JP4809033B2 - 拡散ウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
シリコンインゴットをスライスしてシリコンウェーハを取得する。
ウェーハの割れ防止、ダスト発生防止のために、スライスされたシリコンウェーハの側端面のエッジに回転砥石を当ててエッジに丸みをつけて面取り部23を形成する面取り(ベベリング)加工が施される。
スライスにより生じた表面傷や凹凸などのダメージを除去するとともにウェーハを平坦化するために、シリコンウェーハがラッピング装置にセットされて、シリコンウェーハの面がラッピングされる。
平坦化されたウェーハ面の加工歪層を除去するために、シリコンウェーハがアルカリ性のエッチング液に浸漬されて、エッチングされる。
炉内のボートに装填したシリコンウェーハを、高温かつドーパントが存在する雰囲気に所定時間晒して、ウェーハの両面に拡散層を形成する。
図2(a)に示すように、シリコンウェーハの厚さ中心に沿って、たとえばワイヤソーによって切断して、シリコンウェーハを2分割して、1枚のシリコンウェーハから2枚の拡散ウェーハ20を取得する。
拡散ウェーハ1の非拡散層21の表面を平坦化するために、拡散ウェーハ20に片面研削機にセットして、拡散ウェーハ20の非拡散層21の表面21aに研削用砥石を押し当てて研削加工する。
図2(b)に示すように、拡散ウェーハ20の割れ防止、ダスト発生防止のために、スライスされた拡散ウェーハ20の側端面のエッジに回転砥石を当ててエッジに丸みをつけて面取り加工(ベベリング)が施される。
複数枚の拡散ウェーハ20の拡散層22の表面22aをプレート上にワックス等によって貼付する。
拡散ウェーハ20の非拡散層21の厚さを所望の厚さにし、研削工程で与えられた機械的ダメージ(脆性、延性の両ダメージ)を除去するために、プレートを反転させて非拡散層3の表面が、研磨装置の定盤の研磨クロスに押し当てられるようにセットされ、プレートおよび定盤を回転させることにより、複数枚の拡散ウェーハ20が同時にバッチ研磨される。
拡散ウェーハ20の裏面22a(拡散層22の表面22a)がエッチングによって溶解しないように保護するために、裏面22aに酸化膜を形成する。
拡散ウェーハ20の非拡散層21の厚さを所望の厚さにし、研削工程で与えられた機械的なダメージを除去するために、エッチング液が入っている漕に、複数枚の拡散ウェーハ20を浸漬して、保護膜が形成されていない拡散ウェーハ20の表面21a(非拡散層21の表面21a)をエッチングする。
非拡散層と拡散層とからなる拡散ウェーハを面取りする面取り工程と、
拡散ウェーハの非拡散層の表面を研削する研削工程と、
拡散ウェーハの非拡散層の表面の各部にエッチング液を均一に供給して、拡散ウェーハの片面を枚葉でエッチングする枚葉片面エッチング工程と
を含む拡散ウェーハの製造方法であることを特徴とする。
枚葉片面エッチング工程は、拡散ウェーハをスピンエッチングする工程であること
を特徴とする。
枚葉片面エッチング工程では、
拡散ウェーハの裏面側に向けて、ガスを吐出させ、
拡散ウェーハの表面に向けて滴下されたエッチング液が裏面の面取り部に浸透するように、ガスを制御すること
を特徴とする。
枚葉片面エッチング工程後に、拡散ウェーハの非拡散層の表面を鏡面仕上げ研磨する鏡面仕上げ研磨工程を実施すること
を特徴とする。
研削工程後に、拡散ウェーハの非拡散層の厚さを測定し、
枚葉片面エッチング工程では、測定した非拡散層の厚さに応じた大きさの取り代をエッチングすること
を特徴とする。
非拡散層と拡散層とからなる拡散ウェーハを面取りする面取り工程と、
拡散ウェーハの非拡散層の表面の各部にエッチング液を均一に供給して、拡散ウェーハの片面を枚葉でエッチングする枚葉片面エッチング工程と
を含む拡散ウェーハの製造方法であることを特徴とする。
非拡散層と拡散層とからなる拡散ウェーハを面取りする面取り工程と、
拡散ウェーハの非拡散層の表面を研削する研削工程と、
拡散ウェーハの非拡散層の表面を枚葉で研磨する枚葉片面研磨工程と
を含む拡散ウェーハの製造方法であることを特徴とする。
図4は、第1実施例の拡散ウェーハの製造方法をフローチャートで示している。
シリコンインゴットをスライスしてシリコンウェーハを取得する。
ウェーハの割れ防止、ダスト発生防止のために、スライスされたシリコンウェーハの側端面のエッジに回転砥石を当ててエッジに丸みをつけて面取り加工(ベベリング)が施される。
スライスにより生じた表面傷や凹凸などのダメージを除去するとともにウェーハを平坦化するために、シリコンウェーハがラッピング装置にセットされて、シリコンウェーハの面がラッピングされる。
平坦化されたウェーハ面の加工歪層を除去するために、シリコンウェーハがアルカリ性のエッチング液に浸漬されて、エッチングされる。
ボートに装填したシリコンウェーハを、高温かつドーパントが存在する雰囲気に所定時間晒して、ウェーハの両面に拡散層を形成する。
図2(a)に示すように、シリコンウェーハの厚さ中心に沿って、たとえばワイヤソーによって切断して、シリコンウェーハを2分割して、1枚のシリコンウェーハから2枚の拡散ウェーハ20を取得する。
拡散ウェーハ1の非拡散層21の表面を平坦化するために、拡散ウェーハ20に片面研削機にセットして、拡散ウェーハ20の非拡散層21の表面21aに研削用砥石を押し当てて研削加工する。
図2(b)に示すように、拡散ウェーハ20の割れ防止、ダスト発生防止のために、スライスされた拡散ウェーハ20の側端面のエッジに回転砥石を当ててエッジに丸みをつけて面取り(ベベリング)加工が施される。
枚葉片面エッチング工程では、拡散ウェーハ20の非拡散層21の表面21aの各部にエッチング液が均一に供給されて、拡散ウェーハ20の片面21aが枚葉で1枚ずつエッチングされる。
第2実施例では、研削工程(7)の後に、拡散ウェーハ20の非拡散層21の厚さを測定する。たとえば、フーリエ変換赤外分光法(FT−IR)によって、非拡散層21の厚さを測定する。そして、つぎの枚葉片面エッチング工程(13)では、測定した非拡散層21の厚さに応じた大きさの取り代がエッチングされる。
第3実施例では、枚葉片面エッチング工程(13)の後に、鏡面仕上げ研磨工程が実施される。
第4実施例の製造方法を図9にフローチャートで示す。
上述した実施例の枚葉片面エッチング工程(13)、(14)では、拡散ウェーハ20を図5に示すスピンエッチング装置30によってスピンエッチングする場合を想定しているが、枚葉片面エッチング工程(13)、(14)は、スピンエッチングに限定されるわけではない。エッチング液を拡散ウェーハ20の表面21aの各部に均一に供給することができれば、エッチングの手法は問わない。
Bに揺動される。これにより図10(d)と同様な軌跡を描いて、エッチング液32が拡散ウェーハ20の表面21aの各部に均一に供給される。
第6実施例の製造方法を図12にフローチャートで示す。
Claims (5)
- 非拡散層と拡散層とからなる拡散ウエーハを面取りする面取り工程と、
前記拡散ウエーハの前記非拡散層の表面を研削する研削工程と、
前記拡散ウエーハの前記非拡散層の前記表面の各部にエッチング液を均一に供給して、前記拡散ウエーハを枚葉で片面エッチングする枚葉片面エッチング工程と
を含み、前記研削工程後に、前記拡散ウエーハの前記非拡散層の厚さを測定し、
前記枚葉片面エッチング工程では、測定した前記非拡散層の厚さに応じた大きさの取り代をエッチングすること
を特徴とする拡散ウエーハの製造方法。 - 前記枚葉片面エッチング工程は、前記拡散ウエーハをスピンエッチングする工程であること
を特徴とする請求項1記載の拡散ウエーハの製造方法。 - 前記枚葉片面エッチング工程では、
前記拡散ウエーハの裏面側に向けて、ガスを吐出させ、
前記拡散ウエーハの前記表面に向けて滴下されたエッチング液が前記裏面の面取り部に浸透するように、ガスを制御すること
を特徴とする請求項2記載の拡散ウエーハの製造方法。 - 前記枚葉片面エッチング工程後に、前記拡散ウエーハの前記非拡散層の前記表面を鏡面仕上げ研磨する鏡面仕上げ研磨工程を実施すること
を特徴とする請求項1記載の拡散ウエーハの製造方法。 - 非拡散層と拡散層とからなる拡散ウエーハを面取りする面取り工程と、
前記拡散ウエーハの前記非拡散層の表面の各部にエッチング液を均一に供給して、前記拡散ウエーハの片面を枚葉でエッチングする枚葉片面エッチング工程と
を含み、前記拡散ウエーハの前記非拡散層の厚さを測定し、
前記枚葉片面エッチング工程では、測定した前記非拡散層の厚さに応じた大きさの取り代をエッチングすること
を特徴とする拡散ウエーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
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JP2007103857A JP2007103857A (ja) | 2007-04-19 |
JP4809033B2 true JP4809033B2 (ja) | 2011-11-02 |
Family
ID=38030465
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005295031A Active JP4809033B2 (ja) | 2005-10-07 | 2005-10-07 | 拡散ウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4809033B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008282938A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Sumco Corp | ウェーハの枚葉式エッチング装置 |
JP5026356B2 (ja) * | 2008-06-26 | 2012-09-12 | Sumco Techxiv株式会社 | 拡散ウェーハの製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04162609A (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-08 | Naoetsu Denshi Kogyo Kk | ディスクリート素子用基板の製造方法 |
JPH07169722A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-07-04 | Sumitomo Sitix Corp | 半導体ウエーハの製造方法 |
JPH09181026A (ja) * | 1995-12-25 | 1997-07-11 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造装置 |
JPH11135464A (ja) * | 1997-10-30 | 1999-05-21 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体ウェハの製造方法 |
JPH11204493A (ja) * | 1998-01-09 | 1999-07-30 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体ウェハの製造方法 |
JP2002009006A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 拡散シリコンウェハおよびその製造方法 |
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2005
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007103857A (ja) | 2007-04-19 |
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