JP4816768B2 - 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 - Google Patents
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Description
これらの固体撮像装置では、画素毎にフォトダイオードからなる受光部が形成されており、受光部では、受光部に入射した光による光電変換により信号電荷が生成される。CCD型の固体撮像装置では、受光部において生成された信号電荷はCCD構造を有する電荷転送部内を転送され、出力部において画素信号に変換されて出力される。一方、CMOS型の固体撮像装置では、受光部において生成された信号電荷は画素毎に増幅され、増幅された信号が画素信号として信号線により出力される。
1.第1の実施形態:固体撮像装置
1.1 固体撮像装置全体の構成
1.2 要部の構成
1.3 固体撮像装置の製造方法
2.第2の実施形態:固体撮像装置
3.第3の実施形態:電子機器
[1−1 固体撮像装置全体の構成]
図1は、本発明の第1の実施形態に係るCMOS型の固体撮像装置の全体を示す概略構成図である。
本実施形態例の固体撮像装置1は、シリコンからなる基板11上に配列された複数の画素2から構成される画素部3と、垂直駆動回路4と、カラム信号処理回路5と、水平駆動回路6と、出力回路7と、制御回路8等を有して構成される。
図2に、本実施形態例の固体撮像装置1の画素部3における断面構成図を示す。本実施形態例の固体撮像装置1は、裏面照射型のCMOS型固体撮像装置を例としたものである。
受光部PDでは、入射した光の光量に応じた信号電荷が生成され、蓄積される。また、基板の界面で発生する暗電流の原因となる電子は暗電流抑制領域22,23の多数キャリアである正孔に吸収されることにより、暗電流が抑制される。
さらに、素子分離領域24に埋め込まれて形成された遮光部17により、光入射面側において斜めに入射してくる光が隣接する画素2に入射することを防ぐ。すなわち、遮光部17によって画素間の光学的分離がなされる。
図3〜図12に、本実施形態例の固体撮像装置1の製造工程図を示し、本実施形態例の固体撮像装置1の製造方法を説明する。
また、配線層26は、ゲート電極28形成後、例えばシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜27の形成と、アルミニウムや銅等で構成される配線25の形成を所望の回数繰り返して行うことにより形成することができる。このとき、図示しないが各配線間を接続するコンタクト部の形成も行われる。
裏面領域30は、画素形成領域12側から順に、ノンドープのシリコン層30a、p型の高濃度不純物層からなるエッチングストッパー層30b、ノンドープのシリコン層30aが積層された構造とされている。このエッチングストッパー層30bは、ノンドープのシリコン層30aの所望の領域にボロンを高濃度にイオン注入することによって形成することができる。その他、ノンドープのシリコン層30aをエピタキシャル成長法によって形成し、その形成過程で、所望の領域にp型の高濃度不純物層を形成する方法を用いてもよい。本実施形態例の裏面領域30は、基板13に接する側のシリコン層30aが、約2μm〜5μm、エッチングストッパー層30bが約1μm、エッチングストッパー層30b上に形成されるシリコン層30aが、約1μmとなるように構成されている。
次に、本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。本実施形態例の固体撮像装置は、第1の実施形態の固体撮像装置と同様に裏面照射型の固体撮像装置であり、全体の構成は、図1と同様であるから、重複説明を省略する。
なお、固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、画素部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
次に、本発明の第3の実施形態に係る電子機器について説明する。図14は、本発明の第3の実施形態に係る電子機器200の概略構成図である。
本実施形態例の電子機器200は、上述した本発明の第1の実施形態における固体撮像装置1を、静止画撮影が可能なデジタルカメラを例としたものである。
シャッタ装置211は、固体撮像装置1への光照射期間および遮光期間を制御する。
駆動回路212は、固体撮像装置1の転送動作およびシャッタ装置211のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路212から供給される駆動信号(タイミング信号)により、固体撮像装置1の信号転送を行なう。信号処理回路213は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、あるいはモニタに出力される。
2 画素
3 画素部
4 垂直駆動回路
5 カラム信号処理回路
6 水平駆動回路
7 出力回路
8 制御回路
10 水平信号線
12 画素形成領域
13 基板
14 支持基板
15 配線層
16 オンチップレンズ
17 遮光部
18 高誘電率材料膜
19 トレンチ部
20 遮光膜
21 電荷蓄積領域
22 暗電流抑制領域
23 暗電流抑制領域
24 素子分離領域
25 配線
26 配線層
27 層間絶縁膜
28 ゲート電極
29 ゲート絶縁膜
30 裏面領域
30a シリコン層
30b エッチングストッパー層
31 フォトレジスト層
31a 開口部
32 埋め込み膜
Claims (12)
- 複数の受光部が形成された基板であって、前記基板の裏面側が光照射面とされる基板と、
前記基板の表面側に形成された配線層と、
隣接する受光部間に形成され、前記基板の裏面側から所望の深さに形成されたトレンチ部、及び前記トレンチ部内に埋め込まれた遮光膜で構成された遮光部と、を有し、
前記隣接する受光部間には、所定の不純物領域から構成され、隣接する受光部間を電気的に分離する為の素子分離領域が形成されており、
前記遮光部は、前記素子分離領域内に形成されている
固体撮像装置。 - 前記遮光部は、前記基板を貫通して形成されている
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記トレンチ部とトレンチ部に埋め込まれた遮光膜との間には、高誘電率材料膜が形成されている
請求項1又は2に記載の固体撮像装置。 - 前記遮光膜は、アルミニウム又はタングステンで構成されている
請求項1〜3のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 前記高誘電率材料膜は、酸化ハフニウム、五酸化タンタル、又は二酸化ジルコニウムで構成されている
請求項1〜4のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 基板の表面領域に複数の受光部及び所望の不純物領域を形成し、裏面領域にエッチングストッパー層を形成する工程と、
前記基板の表面側に、層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線からなる配線層を形成する工程と、
前記基板を前記基板の裏面側から前記エッチングストッパー層までエッチングする工程と、
前記基板の裏面側から所望の深さに達するトレンチ部を形成する工程と、
前記基板に形成されたトレンチ部に埋め込み膜を形成し、前記埋め込み膜をストッパーとして、前記基板を薄肉化する工程と、
前記埋め込み膜を除去して後、前記トレンチ部に、遮光膜を埋め込む工程と、
有し、
前記トレンチ部は、隣接する受光部間を電気的に分離する為に形成された所定の不純物領域からなる素子分離領域に形成する
固体撮像装置の製造方法。 - 前記基板の裏面領域は、ノンドープのシリコン層により構成され、前記エッチングストッパー層は、p型の高濃度不純物層によって構成されている
請求項6記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記トレンチ部は前記基板を貫通するように形成する
請求項6又は7に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記トレンチ部とトレンチ部に埋め込まれた遮光膜との間には、高誘電率材料膜が形成されている
請求項6〜8のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記遮光膜は、アルミニウム又はタングステンで構成されている
請求項6〜9のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記高誘電率材料膜は、酸化ハフニウム、五酸化タンタル、又は二酸化ジルコニウムで構成されている
請求項6〜10のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。 - 光学レンズと、
複数の受光部が形成された基板であって、前記基板の裏面側が光照射面とされる基板と、前記基板の表面側に形成された配線層と、隣接する受光部間に形成され、前記基板の裏面側から所望の深さに形成されたトレンチ部、及び前記トレンチ部内に埋め込まれた遮光膜で構成された遮光部と、から構成され、前記隣接する受光部間には、所定の不純物領域から構成され、隣接する受光部間を電気的に分離する為の素子分離領域が形成されており、前記遮光部は、前記素子分離領域内に形成されている固体撮像装置であって、前記光学レンズに集光された光が入射される固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路と、
を含む電子機器。
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