JP4847677B2 - 化合物半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
また、いわゆる電流コラプスと呼ばれる動作中におけるオン抵抗の変動を抑制することが要求されており、このためには、更にGaN層をAlGaN層上に配置し、且つSiNの保護膜を形成することを要する。
更には、SiN保護膜上にゲート電極をオーバーハング形状に形成することにより、耐圧を向上させることも可能となる。
この化合物半導体装置は、基板101上にノンドープのGaN層(i−GaN層)102、AlGaN層103、及びn型不純物がドープされたGaN層(n−GaN層)104がエピタキシャル成長により順次積層形成されており、n−GaN層104上に形成されたSiN膜105を貫通してGaN層104とショットキー接合されてなるゲート電極106と、同様にn−GaN層104とオーミック接合されてなるソース電極107及びドレイン電極108とを含み構成されている。
[1].GaN層の表面ラフネスの改善
本発明者は、HEMT構造の化合物半導体装置において、ゲート電極直下のラフネスは物理的なもののみならず、結晶欠陥的なラフネスも重要であることに着目した。これは、第3の窒化物半導体層、ここではGaN層の表層において窒素が抜けてしまうことに起因する現象である。窒素が抜けた部分では、図1に示すように伝導帯から約0.4eVの位置にトラップが形成される。このトラップが電流コラプスの主原因となり、トラップが多過ぎるとリークパスも生じる虞がある。この窒素抜けをエピタキシャル成長の段階においてプロセスに耐える程度の強度で得る手法は未だ明らかではない。
本発明は、この表面ラフネスと窒素空孔との相関に着目してなされたものである。
先ず初めに、Al組成率及び膜厚の規定に関する理論的背景について説明する。
第2の窒化物半導体層(ここではAlGaN層)の膜厚が薄い場合には、表面ラフネスは小さくなり、厚い場合には表面ラフネスは大きくなる。この理由は以下の通りである。
AlGaNとGaNとでは格子不整合の状態となり、格子不整合による歪みにより上記ラフネスが生じる。歪みが大きくなりすぎると格子緩和が発生し、一気に転位が大量発生する。格子緩和寸前でも表面ラフネスが大きい場合、ゲート直下でチャネルとゲート電極との距離がばらつくことになり、その結果、電界集中のばらつきが大きくなるため、部分的に電界集中が大きくなって逆方向ゲートリークが大きくなる。
δa=(格子定数(AlGaN)−格子定数(GaN))/格子定数(GaN)∝x
総歪み量∝δa×d
逆方向ゲートリーク∝10^(表面ラフネス)∝表面エンタルピー∝総歪み量
∝x×d
従って、逆方向ゲートリークを防ぐには、総歪み量の制御すなわちAlGaN層のAl組成率x及び膜厚dの規定が重要である。
AlNの格子定数=3.112Å
GaNの格子定数=3.189Å
δa=0.077/3.189×x
=0.024×x(xにより線形に格子定数は変化する。ベガード則採用)
総歪み量∝0.024×x×d
例:x=15%、d=20nm: 総歪み量∝0.72×10-8cm
x=25%、d=20nm: 総歪み量∝1.2×10-8cm
表面ラフネス(nm)=2.15×x×d
逆方向ゲートリーク(μA/mm)(Vg=−5V)
=1.8×10-6×10^(2.15×x×d)
表面ラフネスについてx×dと最大段差との関係を図3に、x×dと逆方向ゲートリーク電流との関係を図4にそれぞれ示す。上記の関係よりx及びdの上限が規定される。特に、逆方向ゲートリーク電流量(Vg=−5V)は100(μA/mm)が上限となる。
順方向ゲートリークはショットキーバリア高さで規定される。
パワーデバイスにおいては、最大出力近辺での順方向ゲートリークが重要な問題となる。最大出力近辺では逆方向でなく順方向にゲートリークが流れる。これはゲート電極の電位が順方向にバイアスされており、ゲート電極に電子が流れ込む現象が起こるためである。この流れ込みを抑えるためには、ゲート電極と半導体との間のショットキーバリア高さを高くする必要がある。
φB=Wf−Ef(Ef:半導体の電子親和力、Wf:ゲートメタルの仕事関数)
GaN系の場合、界面のピニング現象の効果が小さいため、Ef−WfでφBが規定される。
Ef∝x
となる。
Ef(AlN)=0.6,Ef(GaN)=4.1であることから、
Ef=4.1−3.5x
となる。
例えば、ゲートメタルをNiとした場合、NiのWfは4.5程度であり、
φB(Ni)=0.4+3.5x(例:x=0.15の場合、φB=0.93eV)
電流コラプスは、2次元電子ガス量、ゲート電極からチャネルまでのトータルのドーピング量、及び表面トラップ量との相関で決まる。実験的には以下の相関がある。
電流コラプス量の定義δImax
=((DC測定でのImax)−(パルスI−VでのImax))/(DC測定でのImax)
2次元電子ガス量=ピエゾ効果+自然分極+ドーピングによる電子
コラプス量=ドーピングによる電子−表面トラップ量
であり、これが負になると電流コラプスが発生する。
ドーピングによる電子(cm2)=1×10-6×Nd×d(nm)
(Nd:ドーピング量(cm3))
表面トラップ量(cm2)=2.7×1012×(0.05×x×d)
表面トラップの効果∝表面欠陥∝表面ラフネス∝総歪み量
但し、表面ラフネスが全てトラップとなるわけではないため、その依存性は弱い。よって、
電流コラプス量=1×10-6×(0.05×x×d)
ピエゾ効果+自然分極についてxと2次元電子ガス濃度との関係を図5に、x×dと表面トラップ量との関係を図6に、x×dと電流コラプス量との関係を図7にそれぞれ示す。
これらの関係により、dの下限が規定される。2次元電子ガス量の大小によりその効果の大きさは異なるが、上記のコラプス量が負になるとデバイス特性は劣化する。
図8は、第2の窒化物半導体層(ここではAlGaN層)のAl組成率xと膜厚dとの関係をシミュレーションにより算出した結果を示す特性図である。
ここで、直線aが、
d=−80x+29
であり、直線bが、
d=−180x+52
である。
−80x+29<d<−180x+52
且つ、
0.125≦x<0.17(0.18)
且つ、
15.4≦d<29.5
である。更に好ましくは、x,dの各許容範囲は、
0.14≦x≦0.16
17≦d≦24
である。
以下、上述した窒素抜けを確実に防止するための他の諸条件を示す。
積層体(第1〜第3の窒化物半導体層:ここでは、i−GaN層,AlGaN層,n−GaN層)のシート抵抗を、500Ω/sq〜700Ω/sq、好ましくは550Ω/sq〜850Ω/sqとする。
1×1014≦Nd≦−2×1019x+5×1018
とし、且つ2×1018(/cm3)程度を上限にする。これにより、ゲートリークを増やさず2次元電子ガスを保つことができる。
以上、第2の窒化物半導体層としてAlGaN層を例示したが、AlGaN層の替わりにAlGaInN層を用いても良い(これに伴い、第1及び第3の窒化物半導体層も替える場合がある。)。
表面ラフネス(nm)=11×x×d
逆方向ゲートリーク(μA/mm)(Vg=−5V)
=1.8×10-6×10^(11×x×d)
となる。Al組成率を同一とすると、AlGaInNはAlGaNに比べて約5倍の表面ラフネスがあり、その結果として逆方向ゲートリークも増加する。但し、Al組成率xと膜厚dとの関係は、上述のAlGaN層の場合と略同様である。
0<y≦0.05
且つ、
x≦0.10
且つ、
10≦d≦15
とするのが好ましい。
以下、本実施形態によるHEMT構造の化合物半導体装置の構成をその製造方法と共に説明する。
図9は、本実施形態によるHEMT構造の化合物半導体装置を示す概略断面図である。
電子供給層となり、Alを含有する第2の窒化物半導体層と、
Alの含有量が0又は前記第2の窒化物半導体層よりも少ない第3の窒化物半導体層と
が基板上に順次成長してなる積層体を含み、
前記第3の窒化物半導体層は、その表面から深さ2nm以内における窒素空孔率が20%以下とされてなることを特徴とする化合物半導体装置。
0.14≦x≦0.16
及び、
17≦d≦24
を満たし、且つ、
前記積層体のシート抵抗が550Ω/sq〜850Ω/sqであることを特徴とする付記1に記載の化合物半導体装置。
電子供給層となり、Alを含有する第2の窒化物半導体層と、
Alの含有量が0又は前記第2の窒化物半導体層よりも少ない第3の窒化物半導体層と
が基板上に順次成長してなる積層体を含み、
前記第2の窒化物半導体層は、そのAlの組成率をx、膜厚をd(nm)として、
−80x+29<d<−180x+52
を満たす膜厚に形成されてなることを特徴とする化合物半導体装置。
0.125≦x<0.18
であることを特徴とする付記4又は5に記載の化合物半導体装置。
0.14≦x≦0.16
及び、
17≦d≦24
を満たし、且つ、
前記積層体のシート抵抗が550Ω/sq〜850Ω/sqであることを特徴とする付記4又は5に記載の化合物半導体装置。
前記ゲートの閾値電圧が−2.5V以上−1.5V以下であることを特徴とする付記1〜8のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
1×1014≦Nd≦−2×1019x+5×1018
を満たす値であることを特徴とする付記1〜10のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
(0004)回折のX線(Kα線)により測定したAlGaNのピークとGaNのピークとの差分値(arcsec)が、300以上400以下であることを特徴とする付記1〜11のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
前記第1の窒化物半導体層上に、電子供給層となり、Alを含有する第2の窒化物半導体層を形成する工程と、
前記第2の窒化物半導体層上に、Alの含有量が0又は前記第2の窒化物半導体層よりも少なく、その表面から深さ2nm以内における窒素空孔率が20%以下となるように制御してなる第3の窒化物半導体層を形成する工程と
を含むことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
前記第2及び第3の窒化物半導体層を1000℃以上の温度条件により成長形成するとともに、前記第3の窒化物半導体層の成長後、NH3の流量を前記第3の窒化物半導体層の成長時よりも増加させることを特徴とする付記13に記載の化合物半導体装置の製造方法。
2 i−GaN層
3 AlGaN層
4 n−GaN層
5 SiN膜
6 ゲート電極
7 ソース電極
8 ドレイン電極
11 i−AlGaN層
12 n−AlGaN層
Claims (3)
- 基板上に、電子走行層となる第1の窒化物半導体層を形成する工程と、
前記第1の窒化物半導体層上に、電子供給層となり、Alを含有する第2の窒化物半導体層を形成する工程と、
前記第2の窒化物半導体層上に、Alの含有量が0又は前記第2の窒化物半導体層よりも少ない第3の窒化物半導体層を、成長温度を1100℃以下とし、キャリアガスをH2として、前記H2とNH3を供給して形成する工程と、
前記第3の窒化物半導体層を形成した後、前記H2と前記NH3を供給しながら第1の温度である1000℃以下まで降温する工程と、
前記第1の温度まで降温した後、前記キャリアガスをN2に切り替えて、前記N2と前記NH3を供給しながら降温する工程と
を含むことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。 - 前記第3の窒化物半導体層は、その表面から深さ2nm以内における窒素空孔率が20%以下とされていることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体装置の製造方法。
- 前記第1の温度まで降温した後に降温する工程における前記NH3の量は、前記第3の窒化物半導体層を形成する工程における前記NH3の量、及び、前記第1の温度まで降温する工程における前記NH3の量よりも大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載の化合物半導体装置の製造方法。
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