JP4852302B2 - 研磨剤の製造方法及びそれにより製造された研磨剤並びにシリコンウエーハの製造方法 - Google Patents
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Description
なお、上記の各工程の他に熱処理等の工程が加わったり、工程順が入れ換えられたり、同じ工程を複数回に分けて行う場合もある。
近年ではアルミナコーティングされたシリカゾルが汎用されている。このようなアルミナコーティッドシリカゾルを含む研磨剤を製造するには、一般的に、イオン交換等により高純化したシリカゾルに対し、アルミン酸ソーダゾルを混合した後、加熱滅菌処理を行う。これによりシリカ粒子がアルミナコーティングされ、分散性の良い研磨剤が得られる。
特に、硫酸、硝酸、塩酸等の強酸を用いれば、Cu等の金属汚染を抑制する効果が加わった研磨剤を製造することができる。
このように4級アンモニウム塩、特にテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)を添加すればシリカ粒子の凝集を効果的に防ぐことができ、高純度である上、分散性が高い安定した研磨剤を製造することができる。
このように有機キレート剤、特に、ポリアミノポリカルボン酸誘導体あるいはその塩を添加すれば、研磨剤中のCu等の金属イオンを捕獲し、シリコンウエーハ等への金属汚染の抑制効果がより一層加わった研磨剤とすることができる。
すなわち、シリカゾルに対し、最初のイオン交換後、再度イオン交換を行えば、シリカゾル中に残留する金属イオン等を一層確実に除去することができ、さらに高純化させることができる。
上記のようなシリカゾルを用いれば、特にシリコンウエーハの研磨に適した研磨剤を製造し易い。
各工程において上記のようなpHに調整すれば、シリコンウエーハに対してより好適なメカノケミカル作用を有するシリカゾルを確実に製造することができる。
本発明の方法により製造された研磨剤は、シリカ粒子の表面に付着したCu等の金属不純物濃度が極めて少なく、特にシリコンウエーハ等の半導体ウエーハの研磨に適したものとなる。
本発明の方法により製造された研磨剤を用いてシリコンウエーハの研磨を行えば、シリカ粒子の表面に付着したCu等の金属不純物が極めて少なく、近年のデバイス製造における品質要求を満たす鏡面ウエーハに仕上げることができる。
本発明者らは、シリコンウエーハの研磨剤について研究を行った。
コロイダルシリカを含有する研磨剤を用いてシリコンウエーハを研磨すると、研磨剤に含まれる金属不純物によりウエーハが金属汚染される場合がある。このような金属汚染の原因として、シリカ粒子の表面に存在するCu等の金属不純物が研磨中の発熱やその他の要因によりウエーハの内部に拡散し、バルク中に取り込まれることが考えられる。
本発明者らはさらに研究を重ねたところ、研磨剤を製造する際、イオン交換等によりある程度高純化を行った後、従来のようなアルミン酸ソーダの添加及びその後の加熱滅菌処理は行わず、最終段階で酸を添加すれば、シリカ粒子の表面に付着しているCu等の金属不純物を効果的に除去することができ、シリカ粒子の変形もない高品質の研磨剤を製造することができることを見出し、本発明の完成に至った。
シリカ(SiO2)を1−6重量%含む珪酸ナトリウム水溶液に対し、脱ナトリウム処理を行う。例えば、水素型陽イオン交換樹脂を充填したカラムに上記珪酸ナトリウム水溶液を通すことにより、ナトリウムイオン等の金属イオンを除去することができる。これにより、特にアルカリ金属イオンが除かれた活性珪酸の水溶液が得られる。このときのシリカ粒子の粒径は1−5nm程度、特に2nm程度とすることが好ましい。
なお、この高純化工程後も、pH2−4の範囲内の酸性シリカゾル(II)とすることが好ましい(図1(E))。
そこで、強酸、例えば硫酸を添加すれば、硫酸はシリカ(珪酸)よりも酸性が強く、シリカ粒子の表面に吸着した金属水酸化物を剥ぎ取って強く吸着することになる。結果として強酸の添加によってシリカ粒子の表面から金属水酸化物を遠ざける効果を奏し、ウエーハに対する金属汚染を抑制することができると考えられる。
なお、上記のような4級アンモニウム塩は、前記アルカリ金属水酸化物を添加した後、酸を添加する前もしくは後で添加しても良い。
上記のような有機キレート剤も、前記硫酸等の酸とともに添加することができ、あるいは、前記アルカリ金属水酸化物を添加した後、酸を添加する前もしくは後で添加しても良い。このような有機キレート剤を添加することにより、キレート剤がCu等の金属イオンを捕獲し、ウエーハへの金属汚染を抑制することができる。
ただし、いずれにせよ、最終的に酸を添加した後のシリカゾルのpHを10−12の範囲内にすることが好ましい(図1(H))。この範囲内のアルカリ性であれば、シリコンウエーハに対して適度なエッチング性を有し、好適なメカノケミカル作用を示すものとなる。
研磨装置は特に限定されるものではなく、例えば図2に示したような片面研磨装置1を用いることができる。シリコンウエーハWの研磨を行う場合、研磨ヘッド2によりウエーハWを保持し、定盤3とヘッド2をそれぞれ所定の方向に回転させる。ノズル5から研磨剤6を所定の流量で研磨布4に供給し、ウエーハWを所定の荷重で研磨布4に押し付ける。これによりウエーハWは、研磨布4との間に研磨剤が介在した状態で研磨布4に摺接され、アルカリ性によるエッチング作用とともに、研磨剤に含まれるシリカ粒子がウエーハWの表面と接触して研磨が進行する。このとき、本発明では、上記本発明の方法により製造された研磨剤を研磨布に供給するようにする。
(実施例1)
pH10のアルカリ性シリカゾル(平均粒径:約11nm)に対し、水素型陽イオン交換樹脂を充填したカラムを用いてイオン交換を行い、さらに高純化するため再度イオン交換を行った。この2回のイオン交換によりpH2.5の酸性シリカゾルとした。次いで、高純度のNaOH水溶液を混合することによりpH12まで上昇させた後、リン酸を添加して研磨剤(pH11.5)を製造した。
このようにして製造した研磨剤を用いてシリコンウエーハの研磨を行った。シリコンウエーハは、直径200mm、結晶軸<100>、P型、抵抗率0.01〜0.1Ωcmであり、ラッピング後にエッチングしたシリコンウエーハ(CW)を用いた。研磨は、図2のような片面研磨装置を用い、1次、2次、仕上げの3工程に分けて行った。研磨代は合計10μm程度とした。
アルミナコーティングしたシリカゾルに対しイオン交換を1回行って研磨剤とした。この研磨剤を用いてシリコンウエーハの研磨を行った。研磨剤以外は実施例1と同様の条件で研磨及び洗浄を行い、その後、実施例1と同様にウエーハのバルク中のCu濃度を測定した。
実施例1及び比較例1におけるCu濃度の測定結果を表1及び図4に示した。
実施例1と同様にアルカリ性シリカゾル(平均粒径:約11nm)に対し、イオン交換を行い、さらに高純化するため再度イオン交換を行った。次いで、高純度NaOH水溶液を混合した後、硫酸を添加して研磨剤(pH11)を製造した。
この研磨剤を用いてシリコンウエーハの研磨を行った。研磨剤以外は実施例1と同様の条件で研磨及び洗浄を行い、ウエーハのバルク中のCu濃度を測定した。
実施例2で測定したバルク中のCu濃度を前記実施例1の測定結果とともに表2及び図 5に示した。
実施例2と同様のイオン交換等の工程を経て高純度NaOH水溶液を混合した後、硫酸とともにTMAHを添加して研磨剤(pH11)を製造した(実施例3)。
また、実施例3と同様の工程により硫酸とともにTMAHを添加した後、さらに有機キレート剤として2−ヒドロキシ−1,3−ジアミノプロパン4酢酸を添加して研磨剤を製造した(実施例4)。
実施例3、4の研磨剤のイオン交換の回数、添加酸、キレート剤の有無等について、比較例1の研磨剤とともに表3に示した。
図6は各研磨剤を用いた場合の研磨速度(2枚のウエーハの平均値)を示している。実施例3又は実施例4の研磨剤を用いた場合は、従来の研磨剤(比較例1)を用いた場合よりも研磨速度が20%以上向上したことがわかる。これはTMAHの添加による効果と考えられる。
図7は比較例1の平均値を1.0としたときの表面欠陥数(2枚のウエーハの平均値)を示している。実施例3及び実施例4の研磨剤を用いた場合は、研磨後のウエーハの表面欠陥密度は、従来の研磨剤(比較例1)を用いた場合の半分以下であり、特にキレート剤を添加した実施例4の研磨剤では比較例1の30%程度であった。
また、研磨対象はシリコンウエーハに限定されず、他の半導体ウエーハあるいは石英基板等、高い平坦度とともに金属汚染の防止が求められる各種精密基板の研磨に好適に使用できる。
Claims (12)
- シリカ粒子を水溶液中に分散させた研磨剤を製造する方法であって、少なくとも、用意したシリカゾル中の金属化合物イオンをイオン交換により除去する工程と、該イオン交換後のシリカゾルをさらにイオン交換により高純化する工程と、該高純化されたシリカゾルにアルカリ金属水酸化物を添加する工程と、該アルカリ金属水酸化物が添加されたシリカゾルに酸を添加する工程とを含むことを特徴とする研磨剤の製造方法。
- 前記酸として、強酸を用いることを特徴とする請求項1に記載の研磨剤の製造方法。
- 前記アルカリ金属水酸化物を添加した後、前記酸とともに、又は、前記酸を添加する前もしくは後で、4級アンモニウム塩を添加することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の研磨剤の製造方法。
- 前記4級アンモニウム塩として、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを用いることを特徴とする請求項3に記載の研磨剤の製造方法。
- 前記アルカリ金属水酸化物を添加した後、前記酸とともに、又は、前記酸を添加する前もしくは後で、有機キレート剤を添加することを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の研磨剤の製造方法。
- 前記有機キレート剤として、ポリアミノポリカルボン酸誘導体及びポリアミノポリカルボン酸誘導体の塩からなる群から選ばれる少なくとも1種を用いることを特徴とする請求項5に記載の研磨剤の製造方法。
- 前記用意するシリカゾルとして、pH8−13の範囲内のアルカリ性シリカゾルを用いることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の研磨剤の製造方法。
- 前記用意するシリカゾルとして、平均粒径が11−13nmの範囲内の球状シリカ粒子を含むものを用いることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の研磨剤の製造方法。
- 前記イオン交換を行う場合、該イオン交換後のシリカゾルのpHを2−4の範囲内にすることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の研磨剤の製造方法。
- 前記酸を添加した後のシリカゾルのpHを10−12の範囲内にすることを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載の研磨剤の製造方法。
- 前記請求項1ないし請求項10のいずれか1項に記載の方法により製造された研磨剤。
- 少なくとも研磨工程を含むシリコンウエーハの製造方法において、前記研磨工程として、前記請求項1ないし10のいずれか1項に記載の方法により製造された研磨剤を用い、該研磨剤を研磨布に供給しながら前記ウエーハを前記研磨布に摺接させて研磨を行うことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。
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