JP4853508B2 - リードフレームの製造方法 - Google Patents
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Description
そして、特許文献1には、リードフレームの全面に、緻密で平坦なニッケルめっき層を形成し、その上に縦方向への結晶成長を優先させたニッケルめっき層を形成して凹凸を作ることで、封止樹脂との密着性を得る技術が開示されている。
この不良現象を発生させないために、エポキシブリードアウト防止剤が市販されているが、顧客によってはこの防止剤の使用を認めないところもあり、このようなことから、封止樹脂との密着性を悪化させないアンカー効果とエポキシブリードアウトの発生の無いめっき表面形態の両方を求める要求が出てきた。
板厚0.2mm、幅100mmのコイル状銅合金の両面にドライフィルムレジストを貼り付けて、所定の形状のマスクを用いて露光し現像してエッチング処理を行い、10mm角のパッドとその周辺に0.2mm角のリードを60個配置したパターンを等間隔に形成して、リードフレーム形状を得た。
これをアルカリや酸で前処理し、次のようにして全面にめっきを施した。先ず塩化ニッケルとほう酸からなるニッケルめっき浴を用いて、電流密度2A/dm2で2分間めっきを行い、厚さが約1μmの結晶核となるニッケルめっきを形成した。次に、その上にスルファミン酸ニッケルめっき浴を用いて、電流密度2A/dm2で2分間めっきを行い、厚さ約1μmのニッケルめっき層を形成した。その後に、パラジウムめっきを厚さ約0.1μmになるように施し、最後に金めっきを厚さ約0.05μmになるように施して、リードフレームを完成させた。
完成したこのリードフレームのパッド中央表面に封止用樹脂をφ3mmとなるように塗布し、大気中にてホットプレートで加熱硬化させた後、パッド部を金属顕微鏡で観察したところ、約30μmのブリードアウトが生じていた。
また、めっき面上に直径2mmとなる樹脂領域を形成し(金型注入圧力100kg/cm2、金型温度175℃×90秒)、オーブンでキュア(175℃×8時間)して、評価用樹脂部を4点形成し、真横から押して強度を測定し、単位面積当たりの強度を算出したところ、平均11.8MPaの樹脂密着強度となった。
一方、現在使用している通常のニッケルとパラジウムと金の3層構造のめっきの場合を評価した結果は、平均9.5MPaの樹脂密着強度であった。
実施例1と同様にしてリードフレーム形状を形成し、片面側(裏面)にドライフィルムレジストを貼り付け、リードフレームの表面と側面に塩化ニッケルとほう酸からなるニッケルめっき浴を用いて、電流密度2A/dm2で2分間めっきを行い、貼り付けたドライフィルムレジストを剥離し、リードフレーム全面にスルファミン酸ニッケルめっき浴を用いて、電流密度2A/dm2で2分間めっきを行うことにより、表面と側面に2層のニッケルめっきを形成し、裏面に1層のニッケルめっきを形成した。次に、全面にパラジウムめっき(厚さ約0.1μm)と金めっき(厚さ約0.05μm)を施すことにより、半導体素子を搭載する面側に凹凸のあるめっき層が形成され、反対側面はスムースなめっき層の形成されたリードフレームが得られた。
11 結晶核のニッケルめっき
12 延展性の良いニッケルめっき層
Claims (2)
- 銅合金を用いたリードフレームにおいて、少なくとも半導体素子を搭載するパッド部上に、塩化物浴による結晶核となる山型状突起群が形成されるようにニッケルめっきを施した後、その上にスルファミン酸ニッケルめっき浴による延展性の良いニッケルめっきを施して半球状の表面を形成し、更にその上にパラジウムめっき層と金めっき層を形成するようにしたことを特徴とするリードフレームの製造方法。
- 銅合金を用いたリードフレームにおいて、半導体素子を搭載する側の全面に、塩化物浴による結晶核となる山型状突起群が形成されるようにニッケルめっきを施した後、その上にスルファミン酸ニッケルめっき浴による延展性の良いニッケルめっきを施して半球状の表面を形成し、更にその上にパラジウムめっき層と金めっき層を形成するようにしたことを特徴とするリードフレームの製造方法。
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