JP2020107863A - 膜形成装置および物品製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】膜形成装置の製造コストおよびフットプリントの低減に有利な技術を提供する。【解決手段】膜形成装置は、基板の上の硬化性組成物に型を接触させ前記硬化性組成物を硬化させることによって前記硬化性組成物の硬化物からなる膜を形成する。膜形成装置は、前記硬化性組成物を硬化させるエネルギーを通過させる窓を有し、前記型を保持する型保持部と、前記基板と前記型保持部との相対位置を変更する駆動機構と、前記窓および前記型を介して前記基板と前記型との間の前記硬化性組成物に前記エネルギーを照射する照射部とを備える。前記硬化性組成物に前記型が接触し、かつ前記型保持部による前記型の保持が解除された状態で、前記照射部によって前記窓および前記型を介して前記硬化性組成物に対して前記エネルギーが照射される処理が行われ、前記処理において、前記膜を形成すべき領域が前記エネルギーで走査されて前記硬化性組成物が硬化するように、前記駆動機構によって前記相対位置が変更される。【選択図】図３

Description

本発明は、膜形成装置および物品製造方法に関する。

基板の上の硬化性組成物に型を接触させ、該硬化性組成物に硬化用のエネルギーを照射することによって該硬化性組成物を硬化させ、該硬化性組成物の硬化物と該型とを分離する膜形成装置がある。このような膜形成装置は、基板の上にパターンを形成する装置、あるいは、基板の上に平坦化膜を形成する装置として使用されうる。

特許文献１には、基板載置ステーション、押印ステーション、位置合わせステーション、硬化ユニット、離型ステーションおよび搬送ロボットを有するナノインプリント装置が記載されている。このナノインプリント装置では、表面に樹脂（組成物）が塗布された基板が基板載置ステーション内の移動テーブルに載置され、その後、モールド（型）が基板の上に樹脂を介して載置される。その後、移動テーブルは、押圧ステーションに移動し、押し付け機構によってモールドが基板の上の樹脂に押し付けられる。その後、移動テーブルは、位置合わせステーションに移動し、基板とモールドとの位置合わせが行われる。位置合わせ後は、基板とモールドとがずれないように基板およびモールドが固定される。その後、移動テーブルは、離型ステーションに向かって移動し、その途中で硬化ユニットの下を通過し、紫外線によって樹脂が硬化される。離型ステーションでは、モールドが基板から分離される。

特開２０１０−４０８７９号公報

特許文献１に記載されたような装置では、複数のステーションを有するので、装置の製造コストが増大する他、フットプリントが増大しうる。

本発明は、膜形成装置の製造コストおよびフットプリントの低減に有利な技術を提供することを目的とする。

本発明の１つの側面は、基板の上の硬化性組成物に型を接触させ前記硬化性組成物を硬化させることによって前記硬化性組成物の硬化物からなる膜を形成する膜形成装置に係り、前記膜形成装置は、前記硬化性組成物を硬化させるエネルギーを通過させる窓を有し、前記型を保持する型保持部と、前記基板と前記型保持部との相対位置を変更する駆動機構と、前記窓および前記型を介して前記基板と前記型との間の前記硬化性組成物に前記エネルギーを照射する照射部と、を備え、前記硬化性組成物に前記型が接触し、かつ前記型保持部による前記型の保持が解除された状態で、前記照射部によって前記窓および前記型を介して前記硬化性組成物に対して前記エネルギーが照射される処理が行われ、前記処理において、前記膜を形成すべき領域が前記エネルギーで走査されて前記硬化性組成物が硬化するように、前記駆動機構によって前記相対位置が変更される。

本発明によれば、膜形成装置の製造コストおよびフットプリントの低減に有利な技術が提供される。

本発明の一実施形態の膜形成装置の構成を示す図。 膜形成処理を例示する図。 膜形成装置の動作を模式的に示す図。 膜形成装置の動作を示すフローチャート。 膜形成装置の動作を模式的に示す図。

以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。

図１には、本発明の一実施形態の膜形成装置１００の構成が例示的に示されている。膜形成装置１００は、基板１の上の硬化性組成物ＩＭに型１１を接触させ硬化性組成物ＩＭを硬化させることによって硬化性組成物ＩＭの硬化物からなる膜を形成する。膜形成装置１００は、例えば、平坦な面を有する膜を基板１の上に形成するための平坦化装置として使用されうる。この場合、型１１が有する硬化性組成物ＩＭと接触する面は、平坦である。膜形成装置１００は、基板１の上にパターンを形成するためのパターン形成装置あるいはインプリント装置として使用されうる。この場合、型１１が有する硬化性組成物ＩＭと接触する面は、硬化性組成物に転写するべきパターンを有する。

硬化性組成物としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。硬化性組成物は、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。硬化性組成物の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。

本明細書および添付図面では、基板１の表面に平行な方向をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系において方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸にそれぞれ平行な方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、Ｚ軸周りの回転をそれぞれθＸ、θＹ、θＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な軸の周りの回転、Ｙ軸に平行な軸の周りの回転、Ｚ軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の値で特定されうる情報である。位置決めは、位置および／または姿勢を制御することを意味する。アライメント（位置合わせ）は、基板１のショット領域と型１１のパターン領域とのアライメント誤差（重ね合わせ誤差）が低減されるように基板１および型１１の少なくとも一方の位置および／または姿勢の制御を含みうる。また、アライメントは、基板１のショット領域および型１１のパターン領域の少なくとも一方の形状を補正あるいは変更するための制御を含みうる。

以下、膜形成装置１００が平坦化装置として構成された例を説明するが、膜形成装置１００は、上記のとおり、パターン形成装置あるいはインプリント装置としても構成されうる。

膜形成装置１００は、ベース定盤４、支柱５、天板６、支柱１０およびアライメント棚１４を備えうる。アライメント棚１４は、支柱１０を介して天板６によって支持され、天板６は、支柱５を介してベース定盤４によって支持されている。また、膜形成装置１００は、駆動機構３０、ディスペンサ２０、オフアクシスアライメントスコープ２１、基板搬送部２２、型搬送部３２、アライメントスコープ２３、照射部２４、洗浄部３３、インターフェース３４および制御部３５を備えうる。

駆動機構３０は、基板１と型１１との相対位置を変更する。あるいは、駆動機構３０は、基板１（基板保持部２）と型保持部１２との相対位置を変更する。駆動機構３０は、基板１または基板保持部２を駆動する基板駆動機構２６と、型１１または型保持部１２を駆動する型駆動機構２７とを含みうる。

基板駆動機構２６は、基板１を保持する基板保持部２と、基板保持部２を保持する基板ステージ３と、基板ステージ３を駆動するアクチュエータ３１（例えば、リニアモータ、エアシリンダ）とを含みうる。アクチュエータ３１は、例えば、基板ステージ３をＸ軸およびＹ軸に関して駆動するように構成されうる。基板ステージ３は、ベース定盤４によって支持される。基板ステージ３は、基板保持部２をθＺ軸に関して駆動する機構を有しうる。基板駆動機構２６は、例えば、基板１をＸ軸、Ｙ軸、θＺ軸の３軸について駆動するように、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸）について駆動するように構成されうる。

型駆動機構２７は、型１１を保持する型保持部１２と、型保持部１２を駆動するアクチュエータを内蔵するヘッド１３とを含みうる。型駆動機構２７は、例えば、型１１をＺ軸、θＸ軸、θＹ軸の３軸について駆動するように、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸について駆動するように構成されうる。型駆動機構２７は、型１１を基板１の上の硬化性組成物ＩＭに押し付ける力を計測するセンサ（不図示）を含みうる。

基板搬送部２２は、基板１を膜形成装置１００の外部から膜形成装置１００の内部に取り込み、基板保持部２に搬送しうる。型搬送部３２は、型１１を膜形成装置１００の外部から膜形成装置１００の内部に取り込み、型保持部１２に搬送しうる。型１１は、例えば、円形又は四角形の外形を有しうる。型１１は、基板１の上の硬化性組成物ＩＭに接触する接触面ＣＳを有し、接触面ＣＳは、平坦でありうる。型１１は、例えば、基板１と同じ寸法、または、基板１よりも大きい寸法を有しうる。

ディスペンサ（供給部）２０は、アライメント棚１４によって支持されうる。ディスペンサ２０は、基板１の上に未硬化状態の硬化性組成物ＩＭが配置されるように硬化性組成物ＩＭを吐出する吐出口を有しうる。ディスペンサ２０は、例えば、ピエゾジェット方式またはマイクロソレノイド方式等の吐出方式によって、基板１に向けて、例えば１ｐＬ（ピコリットル）程度の微小な体積の硬化性組成物ＩＭを吐出しうる。ディスペンサ２０は、１または複数の吐出口を有しうる。

照射部２４は、基板１と型１１との間の硬化性組成物ＩＭを硬化させるためのエネルギーを硬化性組成物ＩＭに照射する。型保持部１２は、照射部２４からの硬化用のエネルギーを通過させる窓Ｗを有する。窓Ｗは、型保持部１２に設けられた開口であってもよいし、そのような開口に設けられた透過部材（硬化用のエネルギーを透過させる部材）であってもよい。同様に、ヘッド１３も、照射部２４からの硬化用のエネルギーを通過させる窓Ｗを有しうる。窓Ｗの寸法は、基板１より小さい。また、窓Ｗの寸法は、硬化性組成物ＩＭの硬化物からなる膜を形成すべき領域の寸法より小さい。照射部２４は、例えば、ディスペンサ２０の最大寸法より小さい寸法を有しうる。

天板６は、ガイドバー８を支持している。ガイドバー８は、アライメント棚１４を貫通し、ヘッド１３に連結されている。アライメント棚１４は、支柱１０を介して天板６によって支持されている。アライメント棚１４には、例えば、基板保持部２によって保持された基板１の高さ（平坦度）を計測するための高さ計測系（不図示）が配置されうる。該高さ計測系は、例えば、斜入射像ずれ方式で基板１の高さを計測しうる。

アライメントスコープ２３は、アライメント棚１４によって支持されうる。アライメントスコープ２３は、基板ステージ３に設けられた基準マークと、型１１に設けられたアライメントマークとを観察するための光学系および撮像系を含みうる。ただし、型１１にアライメントマークが設けられていない場合には、アライメントスコープ２３は使用されない。アライメントスコープ２３は、基板ステージ３に設けられた基準マークと、型１１に設けられたアライメントマークとの相対的な位置を計測しうる。その計測結果は、その位置ずれを補正するアライメントのために用いられうる。

オフアクシスアライメントスコープ２１は、アライメント棚１４によって支持されうる。オフアクシスアライメントスコープ２１は、基板１の複数のショット領域に設けられたアライメントマークを検出し、複数のショット領域のそれぞれの位置を決定するグローバルアライメント処理に用いられうる。アライメントスコープ２３を使って型１１と基板ステージ３との位置関係を求め、オフアクシスアライメントスコープ２１を使って基板ステージ３と基板１との位置関係を求めることで、型１１と基板１の各ショット領域との相対的なアライメントを行うことができる。

洗浄部３３は、型１１が型保持部１２によって保持された状態で、型１１を洗浄（クリーニング）しうる。洗浄部３３は、例えば、基板１上の硬化した硬化性組成物ＩＭと型１１とを分離した後に型１１、特に型１１の接触面ＣＳに残る硬化性組成物ＩＭを除去するために使用されうる。洗浄部３３は、例えば、型１１に付着した硬化性組成物ＩＭを拭き取ってもよいし、ＵＶ照射、ウェット洗浄、ドライプラズマ洗浄などを用いて型１１に付着した液状有機材料を除去してもよい。

制御部３５は、駆動機構３０、ディスペンサ２０、オフアクシスアライメントスコープ２１、基板搬送部２２、型搬送部３２、アライメントスコープ２３、照射部２４、洗浄部３３、インターフェース３４を制御する。他の観点において、制御部３５は、型１１を用いて基板１の上に硬化性組成物ＩＭの硬化物からなる膜を形成する膜形成処理を制御する。制御部３５は、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、又は、プログラムが組み込まれた汎用又は専用のコンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。

図２を参照しながら膜形成処理を説明する。まず、図２（ａ）に模式的に示されるように、ディスペンサ２０によって基板１の上に硬化性組成物ＩＭが配置され、その後、基板駆動機構２６によって基板１が型１１の下に位置決めされる。基板１は、その表面にパターン１ａを有しうる。基板１の上への硬化性組成物ＩＭの配置は、例えば、基板駆動機構２６によって基板１を移動させながらディスペンサ２０から硬化性組成物ＩＭを吐出することによってなされうる。

次いで、図２（ｂ）に模式的に示されるように、駆動機構３０によって、基板１の上の硬化性組成物ＩＭと型１１の接触面ＣＳとが接触するように、基板１と型１１との相対位置が変更あるいは調整される。一例において、基板１の上の硬化性組成物ＩＭと型１１の接触面ＣＳとが接触するように、型駆動機構２７によって型１１が降下させられる。ここで、基板１の上の硬化性組成物ＩＭに対して型１１の接触面Ｃが押し付けられうる。型１１の接触面ＣＳは、基板１の表面形状にならった形状に変形しうる。

次いで、図２（ｃ）に模式的に示されるように、照射部２４によって硬化用のエネルギーが窓Ｗおよび型１１を介して硬化性組成物ＩＭに照射され、硬化性組成物ＩＭが硬化される。次いで、図２（ｄ）に模式的に示されるように、駆動機構３０によって、基板１の上の硬化した硬化性組成物ＩＭと型１１とが分離される。一例において、基板１の上の硬化した硬化性組成物ＩＭと型１１とが分離されるように、型駆動機構２７によって型１１が上昇させられる。これにより、基板１の上には、硬化性組成物ＩＭの硬化物からなる膜が残る。この膜の表面の凹凸は、基板１の表面の凹凸よりも小さい。よって、この膜は、平坦化膜として機能しうる。

図３には、膜形成装置１００の動作が模式的に示されている。図４には、膜形成装置１００の動作が示すフローチャートが示されている。図３および図４に示される動作は、制御部３５によって制御される。図３に示された例では、型１１は円形の外形を有し、その寸法は基板１の寸法よりも大きい。

まず、工程Ｓ４０１では、ディスペンサ２０または外部装置によって硬化性組成物ＩＭが配置された基板１が、図３（ａ）に模式的に示されるように、基板駆動機構２６によって型１１の下に位置決めされる。

次いで、工程Ｓ４０２では、図３（ｂ）に模式的に示されるように、駆動機構３０によって、基板１の上の硬化性組成物ＩＭと型１１の接触面ＣＳとが接触するように、基板１と型１１との相対位置が変更あるいは調整される。一例において、基板１の上の硬化性組成物ＩＭと型１１の接触面ＣＳとが接触するように、型駆動機構２７によって型１１が降下させられる。ここで、基板１の上の硬化性組成物ＩＭに対して型１１の接触面Ｃが押し付けられうる。この状態で、基板１の表面と型１１の接触面ＣＳとの間の空間に、硬化性組成物ＩＭが十分に充填するまで、待機される。

次いで、工程Ｓ４０３では、図３（ｃ）に模式的に示されるように、照射部２４によって、窓Ｗおよび型１１を介して、硬化性組成物ＩＭの一部に硬化用のエネルギーが照射される。これにより、硬化性組成物ＩＭの当該一部が硬化し、当該一部によって基板１と型１１とが結合される。当該一部は、例えば、基板１の中央部に位置しうる。工程Ｓ４０３は、任意的な工程であり、後続の工程Ｓ４０４、Ｓ４０５において、基板１と型１１との相対位置が維持される場合、例えば、型１１が他の方法によって固定される場合には、工程Ｓ４０３は不要である。型１１のこのような固定は、例えば、基板保持部２に型１１の移動を規制する部材を設けることによって実現されうる。あるいは、工程Ｓ４０４、Ｓ４０５において、基板１と型１１との相対位置の変動が許容可能な場合にもおいて、工程Ｓ４０３は不要である。

次いで、工程Ｓ４０４では、型保持部１２による型１１の保持が解除される。次いで、工程Ｓ４０５では、図３（ｄ）に模式的に示されるように、駆動機構３０によって、型１１から型保持部１２が離隔するように、基板１（または、基板１に結合された型１１）と型保持部１２との相対位置が変更あるいは調整される。これにより、基板１と型１１との結合体を型保持部１２に対して相対的に移動させることが可能な状態となる。

次いで、工程Ｓ４０６では、図３（ｅ）、（ｆ）に模式的に示されるように、駆動機構３０によって基板１と型１１との結合体を型保持部１２に対して相対的に移動しながら照射部２４によって硬化性組成物ＩＭに硬化用のエネルギーが照射される処理が行われる。硬化性組成物ＩＭに対する硬化用のエネルギーの照射は、窓Ｗおよび型１１を介して行われる。この処理は、硬化性組成物ＩＭに型１１（の接触面ＣＳ）が接触し、型保持部１２による型１１の保持が解除された状態で行われる。また、この処理において、硬化性組成物ＩＭの硬化物からなる膜を形成すべき領域が硬化用のエネルギーで走査されて全域において硬化性組成物ＩＭが硬化するように、駆動機構３０によって基板１と型保持部１２との相対位置の変更が行われうる。ここで、硬化性組成物ＩＭのうち工程Ｓ４０３においてエネルギーが照射された部分については、それを考慮して工程Ｓ４０６におけるエネルギーの照射がなされうる。より具体的には、硬化性組成物ＩＭのうち工程Ｓ４０３においてエネルギーが照射された部分については、工程Ｓ４０３における照射量と工程Ｓ４０６における照射量との合計が目標照射量になるように、工程Ｓ４０６におけるエネルギーの照射がなされうる。

次いで、工程Ｓ４０７では、図３（ｇ）に模式的に示されるように、駆動機構３０によって、型１１と型保持部１２が接触するように、基板１（型１１）と型保持部１２との相対位置が変更あるいは調整され、型保持部１２によって型１１が保持される。

次いで、工程Ｓ４０８では、図３（ｈ）に模式的に示されるように、駆動機構３０によって、基板１の上の硬化性組成物ＩＭの硬化物からなる膜と型１１とが分離される。一例において、基板１の上の硬化性組成物ＩＭの硬化物からなる膜と型１１とが分離されるように、型駆動機構２７によって型１１が上昇させられる。これにより、基板１の上には、硬化性組成物ＩＭの硬化物からなる膜が残る。

以上のように、本実施形態の膜形成装置１００では、硬化性組成物ＩＭに型１１が接触し、かつ型保持部１２による型１１の保持が解除された状態で、照射部２４によって窓Ｗおよび型１１を介して硬化性組成物ＩＭに対して硬化用のエネルギーが照射される。このような構成によれば、膜を形成すべき領域の全域における硬化性生組成物ＩＭの硬化を型保持部１２の下で完了させることができる。よって、本実施形態は、膜形成装置１００の製造コストおよびフットプリントの低減に有利である。

図５には、型１１の寸法が基板１の寸法と同じである場合における膜形成処理が模式的に示されている。図５に示された膜形成処理は、型１１の寸法が異なること以外は、図３に記載された膜形成処理と同じである。

図３に示された膜形成処理では、型１１の寸法が基板１の寸法より大きく、例えば、基板１の寸法が直径３００ｍｍで、型１１の寸法が４５０ｍｍでありうる。この場合、型１１を取り扱う周辺設備（例えば、洗浄機、移載機、キャリア（ＦＯＵＰなど）、搬送システム）を新たに準備する必要が生じうる。これに対して、図５に例示されるように、型１１の寸法が基板１の寸法と同じである場合には、基板１を取り扱う周辺設備を型１１の取り扱いのために流用することができる。

以下、上記の膜形成装置１００を使って物品を製造する物品製造方法を例示的に説明する。物品製造方法は、膜形成装置１００によって基板１の上に膜を形成する膜形成工程と、該膜が形成された基板１を処理する処理工程と、を含み、それらの工程を経た基板１から物品を製造する。該処理工程は、例えば、該膜の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、該フォトレジスト膜に露光装置を用いて潜像を形成する工程と、該潜像を現像しフォトレジストパターンを形成する工程とを含みうる。該処理工程は、該フォトレジストパターンを使用して基板１を処理（例えば、エッチング、イオン注入）する工程を更に含みうる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

１：基板、１１：型、１２：型保持部、２４：照射部、３０：駆動機構

Claims (10)

1. 基板の上の硬化性組成物に型を接触させ前記硬化性組成物を硬化させることによって前記硬化性組成物の硬化物からなる膜を形成する膜形成装置であって、
   前記硬化性組成物を硬化させるエネルギーを通過させる窓を有し、前記型を保持する型保持部と、
   前記基板と前記型保持部との相対位置を変更する駆動機構と、
   前記窓および前記型を介して前記基板と前記型との間の前記硬化性組成物に前記エネルギーを照射する照射部と、を備え、
   前記硬化性組成物に前記型が接触し、かつ前記型保持部による前記型の保持が解除された状態で、前記照射部によって前記窓および前記型を介して前記硬化性組成物に対して前記エネルギーが照射される処理が行われ、
   前記処理において、前記膜を形成すべき領域が前記エネルギーで走査されて前記硬化性組成物が硬化するように、前記駆動機構によって前記相対位置が変更される、
   ことを特徴とする膜形成装置。
2. 前記処理の前に、前記型保持部によって前記型が保持され、かつ前記硬化性組成物と前記型とが接触した状態で、前記照射部によって前記硬化性組成物の一部に前記エネルギーが照射される、
   ことを特徴とする請求項１に記載の膜形成装置。
3. 前記硬化性組成物の前記一部は、前記基板の中央部に位置する、
   ことを特徴とする請求項２に記載の膜形成装置。
4. 前記処理の後に、前記型保持部よって型が保持され、前記駆動機構によって前記硬化性組成物の前記硬化物からなる前記膜と前記型とが分離される、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の膜形成装置。
5. 前記処理において、前記駆動機構による前記相対位置の変更は、前記型と前記型保持部とが離隔した状態でなされる、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の膜形成装置。
6. 前記窓の寸法は、前記基板より小さい、
   ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の膜形成装置。
7. 前記窓の寸法は、前記膜を形成すべき前記領域より小さい、
   ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の膜形成装置。
8. 前記型が有する前記硬化性組成物と接触する面は、平坦である、
   ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の膜形成装置。
9. 前記型が有する前記硬化性組成物と接触する面は、パターンを有する、
   ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の膜形成装置。
10. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載の膜形成装置によって基板の上に膜を形成する工程と、
    前記膜が形成された前記基板を処理する工程と、を含み、
    前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。

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