JP4810496B2 - パターン形成装置、パターン形成方法及びテンプレート - Google Patents

パターン形成装置、パターン形成方法及びテンプレート Download PDF

Info

Publication number
JP4810496B2
JP4810496B2 JP2007115278A JP2007115278A JP4810496B2 JP 4810496 B2 JP4810496 B2 JP 4810496B2 JP 2007115278 A JP2007115278 A JP 2007115278A JP 2007115278 A JP2007115278 A JP 2007115278A JP 4810496 B2 JP4810496 B2 JP 4810496B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
template
light
organic material
pattern
wafer substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007115278A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008270686A (ja
Inventor
田 郁 男 米
田 拓 見 太
柴 健 小
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2007115278A priority Critical patent/JP4810496B2/ja
Publication of JP2008270686A publication Critical patent/JP2008270686A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4810496B2 publication Critical patent/JP4810496B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、パターン形成装置、パターン形成方法及びテンプレートに関するものである。
半導体集積回路の微細化、高集積化に伴い、微細加工を実現するためのパターン転写技術としてフォトリソグラフィ装置の高精度化が要求され、装置コストが高くなるという欠点があった。
これに対し、微細なパターン形成を低コストで実施するための技術として、光ナノインプリント法(SFIL:step and flash imprint lithography)が提案されている(例えば特許文献1参照)。これは基板上に形成したいパターンと同じ凹凸を有するスタンパ(テンプレート)を、被転写基板表面に塗布された液状の光硬化性有機材料層に押しつけ、凹凸パターン内に有機材料が行き渡るまで保持し、その後、光照射を行って有機材料層を硬化させ、テンプレートを有機材料層から分離(離型)することで、レジスト層にパターンを転写する方法である。
テンプレートを基板表面に押しつけてから光照射を行うまでの保持時間が短いと、凹凸パターン内への有機材料の充填が不十分になり、転写されるパターンの形状精度が低下する。このようなパターンをレジストとしてエッチング等のプロセス処理を行うと加工形状の異常が発生する等の問題が生じる。
保持時間を長くする程、有機材料は凹凸パターン内に十分に充填されるが、それに伴いスループットが低下するという問題を有していた。
特開2001−68411号公報
本発明はテンプレートへの有機材料充填時間を最適化し、有機材料の充填不良がなく、かつスループットの高いパターン形成方法及びパターン形成装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様によるパターン形成装置は、表面に有機材料が塗布されたウェーハ基板を保持するウェーハ基板支持体と、一方の面に所定の凹凸パターンが形成され、この凹凸パターンの情報が記述された光透過性のテンプレートを保持するテンプレート保持部と、前記凹凸パターンの情報を読み取って出力するセンサと、駆動制御信号に基づき前記テンプレート保持部の駆動を行い、前記テンプレート保持部に保持された前記テンプレートを前記ウェーハ基板表面に塗布された前記有機材料に接触させる駆動部と、光照射制御信号に基づき、前記テンプレート保持部に保持された前記テンプレートに、前記テンプレートの他方の面側から光を照射する光源と、前記駆動制御信号を出力し、前記センサから出力される前記凹凸パターンの情報に基づき、前記テンプレートが前記有機材料に接触してから所定の時間経過後に前記光源が光を照射するように前記光照射制御信号を出力する制御部と、を備えるものである。
また、本発明の一態様によるパターン形成装置は、表面に有機材料が塗布されたウェーハ基板を保持するウェーハ基板支持体と、一方の面に所定の凹凸パターンが形成され光透過性を有するテンプレートを保持するテンプレート保持部と、駆動制御信号に基づき前記テンプレート保持部の駆動を行い、前記テンプレート保持部に保持された前記テンプレートを前記ウェーハ基板表面に塗布された前記有機材料に接触させる駆動部と、前記テンプレートに前記有機材料が硬化しない光を照射し、反射光を受光し、受光強度を出力する充填検出器と、光照射制御信号に基づき、前記テンプレート保持部に保持された前記テンプレートに、前記テンプレートの他方の面側から前記有機材料が硬化する光を照射する光源と、前記駆動制御信号を出力し、前記充填検出器から出力される前記受光強度が所定レベル以上であるか否かを判定し、所定レベル以上と判定した場合は前記光源が光を照射するように前記光照射制御信号を出力する制御部と、を備えるものである。
本発明の一態様によるパターン形成方法は、ウェーハ基板支持体、テンプレート保持部、センサ、駆動部、光源、及び制御部を有するパターン形成装置を用いたパターン形成方法であって、前記ウェーハ基板支持体によりウェーハ基板を保持する工程と、前記センサにより一方の面に所定の凹凸パターンが形成され光透過性を有し前記凹凸パターンの情報が記述されたテンプレートの前記凹凸パターンの情報を読み取る工程と、前記テンプレート保持部により前記テンプレートを保持する工程と、前記ウェーハ基板の表面に有機材料を塗布する工程と、前記駆動部により前記テンプレート保持部を駆動し、前記テンプレートを前記有機材料に接触させる工程と、前記制御部により前記センサが読み取った前記凹凸パターンの情報に基づく保持時間を算出し、前記テンプレートが前記有機材料に接触してから前記算出された保持時間経過後に光制御信号を出力する工程と、前記光源により前記光制御信号に基づき前記テンプレートを介して前記有機材料に光を照射する工程と、を備えるものである。
また、本発明の一態様によるパターン形成方法は、ウェーハ基板支持体、テンプレート保持部、駆動部、充填検出器、光源、及び制御部を有するパターン形成装置を用いたパターン形成方法であって、前記ウェーハ基板支持体によりウェーハ基板を保持する工程と、前記テンプレート保持部により一方の面に所定の凹凸パターンが形成され光透過性を有するテンプレートを保持する工程と、前記ウェーハ基板の表面に有機材料を塗布する工程と、前記駆動部により前記テンプレート保持部を駆動し、前記テンプレートを前記有機材料に接触させる工程と、前記充填検出器から前記テンプレートに前記有機材料が硬化しない光を照射し、反射光を受光し、受光強度を出力する工程と、前記制御部により前記受光強度が所定値以上であるか否かを判定し、所定値以上と判定した場合は光制御信号を出力する工程と、前記光源により前記光制御信号に基づき前記有機材料が硬化する光を前記テンプレートを介して前記有機材料に照射する工程と、を備えるものである。
本発明の一態様によるテンプレートは、一方の面の中央部に第1の凹凸パターンが形成され、光透過性を有するテンプレートであって、前記一方の面の周辺部に、前記第1の凹凸パターンに含まれる最小パターン幅及び最大パターン幅と同じパターン幅の第2の凹凸パターンを備えるものである。
本発明によれば、テンプレートへの有機材料充填時間を最適化し、有機材料の充填不良なく、かつスループットを高くすることができる。
以下、本発明の実施の形態によるパターン形成装置及びパターン形成方法を図面に基づいて説明する。
(第1の実施形態)図1に本発明の第1の実施形態に係るパターン形成装置の概略構成を示す。パターン形成装置は光照射部1、バーコードセンサ2、ウェーハ基板7を保持するウェーハ基板支持体3、テンプレート搬送部4、制御部5を備える。光照射部1はチャック1a、レンズ1b、伸縮部1c、光源1dを有する。
チャック1aはテンプレート搬送部4により搬送されたテンプレート6を把持する。光源1dから発せられる光がレンズ1bを介してチャック1aに把持されたテンプレート6に照射される。
図2にテンプレート6の上面を示す。テンプレート6の一方の面側(ウェーハ基板側)の中央部6aにはウェーハ基板7上に形成したいパターンと同じ凹凸パターンが形成されている。他方の面側(光照射部側)のテンプレート6の周辺部6bにはテンプレートID6c及びバーコード6dが記載されている。
テンプレートID6cはテンプレート名、テンプレートに含まれる最大パターンサイズ、最小パターンサイズ、パターン密度、溝深さ(パターン高さ)等のテンプレート情報を含む。バーコード6dはこのテンプレート情報をバーコード化したものである。テンプレート6は光源1dから発せられる光を透過するような材料、例えば石英ガラス、により形成される。
バーコードセンサ2はこのバーコード6dを読み取り、読み取ったテンプレート情報を制御部5へ出力する。
制御部5は伸縮部1c及び光源1dを制御する。ウェーハ基板支持体3に支持されたウェーハ基板7の表面上にインクジェット装置(図示せず)により光硬化性有機材料が塗布され、伸縮部1cが伸びて光硬化性有機材料にテンプレート6が接触される。
この接触状態を所定時間保持している間に、テンプレート6の凹凸パターン内に光硬化性有機材料が充填される。その後、光源1dから光を照射し、光硬化性有機材料を硬化させる。光硬化性有機材料の硬化後、伸縮部1を縮めて光硬化性有機材料からテンプレート6を分離(離型)する。
制御部5は予め取得されたテンプレート保持時間情報を格納する。テンプレート保持時間情報は、テンプレート情報の各項目(最大パターンサイズ等)とテンプレート6の凹凸パターンに光硬化性有機材料が充填されるまでの最適時間との関係を示す情報である。
例えば、図3に示すように、凹凸パターン内の最大パターン(溝)サイズの増加に伴い、光硬化性有機材料が充填されるまでの時間は増加する関係にある。制御部5はこのような情報を予め取得し格納する。そして、バーコードセンサ2により読み取られたテンプレート情報とテンプレート保持時間情報とに基づいて、テンプレート6を保持する、すなわち凹凸パターン内に液状の光硬化性有機材料を充填させる時間を算出する。
例えば、読み取られたテンプレート情報に最大パターンサイズが1000nmという情報が含まれている場合、保持(充填)時間は40secとなる。
算出した保持時間経過後、光源1dを制御し、光を照射する。
このパターン形成装置を用いたパターン形成の工程断面を、図4を用いて説明する。
図4(a)に示すように、ウェーハ基板支持体3に支持されたウェーハ基板7の表面上に液状の光硬化性有機材料8がインクジェット装置(図示せず)により塗布される。なお、チャック1aには、バーコードセンサ2によりテンプレート情報読み取り済みのテンプレート6が取り付けられているものとする。
図4(b)に示すように、伸縮部1cが伸びチャック1aに把持されたテンプレート6をウェーハ基板7の表面上の光硬化性有機材料8に接触させる。
図4(c)に示すように、所定時間保持し、光硬化性有機材料8をテンプレート6の凹凸パターン内に充填させる。保持時間はバーコードセンサ2により読み取られたテンプレート情報及び制御部5に格納される保持時間情報に基づいて制御部5により算出される。
図4(d)に示すように、算出された保持時間経過後、光源1dから発せられる光をレンズ1b、テンプレート6を介して光硬化性有機材料8に照射し、光硬化性有機材料8を硬化させる。
図4(e)に示すように、伸縮部1cが縮んでテンプレート6が光硬化性有機材料8から分離(離型)される。光硬化性有機材料8は硬化されているので、テンプレート6が接触していたときの状態(形状)に維持される。
テンプレートの凹凸パターン形状に基づいてテンプレートの保持時間(光硬化性有機材料の充填時間)を決定するため、光硬化性有機材料の充填不良を抑制することができる。また、テンプレートの保持時間は、最適な時間であるため、スループットの低下を防止することができる。
このように本実施形態によるパターン形成装置により、テンプレートへの有機材料充填時間を最適化し、有機材料の充填不良なく、かつスループットを高くすることができる。
上記実施形態ではテンプレート保持時間情報の例として最大パターンサイズとの関係を示した(図3)が、最小パターンサイズ、パターン密度、溝深さ(パターン高さ)との関係を予め取得し、制御部5に格納し、それを用いて保持時間を算出するようにしても良い。
(第2の実施形態)図5に本発明の第2の実施形態に係るパターン形成装置の概略構成を示す。パターン形成装置は光照射部51、ウェーハ基板55を保持するウェーハ基板支持体52、制御部53を備える。光照射部51はチャック51a、レンズ51b、伸縮部51c、光源51d、充填検出器51eを有する。
チャック51aはテンプレート54を把持する。光源51dから発せられる光がレンズ51bを介してチャック51aに把持されたテンプレート54に照射される。
図6にテンプレート54の上面を示す。テンプレート54の一方の面側(ウェーハ基板側)の中央部54aにはウェーハ基板55上に形成したいパターンと同じ凹凸パターンが形成されている。さらに、この凹凸パターンと同一面側(ウェーハ基板側)のテンプレート54の周辺部54bには充填モニタパターン54cが形成されている。
充填モニタパターン54cは複数のパターンサイズを変化させた周期パターン(L&S、C/H等)である。充填モニタパターン54cの溝パターンサイズ、及び溝深さは中央部54aに形成されている凹凸パターン(メインパターン)に含まれる周期パターン(L&S、C/H等)に合わせる。例えば、メインパターンに含まれる最小パターン幅及び最大パターン幅のライン&スペースやコンタクトホールを形成する。
充填検出器51eは図7に示すように発光部71及び受光部72を有する。発光部71から射出された光が、テンプレート54の充填モニタパターン内の光硬化性有機材料73により反射し、反射した光を受光部72が受光する。発光部71からは光硬化性有機材料73を硬化させない波長の光が射出される。
図7(a)に示すように、テンプレート54の充填モニタパターンへの光硬化性有機材料73の充填が不十分な場合は光の散乱が大きく、受光部72での受光レベルは低い。
逆に、図7(b)に示すように、テンプレート54の充填モニタパターンへの光硬化性有機材料73の充填が十分であれば、光の散乱は小さく、受光部72での受光レベルは高くなる。
図8にテンプレートが光硬化性有機材料に接触してからの経過時間と受光部72での受光レベル(信号強度)との関係の一例を示す。図8には充填モニタパターンサイズが大きい場合(実線)と小さい場合(破線)とを示している。時間経過に伴い、信号強度が大きくなることが分かる。信号強度が飽和するレベルを充填終了レベルとする。この充填終了レベルを予め取得しておき、充填終了レベル情報として制御部53に格納する。
制御部53は伸縮部51c、光源51d、充填検出器51eの制御を行う。
このパターン形成装置を用いたパターン形成の工程断面を、図9を用いて説明する。
図9(a)に示すように、ウェーハ基板支持体52に支持されたウェーハ基板55の表面上に液状の光硬化性有機材料90がインクジェット装置(図示せず)により塗布される。
図9(b)に示すように、伸縮部51cが伸びチャック51aに把持されたテンプレート54をウェーハ基板55の表面上の液状の光硬化性有機材料90に接触させる。
図9(c)に示すように、充填検出器51eの発光部71からテンプレート54の充填モニタパターン54cに光が照射され、反射光を受光部72が受光し、受光レベルを制御部53へ送信する。このとき、充填モニタパターン54cに照射する光は光硬化性有機材料を硬化させない波長の光とする。また、充填モニタパターン54cはパターンサイズの異なる複数のパターン(L&S、C/H等)が含まれており、各々のパターンからの反射光の受光レベルを順次検出して制御部53へ送信する。
図9(d)に示すように、制御部53は、充填モニタパターン54cの各パターンからの反射光の受光レベルが充填終了レベルに達したと判定した場合、光源51dから光を発するよう制御を行う。光源51dから発せられた光はレンズ51b、テンプレート54を介して光硬化性有機材料90に照射され、光硬化性有機材料90は硬化する。
図9(e)に示すように、伸縮部1cが縮んでテンプレート54が光硬化性有機材料90から分離(離型)される。光硬化性有機材料90は硬化されているので、テンプレート54が接触していたときの状態(形状)に維持される。
テンプレートの凹凸パターンのサイズに合わせて形成された充填モニタパターンの充填状況をモニタし、受光部72での受光レベルが充填終了レベルに達してから光を照射して光硬化性有機材料90を硬化しているので、テンプレートの凹凸パターンへの充填不良を抑制することができる。また、テンプレートの保持時間は最適な時間であるため、スループットの低下を防止することができる。
このように本実施形態によるパターン形成装置により、テンプレートへの有機材料充填時間を最適化し、有機材料の充填不良なく、かつスループットを高くすることができる。
上記実施形態ではテンプレートに充填モニタパターンを形成していたが、充填モニタパターンを形成せずに、充填検出器51eでテンプレート54の中央部54aの凹凸パターンの充填状況を直接モニタするようにしても良い。
(第3の実施形態)図10に本発明の第3の実施形態に係るパターン形成装置の断面概略構成を示す。パターン形成装置はテンプレート101を保持する原版ステージ102、アライメントセンサ103、アライメントセンサ103を固定するアライメントステージ104、原版ステージ102及びアライメントステージ104を固定するベース105、光源106、ウェーハ基板107を保持するウェーハチャック108、ウェーハチャック108を固定するウェーハステージ109、ベアリング110、ステージ定盤111を備える。
光源106は紫外線を発光する。テンプレート101にはウェーハ基板107上に形成したいパターンと同じ凹凸パターン(メインパターン)が形成されており、石英や蛍石等の紫外線を透過する材料からなる。図11(a)にテンプレート101の上面を示す。
テンプレート101の一方の面側(ウェーハ基板側)の中央部101aにはウェーハ基板107上に形成したいパターンと同じ凹凸パターンが形成されている。テンプレート101の中央部101aの図中右上、右下、左上、左下の4箇所にはアライメントマーク101b〜101eが形成されている。
図11(b)にアライメントマーク101bの拡大図を示す。アライメントマークはメインパターンのデザインノードと同等のライン&スペースにより構成されている。例えば、メインパターンに含まれる最小幅のパターンと同じ幅で構成される。
ここでアライメントマークはアライメントマーク101b〜101eの4箇所形成されているが、3箇所以上形成されていればよい。
原版ステージ102はZ軸まわり(θ)の駆動軸を有し、テンプレート101を位置決めする。原版ステージ102はX軸まわり(ωy)とY軸まわり(ωx)の駆動軸をさらに有することが好適である。原版ステージ102は各駆動軸の位置を計測するポジショニングセンサ(図示せず)をさらに有する。
ベース105は装置本体定盤(図示せず)により固定されている。
アライメントセンサ103はテンプレート101に形成されているアライメントマーク101b〜101eとウェーハ基板107上に描かれているアライメントマーク(すでに形成されている下層のアライメントマーク)とから、テンプレート101とウェーハ基板107との相対的な位置ずれ量を計測する。アライメントセンサ103の計測は、例えば光学式検査装置又はSEM(電子顕微鏡)を用いて行う。
位置ずれ量は、アライメントセンサ103からアライメントマークへ光を照射し、回折、反射してアライメントセンサ103に戻ってきた光の強度分布から計測することができる。計測された位置ずれ量を補正するように原版ステージ102が動く。
ウェーハステージ109はベアリング110により移動可能であり、X、Y、Z、ωx、ωy、θの6軸駆動することが好ましい。ウェーハステージ109はステージ定盤111から圧縮空気などで浮上した状態でリニアモータによりX、Y方向の駆動が行われるようにしてもよい。ウェーハステージ109は各駆動軸の位置を計測するレーザ干渉計などのポジショニングセンサ(図示せず)を有する。
テンプレート101の位置ずれを補正した後、ウェーハ基板107に塗布された液状の光硬化性有機材料にテンプレート101を接触させる。テンプレート101の凹凸パターン内に光硬化性有機材料が行き渡るよう所定時間保持した後、光源106からテンプレート101の背面に紫外線を照射する。光硬化性有機材料はテンプレート101を介して紫外線が照射され、硬化する。光硬化性有機材料の硬化後、テンプレート101を分離する。
これにより、ウェーハ基板107上には所望のレジストパターンが形成される。また、アライメントマーク101b〜101eによるパターンも転写される。
図3に示すように光硬化性有機材料がテンプレート101の凹凸パターン内に行き渡る(充填する)までの時間はパターンの寸法が大きくなるほど長くなる。一般に、アライメントマークの計測に用いる合わせずれ検査は、光学式検査装置を用いて行われる。そのためアライメントマークのパターンサイズは非常に大きく、数μmから数10μmのサイズに達する。そのため、有機材料が充填されるときの保持時間が長くなり、スループットが低下してしまう。
本実施形態ではアライメントマーク101b〜101eをテンプレート中央部101aの凹凸パターンのデザインノードと同等のライン&スペースにより構成したことで、凹凸パターンとアライメントマークに光硬化性有機材料が充填されるまでの時間を一致させることができる。
このように本実施形態によるパターン形成装置により、テンプレートへの有機材料充填時間を適正な状態として、スループットを高くすることができる。
上記第1、第2の実施形態におけるテンプレート6、54に本実施形態のようなアライメントマーク101b〜eを設けるようにしてもよい。これにより、テンプレートへの有機材料充填時間を最適化し、メインパターン及びアライメントマークへの有機材料の充填不良なく、かつスループットを高くすることができる。
上述した実施の形態はいずれも一例であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明の第1の実施形態によるパターン形成装置の概略構成図である。 テンプレートの上面図である。 パターンサイズと有機材料充填時間の関係を示すグラフである。 同第1の実施形態によるパターン形成方法を示す工程断面図である。 本発明の第2の実施形態によるパターン形成装置の概略構成図である。 テンプレートの上面図である。 充填検出器の一例を示す図である。 充填検出器における受光強度の変化を示すグラフである。 同第2の実施形態によるパターン形成方法を示す工程断面図である。 本発明の第3の実施形態によるパターン形成装置の概略構成図である。 テンプレートの上面図である。
符号の説明
1 光照射部
2 バーコードセンサ
3 ウェーハ基板支持体
4 テンプレート搬送部
5 制御部
6 テンプレート
7 ウェーハ基板

Claims (5)

  1. 表面に有機材料が塗布されたウェーハ基板を保持するウェーハ基板支持体と、
    一方の面に所定の凹凸パターンが形成され、この凹凸パターンの情報が記述された光透過性のテンプレートを保持するテンプレート保持部と、
    前記凹凸パターンの情報を読み取って出力するセンサと、
    駆動制御信号に基づき前記テンプレート保持部の駆動を行い、前記テンプレート保持部に保持された前記テンプレートを前記ウェーハ基板表面に塗布された前記有機材料に接触させる駆動部と、
    光照射制御信号に基づき、前記テンプレート保持部に保持された前記テンプレートに、前記テンプレートの他方の面側から光を照射する光源と、
    前記駆動制御信号を出力し、前記センサから出力される前記凹凸パターンの情報に基づき、前記テンプレートが前記有機材料に接触してから所定の時間経過後に前記光源が光を照射するように前記光照射制御信号を出力する制御部と、
    を備えることを特徴とするパターン形成装置。
  2. 表面に有機材料が塗布されたウェーハ基板を保持するウェーハ基板支持体と、
    一方の面に所定の凹凸パターンが形成され光透過性を有するテンプレートを保持するテンプレート保持部と、
    駆動制御信号に基づき前記テンプレート保持部の駆動を行い、前記テンプレート保持部に保持された前記テンプレートを前記ウェーハ基板表面に塗布された前記有機材料に接触させる駆動部と、
    前記テンプレートに前記有機材料が硬化しない光を照射し、反射光を受光し、受光強度を出力する充填検出器と、
    光照射制御信号に基づき、前記テンプレート保持部に保持された前記テンプレートに、前記テンプレートの他方の面側から前記有機材料が硬化する光を照射する光源と、
    前記駆動制御信号を出力し、前記充填検出器から出力される前記受光強度が所定レベル以上であるか否かを判定し、所定レベル以上と判定した場合は前記光源が光を照射するように前記光照射制御信号を出力する制御部と、
    を備えることを特徴とするパターン形成装置。
  3. ウェーハ基板支持体、テンプレート保持部、センサ、駆動部、光源、及び制御部を有するパターン形成装置を用いたパターン形成方法であって、
    前記ウェーハ基板支持体によりウェーハ基板を保持する工程と、
    前記センサにより一方の面に所定の凹凸パターンが形成され光透過性を有し前記凹凸パターンの情報が記述されたテンプレートの前記凹凸パターンの情報を読み取る工程と、
    前記テンプレート保持部により前記テンプレートを保持する工程と、
    前記ウェーハ基板の表面に有機材料を塗布する工程と、
    前記駆動部により前記テンプレート保持部を駆動し、前記テンプレートを前記有機材料に接触させる工程と、
    前記制御部により前記センサが読み取った前記凹凸パターンの情報に基づく保持時間を算出し、前記テンプレートが前記有機材料に接触してから前記算出された保持時間経過後に光制御信号を出力する工程と、
    前記光源により前記光制御信号に基づき前記テンプレートを介して前記有機材料に光を照射する工程と、
    を備えることを特徴とするパターン形成方法。
  4. ウェーハ基板支持体、テンプレート保持部、駆動部、充填検出器、光源、及び制御部を有するパターン形成装置を用いたパターン形成方法であって、
    前記ウェーハ基板支持体によりウェーハ基板を保持する工程と、
    前記テンプレート保持部により一方の面に所定の凹凸パターンが形成され光透過性を有するテンプレートを保持する工程と、
    前記ウェーハ基板の表面に有機材料を塗布する工程と、
    前記駆動部により前記テンプレート保持部を駆動し、前記テンプレートを前記有機材料に接触させる工程と、
    前記充填検出器から前記テンプレートに前記有機材料が硬化しない光を照射し、反射光を受光し、受光強度を出力する工程と、
    前記制御部により前記受光強度が所定値以上であるか否かを判定し、所定値以上と判定した場合は光制御信号を出力する工程と、
    前記光源により前記光制御信号に基づき前記有機材料が硬化する光を前記テンプレートを介して前記有機材料に照射する工程と、
    を備えることを特徴とするパターン形成方法。
  5. 一方の面の中央部に第1の凹凸パターンが形成され、光透過性を有するテンプレートであって、
    前記一方の面の周辺部に、前記第1の凹凸パターンに含まれる最小パターン幅及び最大パターン幅と同じパターン幅の第2の凹凸パターンを備えることを特徴とするテンプレート。
JP2007115278A 2007-04-25 2007-04-25 パターン形成装置、パターン形成方法及びテンプレート Expired - Fee Related JP4810496B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007115278A JP4810496B2 (ja) 2007-04-25 2007-04-25 パターン形成装置、パターン形成方法及びテンプレート

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007115278A JP4810496B2 (ja) 2007-04-25 2007-04-25 パターン形成装置、パターン形成方法及びテンプレート

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008270686A JP2008270686A (ja) 2008-11-06
JP4810496B2 true JP4810496B2 (ja) 2011-11-09

Family

ID=40049765

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007115278A Expired - Fee Related JP4810496B2 (ja) 2007-04-25 2007-04-25 パターン形成装置、パターン形成方法及びテンプレート

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4810496B2 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8237133B2 (en) * 2008-10-10 2012-08-07 Molecular Imprints, Inc. Energy sources for curing in an imprint lithography system
JP5289006B2 (ja) * 2008-11-19 2013-09-11 株式会社東芝 パターン形成方法およびプログラム
JP5244566B2 (ja) 2008-12-02 2013-07-24 株式会社東芝 テンプレート洗浄方法、洗浄システム、及び洗浄装置
JP2010171338A (ja) * 2009-01-26 2010-08-05 Toshiba Corp パターン生成方法及びパターン形成方法
NL2004945A (en) * 2009-08-14 2011-02-15 Asml Netherlands Bv Imprint lithography apparatus and method.
JP2011066180A (ja) * 2009-09-17 2011-03-31 Toshiba Corp テンプレート作成管理方法、テンプレート及びテンプレート作成管理装置
JP4922376B2 (ja) 2009-09-18 2012-04-25 株式会社東芝 テンプレートの製造方法及び半導体装置の製造方法
NL2005265A (en) 2009-10-07 2011-04-11 Asml Netherlands Bv Imprint lithography apparatus and method.
JP5404570B2 (ja) * 2010-09-24 2014-02-05 株式会社東芝 滴下制御方法および滴下制御装置
JP5595949B2 (ja) 2011-02-15 2014-09-24 株式会社東芝 インプリント装置、インプリント方法および凹凸板の製造方法
JP5697571B2 (ja) 2011-10-06 2015-04-08 株式会社東芝 テンプレートの製造装置及びテンプレートの製造方法
JP6779748B2 (ja) * 2016-10-31 2020-11-04 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP6716484B2 (ja) * 2017-03-14 2020-07-01 キオクシア株式会社 インプリント方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3269308B2 (ja) * 1995-01-18 2002-03-25 三菱化学株式会社 光学的情報記録媒体用樹脂基板の製造方法
JP2001277200A (ja) * 2000-03-30 2001-10-09 Toshiba Corp 微細加工装置
US6871558B2 (en) * 2002-12-12 2005-03-29 Molecular Imprints, Inc. Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries
JP2006165371A (ja) * 2004-12-09 2006-06-22 Canon Inc 転写装置およびデバイス製造方法
JP4533358B2 (ja) * 2005-10-18 2010-09-01 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置およびチップの製造方法
CN101600993B (zh) * 2007-02-06 2013-01-16 佳能株式会社 刻印方法和刻印装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008270686A (ja) 2008-11-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4810496B2 (ja) パターン形成装置、パターン形成方法及びテンプレート
JP4827513B2 (ja) 加工方法
KR101538203B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
KR101933341B1 (ko) 임프린트 장치, 얼라인먼트 방법 및 물품의 제조 방법
US7635260B2 (en) Processing apparatus, processing method, and process for producing chip
JP4478424B2 (ja) 微細加工装置およびデバイスの製造方法
US20090095711A1 (en) Microfabrication apparatus and device manufacturing method
JP2005353858A (ja) 加工装置及び方法
JP2010080630A (ja) 押印装置および物品の製造方法
JP6053266B2 (ja) インプリント装置、物品の製造方法及びインプリント方法
JP6300459B2 (ja) インプリント装置およびインプリント方法、それを用いた物品の製造方法
JP5932327B2 (ja) インプリント装置、検出方法、物品の製造方法及び異物検出装置
JP2005101201A (ja) ナノインプリント装置
JP6271875B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法
JP6606567B2 (ja) インプリント装置及び物品の製造方法
JP6395352B2 (ja) インプリント装置およびインプリント方法、それを用いた物品の製造方法
JP2024078506A (ja) インプリント装置、物品製造方法、決定方法及びプログラム
KR102059758B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
US20100022036A1 (en) Method for forming pattern, and template
JP6560736B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法
JP6336275B2 (ja) インプリント装置、および物品の製造方法
US8142694B2 (en) Method for forming an imprint pattern
JP2007250767A (ja) 加工装置及び方法、並びに、デバイス製造方法
JP5069777B2 (ja) インプリントリソグラフィ装置
JP2020107863A (ja) 膜形成装置および物品製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090323

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110715

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110726

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110822

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140826

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4810496

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees