JP4124190B2 - X−yアドレス型固体撮像素子 - Google Patents
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Description
(2)配線によって跳ねられた光の一部が隣接する画素のフォトダイオードに入り、混色が起きる。
(3)フォトダイオード102の上に配線を置けない、太い配線を通せないなどの配線の制約によって特性が低下するとともに、画素の微細化が困難である。
(4)周辺部の画素では光が斜め入射になって跳ねられる割合が多くなるので、周辺の画素ほど暗いシェーディングが起こる。
(5)配線層がさらに増加した、進んだCMOSプロセスでCMOSイメージセンサを作ろうとすると、マイクロレンズ106からフォトダイオード102の受光面までの距離が遠くなるのでそれが困難である。
(6)上記(5)によって進んだCMOSプロセスのライブラリが使えなくなり、ライブラリにある回路のレイアウトし直しが入るとともに、配線層が制限されるので面積が増大するなどによってコストが上昇し、また1画素当たりの画素面積も大きくなる。
Claims (9)
- 光電変換素子で光電変換された信号電荷を電気信号に変換して出力する能動素子を含む単位画素が行列状に配置されてなるX-Yアドレス型固体撮像素子であって、
前記光電変換素子が形成される素子層に対してその一方の面側に形成された前記光電変換素子から前記信号電荷を転送するためのゲート電極と、前記ゲート電極よりも前記一方の面側に形成された複数層の配線とを含む配線層と、
貫通口を有し、前記配線層の前記素子層とは反対側に設けられた基板支持材とを有し、
前記該貫通口はその中に埋められた導電材によって外部と接続されるパッド間をつないでおり、
前記パッドは受光面と反対側に形成されており、
入射光を前記素子層の他方の面側から前記光電変換素子に取り込む
ことを特徴とするX-Yアドレス型固体撮像素子。 - 前記素子層の他方の面側の表面部に形成されたP層とを有する
ことを特徴とする請求項1記載のX-Yアドレス型固体撮像素子。 - 前記光電変換素子は画素領域に設けられ、
前記P層は前記画素領域の周辺回路領域において無形成領域を有する
ことを特徴とする請求項2記載のX-Yアドレス型固体撮像素子。 - 前記素子層の前記一方の面側の表面から前記P層に亘って形成されたP型ウェルを有する
ことを特徴とする請求項2記載のX-Yアドレス型固体撮像素子。 - 前記P型ウェルは前記素子層の他方の面側において、前記一方の面側よりも広く開口している
ことを特徴とする請求項4記載のX-Yアドレス型固体撮像素子。 - 前記光電変換素子は画素領域に設けられ、
前記画素領域の周辺回路領域において前記素子層の前記一方の面側の表面部に第2のP型ウェルが形成されており、
前記第2のP型ウェルは前記素子層の前記他方の面側の表面部に到達していない
ことを特徴とする請求項4記載のX-Yアドレス型固体撮像素子。 - 前記素子層の厚さが5〜15μmである
ことを特徴とする請求項1記載のX-Yアドレス型固体撮像素子。 - 前記光電変換素子は、光電変換した信号電荷を蓄積する領域と、前記領域の上に形成された当該領域と逆導電型の層とを有し、当該層が前記素子層の一方の面まで到達する深さで形成されている
ことを特徴とする請求項1記載のX-Yアドレス型固体撮像素子。 - 前記光電変換素子は、受光面側の表面積が前記配線層側の表面積よりも広く形成されている
ことを特徴とする請求項1記載のX-Yアドレス型固体撮像素子。
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