページャ、電子手帳、電卓、電子ブックやプロジェクタ、ワードプロセッサ、テレビ電話機、ＰＯＳ端末などのような他の電子機器であってもよい。
１，１１０ 液晶表示装置、１１ 画素電極（第１電極）、１２ ＴＦＴ素子（駆動素子）、２１，１１１ 素子基板（一方の基板）、２２，１１２ 対向基板（他方の基板）、２３ 液晶層、３５ 樹脂膜、３６ 被覆膜、３７ 電極絶縁膜、４２ 共通線（接続線）、４５ 共通電極（第２電極）、４６ 接続電極、１００ 携帯電話機（電子機器）、１１３ 反射膜、Ｈ６ 貫通孔（第３貫通孔）、Ｈ７ 貫通孔（第１貫通孔）、Ｈ８ 貫通孔（第２貫通孔）
Claims (9)
- 液晶層を挟持する一対の基板の一方に、前記液晶層を駆動する第１及び第２電極と該第１電極の駆動を制御する駆動素子とが設けられた液晶表示装置であって、
前記一方の基板が、樹脂膜と、該樹脂膜上に形成されて上面に前記第１電極が形成される被覆膜と、前記第１電極を被覆して上面に前記第２電極が形成される電極絶縁膜と、前記電極絶縁膜上に形成されて前記第１電極及び前記駆動素子を導通させる接続電極と、前記被覆膜よりも下層に形成されて前記第２電極と導通させる接続線とを有し、
前記接続電極が、前記電極絶縁膜を貫通する第１貫通孔を介して前記第１電極に接続されると共に、前記被覆膜及び前記電極絶縁膜を貫通する第２貫通孔を介して前記駆動素子と導通し、
前記第２電極が、前記被覆膜及び前記電極絶縁膜を貫通する第３貫通孔を介して前記接続線と導通することを特徴とする液晶表示装置。 - 液晶層を挟持する一対の基板の一方に、前記液晶層を駆動する第１及び第２電極と該第１電極の駆動を制御する駆動素子とが設けられた液晶表示装置であって、
前記一方の基板が、樹脂膜と、該樹脂膜上に形成された反射膜と、該反射膜を被覆して上面に前記第１電極が形成される被覆膜と、前記第１電極を被覆して上面に前記第２電極が形成される電極絶縁膜と、前記電極絶縁膜上に形成されて前記第１電極及び前記駆動素子を導通させる接続電極と、前記被覆膜よりも下層に形成されて前記第２電極と導通させる接続線とを有し、
前記接続電極が、前記電極絶縁膜を貫通する第１貫通孔を介して前記第１電極に接続されると共に、前記被覆膜及び前記電極絶縁膜を貫通する第２貫通孔を介して前記駆動素子と導通し、
前記第２電極が、前記被覆膜及び前記電極絶縁膜を貫通する第３貫通孔を介して前記接続線と導通することを特徴とする液晶表示装置。 - 前記被覆膜の屈折率が、前記第１電極の屈折率よりも低いことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
- 前記被覆膜が、酸素含有量の少ない絶縁膜であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
- 前記被覆膜が、窒化珪素で構成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
- 前記電極絶縁膜が、二酸化珪素で構成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
- 液晶層を挟持する一対の基板の一方に、前記液晶層を駆動する第１及び第２電極と該第１電極の駆動を制御する駆動素子とが設けられた液晶表示装置の製造方法であって、
前記一方の基板に前記第２電極と導通される接続線を形成する工程と、
該接続線よりも上層に樹脂膜を形成する工程と、
該樹脂膜上に被覆膜を形成する工程と、
該被覆膜上に前記第１電極を形成する工程と、
前記被覆膜上に前記第１電極を被覆する電極絶縁膜を形成する工程と、
前記電極絶縁膜を貫通する第１貫通孔と前記電極絶縁膜及び前記被覆膜を貫通する第２及び第３貫通孔とを形成する工程と、
前記電極絶縁膜上に、前記第１貫通孔を介して前記第１電極に接続されると共に前記第２貫通孔を介して前記駆動素子と導通する接続電極と、前記第３貫通孔を介して前記接続線と導通する前記第２電極とを形成する工程とを備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 液晶層を挟持する一対の基板の一方に、前記液晶層を駆動する第１及び第２電極と該第１電極の駆動を制御する駆動素子とが設けられた液晶表示装置の製造方法であって、
前記一方の基板に前記第２電極と導通される接続線を形成する工程と、
該接続線よりも上層に樹脂膜を形成する工程と、
該樹脂膜上に反射膜を形成する工程と、
前記樹脂膜上に前記反射膜を被覆する被覆膜を形成する工程と、
該被覆膜上に前記第１電極を形成する工程と、
前記被覆膜上に前記第１電極を被覆する電極絶縁膜を形成する工程と、
前記電極絶縁膜を貫通する第１貫通孔と前記電極絶縁膜及び前記被覆膜を貫通する第２及び第３貫通孔とを形成する工程と、
前記電極絶縁膜上に、前記第１貫通孔を介して前記第１電極に接続されると共に前記第２貫通孔を介して前記駆動素子と導通する接続電極と、前記第３貫通孔を介して前記接続線と導通する前記第２電極とを形成する工程とを備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 請求項１から６のいずれか１項に記載の液晶表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
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