JP2008129502A - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電極の微細なパターニングを行うことが可能な電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１及び第２導電膜６１ａ、６２を形成する導電膜形成工程と、第２導電膜６２上に、幅広部６３ｃ及び幅狭部６３ａを有する開口部６３ａが形成されたレジスト層６３を形成するレジスト層形成工程と、ウェットエッチング法を用いて第２導電膜６２のうち開口部６３ａと対応する領域を選択的に除去して少なくとも画素電極を形成するエッチング工程とを有し、導電膜形成工程が、幅広部６３ｃの形成領域の少なくとも一部に、第２導電膜６２で被覆されて第２導電膜６２よりもイオン化傾向が大きい第１導電膜６１ａを形成する第１導電膜形成工程を備える。
【選択図】図６

Description

本発明は、例えば液晶表示装置などの電気光学装置の製造方法に関する。

例えば液晶表示装置などの電気光学装置では、平面状に配置された複数の画素領域を有しており、液晶層などの電気光学層を各画素領域で発生させた電界によって駆動している。また、例えば透過型の液晶表示装置では、各画素領域の開口率を向上させるため、画素領域に配置された画素電極を例えば多結晶ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）のような透光性の導電材料で形成している。
透光性の導電材料で構成された画素電極は、フォトリソグラフィ技術を用いてエッチングによりパターニングすることによって形成される。しかし、多結晶ＩＴＯは、一般的に塩酸と硝酸との混合液をエッチャントとしてエッチングされるが、エッチング速度が遅いことに加え、結晶ごとにエッチングが進行することからエッチング後に残渣が生じてしまう。そのため、隣接する他の画素領域との間での画素電極の絶縁状態を維持するため、画素電極間の間隔を十分に確保する必要があり、微細加工が困難である。

ここで、電池反応を用いてＩＴＯのパターニングを行う液晶表示装置の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。ここでは、ＩＴＯで構成された導電膜上に所定の開口形状を有するレジスト層を形成し、さらにレジスト層上にＩＴＯよりもイオン化傾向の小さな導電膜を形成した状態でエッチャントに浸漬することにより、ＩＴＯのエッチング速度を向上させることを図っている。
特開２０００−４７２３７号公報

しかしながら、上記従来の液晶表示装置の製造方法においても、ＩＴＯなどの透光性の導電材料で構成された電極のより微細なパターニングを行うことが望まれている。

本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされたもので、電極の微細なパターニングを行うことが可能な電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明にかかる電気光学装置の製造方法は、一対の電極と、該一対の電極間に発生する電界によって駆動する電気光学層とを備え、前記一対の電極の少なくとも一方が平面状に複数配置された画素領域にそれぞれ設けられた電気光学装置の製造方法であって、第１及び第２導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記第２導電膜上に、幅広部及び幅狭部を有する開口部が形成されたレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、ウェットエッチング法を用いて前記第１及び第２導電膜のうち前記レジスト層の開口領域を選択的に除去して少なくとも前記一方の電極を形成するエッチング工程とを有し、前記導電膜形成工程は、前記レジスト層の前記幅広部の形成領域の少なくとも一部に、前記第２導電膜により被覆されて該第２導電膜よりもイオン化傾向が大きい前記第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程を備えることを特徴とする。

この発明では、幅広部と対応して設けられた第１導電膜と幅狭部における第２導電膜との間で電池反応に起因するエッチングが行われることで、幅狭部における第２導電膜の除去を短時間で均一性よく行うことができる。これにより、幅狭部の幅をより小さくし、画素領域の間隔を狭めることができる。
すなわち、第２導電膜をエッチャントに浸漬させると、第２導電膜のうち幅広部と対応する領域が幅狭部と対応する領域と比較して短時間で除去される。そのため、エッチャントに対して幅広部において第１導電膜が露出すると共に、幅狭部においては第２導電膜がゆっくりエッチング進行している。ここで、第２導電膜が第１導電膜よりもイオン化傾向が小さいので、第１導電膜と第２導電膜との間で電池反応が発生する。これにより、第１導電膜が電子を放出してエッチャント中で陽イオンになると共に、第１導電膜から放出された電子が第２導電膜に移動する。そのため、幅狭部と対応する領域において水素が集まり、幅狭部と対応する第２導電膜のエッチングが促進される。これにより、幅狭部と対応する領域においても、残渣の発生を抑制できる。
以上より、幅狭部の幅をより小さくして、画素領域の間隔を狭めることができる。

また、本発明にかかる電気光学装置の製造方法は、前記第１導電膜形成工程で、前記第１導電膜を、前記第２導電膜のうち前記レジスト層の前記幅広部の形成領域にある第２導電膜と接続させることが好ましい。
この発明では、エッチング工程において幅広部における第２導電膜が除去されても、第１導電膜と第２導電膜との導通が確保される。これにより、エッチングが進行しても第１導電膜から放出された電子が幅狭部における第１導電膜に移動するので、電池反応が継続される。したがって、幅狭部における第２導電膜の残渣の発生をより確実に防止できる。

また、本発明にかかる電気光学装置の製造方法は、前記第１導電膜形成工程で、前記第１導電膜を、前記エッチング工程で形成される前記一方の電極と対応して複数形成することが好ましい。
この発明では、エッチング工程において電池反応が局所的に発生して幅狭部における第２導電膜のうちの一部のエッチングが他の領域と比較して進行することを防止し、上述した電池反応を均一に行うことができる。

また、本発明にかかる電気光学装置の製造方法は、前記第１導電膜形成工程で、前記第１導電膜を、前記画素領域内にも形成することが好ましい。
この発明では、画素領域内において残存した第１導電膜により、反射膜が構成される。このため、画素領域内に反射表示領域を設けることができる。そして、電池反応を行うための第１導電膜の形成と同時に反射膜を形成できるので、製造工程を簡略化できる。

また、本発明にかかる電気光学装置の製造方法は、前記第１導電膜がアルミ系材料で構成されており、前記第２導電膜が、透光性の導電材料で構成されていることとしてもよい。
この発明では、第１導電膜としてアルミニウム材料を用い、第２導電膜として透光性の導電材料を用いることで、エッチング工程において電池反応を発生させる。

以下、本発明における液晶表示装置の一実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。ここで、図１は液晶表示装置を示す等価回路図、図２は画素領域の平面構成図、図３は図２のＡ−Ａ矢視断面図である。

〔液晶表示装置〕
本実施形態における液晶表示装置１は、カラー液晶表示装置であって、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出力する３個のサブ画素領域で１個の画素を構成する液晶表示装置である。ここで、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域（画素領域）」と称する。
まず、液晶表示装置１の概略構成について説明する。液晶表示装置１は、図１に示すように、画像表示領域を構成する複数のサブ画素領域がマトリックス状に配置されている。この複数のサブ画素領域には、それぞれ画素電極（一方の電極）１１と、画素電極１１をスイッチング制御するためのＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子１２とが形成されている。このＴＦＴ素子１２は、ソースが液晶表示装置１に設けられたデータ線駆動回路１３から延在するデータ線１４に接続され、ゲートが液晶表示装置１に設けられた走査線駆動回路１５から延在する走査線１６に接続され、ドレインが画素電極１１に接続されている。

データ線駆動回路１３は、データ線１４を介して画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各サブ画素領域に供給する構成となっている。ここで、データ線駆動回路１３は、画像信号Ｓ１〜Ｓｎをこの順で線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線１４同士に対してグループごとに供給してもよい。
走査線駆動回路１５は、走査線１６を介して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを各サブ画素領域に供給する構成となっている。ここで、走査線駆動回路１５は、走査信号Ｇ１〜Ｇｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。

また、液晶表示装置１は、スイッチング素子であるＴＦＴ素子１２が走査信号Ｇ１〜Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線１４から供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎが所定のタイミングで画素電極１１に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１１を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、画素電極１１と後述する共通電極（他方の電極）５４との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号Ｓ１〜Ｓｎがリークすることを防止するため、画素電極１１と共通電極５４との間に形成される液晶容量と並列接続されるように蓄積容量１７が付与されている。この蓄積容量１７は、ＴＦＴ素子１２のドレインと容量線１８との間に設けられている。

次に、液晶表示装置１の詳細な構成について、図２及び図３を参照しながら説明する。なお、図２では、対向基板の図示を省略している。また、図２において、平面視でほぼ矩形状の画素領域の長軸方向に沿う方向をＸ軸方向、短軸方向に沿う方向をＹ軸方向とする。
液晶表示装置１は、図２及び図３に示すように、素子基板２１と、素子基板２１と対向配置された対向基板２２と、素子基板２１及び対向基板２２の間に挟持された液晶層（電気光学層）２３と、素子基板２１の外面側（液晶層２３と反対側）に設けられた偏光板２４と、対向基板２２の外面側に設けられた偏光板２５とを備えている。そして、液晶表示装置１は、素子基板２１の外面側から照明光が照射される構成となっている。
また、液晶表示装置１には、素子基板２１と対向基板２２とが対向する領域の縁端に沿ってシール材（図示略）が設けられており、このシール材、素子基板２１及び対向基板２２によって液晶層２３が封止されている。

素子基板２１は、図３に示すように、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料からなる基板本体３１と、基板本体３１の内側（液晶層２３側）の表面に順次積層された下地保護膜３２、ゲート絶縁膜３３、第１層間絶縁膜３４、第２層間絶縁膜３５及び配向膜３６とを備えている。
また、素子基板２１は、下地保護膜３２の内側の表面に配置された半導体層４１及び容量電極４２と、ゲート絶縁膜３３の内側の表面に配置された走査線１６及び容量線１８と、第１層間絶縁膜３４の内側の表面に配置されたデータ線１４及び接続電極４３と、第２層間絶縁膜３５の内側の表面に配置された反射膜４４及び画素電極１１とを備えている。

下地保護膜３２は、例えばＳｉＯ_２（酸化シリコン）などの透光性のシリコン酸化物で構成されており、基板本体３１の内側の表面を被覆している。
ゲート絶縁膜３３は、例えばＳｉＯ_２などの透光性材料で構成されており、下地保護膜３２上に形成された半導体層４１及び容量電極４２を覆うように設けられている。

第１層間絶縁膜３４は、例えばＳｉＮ（窒化シリコン）などの透光性材料で構成されており、ゲート絶縁膜３３及びゲート絶縁膜３３上に形成された走査線１６及び容量線１８を覆うように設けられている。
また、第２層間絶縁膜３５は、第１層間絶縁膜３４と同様に透光性材料で構成されており、第１層間絶縁膜３４上に形成されたデータ線１４及び接続配線４３を覆うように設けられている。そして、第２層間絶縁膜３５の内側の表面のうち上面に反射膜４４が形成されている領域には、鏡面反射を防止するための凹凸が形成されている。
配向膜３６は、例えばポリイミドなどの樹脂材料で構成されており、第２層間絶縁膜３５上に形成された画素電極１１を覆うように設けられている。また、配向膜３６の表面には、図２に示すサブ画素領域の短軸方向（Ｙ軸方向）を配向方向とする配向処理が施されている。

半導体層４１は、図２及び図３に示すように、平面視でゲート絶縁膜３３を介してデータ線１４と重なる領域に部分的に形成され、ポリシリコンなどの半導体で構成されている。そして、半導体層４１は、平面視でゲート絶縁膜３３を介して走査線１６の後述する分岐部１６ａと重なる領域にチャネル領域４１ａが設けられている。
また、半導体層４１には、ＴＦＴ素子１２がＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を採用していることから、ソース領域及びドレイン領域に不純物濃度が相対的に高い高濃度領域と相対的に低い低濃度（ＬＤＤ）領域とがそれぞれ形成されている。すなわち、半導体層４１には、ソース領域に低濃度ソース領域４１ｂ及び高濃度ソース領域４１ｃが形成され、ドレイン領域に低濃度ドレイン領域４１ｄ及び高濃度ドレイン領域４１ｅが形成されている。そして、半導体層４１を主体としてＴＦＴ素子１２が構成される。
これら低濃度ソース領域４１ｂ、高濃度ソース領域４１ｃ、低濃度ドレイン領域４１ｄ及び高濃度ドレイン領域４１ｅは、ポリシリコンに不純物イオンを打ち込むことによって形成されている。なお、チャネル領域４１ａは、ポリシリコンに不純物イオンを打ち込まないことによって形成される。

容量電極４２は、図２及び図３に示すように、平面視でゲート絶縁膜３３を介して容量線１８と重なる領域に部分的に形成され、半導体層４１と同様にポリシリコンなどの半導体で構成されている。そして、容量電極４２は、半導体層４１の高濃度ドレイン領域４１ｅと連続して形成されている。なお、容量電極４２は、ポリシリコンに不純物イオンを打ち込むことによって形成されている。

走査線１６は、平面視で矩形状の画素領域の短軸方向（Ｙ軸方向）に沿って配置されており、画素領域の長軸方向（Ｘ軸方向）に向けて分岐する分岐部１６ａを有している。この分岐部１６ａは、平面視でゲート絶縁膜３３を介してチャネル領域４１ａと重なるように形成されており、ゲート電極として機能する。
容量線１８は、平面視でＹ軸方向に沿って配置されており、平面視でゲート絶縁膜３３を介して容量電極４２と重なる領域に他の領域よりも幅の広い幅広部１８ａが形成されている。この幅広部１８ａとゲート絶縁膜３３を介して対向配置された容量電極４２とにより、蓄積容量１７が構成される。
データ線１４は、平面視でＸ軸方向に沿って配置されており、ゲート絶縁膜３３及び第１層間絶縁膜３４を貫通するコンタクトホールＨ１を介して半導体層４１の高濃度ソース領域４１ｃに接続されている。
以上より、走査線１６、容量線１８及びデータ線１４は、平面視でほぼ格子状に配線されている。
接続電極４３は、平面視でＸ軸方向に沿って配置されており、第１層間絶縁膜３４を貫通するコンタクトホールＨ２を介して半導体層４１の高濃度ドレイン領域４１ｅに接続されている。

反射膜４４は、平面視でほぼ矩形状であり、例えばＡｌ（アルミニウム）などの金属材料で構成されている。そして、反射膜４４には、平面視でほぼ矩形状の開口部４４ａが形成されており、反射膜４４の非形成領域が透過表示領域、反射膜４４の形成領域が反射表示領域をそれぞれ構成する。また、反射膜４４のうち平面視でゲート絶縁膜３３及び第１及び第２層間絶縁膜３４、３５を介して半導体層４１と重なる領域を含む近傍の端部には、切欠部４４ｂが形成されている。

画素電極１１は、平面視でほぼ矩形状であって、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透光性導電材料で構成されており、反射膜４４を覆うように設けられている。ここで、画素電極１１を構成するＩＴＯは、反射膜４４を構成するＡｌよりもイオン化傾向が小さい。また、画素電極１１は、第２層間絶縁膜３５を貫通するコンタクトホールＨ３を介して接続電極４３に接続されている。これにより、画素電極１１は、ＴＦＴ素子１２のドレインと接続されることとなる。また、画素電極１１は、長軸方向（Ｘ軸方向）で隣接する他の画素電極１１との間隔が例えば２μｍ以下、短軸方向（Ｙ軸方向）で隣接する他の画素電極１１との間隔が例えば５μｍ以上となっている。

一方、対向基板２２は、図３に示すように、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で構成された基板本体５１と、基板本体５１の内側（液晶層２３側）の表面に順次積層された遮光膜５２、カラーフィルタ層５３、共通電極５４及び配向膜５５とを備えている。
遮光膜５２は、基板本体５１の表面のうち平面視で画素領域の縁部と重なる領域に形成されており、画素領域を縁取っている。
カラーフィルタ層５３は、各サブ画素領域に対応して配置されており、例えばアクリルなどで構成されて各サブ画素領域で表示する色に対応する色材を含有している。

共通電極５４は、画素電極１１と同様に、例えばＩＴＯなどの透光性導電材料で構成されている。そして、共通電極５４は、遮光膜５２及び基板本体５１を覆うように設けられている。以上より、液晶表示装置１は、画素電極１１と共通電極５４との間に電圧を印加し、これにより
配向膜５５は、配向膜３６と同様に、例えばポリイミドなどの樹脂材料で構成されており、共通電極５４を覆うように設けられている。また、配向膜５５の表面には、配向膜３６の配向方向と反平行となるように、図２に示すサブ画素領域の短軸方向（Ｙ軸方向）を配向方向とする配向処理が施されている。

液晶層２３は、正の誘電率異方性を有する液晶を用いたＴＮ（Twisted Nematic）モードで動作する構成となっている。
偏光板２４、２５は、その透過軸が互いにほぼ直交するように設けられている。ここで、偏光板２４、２５の一方または双方の内側には、光学補償フィルム（図示略）を配置してもよい。光学補償フィルムを配置することで、液晶表示装置１を斜視した場合の液晶層２３の位相差を補償することができ、光漏れを減少させてコントラストを増加させることができる。光学補償フィルムとしては、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせたものや、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙである二軸性媒体が用いられる。

〔液晶表示装置の製造方法〕
次に、以上のような構成の液晶表示装置１の製造方法について、図４から図８を参照しながら説明する。ここで、図４から図８は、液晶表示装置１の製造工程を示す工程図である。なお、本実施形態では、素子基板２１の製造工程に特徴があるため、この点を中心に説明する。

まず、従来と同様の手法により、基板本体３１の上面に下地保護膜３２を形成し、この下地保護膜３２上に半導体層４１及び容量電極４２を形成する。そして、半導体層４１及び容量電極４２を被覆するゲート絶縁膜３３を形成し、このゲート絶縁膜３３上に走査線１６及び容量線１８を形成する。さらに、走査線１６及び容量線１８を被覆する第１層間絶縁膜３４を形成し、この第１層間絶縁膜３４上にデータ線１４及び接続電極４３を形成する。このとき、データ線１４と半導体層４１の高濃度ソース領域４１ｃとを接続するためにゲート絶縁膜３３及び第１層間絶縁膜３４を貫通するコンタクトホールＨ１を形成し、接続電極４３と半導体層４１の高濃度ドレイン領域４１ｅとを接続するためにゲート絶縁膜３３及び第１層間絶縁膜３４を貫通するコンタクトホールＨ２を形成する。そして、データ線１４及び接続電極４３を被覆する第２層間絶縁膜３５を形成する。このとき、第２層間絶縁膜３５の内側の表面うち反射表示領域と対応する領域に凹凸を形成する。その後、第２層間絶縁膜３５を貫通するコンタクトホールＨ３を形成する（図４（ａ））。

次に、第２層間絶縁膜３５上にＡｌで構成される第１導電膜６１及びＩＴＯで構成される第２導電膜６２（図６（ａ）に示す）を形成する導電膜形成工程を行う。この導電膜形成工程は、第１導電膜形成工程と、第２導電膜形成工程とを備えている。
まず、第１導電膜形成工程を行う。ここでは、第２層間絶縁膜３５上に、スパッタリング法などを用いて第１導電膜６１を形成する（図４（ｂ））。

そして、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を用いて、第１導電膜６１を所定の形状にパターニングする。これにより、開口部４４ａ及び切欠部４４ｂを有する反射膜４４が形成される。また、反射膜４４の切欠部４４ｂの近傍に配置された第１導電膜６１ａが形成される（図５（ａ）、図５（ｂ））。このパターニングされた第１導電膜６１ａは、図５（ｂ）に示すように、平面視でほぼ矩形状を有しており、その縁部が後述するエッチング工程における第２導電膜６２（図６（ａ）に示す）のパターニングにより形成される画素電極１１の縁部に沿うように形成されている。また、この第１導電膜６１ａは、画素電極１１となる領域のそれぞれに設けられている。
その後、第２導電膜形成工程を行う。ここでは、第２層間絶縁膜３５、反射膜４４及び第１導電膜６１ａ上に、スパッタリング法などを用いて第２導電膜６２を形成する（図６（ａ））。

続いて、レジスト層形成工程を行う。ここでは、スピンコート法などを用いて第２導電膜６２上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いて塗布された感光性樹脂を所定の形状にパターニングする。ここで、感光性樹脂が画素電極１１の形成領域と対応する領域に残存するようにパターニングする。これにより、平面視でほぼ矩形状のレジスト層６３が形成される。そして、互いに隣接するレジスト層６３の間に、開口部６３ａが形成される（図６（ｂ））。

ここで、長軸方向（Ｘ軸方向）に沿って隣接して形成されたレジスト層６３の間に、短軸方向（Ｙ軸方向）に沿って延在する幅狭部６３ｂが形成される。この幅狭部６３ｂの幅は、例えば２μｍ以下となっている。また、Ｙ軸方向に沿って隣接して形成されたレジスト層６３の間に、Ｘ軸方向に沿って延在する幅狭部６３ｂよりも幅の広い幅広部６３ｃが形成される。この幅広部６３ｃの幅は、例えば５μｍ以上となっている。したがって、開口部６３ａは、平面視でほぼ格子状の開口形状となっている。なお、幅広部６３ｃの幅方向の縁部と第１導電膜６１ａの縁部とは平面視で一致している。このため、第１導電膜６１ａと、第２導電膜６２のうちレジスト層６３により被覆される領域とが接触している。

次に、レジスト層６３をマスクとして第２導電膜６２をパターニングするエッチング工程を行う。ここでは、上面にレジスト層６３が形成された第２導電膜６２をエッチャントに浸漬する。ここで、エッチャントとしては、硝酸と塩酸との混合液が挙げられる。第２導電膜６２をエッチャントに浸漬すると、第２導電膜６２のうちレジスト層６３で被覆されていない領域が除去されていく。このとき、幅広部６３ｃと対応する領域における第２導電膜６２のエッチング速度は、幅狭部６３ｂと対応する領域における第２導電膜６２と比較して、エッチャントに対する露出面積が大きいため速くなっている。そのため、幅広部６３ｃにおける第２導電膜６２が幅狭部６３ｂにおける第２導電膜６２よりも先に除去されるので、幅広部６３ｃでは、第２導電膜６２の下層の第１導電膜６１がエッチャントに露出する。したがって、幅広部６３ｃでは第１導電膜６１ａがエッチャントに露出し、幅狭部６３ｂでは第２導電膜６２がエッチャントに露出している（図７（ａ））。

エッチャントに露出した第１導電膜６１は、エッチャントにより除去されていく。ここで、第１導電膜６１ａを構成するＡｌは、第２導電膜６２を構成するＩＴＯよりも大きいイオン化傾向を示す。そして、このイオン化傾向の違いにより、幅狭部６３ｂにおける第２導電膜６２と幅広部６３ｃにおける第１導電膜６１ａとの間で、電池反応が発生する。すなわち、幅広部６３ｃでは、第１導電膜６１ａが電子を放出して陽イオンとなり、エッチャントに溶解する。そして、幅狭部６３ｂでは、第１導電膜６１ａから放出された電子がレジスト層６３の下層の第２導電膜６２中を移動して幅狭部６３ｂにおける第２導電膜６２に到達することで、水素が発生する。そのため、幅狭部６３ｂにおける第２導電膜６２のエッチング速度が向上し、第２導電膜６２のエッチングが促進される。これにより、幅狭部６３ｂにおける第２導電膜６２及び第１導電膜６１ａが除去される（図７（ｂ））。

ここで、第１導電膜６１ａと第２導電膜６２のうちレジスト層６３により被覆される領域とが接触しているので、幅広部６３ｃにおける第２導電膜６２が除去されても、第１導電膜６１ａとレジスト層６３の下層の第２導電膜６２とが導通することになる。これにより、エッチングが進行しても第１導電膜６１ａから放出された電子が幅狭部６３ｂにおける第２導電膜６２に移動可能であるため、電池反応が継続される。また、第１導電膜６１ａが第２導電膜６２をパターニングすることで形成される複数の画素電極１１のそれぞれと対応して設けられているので、局所的に電池反応が発生して幅狭部６３ｂに対応する第２導電膜６２のエッチング速度にバラツキが生じることが抑制される。したがって、幅狭部６３ｂにおける第２導電膜６２の残渣の発生が防止される。
そして、レジスト層６３を除去する。以上のようにして、画素電極１１が形成される。

その後、従来と同様の手法により、画素電極１１を被覆するようにポリイミドなどの塗布し、この表面にラビング処理を施すことによって配向膜３６を形成する（図８）。以上のようにして、素子基板２１を形成する。また、従来と同様の手法により、対向基板２２を形成する。
そして、素子基板２１と対向基板２２とを上述したシール材で貼り合わせ、液晶を注入してこれを封止することで、液晶層２３を形成する。さらに、素子基板２１及び対向基板２２の外面に偏光板２４、２５を設ける。以上のようにして、図２及び図３に示すような液晶表示装置１を製造する。

〔電子機器〕
以上のような構成の液晶表示装置１は、例えば図９に示すような携帯電話機１００の表示部１０１として用いられる。この携帯電話機１００は、表示部１０１、複数の操作ボタン１０２、受話口１０３、送話口１０４及び上記表示部１０１を有する本体部を備えている。

以上のように、本実施形態における液晶表示装置１の製造方法によれば、第１導電膜６１ａと幅狭部６３ｂにおける第２導電膜６２との間で電池反応によるエッチングを行うことで、幅狭部６３ｂにおける第２導電膜６２のエッチングを短時間で行うことができる。そして、幅狭部６３ｂにおける第２導電膜６２の残渣の発生を抑制できる。これにより、幅狭部６３ｂの幅を、例えば２μｍ以下のように、より小さくすることができ、サブ画素領域の狭ピッチ化や、開口率の向上が図れる。
また、第１導電膜６１ａと、第２導電膜６２のうちレジスト層６３により被覆される領域とが接触しているので、エッチング工程において幅広部６３ｃにおける第２導電膜６２が除去されても、第１導電膜６１ａとレジスト層６３の下層の第２導電膜６２との導通が確保される。これにより、第１導電膜６１ａから放出された電子が第２導電膜６２に移動するので、電池反応が継続され、第２導電膜６２の残渣の発生をより確実に防止できる。
そして、各画素領域１１が形成される領域と対応して複数の第１導電膜６１ａを形成するので、電池反応が局所的に発生することを防止して、電池反応を均一に行うことができる。
さらに、サブ画素領域の内側と対応する領域にも第１導電膜６１を形成してこれを反射膜４４とすることで、電池反応を行うための第１導電膜６１ａと反射膜４４とを同時に形成でき、製造工程の簡略化が図れる。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、第２導電膜をＩＴＯで構成しているが、ＩＴＯに限らず、他の透光性の導電材料であってもよく、画素電極に光を透過させない場合には透光性を有さない導電材料でもよい。また、第１導電膜をＡｌで構成しているが、Ａｌに限らず、第２導電膜を構成する導電材料よりも大きなイオン化傾向を有していれば、他の導電材料でもよい。
また、第１導電膜形成工程で幅広部における第１導電膜を第２導電膜のうちレジスト層の形成領域と接触するように形成しているが、幅広部と対応する領域の少なくとも一部に形成されて幅狭部における第２導電膜の微細なパターニングを行うことができれば、これに限られない。
そして、第１導電膜形成工程で幅広部における第１導電膜をエッチング工程で形成される各画素領域に対応して形成しているが、幅狭部における第２導電膜の微細なパターニングを行うことで各画素電極をパターニングできれば、これに限られない。

また、液晶表示装置は、半透過反射型の構成に限らず、反射型の液晶表示装置や透過型の液晶表示装置であってもよい。このとき、透過型の液晶表示装置では、第１導電膜をパターニングすることにより形成される反射膜を備えていないため、第１導電膜を形成するための製造工程が増加することとなるが、画素電極の微細なパターニングを行うことができる。さらに、半透過反射型や反射型の液晶表示装置においても、第１導電膜と反射膜とを異なる工程によって形成してもよい。これにより、第１導電膜と反射膜とで異なる材料を選択でき、画素電極のパターニングに最適な材料を第１導電膜に適用し、反射特性に優れた材料を反射膜に適用することができる。

また、液晶表示装置は、素子基板に画素電極を設けると共に対向基板に共通電極を設けた電極構造を有しているが、素子基板に画素電極及び共通電極を形成して液晶層に対して基板面方向の電界を発生させるＩＰＳ（In-Plane Switching）方式やＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式などの、いわゆる横電界方式を用いた電極構造を採用してもよい。
また、液晶層として、ＴＮモードで動作する液晶を用いているが、ＴＮモードに限らず、負の誘電率異方性を有するＶＡＮ（Vertical Aligned Nematic）モードやＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）モード、ＯＣＢ（Optical Compensated Bend）モードなど、他の液晶を用いてもよい。
そして、液晶表示装置は、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色表示を行うカラー液晶表示装置としているが、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかまたは他の１色の色表示を行う単色の表示装置や、２色や４色以上の色表示を行う表示装置であってもよい。ここで、対向基板にカラーフィルタ層を設けずに、素子基板にカラーフィルタ層を設けてもよい。

また、液晶表示装置を備える電子機器としては、携帯電話機に限らず、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant：携帯情報端末機）やパーソナルコンピュータ、ノート型パーソナルコンピュータ、ワークステーション、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、カーナビゲーション装置、ヘッドアップディスプレイ、デジタルビデオカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ページャ、電子手帳、電卓、電子ブックやプロジェクタ、ワードプロセッサ、テレビ電話機、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備える機器、照明装置などのような他の電子機器であってもよい。
そして、電気光学装置としては、一対の電極の間に電界を発生させることにより電気光学層の光学特性を変化させるものであれば、液晶表示装置に限らず、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置など他の装置であってもよい。

一実施形態における液晶表示装置を示す等価回路図である。 画素領域を示す平面構成図である。 図２のＡ−Ａ矢視断面図である。 液晶表示装置の製造工程を示す工程図である。 同じく、液晶表示装置の製造工程を示す工程図である。 同じく、液晶表示装置の製造工程を示す工程図である。 同じく、液晶表示装置の製造工程を示す工程図である。 同じく、液晶表示装置の製造工程を示す工程図である。 液晶表示装置を備える携帯電話機を示す外観図である。

符号の説明

１ 液晶表示装置（電気光学装置）、１１ 画素電極（一方の電極）、２３ 液晶層（電気光学層）、４４ 反射膜、５４ 共通電極（他方の電極）、６１，６１ａ 第１導電膜、６２ 第２導電膜、６３ レジスト層、６３ａ 開口部、６３ｂ 幅狭部、６３ｃ 幅広部

Claims (5)

1. 一対の電極と、該一対の電極間に発生する電界によって駆動する電気光学層とを備え、前記一対の電極の少なくとも一方が平面状に複数配置された画素領域にそれぞれ設けられた電気光学装置の製造方法であって、
   第１及び第２導電膜を形成する導電膜形成工程と、
   前記第２導電膜上に、幅広部及び幅狭部を有する開口部が形成されたレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
   ウェットエッチング法を用いて前記第１及び第２導電膜のうち前記レジスト層の開口領域を選択的に除去して少なくとも前記一方の電極を形成するエッチング工程とを有し、
   前記導電膜形成工程は、前記レジスト層の前記幅広部の形成領域の少なくとも一部に、前記第２導電膜により被覆されて該第２導電膜よりもイオン化傾向が大きい前記第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 前記第１導電膜形成工程で、前記第１導電膜を、前記第２導電膜のうち前記レジスト層の前記幅広部の形成領域にある第２導電膜と接続させることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
3. 前記第１導電膜形成工程で、前記第１導電膜を、前記エッチング工程で形成される前記一方の電極と対応して複数形成することを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法。
4. 前記第１導電膜形成工程で、前記第１導電膜を、前記画素領域内にも形成することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
5. 前記第１導電膜がアルミ系材料で構成されており、
   前記第２導電膜が、透光性の導電材料で構成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。

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