JP4824198B2 - 光電極及びこれを備えた色素増感型太陽電池 - Google Patents
光電極及びこれを備えた色素増感型太陽電池 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4824198B2 JP4824198B2 JP2001160978A JP2001160978A JP4824198B2 JP 4824198 B2 JP4824198 B2 JP 4824198B2 JP 2001160978 A JP2001160978 A JP 2001160978A JP 2001160978 A JP2001160978 A JP 2001160978A JP 4824198 B2 JP4824198 B2 JP 4824198B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- photoelectrode
- semiconductor electrode
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光電極及びこれをこれを備えた色素増感型太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、地球温暖化やエネルギー問題に対する関心の高まりとともに太陽電池の様々な開発が進められている。その太陽電池の中でも、色素増感型太陽電池は使用する材料が安価であること、比較的シンプルなプロセスで製造できること等からその実用化が期待されている。
【０００３】
そして、色素増感型太陽電池の実用化に向けて、光電極における光電変換効率を向上させ、電池のエネルギー変換効率を向上させるための様々な検討が行われている。なお、色素増感型太陽電池のエネルギー変換効率η（％）は、下記式（１）で表される。また、下記式（１）中、Ｐ0は入射光強度[ｍＷｃｍ-2]、Ｖocは開放電圧[Ｖ]、Ｉscは短絡電流密度[ｍＡｃｍ-2]、Ｆ.Ｆ.は曲線因子（Fill Factor）を示す。
η＝１００×（Ｖoc×Ｉsc×Ｆ.Ｆ.）／Ｐ0…（１）
【０００４】
そこで、半導体電極は、通常、酸化物半導体粒子で構成される多孔質膜からなり、半導体電極における光電変換反応は上記多孔質膜中の増感色素粒子が吸着したサイトにおいてのみ進行することから、半導体電極内に含有される増感色素の吸着量を増加させることにより、光電極を構成する半導体電極における入射光の吸収効率の向上と、光電変換の反応効率の向上とを目指す検討がなされている。
例えば、特開平１１−１４４７７２号公報には、微細孔の孔径度分布が複数のピーク値を有する金属酸化物多孔質体から構成した半導体電極を備える色素増感型太陽電池が提案されている。この電池においては、半導体電極内に、細孔径が、例えば１ｎｍ以上１０ｎｍ未満のミクロ孔と、細孔径が、例えば１０〜１０００ｎｍのマクロ孔とが混在した状態で形成されている。そして、半導体電極内に形成したミクロ孔により、半導体電極内における細孔（空隙）の比表面積を増大させて増感色素の吸着可能なサイトの十分な確保を行ない、同時に、半導体電極内に形成したマクロ孔により、増感色素を吸着させる際のミクロ孔へ供給する増感色素の供給量の十分な確保、或いは、電池の発電中における増感色素への反応物質（ヨウ化物イオンなどの還元剤）の供給量の十分な確保を行なうことを意図している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者らは、上記の特開平１１−１４４７７２号公報の光電極を備えた色素増感型太陽電池であっても、半導体電極に形成したミクロ孔とマクロ孔のそれぞれに期待した効果が十分に得られておらず、従って、光電極を構成する半導体電極において十分な入射光の吸収効率が得られず、電池として十分なエネルギー変換効率を得ることができず未だ不十分であるということを見出した。
【０００６】
すなわち、上記特開平１１−１４４７７２号に記載の色素増感型太陽電池は、ミクロ孔とマクロ孔とが半導体電極中においてそれぞれ均一に分布しているため、電極表面に分布するマクロ孔に比較して電極内部に分布するマクロ孔は、増感色素を吸着させる際の増感色素の効率のよい供給、或いは、電池の発電中における反応物質の効率のよい供給を行なうことに対して十分に寄与することができず、十分に利用できていなかった。このように電極内部に十分に利用されていないマクロ孔が分布していると、その領域における増感色素の吸着密度が低下して光電変換効率が低下してしまう。
【０００７】
更に、電極表面に分布するミクロ孔においては、増感色素を吸着させる際にその細孔径が非常に小さいため増感色素の吸着速度が非常に遅くなり、電極表面に分布するミクロ孔のみならず、更に電極内部に存在するミクロ孔への増感色素の吸着量も不十分となっていた。そのため、電極表面に分布するミクロ孔のみならず該ミクロ孔の更に内部に存在する他の細孔も十分に利用できていなかった。また、電極表面に分布するミクロ孔はその細孔径が非常に小さいため、電池の発電中において電極内部に存在する細孔への電解質や反応物質の効率のよい供給ができなかった。そのため、この観点からも電極表面に分布するミクロ孔のみならず該ミクロ孔の更に内部に存在する他の細孔も十分に利用できていなかった。
【０００８】
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、優れた光電変換効率を有する光電極及び優れたエネルギー変換効率を有する色素増感型太陽電池を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、光電極を構成する半導体電極を少なくとも複数の層からなる構成とし、各層における細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値を、透明電極に最も近い位置に配置される層から透明電極に対して最も遠い位置に配置される層にかけて増加させることにより、増感色素の吸着量を十分に確保し、光電変換反応を効率よく進行させることが可能な電極構造を構築できることを見出し、本発明に到達した。
【００１０】
すなわち、本発明は、受光面を有する半導体電極と、当該受光面上に隣接して配置された透明電極とを有する光電極であって、半導体電極が複数の層から構成されており、複数の層の各層は酸化物半導体粒子で構成される多孔質膜からなり、各層における細孔径分布の最大値が、透明電極に最も近い位置に配置される最内部の層から透明電極に対して最も遠い位置に配置される最外部の層にかけて増加していること、を特徴とする光電極を提供する。
【００１１】
本発明の光電極は、半導体電極中の細孔径分布の最大値が半導体電極の受光面から半導体電極の電解質に接することになる面（以下、裏面という）にかけた半導体の厚み方向に沿って徐々に増加させた構造を有しているので、増感色素を半導体電極中に吸着させる際の増感色素の半導体電極中への拡散速度が向上するため、十分な量の増感色素を吸着させることが容易にできる。すなわち、半導体電極中の増感色素の吸着量を十分に確保することができる。
【００１２】
また、色素増感型太陽電池を構成した際には半導体電極の内部に存在する細孔中には該半導体電極の裏面の側から電解質溶液が注入されるが、半導体電極が上記の細孔構造を有しているので、半導体電極の内部に存在する細孔中における電解質溶液の拡散を容易かつ迅速に行うことが可能となる。そのため、発電中において、反応サイト（増感色素の吸着サイト）への反応物質の供給を迅速に行うことができるため、反応物質の拡散律速に基づく直流抵抗成分を従来よりも大きく低減することができる。すなわち、本発明の光電極は、光電変換反応を効率よく進行させることができ、優れた光電変換効率を得ることができる。
【００１３】
更に、半導体電極の内部に上記のような細孔構造を構築することは、太陽電池を製造する上で以下に示す点において有効である。
【００１４】
すなわち、半導体電極の内部に上記のような細孔構造を構築することにより、半導体電極の裏面の側からの（擬）固体電解質の注入が容易となる。そのため、半導体電極内での（擬）固体電解質の形成が容易になると共に、電極内での電解質や電子及び／又は正孔（ホール）の拡散が容易かつ迅速になるため、電池を構成した際の直流抵抗成分を低減することもできる。
【００１５】
ここで「（擬）固体電解質」とは、高分子ゲル化剤又は低分子ゲル化剤を電解質溶液又は電解質を含む溶融塩に添加したゲル状電解質を示す。例えば、電解質溶液にz-Val-Val-NHC18H37をゲル化剤として加え加熱溶融体を多孔質半導体電極内に注入してゲル化させた電解質があげられる。なお、このゲル状電解質は化学ゲルでも物理ゲルでもかまわない。また、ゲル状電解質は通常使用される電解質溶液よりも粘度が高いが、本発明の光電極は前述の構造を有しているので、ゲル状電解質は電極中に容易に侵入することができ、この場合においても高い電池特性を得ることができる。
【００１６】
また、半導体電極の内部に上記のような細孔構造を構築することにより、多孔質の半導体電極内において高分子モノマーを重合させポリマー（高分子固体電解質）としたあと電解質成分を該ポリマー内に拡散させることも容易にできる。例えば、高分子モノマーとして2-(2-methoxy)ethyl acrylateとα-methacryloyl-ω-methoxyocta(oxyethylene)とを重合させ、得られたポリマー中にヨウ素系電解質を拡散させた電解質を用いることができる。
【００１７】
更に、半導体電極の内部に上記のような細孔構造を構築することにより、電極内部における高分子ならびに電解質の拡散が容易になるので、高分子として、例えば、poly(epichlhydrin-co-ethylene oxide)とヨウ素系電解質を含む有機溶液を多孔質酸化物半導体電極に浸透させ、その後、溶媒を除去することにより半導体電極の内部に高分子固体電解質を導入することも容易にできる。
【００１８】
更に、半導体電極の内部に上記のような細孔構造を構築することにより、半導体電極の内部へのp型半導体の拡散が容易となる。そのため、上述の電解質のかわりに、有機又は無機のp型半導体を半導体電極の内部に析出させることにより太陽電池を容易に作製することができる。例えば、ヨウ化銅（CuI）のアセトニトリル溶液を半導体電極に浸透させてその後溶媒を除去しCuIを析出させることができる。
【００１９】
ここで、本発明において、「各層における細孔径分布の最大値が、最内部の層から最外部の層にかけて増加している」状態とは、一端に位置する最外部の層の細孔径分布の最大値が他端に位置する最内部の層の細孔径分布の最大値よりも最終的に大きくなっており、複数の層を全体としてみた場合に各層の細孔径分布の最大値が最内部の層から最外部の層にかけて概略的に増加している状態を示す。
【００２０】
例えば、最内部の層から最外部の層にかけて細孔径分布の最大値が単調に増加している状態であってもよい。また、例えば、最内部の層と最外部の層との間に配置される層のうち、一部の隣り合う層同士の細孔径分布の最大値が同じ値をとる状態であってもよい。更に、最内部の層と最外部の層との間に配置される層のうち、一部の隣り合う層同士の細孔径分布の最大値を比較した場合、最内部の層の側に位置する層の細孔径分布の最大値が最外部の層の側に位置する層の細孔径分布の最大値よりも大きい場合があってもよい。ただし、半導体電極における光電変換反応をより効率よく進行させる観点から、最内部の層から最外部の層にかけて細孔径分布の最大値が単調に増加している状態、又は、最内部の層と最外部の層との間に配置される層のうち、一部の隣り合う層同士の細孔径分布の最大値が同じ値をとる状態が好ましい。
【００２１】
また、本発明の光電極においては、最外部の層における細孔径分布の最大値が１０〜１０００ｎｍであり、かつ、最外部の層における細孔径分布の最大値と最内部の層における細孔径分布の最大値との差が３〜９９０ｎｍであることが好ましい。これにより、半導体電極内における光電変換効率をより精密に向上させることができる。
【００２２】
ここで、最外部の層における細孔径分布の最大値が１０ｎｍ未満であると、電極内への増感色素や電解質の拡散速度が極端に低下するおそれがある。一方、最外部の層における細孔径分布の最大値が１０００ｎｍを超えると、色素吸着量が極端に減少するために電池の特性が低下するおそれがある。また、最外部の層における細孔径分布の最大値と最内部の層における細孔径分布の最大値との差が３ｎｍ未満であると、前述の本発明における作用効果を十分に得ることが困難となり電池特性の十分な向上が得られないおそれがある。一方、この差が９９０ｎｍを超えると、最外部の層の色素吸着量が極端に減少するために電池の特性が低下するおそれがある。
【００２３】
そして、上記と同様の観点から、最外部の層における細孔径分布の最大値は１０〜５００ｎｍであることがより好ましく１２〜３００ｎｍであることが更に好ましい。また、最外部の層における細孔径分布の最大値と最内部の層における細孔径分布の最大値との差は３〜５００ｎｍであることがより好ましく５〜３００ｎｍであることが更に好ましい。
【００２４】
また、本発明は、受光面を有する半導体電極と、当該受光面上に隣接して配置された透明電極とを有する光電極であって、半導体電極が複数の層から構成されており、複数の層の各層は酸化物半導体粒子で構成される多孔質膜からなり、各層における細孔径分布の平均値が、透明電極に最も近い位置に配置される最内部の層から透明電極に対して最も遠い位置に配置される最外部の層にかけて増加していること、を特徴とする光電極を提供する。
【００２５】
上記の細孔構造を有する半導体電極を備えた光電極も、前述の細孔構造を有する半導体電極を備えた光電極と同様に、優れた光線変換効率を得ることができる。
【００２６】
ここで、本発明において、「各層における細孔径分布の平均値が、最内部の層から最外部の層にかけて増加している」状態とは、前述の各層における細孔径分布の最大値の場合と同様に、一端に位置する最外部の層の細孔径分布の平均値が他端に位置する最内部の層の細孔径分布の平均値よりも最終的に大きくなっており、複数の層を全体としてみた場合に各層の細孔径分布の平均値が最内部の層から最外部の層にかけて概略的に増加している状態を示す。
【００２７】
この場合にも、前述の各層における細孔径分布の最大値の場合と同様に、例えば、最内部の層から最外部の層にかけて細孔径分布の平均値が単調に増加している状態であってもよい。また、例えば、最内部の層と最外部の層との間に配置される層のうち、一部の隣り合う層同士の細孔径分布の平均値が同じ値をとる状態であってもよい。更に、最内部の層と最外部の層との間に配置される層のうち、一部の隣り合う層同士の細孔径分布の平均値を比較した場合、最内部の層の側に位置する層の細孔径分布の平均値が最外部の層の側に位置する層の細孔径分布の平均値よりも大きい場合があってもよい。ただし、半導体電極における光電変換反応をより効率よく進行させる観点から、最内部の層から最外部の層にかけて細孔径分布の平均値が単調に増加している状態、又は、最内部の層と最外部の層との間に配置される層のうち、一部の隣り合う層同士の細孔径分布の平均値が同じ値をとる状態が好ましい。
【００２８】
また、この場合にも、前述の各層における細孔径分布の最大値の場合と同様の観点から、最外部の層における細孔径分布の平均値が１０〜５００ｎｍであり、かつ、最外部の層における細孔径分布の平均値と最内部の層における細孔径分布の平均値との差が３〜４９０ｎｍであることが好ましい。これにより、半導体電極内における光電変換効率をより精密に向上させることができる。そして、この場合にも、最外部の層における細孔径分布の平均値は１２〜３００ｎｍであることがより好ましく１２〜２００ｎｍであることが更に好ましい。また、最外部の層における細孔径分布の平均値と最内部の層における細孔径分布の平均値との差は３〜３００ｎｍであることがより好ましく５〜２００ｎｍであることが更に好ましい。
【００２９】
なお、本発明において、半導体電極の各層の細孔径分布の最大値或いは細孔径分布の平均値を求めるための細孔径分布曲線は、次に述べる方法により求めることができる。すなわち、各層を構成する多孔質膜と同様の多孔質材料を液体窒素温度（−１９６℃）に冷却して窒素ガスを導入し、定容量法あるいは重量法によりその吸着量を求め、次いで、導入する窒素ガスの圧力を徐々に増加させ、各平衡圧に対する窒素ガスの吸着量をプロットし、吸着等温線を得る。細孔径分布曲線は、この吸着等温線を用い、Cranston-Inklay法、Dollimore-Heal法、BJH法等の計算法により求めることができる。また、水銀圧入法を用いて、高圧の水銀を試料の細孔内に圧入することにより細孔分布曲線を求めることもできる。
【００３０】
また、本発明は、受光面を有する半導体電極と当該半導体電極の受光面上に隣接して配置された透明電極とを有する光電極と、対極とを有しており、半導体電極と対極とが電解質を介して対向配置された色素増感型太陽電池であって、光電極が前述した本発明の光電極であることを特徴とする色素増感型太陽電池を提供する。このように、前述した本発明の光電極を用いることにより、優れたエネルギー変換効率を有する色素増感型太陽電池を構成することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の光電極及び色素増感型太陽電池の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明では、同一または相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
【００３２】
図１は、本発明の光電極の好適な一実施形態を示す模式断面図である。また、図２は、図１に示した領域１００の部分の模式拡大断面図である。更に、図３は、図１に示した光電極を備えた色素増感型太陽電池を示す模式断面図である。
【００３３】
図１に示す光電極１０は、主として、受光面Ｆ２を有する半導体電極２と、当該半導体電極２の受光面Ｆ２上に隣接して配置された透明電極１ととから構成されている。また、図３に示す色素増感型太陽電池２０は、主として、図１に示した光電極１０と、対極ＣＥと、スペーサーＳにより光電極１０と対極ＣＥとの間に形成される間隙に充填された電解質Ｅとから構成されている。そして、半導体電極２は、受光面Ｆ２と反対側の裏面Ｆ２２において電解質Ｅと接触している。
【００３４】
この色素増感型太陽電池２０は、透明電極１を透過して半導体電極２に照射される光Ｌ１０によって半導体電極２内において電子を発生させる。そして、半導体電極２内において発生した電子は、透明電極１に集められて外部に取り出される。
【００３５】
透明電極１の構成は特に限定されるものではなく、通常の色素増感型太陽電池に搭載される透明電極を使用できる。例えば、図１及び図３の透明電極１は、ガラス基板等の透明基板４の半導体電極２の側に光を透過させるためのいわゆる透明導電膜３をコートした構成を有する。この透明導電膜３としては、液晶パネル等に用いられる透明電極を用いればよい。例えば、フッ素ドープＳｎＯ2コートガラス、ＩＴＯコートガラス、ＺｎＯ：Ａｌコートガラス等が挙げられる。また、メッシュ状、ストライプ状など光が透過できる構造にした金属電極をガラス基板等の基板４上に設けたものでもよい。
【００３６】
透明基板４としては、液晶パネル等に用いられる透明基板を用いてよい。具体的には透明なガラス基板、ガラス基板表面を適当に荒らすなどして光の反射を防止したもの、すりガラス状の半透明のガラス基板など光を透過するものが透明基板材料として挙げられる。なお、光を透過するものであれば材質はガラスでなくてもよく、透明プラスチック板、透明プラスチック膜、無機物透明結晶体などでもよい。
【００３７】
図１及び図２に示すように、半導体電極２は、酸化物半導体粒子で構成される多孔質膜からなる３つの層から構成されている。すなわち、半導体電極２は、透明電極１に最も近い位置に配置される最内部の層２１と、透明電極１に対して最も遠い位置に配置される最外部の層２２と、最内部の層２１と最外部の層２２との間に配置される内部層２３とから構成されている。
【００３８】
そして、３つの層のそれぞれにおける細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値を比較すると、各層ごとの細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値は最内部の層２１から最外部の層２２にかけて増加している。この光電極１０においては、上記の構造を有する半導体電極２を備えることにより、当該半導体電極２内における増感色素の十分な吸着量の確保と光電変換効率の向上が図られている。
【００３９】
ここで、３つの層のそれぞれの細孔構造が上記の細孔径分布の最大値の条件に従って形成されている場合、最外部の層２２における細孔径分布の最大値は好ましくは１０〜１０００ｎｍとなるように調節されており、最外部の層における細孔径分布の最大値と最内部の層における細孔径分布の最大値との差は好ましくは３〜９９０ｎｍとなるように調節されている。
【００４０】
更に、３つの層のそれぞれの細孔構造が上記の細孔径分布の平均値の条件に従って形成されている場合、最外部の層２２における細孔径分布の平均値は好ましくは１０〜５００ｎｍとなるように調節されており、最外部の層における細孔径分布の平均値と最内部の層における細孔径分布の平均値との差は好ましくは３〜４９０ｎｍとなるように調節されている。
【００４１】
各層ごとの細孔構造を上記の細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値の条件を満たすように調節する方法としては、各層を構成する酸化物半導体粒子の平均粒径を調節する方法がある。また、その他の方法としては、後述するように半導体電極の各層を作製する際に、各層を形成するための酸化物半導体粒子を含むスラリー又はペースト酸化物半導体粒子以外の物質を所定量混入しておき、これを最終的に除去することにより上記の細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値の条件を満たす細孔（空隙）を形成する方法が挙げられる。
【００４２】
図２は、半導体電極２の各層を構成する酸化物半導体粒子（P１及びP３）の粒径を制御することにより、各層ごとの細孔構造を上記の細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値の条件を満たすように調節した場合の一例を示している。以下、この場合について説明する。半導体電極２の各層を構成する酸化物半導体粒子の粒径を調節する場合、各層ごとの酸化物半導体粒子の平均粒径を最内部の層２１から最外部の層２２にかけて増加させることにより調節することができる。
【００４３】
このとき、先に述べた各層の細孔構造を構築する観点から、最外部の層２２における酸化物半導体粒子Ｐ３の平均粒径は５０〜５００ｎｍであることが好ましく、８０〜３００ｎｍであることがより好ましい。また、最外部の層２２における酸化物半導体粒子Ｐ３の平均粒径と最内部の層２１における酸化物半導体粒子Ｐ１の平均粒径との差は１０〜４００ｎｍであることが好ましく、２０〜３００ｎｍであることがより好ましい。
【００４４】
ここで、最外部の層における酸化物半導体粒子の平均粒径が５０ｎｍ未満であると、細孔径が小さくなり電極内における電解質や増感色素の拡散速度が低下するおそれがある。一方、最外部の層における酸化物半導体粒子の平均粒径が５００ｎｍを超えると、電極内の増感色素量が減少し入射光吸収効率が低下するおそれがある。また、最外部の層における酸化物半導体粒子の平均粒径と最内部の層における酸化物半導体粒子の平均粒径との差が１０ｎｍ未満であると、細孔径の差が小さくなり電極内における電解質や増感色素の拡散速度が低下するおそれがある。一方、この差が４００ｎｍを超えると、最外部の層における酸化物半導体の平均粒径が大きくなり電極内の増感色素量が減少するおそれがある。
【００４５】
図２に示す半導体電極２の最内部の層２１は、主として、平均粒径の小さな酸化物半導体粒子Ｐ１とこの酸化物半導体粒子Ｐ１の表面に吸着された増感色素Ｐ２とから構成されている。また、内部層２３及び最外部の層２２は、主として、酸化物半導体粒子Ｐ１と、この酸化物半導体粒子Ｐ１よりも平均粒径の大きな酸化物半導体粒子Ｐ３と、これら酸化物半導体粒子Ｐ１及び酸化物半導体粒子Ｐ３の表面に吸着された増感色素Ｐ２とから構成されている。
【００４６】
ここで、酸化物半導体粒子Ｐ１の平均粒径は好ましくは５〜１００ｎｍとなるように調節されている。また、酸化物半導体粒子Ｐ３の平均粒径は好ましくは１００ｎｍよりも大きくなるように調節されている。そして、最外部の層２２における酸化物半導体粒子Ｐ１と酸化物半導体粒子Ｐ３との合量に対する酸化物半導体粒子Ｐ３の配合割合は、内部層２３における酸化物半導体粒子Ｐ１と酸化物半導体粒子Ｐ３との合量に対する酸化物半導体粒子Ｐ３の配合割合よりも大きくなるように調節されている。その結果、各層ごとの酸化物半導体粒子の平均粒径は最内部の層２１から最外部の層２２にかけて増加することになる。なお、この光電極１０の場合には、最内部の層２１には、酸化物半導体粒子Ｐ３は実質的に含有されていない。その結果、半導体電極２の各層の細孔径分布の最大値又は平均値が半導体電極２の受光面Ｆ２から半導体電極２の裏面Ｆ２２にかけた半導体の厚み方向に沿って徐々に増加することになる。
【００４７】
上記酸化物半導体粒子Ｐ１及び酸化物半導体粒子Ｐ３は特に限定されるものではなく、公知の酸化物半導体等を使用することができる。酸化物半導体としては、例えば、ＴｉＯ2，ＺｎＯ，ＳｎＯ2，Ｎｂ2Ｏ5，Ｉｎ2Ｏ3，ＷＯ3，ＺｒＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＳｒＴｉＯ3，ＢａＴｉＯ3等を用いることができる。
【００４８】
また、半導体電極２の第一の半導体層５及び第二の半導体層６に含有させる増感色素Ｐ２は特に限定されるものではなく、可視光領域および／または赤外光領域に吸収を持つ色素であればよい。この増感色素Ｐ２としては、金属錯体や有機色素等を用いることができる。金属錯体としては銅フタロシアニン、チタニルフタロシアニン等の金属フタロシアニン、クロロフィルまたはその誘導体、ヘミン、ルテニウム、オスミウム、鉄及び亜鉛の錯体（例えばシス−ジシアネート−ビス（２、２’−ビピリジル−４、４’−ジカルボキシレート）ルテニウム（ＩＩ））等が挙げられる。有機色素としては，メタルフリーフタロシアニン，シアニン系色素，メタロシアニン系色素，キサンテン系色素，トリフェニルメタン系色素等を用いることができる。
【００４９】
また、半導体電極２の厚みは、３〜５０μｍであることが好ましく、５〜３０μｍであることがより好ましく、６〜１８μｍであることが更に好ましい。半導体電極の厚みが３μｍ未満となると、色素吸着量が少なくなり光を有効に吸収できなくなる傾向が大きくなる。一方、半導体電極の厚みが５０μｍを超えると、電気抵抗が大きくなり半導体に注入されたキャリアの損失量が多くなるとともに、イオン拡散抵抗が増大して、光励起されて半導体への電子注入を果した後の色素に対するＩ-からの電子注入によってＩ3 -の対極への搬出が阻害され、電池の出力特性が低下する傾向が大きくなる。
【００５０】
また、対極ＣＥは、特に限定されるものではなく、例えば、シリコン太陽電池、液晶パネル等に通常用いられている対極と同じものを用いてよい。例えば、前述の透明電極１と同じ構成を有するものであってもよく、透明電極１と同様の透明導電膜３上にＰｔ等の金属薄膜電極を形成し、金属薄膜電極を電解質Ｅの側に向けて配置させるものであってもよい。また、透明電極１の透明導電膜３に白金を少量付着させたものであってもよく、白金などの金属薄膜、炭素などの導電性膜などであってもよい。
【００５１】
更に、電解質Ｅの組成も光励起され半導体への電子注入を果した後の色素を還元するための酸化還元種を含んでいれば特に限定されないが、Ｉ-／Ｉ3 -等の酸化還元種を含むヨウ素系レドックス溶液が好ましく用いられる。具体的には、Ｉ-／Ｉ3 -系の電解質はヨウ素のアンモニウム塩あるいはヨウ化リチウムとヨウ素を混合したものなどを用いることができる。その他、Ｂｒ-／Ｂｒ3 -系、キノン／ハイドロキノン系などのレドックス電解質をアセトニトリル、炭酸プロピレン、エチレンカーボネートなどの電気化学的に不活性な溶媒（およびこれらの混合溶媒）に溶かしたものも使用できる。
【００５２】
また、スペーサーＳの構成材料は特に限定されるものではなく、例えば、シリカビーズ等を用いることができる。
【００５３】
次に、図１に示した光電極１０及び図３に示した色素増感型太陽電池２０の製造方法の一例について説明する。
【００５４】
先ず、透明電極１を製造する場合は、ガラス基板等の基板４上に先に述べたフッ素ドープＳｎＯ2等の透明導電膜３をスプレーコートする等の公知の方法を用いて形成することができる。
【００５５】
次に、透明電極１の透明導電膜３上に半導体電極２の各層を形成する方法としては、例えば、以下の方法がある。すなわち、先ず、酸化チタン等の半導体粒子Ｐ１を分散させた最内部の層２１を形成するための分散液を調製する。この分散液の溶媒は水、有機溶媒、または両者の混合溶媒など酸化物半導体粒子Ｐ１を分散できるものなら特に限定されない。また、分散液中には必要に応じて界面活性剤、粘度調節剤を加えてもよい。次に、分散液を透明電極１の透明導電膜３上に塗布し、次いで乾燥する。このときの塗布方法としてはバーコーター法、印刷法などを用いることができる。
【００５６】
そして、乾燥した後、空気中、不活性ガス或いは窒素中で加熱、焼成して半導体電極２の最内部の層２１（多孔質半導体膜）を形成する。このときの焼成温度は３００〜８００℃が好ましい。焼成温度が３００℃未満であると酸化物半導体粒子Ｐ１間の固着、基板への付着力が弱くなり十分な強度がでなくなるおそれがある。焼成温度が８００℃を超えると酸化物半導体粒子Ｐ１間の固着が進み、半導体電極２（多孔質半導体膜）の表面積が小さくなるおそれがある。
【００５７】
次に、最内部の層２１上に内部層２３を形成する場合には、例えば、上記の最内部の層２１を形成するための分散液に、所定量の酸化物半導体粒子Ｐ３を更に添加させた組成を有する分散液を調製する以外は、上述した最内部の層２１を形成する方法と同様にして内部層２３を形成することができる。更に、内部層２３上に最外部の層２２を形成する場合にも、例えば、上記の最内部の層２１を形成するための分散液に、所定量の酸化物半導体粒子Ｐ３を更に添加させた組成を有する分散液を調製する以外は、上述した最内部の層２１を形成する方法と同様にして内部層２３上に最外部の層２２を形成することができる。
【００５８】
次に、半導体電極２中に浸着法等の公知の方法により増感色素Ｐ２を含有させる。増感色素Ｐ２は半導体電極２に付着（化学吸着、物理吸着または堆積など）させることにより含有させる。この付着方法は、例えば色素を含む溶液中に半導体電極２を浸漬するなどの方法を用いることができる。この際、溶液を加熱し還流させるなどして増感色素の吸着、堆積を促進することができる。なお、このとき、色素の他に必要に応じて、銀等の金属やアルミナ等の金属酸化物を半導体電極２中に含有させてもよい。
【００５９】
なお、半導体電極２内に含まれる光電変換反応を阻害する不純物を除去する表面酸化処理を、各層それぞれの形成時毎、或いは、各層全てを形成した時などに公知の方法により適宜施してもよい。
【００６０】
また、透明電極１の透明導電膜３上に半導体電極２を形成する他の方法としては、以下の方法がある。すなわち、透明電極１の透明導電膜３上にＴｉＯ2等の半導体を膜状に蒸着させる方法を用いてもよい。透明導電膜３上に半導体を膜状に蒸着させる方法としては公知の方法を用いることができる。例えば、電子ビーム蒸着、抵抗加熱蒸着、スパッタ蒸着、クラスタイオンビーム蒸着等の物理蒸着法を用いてもよく、酸素等の反応性ガス中で金属等を蒸発させ、反応生成物を透明導電膜３上に堆積させる反応蒸着法を用いてもよい。更に、反応ガスの流れを制御する等してＣＶＤ等の化学蒸着法を用いることもできる。
【００６１】
このようにして光電極１０を作製した後は、公知の方法により対極ＣＥを作製し、これと光電極１０と、スペーサーＳを図１に示すように組み上げて、内部に電解質Ｅを充填し、色素増感型太陽電池２０を完成させる。
【００６２】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。
【００６３】
例えば、上記の実施形態においては、各層ごとの細孔構造を上述の細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値の条件を満たすように調節する方法として、各層ごとの酸化物半導体粒子の平均粒径を最内部の層２１から最外部の層２２にかけて増加させることにより調節する方法を採用した場合について説明したが、本発明において、各層ごとの酸化物半導体粒子の平均粒径を最内部の層２１から最外部の層２２にかけて増加させる具体的な方法は上記の実施形態に特に限定されない。
【００６４】
例えば、半導体電極の複数の層の各層に平均粒径の異なる１種類の酸化物半導体粒子を含有させることにより調節してもよく、半導体電極の複数の層の各層毎にそれぞれ平均粒径の異なる少なくとも２種の酸化物半導体粒子を含有させることにより調節してもよく、半導体電極の複数の層の少なくとも１つの層に平均粒径の異なる少なくとも２種の酸化物半導体粒子を含有させることにより調節してもよい。
【００６５】
具体的には、例えば、図４に示すように、半導体電極２の最内部の層２１にも酸化物半導体粒子Ｐ３が含まれており、各層における酸化物半導体粒子Ｐ１と酸化物半導体粒子Ｐ３との合量に対する酸化物半導体粒子Ｐ３の配合割合が、最内部の層２１から最外部の層２２にかけて増加している構成でもよい。
【００６６】
また、例えば、図５に示すように、半導体電極２の最外部の層２２を構成する半導体材料が１種類の酸化物半導体粒子Ｐ３のみであり、最内部の層２１を構成する半導体材料が１種類の酸化物半導体粒子Ｐ１のみであり、内部層２３を構成する半導体材料が２種類の酸化物半導体粒子Ｐ１及びＰ３であってもよい。
【００６７】
更に、例えば、図６に示すように、半導体電極２の最内部の層２１を構成する半導体材料が１種類の酸化物半導体粒子Ｐ１のみであり、内部層２３を構成する半導体材料が１種類の酸化物半導体粒子Ｐ３のみであり、最外部の層２２を構成する半導体材料が酸化物半導体粒子Ｐ３よりも大きな平均粒径を有する１種類の酸化物半導体粒子Ｐ４のみである構成でもよい。
【００６８】
例えば、上記の実施形態においては、３層の構造を有する半導体電極を備えた光電極及びこれを備える色素増感型太陽電池について説明したが、本発明の光電極及び色素増感型太陽電池はこれに限定されるものではない。例えば、本発明の光電極は、図７に示す光電極１４のように、４層以上の層から構成された半導体電極２を備える構成を有していてもよい。例えば、図７に示す光電極１４の半導体電極２は、最内部の層２１と最外部の層２２と、最内部の層２１と最外部の層２２との間に配置される内部層２３及び２４とから構成されている。そして、この場合、半導体電極２の４つの層のそれぞれにおける細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値が最内部の層２１から最外部の層２２にかけて増加するように調節されている。また、２層の構造を有する半導体電極（図示せず）を備える構成を有していてもよい。
【００６９】
また、上記の実施形態においては、半導体電極の各層ごとの細孔構造を前述の細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値の条件を満たすように調節する方法として、各層を構成する酸化物半導体粒子の粒径を調節する方法を用いる場合について説明したが、本発明において、半導体電極の各層ごとの細孔構造を前述の細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値の条件を満たすように調節する方法は特に限定されるものではない。
【００７０】
各層を構成する酸化物半導体粒子の平均粒径を調節する方法の他の方法としては、半導体電極の各層を作製する際に、各層を形成するための酸化物半導体粒子を含むスラリー又はペースト酸化物半導体粒子以外の物質を所定量混入しておき、これを最終的に除去することにより上記の細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値の条件を満たす細孔（空隙）を形成する方法が挙げられる。
【００７１】
このような細孔を形成する方法としては、より具体的には、例えば、半導体電極を作製する方法として各層の酸化物半導体膜を形成するための酸化物半導体粒子を含むスラリー又はペーストを透明電極等に塗布又は印刷し、その後、乾燥させて更に熱処理する方法を用いる場合に、スラリー又はペースト中に、熱処理により酸化反応等を進行させて除去することができる物質（例えば、ポリエチレングリコール等の有機物）を添加しておき、これを熱処理により除去する方法がある。この場合、熱処理により除去することができる物質の添加量を調節することにより、半導体電極の各層ごとの細孔径分布を制御することができる。
【００７２】
また、他の細孔を形成する方法として、上述の半導体電極の作製方法を用いる場合に、熱処理により除去することができる物質のかわりに熱処理では除去できない物資を上述のスラリー又はペーストに所定量添加しておき、熱処理した後の半導体電極から除去する方法もある。具体的には、例えば、塩化カリウム、塩化ナトリウムなどの塩類を上述のスラリー又はペーストに添加しておき、熱処理後に水で塩類を溶出させる方法がある。更に、他の細孔を形成する方法として、上述の半導体電極の作製方法を用いる場合に、酸やアルカリなどにより溶出できる微粒子を所定量添加しておき、熱処理後に該微粒子を除去する方法もある。
【００７３】
また、他の細孔を形成する方法として、半導体電極を作製した後或いは半導体電極の各層を作製する度ごとに、半導体電極の各層を構成する酸化物半導体の一部を溶解等によって除去する方法もある。この場合の除去方法としては、例えば、酸化剤を含む溶液で酸化物半導体の一部を溶解させる方法がある。また、酸化剤を含む溶液を用いるかわりに、半導体電極の各層を構成する酸化物半導体の一部を溶液中で電気化学的に溶解させる方法、又は、半導体電極の各層を構成する酸化物半導体の一部を光を照射した溶液中で光電気化学的に溶解させる方法がある。
【００７４】
このような細孔を形成する方法を用いることにより、例えば、図８に示すように、最内部の層２１と最外部の層２２とを有する光電極を構成することができる。すなわち、図８に示す半導体電極２の最内部の層２１及び最外部の層２２は、ともに増感色素Ｐ２が吸着した１種類の酸化物半導体粒子Ｐ１のみで構成されているが、最内部の層２１中の酸化物半導体粒子Ｐ１間に形成される細孔（空隙）部分Ｒ２１の大きさが、最外部の層２２中の酸化物半導体粒子Ｐ１間に形成される細孔（空隙）部分Ｒ２２の大きさよりも小さくなるように形成されている。ここで、この場合にも半導体電極２は３層以上の構成を有していてもよい。
【００７５】
なお、本発明において上述した各層ごとの細孔構造を上述の細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値の条件を満たすように調節する方法は任意に組み合わせることもできる。
【００７６】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明の光電極及び色素増感型太陽電池について更に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００７７】
（実施例１）
以下に示す手順により、図１に示した光電極１０と同様の構成を有する光電極を作製し、更に、この光電極を用いて図３に示した色素増感型太陽電池２０と同様の構成を有する５×２０ｍｍのスケールの色素増感型太陽電池を作製した。
【００７８】
オートクレーブ内に、Ｔｉを含む化学種（チタンアルコキシド）、イオン交換水、ｐＨ調製剤（硝酸、アンモニア等）を入れ、所定の反応条件下において、Ｔｉを含む化学種の加水分解反応を進行させ、次いで、得られるＴｉＯ2粒子の結晶化を進行させることにより、平均粒径が２７ｎｍのＴｉＯ2粒子（アナターゼ、以下、Ｐ２７という）を含むコロイド溶液（以下、コロイド溶液１という）を調製した。次に、オートクレーブ内における反応条件を変えたこと以外は上記コロイド溶液１と同様の手順により、平均粒径が５６ｎｍのＴｉＯ2粒子（アナターゼ、以下、Ｐ５６という）を含むコロイド溶液（以下、コロイド溶液２という）、平均粒径が１１２ｎｍのＴｉＯ2粒子（アナターゼ、以下、Ｐ１１２という）を含むコロイド溶液（以下、コロイド溶液３という）、平均粒径が１９８ｎｍのＴｉＯ2粒子（アナターゼ、以下、Ｐ１９８という）を含むコロイド溶液（以下、コロイド溶液４という）を調製した。なお、これらのコロイド溶液１〜４に含まれるＴｉＯ2粒子の平均粒径は、光散乱光度計（大塚電子社製）を用いて、レーザー光の動的光散乱を解析することにより求めた。
【００７９】
次に、コロイド溶液１〜４のそれぞれに対して溶媒希釈や溶媒除去を施すことによりＴｉＯ2粒子の濃度を調製し、更に、セルロース系の粘度調整剤を加えることにより以下に示すペーストを調製した。
【００８０】
すなわち、コロイド溶液１及びコロイド溶液４を使用してＰ２７とＰ１９８との質量比をＰ２７：Ｐ１９８＝７：３としたペースト（以下、ペースト１という）、コロイド溶液１及びコロイド溶液４を使用してＰ２７とＰ１９８との質量比をＰ２７：Ｐ１９８＝１：１としたペースト（以下、ペースト２という）コロイド溶液１及びコロイド溶液４を使用してＰ２７とＰ１９８との質量比をＰ２７：Ｐ１９８＝３：７としたペースト（以下、ペースト３という）を調製した。
【００８１】
一方、ガラス基板４（透明導電性ガラス）上にフッ素ドープされたＳｎＯ2導電膜３（膜厚；７００ｎｍ）を形成した透明電極１（厚さ；１．１ｍｍ）を準備した。そして、ペースト１を最内部の層２１の形成に用い、ペースト２を内部層２３の形成に用い、ペースト３を最外部の層２２の形成に用いた。すなわち、このＳｎＯ2導電膜３上に、上述のペースト１をスクリーン印刷し、次いで乾燥させた。その後、大気中、４５０℃の条件のもとで３０分間焼成した。更に、ペースト２及びペースト３を用いてこのスクリーン印刷と焼成とを繰り返すことにより、ＳｎＯ2導電膜上に図１に示す半導体電極２と同様の構成の半導体電極を形成し、増感色素を含有していない光電極を作製した。
【００８２】
なお、この半導体電極について、受光面の面積；１．０ｃｍ2、半導体電極の厚さ；１２μｍ、最内部の層２１の層厚；４μｍ、内部層２３の層厚；４μｍ、最外部の層２２の層厚；４μｍであり、最内部の層２１内の細孔径分布の最大値；１２ｎｍ、最内部の層２１内の細孔径分布の平均値；１４ｎｍ、内部層２３内の細孔径分布の最大値；１４ｎｍ、内部層２３内の細孔径分布の平均値；１７ｎｍ、最外部の層内の細孔径分布の最大値；３０ｎｍ、最外部の層内の細孔径分布の平均値；３０ｎｍであった。
【００８３】
ここで、半導体電極の各層内の細孔径分布は以下のようにして測定した。すなわち、同一条件で塗布（スクリーン印刷）して更に熱処理した後の半導体電極の各層を構成する多孔質の酸化物半導体膜を削り落として粉末としたものを試料とし、ガス吸着測定装置（Quantachrome社製、「AUTOSORB」）を用いて窒素吸着法によりこの試料に関する等温吸着線を得て、BJH法で計算し求めた。なお、異なる構造の層を積層した場合も各層をダイヤモンド砥石などで平面研削し、各層ごとの粉末を回収して同様に測定・解析して細孔径分布曲線を求めた。
【００８４】
次に、上記の半導体電極の裏面を酸化処理した。その後、半導体電極の裏面に色素を以下のようにして吸着させた。先ず、増感色素としてルテニウム錯体［cis-Di(thiocyanato)-N,N'-bis(2,2'-bipyridyl-4,4'dicarboxylic acid)-ruthenium(II)］を用い、これのエタノール溶液（増感色素の濃度；３×１０-4ｍｏｌ／Ｌ）を調製した。次に、この溶液に半導体電極を浸漬し、８０℃の温度条件のもとで２０時間放置した。これにより、半導体電極２の内部に増感色素を約１．０×１０-7ｍｏｌ／ｃｍ2吸着させた。次に、開放電圧Ｖｏｃを向上させるために、ルテニウム錯体吸着後の半導体電極を４-tert-ブチルピリジンのアセトニトリル溶液に１５分浸漬した後、２５℃に保持した窒素気流中において乾燥させ、光電極１２を完成させた。
【００８５】
（実施例２）
半導体電極の製造を以下のようにして行ったこと以外は、実施例１と同様の手順により図１に示した光電極１０及び図３に示した色素増感型太陽電池２０と同様の構成を有する光電極及び色素増感型太陽電池を作製した。
【００８６】
すなわち、実施例１において調製したコロイド溶液１及びコロイド溶液３を使用してＰ２７とＰ１１２との質量比をＰ２７：Ｐ１１２＝７：３としたペースト（以下、ペースト４という）、コロイド溶液１及びコロイド溶液３を使用してＰ２７とＰ１１２との質量比をＰ２７：Ｐ１１２＝１：１としたペースト（以下、ペースト５という）、コロイド溶液１及びコロイド溶液３を使用してＰ２７とＰ１１２との質量比をＰ２７：Ｐ１１２＝３：７としたペースト（以下、ペースト６という）、を調製した。
【００８７】
そして、ペースト４を最内部の層２１の形成に用い、ペースト５を内部層２３の形成に用い、ペースト６を最外部の層２２の形成に用いたこと以外は、実施例１と同様手順により、透明電極１上に図１に示す半導体電極２と同様の構成の半導体電極を形成した。
【００８８】
なお、この半導体電極について、受光面の面積；１．０ｃｍ2、半導体電極の厚さ；１２μｍ、最内部の層２１の層厚；４μｍ、内部層２３の層厚；４μｍ、最外部の層２２の層厚；４μｍであり、最内部の層２１内の細孔径分布の最大値；１０ｎｍ、最内部の層２１内の細孔径分布の平均値；１２ｎｍ、内部層２３内の細孔径分布の最大値；１３ｎｍ、内部層２３内の細孔径分布の平均値；１８ｎｍ、最外部の層内の細孔径分布の最大値；２１ｎｍ、最外部の層内の細孔径分布の平均値；２２ｎｍであった。
【００８９】
（実施例３）
半導体電極の製造を以下のようにして行ったこと以外は、実施例１と同様の手順により図１に示した光電極１０及び図３に示した色素増感型太陽電池２０と同様の構成を有する光電極及び色素増感型太陽電池を作製した。
【００９０】
すなわち、実施例１において調製したコロイド溶液２及びコロイド溶液４を使用してＰ５６とＰ１９８との質量比をＰ５６：Ｐ１９８＝７：３としたペースト（以下、ペースト７という）、コロイド溶液１及びコロイド溶液３を使用してＰ５６とＰ１９８との質量比をＰ５６：Ｐ１９８＝１：１としたペースト（以下、ペースト８という）、コロイド溶液１及びコロイド溶液３を使用してＰ５６とＰ１９８との質量比をＰ５６：Ｐ１９８＝３：７としたペースト（以下、ペースト９という）、を調製した。
【００９１】
そして、ペースト７を最内部の層２１の形成に用い、ペースト８を内部層２３の形成に用い、ペースト９を最外部の層２２の形成に用いたこと以外は、実施例１と同様手順により、透明電極１上に図１に示す半導体電極２と同様の構成の半導体電極を形成した。
【００９２】
なお、この半導体電極について、受光面の面積；１．０ｃｍ2、半導体電極の厚さ；１２μｍ、最内部の層２１の層厚；４μｍ、内部層２３の層厚；４μｍ、最外部の層２２の層厚；４μｍであり、最内部の層２１内の細孔径分布の最大値；２９ｎｍ、最内部の層２１内の細孔径分布の平均値；３１ｎｍ、内部層２３内の細孔径分布の最大値；４１ｎｍ、内部層２３内の細孔径分布の平均値；４２ｎｍ、最外部の層内の細孔径分布の最大値；５２ｎｍ、最外部の層内の細孔径分布の平均値；５４ｎｍであった。
【００９３】
（実施例４）
実施例1において調製したコロイド溶液1に8質量％のポリエチレングリコール（平均分子量；20000）を添加したスラリー（以下、スラリー1という）を調製した。同様に、コロイド溶液1に25質量％のポリエチレングリコールを添加したスラリー（以下、スラリー2という）と、40質量％のポリエチレングリコールを添加したスラリー（以下、スラリー3という）を調製した。
【００９４】
そして、スラリー1をバーコート法で透明電極１上に塗布し、乾燥させた後に450℃で焼成し最内部の層２１を形成した。次に、スラリー２を内部層２３の形成に用いるとともに、スラリー３を最外部の層２２の形成に用いて最内部の層２１の形成と同様の手順により、内部層２３と最外部の層２２とを形成した。
【００９５】
そして、実施例１と同様の手順により、透明電極１上に図１に示す半導体電極２と同様の構成の半導体電極を形成した。なお、この半導体電極について、受光面の面積；1.0ｃｍ2、半導体電極の厚さ；12μｍ、最内部の層２１の層厚；４μｍ、内部層２３の層厚；４μｍ、最外部の層２２の層厚；４μｍであり、最内部の層２１の細孔径分布の最大値；１０ｎｍ、最内部の層２１内の細孔径分布の平均値；１２ｎｍ、内部層２３の細孔径分布の最大値；１８ｎｍ、内部層２３内の細孔径分布の平均値；２０ｎｍ、最外部の層の細孔径分布の最大値；２６ｎｍ、最外部の層２２内の細孔径分布の平均値；２９ｎｍであった。
【００９６】
（実施例５）
実施例1において調製したコロイド溶液1とコロイド溶液4を使用してＰ２７：Ｐ１９８＝５：５とした溶液に8質量％のポリエチレングリコール（平均分子量；20000）を添加したスラリー（以下、スラリー４という）を調製した。同様にして、上記のコロイド溶液に25質量％のポリエチレングリコールを添加したスラリー（以下、スラリー５という）と、40質量％のポリエチレングリコールを添加したスラリー（以下、スラリー６という）を調製した。
【００９７】
そして、スラリー４をバーコート法で透明電極１上に塗布し、乾燥させた後に450℃で焼成し最内部の層２１を形成した。次に、スラリー５を内部層２３の形成に用いるとともに、スラリー６を最外部の層２２の形成に用いて最内部の層２１の形成と同様の手順により、内部層２３と最外部の層２２とを形成した。
【００９８】
そして、実施例１と同様の手順により、透明電極１上に図１に示す半導体電極２と同様の構成の半導体電極を形成した。なお、この半導体電極について、受光面の面積；1.0ｃｍ2、半導体電極の厚さ；12μｍ、最内部の層２１の層厚；４μｍ、内部層２３の層厚；４μｍ、最外部の層２２の層厚；４μｍであり、最内部の層２１の細孔径分布の最大値；１８ｎｍ、最内部の層２１内の細孔径分布の平均値；２２ｎｍ、内部層２３の細孔径分布の最大値；２７ｎｍ、内部層２３内の細孔径分布の平均値；３４ｎｍ、最外部の層の細孔径分布の最大値；３９ｎｍ、最外部の層２２内の細孔径分布の平均値；４５ｎｍであった。
【００９９】
（実施例６）
実施例４において調製したスラリー１をバーコート法で透明電極１上に塗布し、乾燥させた後に450℃で焼成し最内部の層２１を形成した。次に、スラリー３を最外部の層２２の形成に用いて最内部の層２１の形成と同様の手順により最外部の層２２を形成した。
【０１００】
そして、実施例１と同様の手順により、透明電極１上に図８に示した半導体電極２と同様の構成の半導体電極を形成した。なお、この半導体電極について、受光面の面積；1.0ｃｍ2、半導体電極の厚さ；８μｍ、最内部の層２１の層厚；４μｍ、最外部の層２２の層厚；４μｍであり、最内部の層２１の細孔径分布の最大値；１０ｎｍ、最内部の層２１内の細孔径分布の平均値；１２ｎｍ、最外部の層の細孔径分布の最大値；２６ｎｍ、最外部の層２２内の細孔径分布の平均値；２９ｎｍであった。
【０１０１】
（実施例７）
実施例５において調製したスラリー４をバーコート法で透明電極１上に塗布し、乾燥させた後に450℃で焼成し最内部の層２１を形成した。次に、スラリー６を最外部の層２２の形成に用いて最内部の層２１の形成と同様の手順により最外部の層２２を形成した。
【０１０２】
そして、実施例１と同様の手順により、透明電極１上に図８に示した半導体電極２と同様の構成の半導体電極を形成した。なお、この半導体電極について、受光面の面積；1.0ｃｍ2、半導体電極の厚さ；８μｍ、最内部の層２１の層厚；４μｍ、最外部の層２２の層厚；４μｍであり、最内部の層２１の細孔径分布の最大値；１８ｎｍ、最内部の層２１内の細孔径分布の平均値；２２ｎｍ、最外部の層の細孔径分布の最大値；３９ｎｍ、最外部の層内の細孔径分布の平均値；４５ｎｍであった。
【０１０３】
（比較例１）
実施例１において調製したコロイド溶液１のみを用いてＰ２７のみを含むペースト（以下、ペースト１０という）を調製し、ペースト１０のみを用いて１つの層のみからなる半導体電極（受光面の面積；１．０ｃｍ2、層厚；１２μｍ）を作製したこと以外は、実施例１と同様の手順により光電極及び色素増感型太陽電池を作製した。なお、この場合、ペースト１の透明電極１上への印刷、乾燥、焼成は３回繰り返すことにより行った。
【０１０４】
（比較例２）
実施例１に用いたペースト２のみを用いて１つの層のみからなる半導体電極（受光面の面積；１．０ｃｍ2、層厚；１２μｍ）を作製したこと以外は、実施例１と同様の手順により光電極及び色素増感型太陽電池を作製した。なお、この場合、ペースト２の透明電極１上への印刷、乾燥、焼成は３回繰り返すことにより行った。
【０１０５】
（比較例３）
実施例４に用いたスラリー１のみを用いて実施例４と同様の手順により1つの層のみからなる半導体電極（受光面の面積；1.0ｃｍ2、半導体電極の厚さ；12μｍ）を作製したこと以外は、実施例１と同様の手順により光電極及び色素増感型太陽電池を作製した。なお、この場合、スラリー１の透明電極１上への塗布、乾燥、焼成は３回繰り返すことにより行った。
【０１０６】
（比較例４）
実施例５に用いたスラリー４のみを用いて実施例４と同様の手順により1つの層のみからなる半導体電極（受光面の面積；1.0ｃｍ2、半導体電極の厚さ；12μｍ）を作製したこと以外は、実施例１と同様の手順により光電極及び色素増感型太陽電池を作製した。なお、この場合、スラリー１の透明電極１上への塗布、乾燥、焼成は３回繰り返すことにより行った。
【０１０７】
（比較例５）
実施例４に用いたスラリー１のみを用いて実施例４と同様の手順により1つの層のみからなる半導体電極（受光面の面積；1.0ｃｍ2、半導体電極の厚さ；８μｍ）を作製したこと以外は、実施例１と同様の手順により光電極及び色素増感型太陽電池を作製した。なお、この場合、スラリー１の透明電極１上への塗布、乾燥、焼成は２回繰り返すことにより行った。
【０１０８】
（比較例６）
実施例５に用いたスラリー４のみを用いて実施例４と同様の手順により1つの層のみからなる半導体電極（受光面の面積；1.0ｃｍ2、半導体電極の厚さ；８μｍ）を作製したこと以外は、実施例１と同様の手順により光電極及び色素増感型太陽電池を作製した。なお、この場合、スラリー４の透明電極１上への塗布、乾燥、焼成は２回繰り返すことにより行った。
【０１０９】
［光電極の半導体電極内への増感色素の飽和吸着時間の測定試験］
実施例１〜実施例７、比較例１〜比較例６の各色素増感型太陽電池に備えられる光電極について、半導体電極内に増感色素を吸着させる際の飽和吸着時間の測定を行なった。得られた試験の結果を表１に示す。なお、飽和吸着時間の測定は、以下の手順に従い行った。すなわち、先ず、増感色素を25℃で所定時間吸着させた後、色素が溶出可能な所定量の溶液に浸し吸着した色素を溶出させた。次に、この色素溶液の吸光スペクトルを測定し、この吸光度が一定となった時間をもって増感色素の飽和吸着時間とした。
【０１１０】
【表１】
【０１１１】
実施例１〜実施例７の色素増感型太陽電池に備えられる光電極の半導体電極は、増感色素を飽和吸着させる際の時間をそれぞれに対応する比較例１〜比較例６の色素増感型太陽電池に備えられる光電極の半導体電極よりも短縮できることが確認された。
【０１１２】
［電池特性試験］
電池特性試験を行ない、実施例１〜実施例７、比較例１〜比較例６の色素増感型太陽電池のエネルギー変換効率ηを測定した。電池特性試験は、ソーラーシミュレータ（ワコム製、商品名；「ＷＸＳ−８５−Ｈ型」）を用い、ＡＭフィルター（ＡＭ−１．５）を通したキセノンランプから１００ｍＷ／ｃｍ2の疑似太陽光を照射することにより行った。Ｉ−Ｖテスターを用いて電流−電圧特性を測定し、漏れ電流（Ｉ／ｍＡ・ｃｍ-2）開放電圧（Ｖｏｃ／Ｖ）、短絡電流（Ｉｓｃ／ｍＡ・ｃｍ-2）、曲線因子（F.F.）及びエネルギー変換効率（η／％）を求めた。
【０１１３】
そして、各電池について、照射強度を１００ｍＷ／ｃｍ2としたときに計測されるエネルギー変換効率値η１を減光フィルタを用いて照射強度を５０ｍＷ／ｃｍ2としたときに計測されるエネルギー変換効率値η２（％）で除した値を効率比η１／η２として求めた。なお、この比が１に近いほど電極内における電解質の拡散性に優れた高性能の太陽電池となる。
【０１１４】
実施例１〜実施例７、比較例１〜比較例６の各色素増感型太陽電池について得られた電池特性試験の結果を表２に示す。
【０１１５】
【表２】
【０１１６】
表２に示した結果から明らかなように、実施例１〜実施例７の色素増感型太陽電池のエネルギー変換効率ηは、それぞれに対応する比較例１〜比較例６の色素増感型太陽電池のエネルギー変換効率ηよりも高い値を示すことが確認された。
【０１１７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、光電極を構成する半導体電極内の増感色素の吸着量を十分に確保することが可能となる。また、半導体電極内の反応サイトへの反応物質の供給を迅速に行うことができる。したがって、本発明によれば、優れた光電変換効率を有する光電極を構成することができる。また、この光電極を用いることにより、優れたエネルギー変換効率を有する色素増感型太陽電池を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光電極の好適な一実施形態を示す模式断面図である。
【図２】図１に示した領域１００の部分の模式拡大断面図である。
【図３】図１に示した光電極を備えた色素増感型太陽電池を示す模式断面図である。
【図４】図１に示した光電極の半導体電極の内部構造の他の形態を示す模式断面図である。
【図５】図１に示した光電極の半導体電極の内部構造の更に他の形態を示す模式断面図である。
【図６】図１に示した光電極の半導体電極の内部構造の更に他の形態を示す模式断面図である。
【図７】図１に示した光電極の他の実施形態を示す模式断面図である。
【図８】図１に示した光電極の半導体電極の内部構造の更に他の形態を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１…透明電極、２…半導体電極、３…透明導電膜、４…基板、１０，１１，１２，１３，１４…光電極，２０…色素増感型太陽電池、２１…最内部の層、２２…最外部の層、６３…内部層、１００…光電極１０の部分領域、ＣＥ…対極、Ｅ…電解質、Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，…受光面、Ｆ２２…半導体電極２の裏面、Ｌ１０…入射光、Ｐ１…酸化物半導体粒子、Ｐ２…増感色素、Ｐ３…酸化物半導体粒子、Ｐ４…酸化物半導体粒子、Ｒ２１，Ｒ２２…細孔（空隙）部分、Ｓ…スペーサー。
【発明の属する技術分野】
本発明は、光電極及びこれをこれを備えた色素増感型太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、地球温暖化やエネルギー問題に対する関心の高まりとともに太陽電池の様々な開発が進められている。その太陽電池の中でも、色素増感型太陽電池は使用する材料が安価であること、比較的シンプルなプロセスで製造できること等からその実用化が期待されている。
【０００３】
そして、色素増感型太陽電池の実用化に向けて、光電極における光電変換効率を向上させ、電池のエネルギー変換効率を向上させるための様々な検討が行われている。なお、色素増感型太陽電池のエネルギー変換効率η（％）は、下記式（１）で表される。また、下記式（１）中、Ｐ0は入射光強度[ｍＷｃｍ-2]、Ｖocは開放電圧[Ｖ]、Ｉscは短絡電流密度[ｍＡｃｍ-2]、Ｆ.Ｆ.は曲線因子（Fill Factor）を示す。
η＝１００×（Ｖoc×Ｉsc×Ｆ.Ｆ.）／Ｐ0…（１）
【０００４】
そこで、半導体電極は、通常、酸化物半導体粒子で構成される多孔質膜からなり、半導体電極における光電変換反応は上記多孔質膜中の増感色素粒子が吸着したサイトにおいてのみ進行することから、半導体電極内に含有される増感色素の吸着量を増加させることにより、光電極を構成する半導体電極における入射光の吸収効率の向上と、光電変換の反応効率の向上とを目指す検討がなされている。
例えば、特開平１１−１４４７７２号公報には、微細孔の孔径度分布が複数のピーク値を有する金属酸化物多孔質体から構成した半導体電極を備える色素増感型太陽電池が提案されている。この電池においては、半導体電極内に、細孔径が、例えば１ｎｍ以上１０ｎｍ未満のミクロ孔と、細孔径が、例えば１０〜１０００ｎｍのマクロ孔とが混在した状態で形成されている。そして、半導体電極内に形成したミクロ孔により、半導体電極内における細孔（空隙）の比表面積を増大させて増感色素の吸着可能なサイトの十分な確保を行ない、同時に、半導体電極内に形成したマクロ孔により、増感色素を吸着させる際のミクロ孔へ供給する増感色素の供給量の十分な確保、或いは、電池の発電中における増感色素への反応物質（ヨウ化物イオンなどの還元剤）の供給量の十分な確保を行なうことを意図している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者らは、上記の特開平１１−１４４７７２号公報の光電極を備えた色素増感型太陽電池であっても、半導体電極に形成したミクロ孔とマクロ孔のそれぞれに期待した効果が十分に得られておらず、従って、光電極を構成する半導体電極において十分な入射光の吸収効率が得られず、電池として十分なエネルギー変換効率を得ることができず未だ不十分であるということを見出した。
【０００６】
すなわち、上記特開平１１−１４４７７２号に記載の色素増感型太陽電池は、ミクロ孔とマクロ孔とが半導体電極中においてそれぞれ均一に分布しているため、電極表面に分布するマクロ孔に比較して電極内部に分布するマクロ孔は、増感色素を吸着させる際の増感色素の効率のよい供給、或いは、電池の発電中における反応物質の効率のよい供給を行なうことに対して十分に寄与することができず、十分に利用できていなかった。このように電極内部に十分に利用されていないマクロ孔が分布していると、その領域における増感色素の吸着密度が低下して光電変換効率が低下してしまう。
【０００７】
更に、電極表面に分布するミクロ孔においては、増感色素を吸着させる際にその細孔径が非常に小さいため増感色素の吸着速度が非常に遅くなり、電極表面に分布するミクロ孔のみならず、更に電極内部に存在するミクロ孔への増感色素の吸着量も不十分となっていた。そのため、電極表面に分布するミクロ孔のみならず該ミクロ孔の更に内部に存在する他の細孔も十分に利用できていなかった。また、電極表面に分布するミクロ孔はその細孔径が非常に小さいため、電池の発電中において電極内部に存在する細孔への電解質や反応物質の効率のよい供給ができなかった。そのため、この観点からも電極表面に分布するミクロ孔のみならず該ミクロ孔の更に内部に存在する他の細孔も十分に利用できていなかった。
【０００８】
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、優れた光電変換効率を有する光電極及び優れたエネルギー変換効率を有する色素増感型太陽電池を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、光電極を構成する半導体電極を少なくとも複数の層からなる構成とし、各層における細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値を、透明電極に最も近い位置に配置される層から透明電極に対して最も遠い位置に配置される層にかけて増加させることにより、増感色素の吸着量を十分に確保し、光電変換反応を効率よく進行させることが可能な電極構造を構築できることを見出し、本発明に到達した。
【００１０】
すなわち、本発明は、受光面を有する半導体電極と、当該受光面上に隣接して配置された透明電極とを有する光電極であって、半導体電極が複数の層から構成されており、複数の層の各層は酸化物半導体粒子で構成される多孔質膜からなり、各層における細孔径分布の最大値が、透明電極に最も近い位置に配置される最内部の層から透明電極に対して最も遠い位置に配置される最外部の層にかけて増加していること、を特徴とする光電極を提供する。
【００１１】
本発明の光電極は、半導体電極中の細孔径分布の最大値が半導体電極の受光面から半導体電極の電解質に接することになる面（以下、裏面という）にかけた半導体の厚み方向に沿って徐々に増加させた構造を有しているので、増感色素を半導体電極中に吸着させる際の増感色素の半導体電極中への拡散速度が向上するため、十分な量の増感色素を吸着させることが容易にできる。すなわち、半導体電極中の増感色素の吸着量を十分に確保することができる。
【００１２】
また、色素増感型太陽電池を構成した際には半導体電極の内部に存在する細孔中には該半導体電極の裏面の側から電解質溶液が注入されるが、半導体電極が上記の細孔構造を有しているので、半導体電極の内部に存在する細孔中における電解質溶液の拡散を容易かつ迅速に行うことが可能となる。そのため、発電中において、反応サイト（増感色素の吸着サイト）への反応物質の供給を迅速に行うことができるため、反応物質の拡散律速に基づく直流抵抗成分を従来よりも大きく低減することができる。すなわち、本発明の光電極は、光電変換反応を効率よく進行させることができ、優れた光電変換効率を得ることができる。
【００１３】
更に、半導体電極の内部に上記のような細孔構造を構築することは、太陽電池を製造する上で以下に示す点において有効である。
【００１４】
すなわち、半導体電極の内部に上記のような細孔構造を構築することにより、半導体電極の裏面の側からの（擬）固体電解質の注入が容易となる。そのため、半導体電極内での（擬）固体電解質の形成が容易になると共に、電極内での電解質や電子及び／又は正孔（ホール）の拡散が容易かつ迅速になるため、電池を構成した際の直流抵抗成分を低減することもできる。
【００１５】
ここで「（擬）固体電解質」とは、高分子ゲル化剤又は低分子ゲル化剤を電解質溶液又は電解質を含む溶融塩に添加したゲル状電解質を示す。例えば、電解質溶液にz-Val-Val-NHC18H37をゲル化剤として加え加熱溶融体を多孔質半導体電極内に注入してゲル化させた電解質があげられる。なお、このゲル状電解質は化学ゲルでも物理ゲルでもかまわない。また、ゲル状電解質は通常使用される電解質溶液よりも粘度が高いが、本発明の光電極は前述の構造を有しているので、ゲル状電解質は電極中に容易に侵入することができ、この場合においても高い電池特性を得ることができる。
【００１６】
また、半導体電極の内部に上記のような細孔構造を構築することにより、多孔質の半導体電極内において高分子モノマーを重合させポリマー（高分子固体電解質）としたあと電解質成分を該ポリマー内に拡散させることも容易にできる。例えば、高分子モノマーとして2-(2-methoxy)ethyl acrylateとα-methacryloyl-ω-methoxyocta(oxyethylene)とを重合させ、得られたポリマー中にヨウ素系電解質を拡散させた電解質を用いることができる。
【００１７】
更に、半導体電極の内部に上記のような細孔構造を構築することにより、電極内部における高分子ならびに電解質の拡散が容易になるので、高分子として、例えば、poly(epichlhydrin-co-ethylene oxide)とヨウ素系電解質を含む有機溶液を多孔質酸化物半導体電極に浸透させ、その後、溶媒を除去することにより半導体電極の内部に高分子固体電解質を導入することも容易にできる。
【００１８】
更に、半導体電極の内部に上記のような細孔構造を構築することにより、半導体電極の内部へのp型半導体の拡散が容易となる。そのため、上述の電解質のかわりに、有機又は無機のp型半導体を半導体電極の内部に析出させることにより太陽電池を容易に作製することができる。例えば、ヨウ化銅（CuI）のアセトニトリル溶液を半導体電極に浸透させてその後溶媒を除去しCuIを析出させることができる。
【００１９】
ここで、本発明において、「各層における細孔径分布の最大値が、最内部の層から最外部の層にかけて増加している」状態とは、一端に位置する最外部の層の細孔径分布の最大値が他端に位置する最内部の層の細孔径分布の最大値よりも最終的に大きくなっており、複数の層を全体としてみた場合に各層の細孔径分布の最大値が最内部の層から最外部の層にかけて概略的に増加している状態を示す。
【００２０】
例えば、最内部の層から最外部の層にかけて細孔径分布の最大値が単調に増加している状態であってもよい。また、例えば、最内部の層と最外部の層との間に配置される層のうち、一部の隣り合う層同士の細孔径分布の最大値が同じ値をとる状態であってもよい。更に、最内部の層と最外部の層との間に配置される層のうち、一部の隣り合う層同士の細孔径分布の最大値を比較した場合、最内部の層の側に位置する層の細孔径分布の最大値が最外部の層の側に位置する層の細孔径分布の最大値よりも大きい場合があってもよい。ただし、半導体電極における光電変換反応をより効率よく進行させる観点から、最内部の層から最外部の層にかけて細孔径分布の最大値が単調に増加している状態、又は、最内部の層と最外部の層との間に配置される層のうち、一部の隣り合う層同士の細孔径分布の最大値が同じ値をとる状態が好ましい。
【００２１】
また、本発明の光電極においては、最外部の層における細孔径分布の最大値が１０〜１０００ｎｍであり、かつ、最外部の層における細孔径分布の最大値と最内部の層における細孔径分布の最大値との差が３〜９９０ｎｍであることが好ましい。これにより、半導体電極内における光電変換効率をより精密に向上させることができる。
【００２２】
ここで、最外部の層における細孔径分布の最大値が１０ｎｍ未満であると、電極内への増感色素や電解質の拡散速度が極端に低下するおそれがある。一方、最外部の層における細孔径分布の最大値が１０００ｎｍを超えると、色素吸着量が極端に減少するために電池の特性が低下するおそれがある。また、最外部の層における細孔径分布の最大値と最内部の層における細孔径分布の最大値との差が３ｎｍ未満であると、前述の本発明における作用効果を十分に得ることが困難となり電池特性の十分な向上が得られないおそれがある。一方、この差が９９０ｎｍを超えると、最外部の層の色素吸着量が極端に減少するために電池の特性が低下するおそれがある。
【００２３】
そして、上記と同様の観点から、最外部の層における細孔径分布の最大値は１０〜５００ｎｍであることがより好ましく１２〜３００ｎｍであることが更に好ましい。また、最外部の層における細孔径分布の最大値と最内部の層における細孔径分布の最大値との差は３〜５００ｎｍであることがより好ましく５〜３００ｎｍであることが更に好ましい。
【００２４】
また、本発明は、受光面を有する半導体電極と、当該受光面上に隣接して配置された透明電極とを有する光電極であって、半導体電極が複数の層から構成されており、複数の層の各層は酸化物半導体粒子で構成される多孔質膜からなり、各層における細孔径分布の平均値が、透明電極に最も近い位置に配置される最内部の層から透明電極に対して最も遠い位置に配置される最外部の層にかけて増加していること、を特徴とする光電極を提供する。
【００２５】
上記の細孔構造を有する半導体電極を備えた光電極も、前述の細孔構造を有する半導体電極を備えた光電極と同様に、優れた光線変換効率を得ることができる。
【００２６】
ここで、本発明において、「各層における細孔径分布の平均値が、最内部の層から最外部の層にかけて増加している」状態とは、前述の各層における細孔径分布の最大値の場合と同様に、一端に位置する最外部の層の細孔径分布の平均値が他端に位置する最内部の層の細孔径分布の平均値よりも最終的に大きくなっており、複数の層を全体としてみた場合に各層の細孔径分布の平均値が最内部の層から最外部の層にかけて概略的に増加している状態を示す。
【００２７】
この場合にも、前述の各層における細孔径分布の最大値の場合と同様に、例えば、最内部の層から最外部の層にかけて細孔径分布の平均値が単調に増加している状態であってもよい。また、例えば、最内部の層と最外部の層との間に配置される層のうち、一部の隣り合う層同士の細孔径分布の平均値が同じ値をとる状態であってもよい。更に、最内部の層と最外部の層との間に配置される層のうち、一部の隣り合う層同士の細孔径分布の平均値を比較した場合、最内部の層の側に位置する層の細孔径分布の平均値が最外部の層の側に位置する層の細孔径分布の平均値よりも大きい場合があってもよい。ただし、半導体電極における光電変換反応をより効率よく進行させる観点から、最内部の層から最外部の層にかけて細孔径分布の平均値が単調に増加している状態、又は、最内部の層と最外部の層との間に配置される層のうち、一部の隣り合う層同士の細孔径分布の平均値が同じ値をとる状態が好ましい。
【００２８】
また、この場合にも、前述の各層における細孔径分布の最大値の場合と同様の観点から、最外部の層における細孔径分布の平均値が１０〜５００ｎｍであり、かつ、最外部の層における細孔径分布の平均値と最内部の層における細孔径分布の平均値との差が３〜４９０ｎｍであることが好ましい。これにより、半導体電極内における光電変換効率をより精密に向上させることができる。そして、この場合にも、最外部の層における細孔径分布の平均値は１２〜３００ｎｍであることがより好ましく１２〜２００ｎｍであることが更に好ましい。また、最外部の層における細孔径分布の平均値と最内部の層における細孔径分布の平均値との差は３〜３００ｎｍであることがより好ましく５〜２００ｎｍであることが更に好ましい。
【００２９】
なお、本発明において、半導体電極の各層の細孔径分布の最大値或いは細孔径分布の平均値を求めるための細孔径分布曲線は、次に述べる方法により求めることができる。すなわち、各層を構成する多孔質膜と同様の多孔質材料を液体窒素温度（−１９６℃）に冷却して窒素ガスを導入し、定容量法あるいは重量法によりその吸着量を求め、次いで、導入する窒素ガスの圧力を徐々に増加させ、各平衡圧に対する窒素ガスの吸着量をプロットし、吸着等温線を得る。細孔径分布曲線は、この吸着等温線を用い、Cranston-Inklay法、Dollimore-Heal法、BJH法等の計算法により求めることができる。また、水銀圧入法を用いて、高圧の水銀を試料の細孔内に圧入することにより細孔分布曲線を求めることもできる。
【００３０】
また、本発明は、受光面を有する半導体電極と当該半導体電極の受光面上に隣接して配置された透明電極とを有する光電極と、対極とを有しており、半導体電極と対極とが電解質を介して対向配置された色素増感型太陽電池であって、光電極が前述した本発明の光電極であることを特徴とする色素増感型太陽電池を提供する。このように、前述した本発明の光電極を用いることにより、優れたエネルギー変換効率を有する色素増感型太陽電池を構成することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の光電極及び色素増感型太陽電池の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明では、同一または相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
【００３２】
図１は、本発明の光電極の好適な一実施形態を示す模式断面図である。また、図２は、図１に示した領域１００の部分の模式拡大断面図である。更に、図３は、図１に示した光電極を備えた色素増感型太陽電池を示す模式断面図である。
【００３３】
図１に示す光電極１０は、主として、受光面Ｆ２を有する半導体電極２と、当該半導体電極２の受光面Ｆ２上に隣接して配置された透明電極１ととから構成されている。また、図３に示す色素増感型太陽電池２０は、主として、図１に示した光電極１０と、対極ＣＥと、スペーサーＳにより光電極１０と対極ＣＥとの間に形成される間隙に充填された電解質Ｅとから構成されている。そして、半導体電極２は、受光面Ｆ２と反対側の裏面Ｆ２２において電解質Ｅと接触している。
【００３４】
この色素増感型太陽電池２０は、透明電極１を透過して半導体電極２に照射される光Ｌ１０によって半導体電極２内において電子を発生させる。そして、半導体電極２内において発生した電子は、透明電極１に集められて外部に取り出される。
【００３５】
透明電極１の構成は特に限定されるものではなく、通常の色素増感型太陽電池に搭載される透明電極を使用できる。例えば、図１及び図３の透明電極１は、ガラス基板等の透明基板４の半導体電極２の側に光を透過させるためのいわゆる透明導電膜３をコートした構成を有する。この透明導電膜３としては、液晶パネル等に用いられる透明電極を用いればよい。例えば、フッ素ドープＳｎＯ2コートガラス、ＩＴＯコートガラス、ＺｎＯ：Ａｌコートガラス等が挙げられる。また、メッシュ状、ストライプ状など光が透過できる構造にした金属電極をガラス基板等の基板４上に設けたものでもよい。
【００３６】
透明基板４としては、液晶パネル等に用いられる透明基板を用いてよい。具体的には透明なガラス基板、ガラス基板表面を適当に荒らすなどして光の反射を防止したもの、すりガラス状の半透明のガラス基板など光を透過するものが透明基板材料として挙げられる。なお、光を透過するものであれば材質はガラスでなくてもよく、透明プラスチック板、透明プラスチック膜、無機物透明結晶体などでもよい。
【００３７】
図１及び図２に示すように、半導体電極２は、酸化物半導体粒子で構成される多孔質膜からなる３つの層から構成されている。すなわち、半導体電極２は、透明電極１に最も近い位置に配置される最内部の層２１と、透明電極１に対して最も遠い位置に配置される最外部の層２２と、最内部の層２１と最外部の層２２との間に配置される内部層２３とから構成されている。
【００３８】
そして、３つの層のそれぞれにおける細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値を比較すると、各層ごとの細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値は最内部の層２１から最外部の層２２にかけて増加している。この光電極１０においては、上記の構造を有する半導体電極２を備えることにより、当該半導体電極２内における増感色素の十分な吸着量の確保と光電変換効率の向上が図られている。
【００３９】
ここで、３つの層のそれぞれの細孔構造が上記の細孔径分布の最大値の条件に従って形成されている場合、最外部の層２２における細孔径分布の最大値は好ましくは１０〜１０００ｎｍとなるように調節されており、最外部の層における細孔径分布の最大値と最内部の層における細孔径分布の最大値との差は好ましくは３〜９９０ｎｍとなるように調節されている。
【００４０】
更に、３つの層のそれぞれの細孔構造が上記の細孔径分布の平均値の条件に従って形成されている場合、最外部の層２２における細孔径分布の平均値は好ましくは１０〜５００ｎｍとなるように調節されており、最外部の層における細孔径分布の平均値と最内部の層における細孔径分布の平均値との差は好ましくは３〜４９０ｎｍとなるように調節されている。
【００４１】
各層ごとの細孔構造を上記の細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値の条件を満たすように調節する方法としては、各層を構成する酸化物半導体粒子の平均粒径を調節する方法がある。また、その他の方法としては、後述するように半導体電極の各層を作製する際に、各層を形成するための酸化物半導体粒子を含むスラリー又はペースト酸化物半導体粒子以外の物質を所定量混入しておき、これを最終的に除去することにより上記の細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値の条件を満たす細孔（空隙）を形成する方法が挙げられる。
【００４２】
図２は、半導体電極２の各層を構成する酸化物半導体粒子（P１及びP３）の粒径を制御することにより、各層ごとの細孔構造を上記の細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値の条件を満たすように調節した場合の一例を示している。以下、この場合について説明する。半導体電極２の各層を構成する酸化物半導体粒子の粒径を調節する場合、各層ごとの酸化物半導体粒子の平均粒径を最内部の層２１から最外部の層２２にかけて増加させることにより調節することができる。
【００４３】
このとき、先に述べた各層の細孔構造を構築する観点から、最外部の層２２における酸化物半導体粒子Ｐ３の平均粒径は５０〜５００ｎｍであることが好ましく、８０〜３００ｎｍであることがより好ましい。また、最外部の層２２における酸化物半導体粒子Ｐ３の平均粒径と最内部の層２１における酸化物半導体粒子Ｐ１の平均粒径との差は１０〜４００ｎｍであることが好ましく、２０〜３００ｎｍであることがより好ましい。
【００４４】
ここで、最外部の層における酸化物半導体粒子の平均粒径が５０ｎｍ未満であると、細孔径が小さくなり電極内における電解質や増感色素の拡散速度が低下するおそれがある。一方、最外部の層における酸化物半導体粒子の平均粒径が５００ｎｍを超えると、電極内の増感色素量が減少し入射光吸収効率が低下するおそれがある。また、最外部の層における酸化物半導体粒子の平均粒径と最内部の層における酸化物半導体粒子の平均粒径との差が１０ｎｍ未満であると、細孔径の差が小さくなり電極内における電解質や増感色素の拡散速度が低下するおそれがある。一方、この差が４００ｎｍを超えると、最外部の層における酸化物半導体の平均粒径が大きくなり電極内の増感色素量が減少するおそれがある。
【００４５】
図２に示す半導体電極２の最内部の層２１は、主として、平均粒径の小さな酸化物半導体粒子Ｐ１とこの酸化物半導体粒子Ｐ１の表面に吸着された増感色素Ｐ２とから構成されている。また、内部層２３及び最外部の層２２は、主として、酸化物半導体粒子Ｐ１と、この酸化物半導体粒子Ｐ１よりも平均粒径の大きな酸化物半導体粒子Ｐ３と、これら酸化物半導体粒子Ｐ１及び酸化物半導体粒子Ｐ３の表面に吸着された増感色素Ｐ２とから構成されている。
【００４６】
ここで、酸化物半導体粒子Ｐ１の平均粒径は好ましくは５〜１００ｎｍとなるように調節されている。また、酸化物半導体粒子Ｐ３の平均粒径は好ましくは１００ｎｍよりも大きくなるように調節されている。そして、最外部の層２２における酸化物半導体粒子Ｐ１と酸化物半導体粒子Ｐ３との合量に対する酸化物半導体粒子Ｐ３の配合割合は、内部層２３における酸化物半導体粒子Ｐ１と酸化物半導体粒子Ｐ３との合量に対する酸化物半導体粒子Ｐ３の配合割合よりも大きくなるように調節されている。その結果、各層ごとの酸化物半導体粒子の平均粒径は最内部の層２１から最外部の層２２にかけて増加することになる。なお、この光電極１０の場合には、最内部の層２１には、酸化物半導体粒子Ｐ３は実質的に含有されていない。その結果、半導体電極２の各層の細孔径分布の最大値又は平均値が半導体電極２の受光面Ｆ２から半導体電極２の裏面Ｆ２２にかけた半導体の厚み方向に沿って徐々に増加することになる。
【００４７】
上記酸化物半導体粒子Ｐ１及び酸化物半導体粒子Ｐ３は特に限定されるものではなく、公知の酸化物半導体等を使用することができる。酸化物半導体としては、例えば、ＴｉＯ2，ＺｎＯ，ＳｎＯ2，Ｎｂ2Ｏ5，Ｉｎ2Ｏ3，ＷＯ3，ＺｒＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＳｒＴｉＯ3，ＢａＴｉＯ3等を用いることができる。
【００４８】
また、半導体電極２の第一の半導体層５及び第二の半導体層６に含有させる増感色素Ｐ２は特に限定されるものではなく、可視光領域および／または赤外光領域に吸収を持つ色素であればよい。この増感色素Ｐ２としては、金属錯体や有機色素等を用いることができる。金属錯体としては銅フタロシアニン、チタニルフタロシアニン等の金属フタロシアニン、クロロフィルまたはその誘導体、ヘミン、ルテニウム、オスミウム、鉄及び亜鉛の錯体（例えばシス−ジシアネート−ビス（２、２’−ビピリジル−４、４’−ジカルボキシレート）ルテニウム（ＩＩ））等が挙げられる。有機色素としては，メタルフリーフタロシアニン，シアニン系色素，メタロシアニン系色素，キサンテン系色素，トリフェニルメタン系色素等を用いることができる。
【００４９】
また、半導体電極２の厚みは、３〜５０μｍであることが好ましく、５〜３０μｍであることがより好ましく、６〜１８μｍであることが更に好ましい。半導体電極の厚みが３μｍ未満となると、色素吸着量が少なくなり光を有効に吸収できなくなる傾向が大きくなる。一方、半導体電極の厚みが５０μｍを超えると、電気抵抗が大きくなり半導体に注入されたキャリアの損失量が多くなるとともに、イオン拡散抵抗が増大して、光励起されて半導体への電子注入を果した後の色素に対するＩ-からの電子注入によってＩ3 -の対極への搬出が阻害され、電池の出力特性が低下する傾向が大きくなる。
【００５０】
また、対極ＣＥは、特に限定されるものではなく、例えば、シリコン太陽電池、液晶パネル等に通常用いられている対極と同じものを用いてよい。例えば、前述の透明電極１と同じ構成を有するものであってもよく、透明電極１と同様の透明導電膜３上にＰｔ等の金属薄膜電極を形成し、金属薄膜電極を電解質Ｅの側に向けて配置させるものであってもよい。また、透明電極１の透明導電膜３に白金を少量付着させたものであってもよく、白金などの金属薄膜、炭素などの導電性膜などであってもよい。
【００５１】
更に、電解質Ｅの組成も光励起され半導体への電子注入を果した後の色素を還元するための酸化還元種を含んでいれば特に限定されないが、Ｉ-／Ｉ3 -等の酸化還元種を含むヨウ素系レドックス溶液が好ましく用いられる。具体的には、Ｉ-／Ｉ3 -系の電解質はヨウ素のアンモニウム塩あるいはヨウ化リチウムとヨウ素を混合したものなどを用いることができる。その他、Ｂｒ-／Ｂｒ3 -系、キノン／ハイドロキノン系などのレドックス電解質をアセトニトリル、炭酸プロピレン、エチレンカーボネートなどの電気化学的に不活性な溶媒（およびこれらの混合溶媒）に溶かしたものも使用できる。
【００５２】
また、スペーサーＳの構成材料は特に限定されるものではなく、例えば、シリカビーズ等を用いることができる。
【００５３】
次に、図１に示した光電極１０及び図３に示した色素増感型太陽電池２０の製造方法の一例について説明する。
【００５４】
先ず、透明電極１を製造する場合は、ガラス基板等の基板４上に先に述べたフッ素ドープＳｎＯ2等の透明導電膜３をスプレーコートする等の公知の方法を用いて形成することができる。
【００５５】
次に、透明電極１の透明導電膜３上に半導体電極２の各層を形成する方法としては、例えば、以下の方法がある。すなわち、先ず、酸化チタン等の半導体粒子Ｐ１を分散させた最内部の層２１を形成するための分散液を調製する。この分散液の溶媒は水、有機溶媒、または両者の混合溶媒など酸化物半導体粒子Ｐ１を分散できるものなら特に限定されない。また、分散液中には必要に応じて界面活性剤、粘度調節剤を加えてもよい。次に、分散液を透明電極１の透明導電膜３上に塗布し、次いで乾燥する。このときの塗布方法としてはバーコーター法、印刷法などを用いることができる。
【００５６】
そして、乾燥した後、空気中、不活性ガス或いは窒素中で加熱、焼成して半導体電極２の最内部の層２１（多孔質半導体膜）を形成する。このときの焼成温度は３００〜８００℃が好ましい。焼成温度が３００℃未満であると酸化物半導体粒子Ｐ１間の固着、基板への付着力が弱くなり十分な強度がでなくなるおそれがある。焼成温度が８００℃を超えると酸化物半導体粒子Ｐ１間の固着が進み、半導体電極２（多孔質半導体膜）の表面積が小さくなるおそれがある。
【００５７】
次に、最内部の層２１上に内部層２３を形成する場合には、例えば、上記の最内部の層２１を形成するための分散液に、所定量の酸化物半導体粒子Ｐ３を更に添加させた組成を有する分散液を調製する以外は、上述した最内部の層２１を形成する方法と同様にして内部層２３を形成することができる。更に、内部層２３上に最外部の層２２を形成する場合にも、例えば、上記の最内部の層２１を形成するための分散液に、所定量の酸化物半導体粒子Ｐ３を更に添加させた組成を有する分散液を調製する以外は、上述した最内部の層２１を形成する方法と同様にして内部層２３上に最外部の層２２を形成することができる。
【００５８】
次に、半導体電極２中に浸着法等の公知の方法により増感色素Ｐ２を含有させる。増感色素Ｐ２は半導体電極２に付着（化学吸着、物理吸着または堆積など）させることにより含有させる。この付着方法は、例えば色素を含む溶液中に半導体電極２を浸漬するなどの方法を用いることができる。この際、溶液を加熱し還流させるなどして増感色素の吸着、堆積を促進することができる。なお、このとき、色素の他に必要に応じて、銀等の金属やアルミナ等の金属酸化物を半導体電極２中に含有させてもよい。
【００５９】
なお、半導体電極２内に含まれる光電変換反応を阻害する不純物を除去する表面酸化処理を、各層それぞれの形成時毎、或いは、各層全てを形成した時などに公知の方法により適宜施してもよい。
【００６０】
また、透明電極１の透明導電膜３上に半導体電極２を形成する他の方法としては、以下の方法がある。すなわち、透明電極１の透明導電膜３上にＴｉＯ2等の半導体を膜状に蒸着させる方法を用いてもよい。透明導電膜３上に半導体を膜状に蒸着させる方法としては公知の方法を用いることができる。例えば、電子ビーム蒸着、抵抗加熱蒸着、スパッタ蒸着、クラスタイオンビーム蒸着等の物理蒸着法を用いてもよく、酸素等の反応性ガス中で金属等を蒸発させ、反応生成物を透明導電膜３上に堆積させる反応蒸着法を用いてもよい。更に、反応ガスの流れを制御する等してＣＶＤ等の化学蒸着法を用いることもできる。
【００６１】
このようにして光電極１０を作製した後は、公知の方法により対極ＣＥを作製し、これと光電極１０と、スペーサーＳを図１に示すように組み上げて、内部に電解質Ｅを充填し、色素増感型太陽電池２０を完成させる。
【００６２】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。
【００６３】
例えば、上記の実施形態においては、各層ごとの細孔構造を上述の細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値の条件を満たすように調節する方法として、各層ごとの酸化物半導体粒子の平均粒径を最内部の層２１から最外部の層２２にかけて増加させることにより調節する方法を採用した場合について説明したが、本発明において、各層ごとの酸化物半導体粒子の平均粒径を最内部の層２１から最外部の層２２にかけて増加させる具体的な方法は上記の実施形態に特に限定されない。
【００６４】
例えば、半導体電極の複数の層の各層に平均粒径の異なる１種類の酸化物半導体粒子を含有させることにより調節してもよく、半導体電極の複数の層の各層毎にそれぞれ平均粒径の異なる少なくとも２種の酸化物半導体粒子を含有させることにより調節してもよく、半導体電極の複数の層の少なくとも１つの層に平均粒径の異なる少なくとも２種の酸化物半導体粒子を含有させることにより調節してもよい。
【００６５】
具体的には、例えば、図４に示すように、半導体電極２の最内部の層２１にも酸化物半導体粒子Ｐ３が含まれており、各層における酸化物半導体粒子Ｐ１と酸化物半導体粒子Ｐ３との合量に対する酸化物半導体粒子Ｐ３の配合割合が、最内部の層２１から最外部の層２２にかけて増加している構成でもよい。
【００６６】
また、例えば、図５に示すように、半導体電極２の最外部の層２２を構成する半導体材料が１種類の酸化物半導体粒子Ｐ３のみであり、最内部の層２１を構成する半導体材料が１種類の酸化物半導体粒子Ｐ１のみであり、内部層２３を構成する半導体材料が２種類の酸化物半導体粒子Ｐ１及びＰ３であってもよい。
【００６７】
更に、例えば、図６に示すように、半導体電極２の最内部の層２１を構成する半導体材料が１種類の酸化物半導体粒子Ｐ１のみであり、内部層２３を構成する半導体材料が１種類の酸化物半導体粒子Ｐ３のみであり、最外部の層２２を構成する半導体材料が酸化物半導体粒子Ｐ３よりも大きな平均粒径を有する１種類の酸化物半導体粒子Ｐ４のみである構成でもよい。
【００６８】
例えば、上記の実施形態においては、３層の構造を有する半導体電極を備えた光電極及びこれを備える色素増感型太陽電池について説明したが、本発明の光電極及び色素増感型太陽電池はこれに限定されるものではない。例えば、本発明の光電極は、図７に示す光電極１４のように、４層以上の層から構成された半導体電極２を備える構成を有していてもよい。例えば、図７に示す光電極１４の半導体電極２は、最内部の層２１と最外部の層２２と、最内部の層２１と最外部の層２２との間に配置される内部層２３及び２４とから構成されている。そして、この場合、半導体電極２の４つの層のそれぞれにおける細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値が最内部の層２１から最外部の層２２にかけて増加するように調節されている。また、２層の構造を有する半導体電極（図示せず）を備える構成を有していてもよい。
【００６９】
また、上記の実施形態においては、半導体電極の各層ごとの細孔構造を前述の細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値の条件を満たすように調節する方法として、各層を構成する酸化物半導体粒子の粒径を調節する方法を用いる場合について説明したが、本発明において、半導体電極の各層ごとの細孔構造を前述の細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値の条件を満たすように調節する方法は特に限定されるものではない。
【００７０】
各層を構成する酸化物半導体粒子の平均粒径を調節する方法の他の方法としては、半導体電極の各層を作製する際に、各層を形成するための酸化物半導体粒子を含むスラリー又はペースト酸化物半導体粒子以外の物質を所定量混入しておき、これを最終的に除去することにより上記の細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値の条件を満たす細孔（空隙）を形成する方法が挙げられる。
【００７１】
このような細孔を形成する方法としては、より具体的には、例えば、半導体電極を作製する方法として各層の酸化物半導体膜を形成するための酸化物半導体粒子を含むスラリー又はペーストを透明電極等に塗布又は印刷し、その後、乾燥させて更に熱処理する方法を用いる場合に、スラリー又はペースト中に、熱処理により酸化反応等を進行させて除去することができる物質（例えば、ポリエチレングリコール等の有機物）を添加しておき、これを熱処理により除去する方法がある。この場合、熱処理により除去することができる物質の添加量を調節することにより、半導体電極の各層ごとの細孔径分布を制御することができる。
【００７２】
また、他の細孔を形成する方法として、上述の半導体電極の作製方法を用いる場合に、熱処理により除去することができる物質のかわりに熱処理では除去できない物資を上述のスラリー又はペーストに所定量添加しておき、熱処理した後の半導体電極から除去する方法もある。具体的には、例えば、塩化カリウム、塩化ナトリウムなどの塩類を上述のスラリー又はペーストに添加しておき、熱処理後に水で塩類を溶出させる方法がある。更に、他の細孔を形成する方法として、上述の半導体電極の作製方法を用いる場合に、酸やアルカリなどにより溶出できる微粒子を所定量添加しておき、熱処理後に該微粒子を除去する方法もある。
【００７３】
また、他の細孔を形成する方法として、半導体電極を作製した後或いは半導体電極の各層を作製する度ごとに、半導体電極の各層を構成する酸化物半導体の一部を溶解等によって除去する方法もある。この場合の除去方法としては、例えば、酸化剤を含む溶液で酸化物半導体の一部を溶解させる方法がある。また、酸化剤を含む溶液を用いるかわりに、半導体電極の各層を構成する酸化物半導体の一部を溶液中で電気化学的に溶解させる方法、又は、半導体電極の各層を構成する酸化物半導体の一部を光を照射した溶液中で光電気化学的に溶解させる方法がある。
【００７４】
このような細孔を形成する方法を用いることにより、例えば、図８に示すように、最内部の層２１と最外部の層２２とを有する光電極を構成することができる。すなわち、図８に示す半導体電極２の最内部の層２１及び最外部の層２２は、ともに増感色素Ｐ２が吸着した１種類の酸化物半導体粒子Ｐ１のみで構成されているが、最内部の層２１中の酸化物半導体粒子Ｐ１間に形成される細孔（空隙）部分Ｒ２１の大きさが、最外部の層２２中の酸化物半導体粒子Ｐ１間に形成される細孔（空隙）部分Ｒ２２の大きさよりも小さくなるように形成されている。ここで、この場合にも半導体電極２は３層以上の構成を有していてもよい。
【００７５】
なお、本発明において上述した各層ごとの細孔構造を上述の細孔径分布の最大値又は細孔径分布の平均値の条件を満たすように調節する方法は任意に組み合わせることもできる。
【００７６】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明の光電極及び色素増感型太陽電池について更に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００７７】
（実施例１）
以下に示す手順により、図１に示した光電極１０と同様の構成を有する光電極を作製し、更に、この光電極を用いて図３に示した色素増感型太陽電池２０と同様の構成を有する５×２０ｍｍのスケールの色素増感型太陽電池を作製した。
【００７８】
オートクレーブ内に、Ｔｉを含む化学種（チタンアルコキシド）、イオン交換水、ｐＨ調製剤（硝酸、アンモニア等）を入れ、所定の反応条件下において、Ｔｉを含む化学種の加水分解反応を進行させ、次いで、得られるＴｉＯ2粒子の結晶化を進行させることにより、平均粒径が２７ｎｍのＴｉＯ2粒子（アナターゼ、以下、Ｐ２７という）を含むコロイド溶液（以下、コロイド溶液１という）を調製した。次に、オートクレーブ内における反応条件を変えたこと以外は上記コロイド溶液１と同様の手順により、平均粒径が５６ｎｍのＴｉＯ2粒子（アナターゼ、以下、Ｐ５６という）を含むコロイド溶液（以下、コロイド溶液２という）、平均粒径が１１２ｎｍのＴｉＯ2粒子（アナターゼ、以下、Ｐ１１２という）を含むコロイド溶液（以下、コロイド溶液３という）、平均粒径が１９８ｎｍのＴｉＯ2粒子（アナターゼ、以下、Ｐ１９８という）を含むコロイド溶液（以下、コロイド溶液４という）を調製した。なお、これらのコロイド溶液１〜４に含まれるＴｉＯ2粒子の平均粒径は、光散乱光度計（大塚電子社製）を用いて、レーザー光の動的光散乱を解析することにより求めた。
【００７９】
次に、コロイド溶液１〜４のそれぞれに対して溶媒希釈や溶媒除去を施すことによりＴｉＯ2粒子の濃度を調製し、更に、セルロース系の粘度調整剤を加えることにより以下に示すペーストを調製した。
【００８０】
すなわち、コロイド溶液１及びコロイド溶液４を使用してＰ２７とＰ１９８との質量比をＰ２７：Ｐ１９８＝７：３としたペースト（以下、ペースト１という）、コロイド溶液１及びコロイド溶液４を使用してＰ２７とＰ１９８との質量比をＰ２７：Ｐ１９８＝１：１としたペースト（以下、ペースト２という）コロイド溶液１及びコロイド溶液４を使用してＰ２７とＰ１９８との質量比をＰ２７：Ｐ１９８＝３：７としたペースト（以下、ペースト３という）を調製した。
【００８１】
一方、ガラス基板４（透明導電性ガラス）上にフッ素ドープされたＳｎＯ2導電膜３（膜厚；７００ｎｍ）を形成した透明電極１（厚さ；１．１ｍｍ）を準備した。そして、ペースト１を最内部の層２１の形成に用い、ペースト２を内部層２３の形成に用い、ペースト３を最外部の層２２の形成に用いた。すなわち、このＳｎＯ2導電膜３上に、上述のペースト１をスクリーン印刷し、次いで乾燥させた。その後、大気中、４５０℃の条件のもとで３０分間焼成した。更に、ペースト２及びペースト３を用いてこのスクリーン印刷と焼成とを繰り返すことにより、ＳｎＯ2導電膜上に図１に示す半導体電極２と同様の構成の半導体電極を形成し、増感色素を含有していない光電極を作製した。
【００８２】
なお、この半導体電極について、受光面の面積；１．０ｃｍ2、半導体電極の厚さ；１２μｍ、最内部の層２１の層厚；４μｍ、内部層２３の層厚；４μｍ、最外部の層２２の層厚；４μｍであり、最内部の層２１内の細孔径分布の最大値；１２ｎｍ、最内部の層２１内の細孔径分布の平均値；１４ｎｍ、内部層２３内の細孔径分布の最大値；１４ｎｍ、内部層２３内の細孔径分布の平均値；１７ｎｍ、最外部の層内の細孔径分布の最大値；３０ｎｍ、最外部の層内の細孔径分布の平均値；３０ｎｍであった。
【００８３】
ここで、半導体電極の各層内の細孔径分布は以下のようにして測定した。すなわち、同一条件で塗布（スクリーン印刷）して更に熱処理した後の半導体電極の各層を構成する多孔質の酸化物半導体膜を削り落として粉末としたものを試料とし、ガス吸着測定装置（Quantachrome社製、「AUTOSORB」）を用いて窒素吸着法によりこの試料に関する等温吸着線を得て、BJH法で計算し求めた。なお、異なる構造の層を積層した場合も各層をダイヤモンド砥石などで平面研削し、各層ごとの粉末を回収して同様に測定・解析して細孔径分布曲線を求めた。
【００８４】
次に、上記の半導体電極の裏面を酸化処理した。その後、半導体電極の裏面に色素を以下のようにして吸着させた。先ず、増感色素としてルテニウム錯体［cis-Di(thiocyanato)-N,N'-bis(2,2'-bipyridyl-4,4'dicarboxylic acid)-ruthenium(II)］を用い、これのエタノール溶液（増感色素の濃度；３×１０-4ｍｏｌ／Ｌ）を調製した。次に、この溶液に半導体電極を浸漬し、８０℃の温度条件のもとで２０時間放置した。これにより、半導体電極２の内部に増感色素を約１．０×１０-7ｍｏｌ／ｃｍ2吸着させた。次に、開放電圧Ｖｏｃを向上させるために、ルテニウム錯体吸着後の半導体電極を４-tert-ブチルピリジンのアセトニトリル溶液に１５分浸漬した後、２５℃に保持した窒素気流中において乾燥させ、光電極１２を完成させた。
【００８５】
（実施例２）
半導体電極の製造を以下のようにして行ったこと以外は、実施例１と同様の手順により図１に示した光電極１０及び図３に示した色素増感型太陽電池２０と同様の構成を有する光電極及び色素増感型太陽電池を作製した。
【００８６】
すなわち、実施例１において調製したコロイド溶液１及びコロイド溶液３を使用してＰ２７とＰ１１２との質量比をＰ２７：Ｐ１１２＝７：３としたペースト（以下、ペースト４という）、コロイド溶液１及びコロイド溶液３を使用してＰ２７とＰ１１２との質量比をＰ２７：Ｐ１１２＝１：１としたペースト（以下、ペースト５という）、コロイド溶液１及びコロイド溶液３を使用してＰ２７とＰ１１２との質量比をＰ２７：Ｐ１１２＝３：７としたペースト（以下、ペースト６という）、を調製した。
【００８７】
そして、ペースト４を最内部の層２１の形成に用い、ペースト５を内部層２３の形成に用い、ペースト６を最外部の層２２の形成に用いたこと以外は、実施例１と同様手順により、透明電極１上に図１に示す半導体電極２と同様の構成の半導体電極を形成した。
【００８８】
なお、この半導体電極について、受光面の面積；１．０ｃｍ2、半導体電極の厚さ；１２μｍ、最内部の層２１の層厚；４μｍ、内部層２３の層厚；４μｍ、最外部の層２２の層厚；４μｍであり、最内部の層２１内の細孔径分布の最大値；１０ｎｍ、最内部の層２１内の細孔径分布の平均値；１２ｎｍ、内部層２３内の細孔径分布の最大値；１３ｎｍ、内部層２３内の細孔径分布の平均値；１８ｎｍ、最外部の層内の細孔径分布の最大値；２１ｎｍ、最外部の層内の細孔径分布の平均値；２２ｎｍであった。
【００８９】
（実施例３）
半導体電極の製造を以下のようにして行ったこと以外は、実施例１と同様の手順により図１に示した光電極１０及び図３に示した色素増感型太陽電池２０と同様の構成を有する光電極及び色素増感型太陽電池を作製した。
【００９０】
すなわち、実施例１において調製したコロイド溶液２及びコロイド溶液４を使用してＰ５６とＰ１９８との質量比をＰ５６：Ｐ１９８＝７：３としたペースト（以下、ペースト７という）、コロイド溶液１及びコロイド溶液３を使用してＰ５６とＰ１９８との質量比をＰ５６：Ｐ１９８＝１：１としたペースト（以下、ペースト８という）、コロイド溶液１及びコロイド溶液３を使用してＰ５６とＰ１９８との質量比をＰ５６：Ｐ１９８＝３：７としたペースト（以下、ペースト９という）、を調製した。
【００９１】
そして、ペースト７を最内部の層２１の形成に用い、ペースト８を内部層２３の形成に用い、ペースト９を最外部の層２２の形成に用いたこと以外は、実施例１と同様手順により、透明電極１上に図１に示す半導体電極２と同様の構成の半導体電極を形成した。
【００９２】
なお、この半導体電極について、受光面の面積；１．０ｃｍ2、半導体電極の厚さ；１２μｍ、最内部の層２１の層厚；４μｍ、内部層２３の層厚；４μｍ、最外部の層２２の層厚；４μｍであり、最内部の層２１内の細孔径分布の最大値；２９ｎｍ、最内部の層２１内の細孔径分布の平均値；３１ｎｍ、内部層２３内の細孔径分布の最大値；４１ｎｍ、内部層２３内の細孔径分布の平均値；４２ｎｍ、最外部の層内の細孔径分布の最大値；５２ｎｍ、最外部の層内の細孔径分布の平均値；５４ｎｍであった。
【００９３】
（実施例４）
実施例1において調製したコロイド溶液1に8質量％のポリエチレングリコール（平均分子量；20000）を添加したスラリー（以下、スラリー1という）を調製した。同様に、コロイド溶液1に25質量％のポリエチレングリコールを添加したスラリー（以下、スラリー2という）と、40質量％のポリエチレングリコールを添加したスラリー（以下、スラリー3という）を調製した。
【００９４】
そして、スラリー1をバーコート法で透明電極１上に塗布し、乾燥させた後に450℃で焼成し最内部の層２１を形成した。次に、スラリー２を内部層２３の形成に用いるとともに、スラリー３を最外部の層２２の形成に用いて最内部の層２１の形成と同様の手順により、内部層２３と最外部の層２２とを形成した。
【００９５】
そして、実施例１と同様の手順により、透明電極１上に図１に示す半導体電極２と同様の構成の半導体電極を形成した。なお、この半導体電極について、受光面の面積；1.0ｃｍ2、半導体電極の厚さ；12μｍ、最内部の層２１の層厚；４μｍ、内部層２３の層厚；４μｍ、最外部の層２２の層厚；４μｍであり、最内部の層２１の細孔径分布の最大値；１０ｎｍ、最内部の層２１内の細孔径分布の平均値；１２ｎｍ、内部層２３の細孔径分布の最大値；１８ｎｍ、内部層２３内の細孔径分布の平均値；２０ｎｍ、最外部の層の細孔径分布の最大値；２６ｎｍ、最外部の層２２内の細孔径分布の平均値；２９ｎｍであった。
【００９６】
（実施例５）
実施例1において調製したコロイド溶液1とコロイド溶液4を使用してＰ２７：Ｐ１９８＝５：５とした溶液に8質量％のポリエチレングリコール（平均分子量；20000）を添加したスラリー（以下、スラリー４という）を調製した。同様にして、上記のコロイド溶液に25質量％のポリエチレングリコールを添加したスラリー（以下、スラリー５という）と、40質量％のポリエチレングリコールを添加したスラリー（以下、スラリー６という）を調製した。
【００９７】
そして、スラリー４をバーコート法で透明電極１上に塗布し、乾燥させた後に450℃で焼成し最内部の層２１を形成した。次に、スラリー５を内部層２３の形成に用いるとともに、スラリー６を最外部の層２２の形成に用いて最内部の層２１の形成と同様の手順により、内部層２３と最外部の層２２とを形成した。
【００９８】
そして、実施例１と同様の手順により、透明電極１上に図１に示す半導体電極２と同様の構成の半導体電極を形成した。なお、この半導体電極について、受光面の面積；1.0ｃｍ2、半導体電極の厚さ；12μｍ、最内部の層２１の層厚；４μｍ、内部層２３の層厚；４μｍ、最外部の層２２の層厚；４μｍであり、最内部の層２１の細孔径分布の最大値；１８ｎｍ、最内部の層２１内の細孔径分布の平均値；２２ｎｍ、内部層２３の細孔径分布の最大値；２７ｎｍ、内部層２３内の細孔径分布の平均値；３４ｎｍ、最外部の層の細孔径分布の最大値；３９ｎｍ、最外部の層２２内の細孔径分布の平均値；４５ｎｍであった。
【００９９】
（実施例６）
実施例４において調製したスラリー１をバーコート法で透明電極１上に塗布し、乾燥させた後に450℃で焼成し最内部の層２１を形成した。次に、スラリー３を最外部の層２２の形成に用いて最内部の層２１の形成と同様の手順により最外部の層２２を形成した。
【０１００】
そして、実施例１と同様の手順により、透明電極１上に図８に示した半導体電極２と同様の構成の半導体電極を形成した。なお、この半導体電極について、受光面の面積；1.0ｃｍ2、半導体電極の厚さ；８μｍ、最内部の層２１の層厚；４μｍ、最外部の層２２の層厚；４μｍであり、最内部の層２１の細孔径分布の最大値；１０ｎｍ、最内部の層２１内の細孔径分布の平均値；１２ｎｍ、最外部の層の細孔径分布の最大値；２６ｎｍ、最外部の層２２内の細孔径分布の平均値；２９ｎｍであった。
【０１０１】
（実施例７）
実施例５において調製したスラリー４をバーコート法で透明電極１上に塗布し、乾燥させた後に450℃で焼成し最内部の層２１を形成した。次に、スラリー６を最外部の層２２の形成に用いて最内部の層２１の形成と同様の手順により最外部の層２２を形成した。
【０１０２】
そして、実施例１と同様の手順により、透明電極１上に図８に示した半導体電極２と同様の構成の半導体電極を形成した。なお、この半導体電極について、受光面の面積；1.0ｃｍ2、半導体電極の厚さ；８μｍ、最内部の層２１の層厚；４μｍ、最外部の層２２の層厚；４μｍであり、最内部の層２１の細孔径分布の最大値；１８ｎｍ、最内部の層２１内の細孔径分布の平均値；２２ｎｍ、最外部の層の細孔径分布の最大値；３９ｎｍ、最外部の層内の細孔径分布の平均値；４５ｎｍであった。
【０１０３】
（比較例１）
実施例１において調製したコロイド溶液１のみを用いてＰ２７のみを含むペースト（以下、ペースト１０という）を調製し、ペースト１０のみを用いて１つの層のみからなる半導体電極（受光面の面積；１．０ｃｍ2、層厚；１２μｍ）を作製したこと以外は、実施例１と同様の手順により光電極及び色素増感型太陽電池を作製した。なお、この場合、ペースト１の透明電極１上への印刷、乾燥、焼成は３回繰り返すことにより行った。
【０１０４】
（比較例２）
実施例１に用いたペースト２のみを用いて１つの層のみからなる半導体電極（受光面の面積；１．０ｃｍ2、層厚；１２μｍ）を作製したこと以外は、実施例１と同様の手順により光電極及び色素増感型太陽電池を作製した。なお、この場合、ペースト２の透明電極１上への印刷、乾燥、焼成は３回繰り返すことにより行った。
【０１０５】
（比較例３）
実施例４に用いたスラリー１のみを用いて実施例４と同様の手順により1つの層のみからなる半導体電極（受光面の面積；1.0ｃｍ2、半導体電極の厚さ；12μｍ）を作製したこと以外は、実施例１と同様の手順により光電極及び色素増感型太陽電池を作製した。なお、この場合、スラリー１の透明電極１上への塗布、乾燥、焼成は３回繰り返すことにより行った。
【０１０６】
（比較例４）
実施例５に用いたスラリー４のみを用いて実施例４と同様の手順により1つの層のみからなる半導体電極（受光面の面積；1.0ｃｍ2、半導体電極の厚さ；12μｍ）を作製したこと以外は、実施例１と同様の手順により光電極及び色素増感型太陽電池を作製した。なお、この場合、スラリー１の透明電極１上への塗布、乾燥、焼成は３回繰り返すことにより行った。
【０１０７】
（比較例５）
実施例４に用いたスラリー１のみを用いて実施例４と同様の手順により1つの層のみからなる半導体電極（受光面の面積；1.0ｃｍ2、半導体電極の厚さ；８μｍ）を作製したこと以外は、実施例１と同様の手順により光電極及び色素増感型太陽電池を作製した。なお、この場合、スラリー１の透明電極１上への塗布、乾燥、焼成は２回繰り返すことにより行った。
【０１０８】
（比較例６）
実施例５に用いたスラリー４のみを用いて実施例４と同様の手順により1つの層のみからなる半導体電極（受光面の面積；1.0ｃｍ2、半導体電極の厚さ；８μｍ）を作製したこと以外は、実施例１と同様の手順により光電極及び色素増感型太陽電池を作製した。なお、この場合、スラリー４の透明電極１上への塗布、乾燥、焼成は２回繰り返すことにより行った。
【０１０９】
［光電極の半導体電極内への増感色素の飽和吸着時間の測定試験］
実施例１〜実施例７、比較例１〜比較例６の各色素増感型太陽電池に備えられる光電極について、半導体電極内に増感色素を吸着させる際の飽和吸着時間の測定を行なった。得られた試験の結果を表１に示す。なお、飽和吸着時間の測定は、以下の手順に従い行った。すなわち、先ず、増感色素を25℃で所定時間吸着させた後、色素が溶出可能な所定量の溶液に浸し吸着した色素を溶出させた。次に、この色素溶液の吸光スペクトルを測定し、この吸光度が一定となった時間をもって増感色素の飽和吸着時間とした。
【０１１０】
【表１】
実施例１〜実施例７の色素増感型太陽電池に備えられる光電極の半導体電極は、増感色素を飽和吸着させる際の時間をそれぞれに対応する比較例１〜比較例６の色素増感型太陽電池に備えられる光電極の半導体電極よりも短縮できることが確認された。
【０１１２】
［電池特性試験］
電池特性試験を行ない、実施例１〜実施例７、比較例１〜比較例６の色素増感型太陽電池のエネルギー変換効率ηを測定した。電池特性試験は、ソーラーシミュレータ（ワコム製、商品名；「ＷＸＳ−８５−Ｈ型」）を用い、ＡＭフィルター（ＡＭ−１．５）を通したキセノンランプから１００ｍＷ／ｃｍ2の疑似太陽光を照射することにより行った。Ｉ−Ｖテスターを用いて電流−電圧特性を測定し、漏れ電流（Ｉ／ｍＡ・ｃｍ-2）開放電圧（Ｖｏｃ／Ｖ）、短絡電流（Ｉｓｃ／ｍＡ・ｃｍ-2）、曲線因子（F.F.）及びエネルギー変換効率（η／％）を求めた。
【０１１３】
そして、各電池について、照射強度を１００ｍＷ／ｃｍ2としたときに計測されるエネルギー変換効率値η１を減光フィルタを用いて照射強度を５０ｍＷ／ｃｍ2としたときに計測されるエネルギー変換効率値η２（％）で除した値を効率比η１／η２として求めた。なお、この比が１に近いほど電極内における電解質の拡散性に優れた高性能の太陽電池となる。
【０１１４】
実施例１〜実施例７、比較例１〜比較例６の各色素増感型太陽電池について得られた電池特性試験の結果を表２に示す。
【０１１５】
【表２】
表２に示した結果から明らかなように、実施例１〜実施例７の色素増感型太陽電池のエネルギー変換効率ηは、それぞれに対応する比較例１〜比較例６の色素増感型太陽電池のエネルギー変換効率ηよりも高い値を示すことが確認された。
【０１１７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、光電極を構成する半導体電極内の増感色素の吸着量を十分に確保することが可能となる。また、半導体電極内の反応サイトへの反応物質の供給を迅速に行うことができる。したがって、本発明によれば、優れた光電変換効率を有する光電極を構成することができる。また、この光電極を用いることにより、優れたエネルギー変換効率を有する色素増感型太陽電池を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光電極の好適な一実施形態を示す模式断面図である。
【図２】図１に示した領域１００の部分の模式拡大断面図である。
【図３】図１に示した光電極を備えた色素増感型太陽電池を示す模式断面図である。
【図４】図１に示した光電極の半導体電極の内部構造の他の形態を示す模式断面図である。
【図５】図１に示した光電極の半導体電極の内部構造の更に他の形態を示す模式断面図である。
【図６】図１に示した光電極の半導体電極の内部構造の更に他の形態を示す模式断面図である。
【図７】図１に示した光電極の他の実施形態を示す模式断面図である。
【図８】図１に示した光電極の半導体電極の内部構造の更に他の形態を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１…透明電極、２…半導体電極、３…透明導電膜、４…基板、１０，１１，１２，１３，１４…光電極，２０…色素増感型太陽電池、２１…最内部の層、２２…最外部の層、６３…内部層、１００…光電極１０の部分領域、ＣＥ…対極、Ｅ…電解質、Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，…受光面、Ｆ２２…半導体電極２の裏面、Ｌ１０…入射光、Ｐ１…酸化物半導体粒子、Ｐ２…増感色素、Ｐ３…酸化物半導体粒子、Ｐ４…酸化物半導体粒子、Ｒ２１，Ｒ２２…細孔（空隙）部分、Ｓ…スペーサー。
Claims (5)
- 受光面を有する半導体電極と、当該受光面上に隣接して配置された透明電極とを有する光電極であって、
前記半導体電極は、増感色素の吸着した粒径が略同一の酸化物半導体粒子からなり、
前記半導体電極が複数の層から構成されており、
前記複数の層の各層は前記酸化物半導体粒子で構成される多孔質膜からなり、
前記各層における細孔径分布の最大値が、前記透明電極に最も近い位置に配置される最内部の層から前記透明電極に対して最も遠い位置に配置される最外部の層にかけて増加していること、を特徴とする光電極。 - 前記最外部の層における細孔径分布の最大値が１０〜１０００ｎｍであり、かつ、前記最外部の層における前記細孔径分布の最大値と前記最内部の層における前記細孔径分布の最大値との差が３〜９９０ｎｍであること、を特徴とする請求項１に記載の光電極。
- 受光面を有する半導体電極と、当該受光面上に隣接して配置された透明電極とを有する光電極であって、
前記半導体電極は、増感色素の吸着した粒径が略同一の酸化物半導体粒子からなり、
前記半導体電極が複数の層から構成されており、
前記複数の層の各層は前記酸化物半導体粒子で構成される多孔質膜からなり、
前記各層における細孔径分布の平均値が、前記透明電極に最も近い位置に配置される最内部の層から前記透明電極に対して最も遠い位置に配置される最外部の層にかけて増加していること、を特徴とする光電極。 - 前記最外部の層における細孔径分布の平均値が１０〜５００ｎｍであり、かつ、前記最外部の層における前記細孔径分布の平均値と前記最内部の層における前記細孔径分布の平均値との差が３〜４９０ｎｍであること、を特徴とする請求項３に記載の光電極。
- 受光面を有する半導体電極と当該半導体電極の前記受光面上に隣接して配置された透明電極とを有する光電極と、対極とを有しており、前記半導体電極と前記対極とが電解質を介して対向配置された色素増感型太陽電池であって、
前記光電極が請求項１〜４の何れかに記載の光電極であることを特徴とする色素増感型太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001160978A JP4824198B2 (ja) | 2001-05-29 | 2001-05-29 | 光電極及びこれを備えた色素増感型太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001160978A JP4824198B2 (ja) | 2001-05-29 | 2001-05-29 | 光電極及びこれを備えた色素増感型太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002352870A JP2002352870A (ja) | 2002-12-06 |
| JP4824198B2 true JP4824198B2 (ja) | 2011-11-30 |
Family
ID=19004321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001160978A Expired - Fee Related JP4824198B2 (ja) | 2001-05-29 | 2001-05-29 | 光電極及びこれを備えた色素増感型太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4824198B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003303629A (ja) | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Sony Corp | 色素増感太陽電池 |
| JP4085421B2 (ja) | 2002-08-23 | 2008-05-14 | ソニー株式会社 | 色素増感型光電変換装置及びその製造方法 |
| JP4470370B2 (ja) | 2003-01-08 | 2010-06-02 | ソニー株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
| JP2004234988A (ja) | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Sony Corp | 光電変換素子およびその製造方法ならびに電子装置およびその製造方法ならびに半導体層およびその製造方法 |
| EP1463073A1 (en) * | 2003-03-24 | 2004-09-29 | Sony International (Europe) GmbH | Porous film having a gradient of light scattering strength |
| JP2004310892A (ja) | 2003-04-04 | 2004-11-04 | Sony Corp | シャッタ開閉機構及びディスクドライブ装置 |
| JP2004318930A (ja) | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Sony Corp | ディスクカートリッジ |
| JP3969349B2 (ja) | 2003-04-18 | 2007-09-05 | ソニー株式会社 | ディスクセンターリング装置 |
| JP2005039013A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Bridgestone Corp | 多孔質金属化合物薄膜の成膜方法及び有機色素増感型太陽電池 |
| JP2005317453A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 色素増感型太陽電池及びその製造方法 |
| JP5098744B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2012-12-12 | ソニー株式会社 | 色素増感太陽電池 |
| JP5223517B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2013-06-26 | 住友金属鉱山株式会社 | 箔状の多孔質バルブ金属陽極体およびその製造方法 |
| JP5320109B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2013-10-23 | 株式会社豊田中央研究所 | 色素増感型太陽電池及びその製造方法 |
| JP5947688B2 (ja) | 2011-12-28 | 2016-07-06 | パナソニック株式会社 | 電極複合体、及びこれを備える光電気素子 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10255863A (ja) * | 1997-03-11 | 1998-09-25 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 色素増感太陽電池 |
| JP2001093591A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-06 | Toshiba Corp | 光電変換素子 |
-
2001
- 2001-05-29 JP JP2001160978A patent/JP4824198B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002352870A (ja) | 2002-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4812956B2 (ja) | 光電極及びこれを備えた色素増感型太陽電池 | |
| JP4824196B2 (ja) | 光電極及びこれを備えた色素増感型太陽電池 | |
| JP4392741B2 (ja) | 光電気セル | |
| JP4824198B2 (ja) | 光電極及びこれを備えた色素増感型太陽電池 | |
| JP4046974B2 (ja) | 光電極及びこれを備えた色素増感型太陽電池 | |
| US20090203164A1 (en) | Electrolyte composition for dye-sensitized solar cell, dye-sensitized solar cell including same, and method of preparing same | |
| JP4824197B2 (ja) | 光電極及びこれを備えた色素増感型太陽電池 | |
| WO2005112184A1 (ja) | 光電変換素子、及びこれに用いる透明導電性基板 | |
| JP2008218394A (ja) | 色素増感太陽電池及び色素増感太陽電池の製造方法 | |
| JP2004220920A (ja) | 光電変換素子 | |
| JP3952103B2 (ja) | 光電気セルおよび光電気セル用金属酸化物半導体膜の製造方法 | |
| WO2004068627A1 (ja) | 光電変換素子およびその製造方法ならびに電子装置およびその製造方法ならびに半導体層およびその製造方法 | |
| JP4777592B2 (ja) | 対極及びこれを備えた色素増感型太陽電池 | |
| JPH11354169A (ja) | 光電池 | |
| JP4387652B2 (ja) | 炭素電極及びこれを備えた色素増感型太陽電池 | |
| JP4298195B2 (ja) | 光電気セル | |
| JP2008053042A (ja) | 色素増感太陽電池 | |
| JP2003059549A (ja) | 電気化学太陽電池 | |
| JP4812953B2 (ja) | 色素増感型太陽電池用光電極の製造方法及び色素増感型太陽電池の製造方法 | |
| JP4102054B2 (ja) | 光電極及びこれを備えた色素増感型太陽電池 | |
| JP2001345124A (ja) | 化学修飾半導体電極、並びに、その製造方法及びそれを用いた光電池 | |
| JP4329302B2 (ja) | 光電変換素子 | |
| JP4226837B2 (ja) | 染料感応型太陽電池 | |
| JP4379865B2 (ja) | 光電極およびその製造方法、並びにこれを用いた太陽電池 | |
| JP4050535B2 (ja) | 色素増感型太陽電池の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071212 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110531 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110801 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110906 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110908 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140916 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140916 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |