JP4806427B2 - 波長変換素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
支持基体上に設置されている光導波路基板であって、強誘電性材料からなり、波長変換機能を有するリッジ型光導波路、このリッジ型光導波路の両側にそれぞれ設けられている溝、および溝の外側に設けられている延在部を備えている光導波路基板、
光導波路基板上に設けられている被覆基板、
支持基体と光導波路基板の底面とを接着する第一の接着層、および
光導波路基板のリッジ型光導波路の上側面および延在部の上側面と被覆基板とを接着する第二の接着層を備えている波長変換素子であって、
延在部の上側面が、レーザー光の照射によって形成された複数列の細長い凹部によって粗面化されている、波長変換素子およびその製法に係るものである。
まず、図1(a)に示すように、強誘電性材料4の背面にバッファ層3を形成する。そして、支持基板1上に強誘電性材料4を接着層3によって接着する。
好ましくはレーザー光のパルスの半値幅が10nsec以下である。また、レーザー光のパルスの半値幅の下限は特にないが、生産性良く基材を加工するという観点からは、0.5nsec以上が好ましい。
(1)スポットスキャン加工
(2)一括転写加工
(3)スリットスキャン加工
図1、図2を参照しつつ説明した前記方法に従い、図2(b)に示すようなデバイスを作製した。具体的には、厚さ0.5mmのMgO 5%ドープニオブ酸リチウム5度オフカットY基板4上に、周期4.20μmの櫛状周期電極をフォトリソグラフィ法によって形成した。基板4裏面には全面に電極膜を形成したのち、パルス電圧を印可して周期分極反転構造を形成した。基板4に周期分極反転構造を形成した後、厚さ0.4μmのSiO2アンダークラッド3をスパッタ法によって成膜した。
実施例において、図1(b)、(c)に示したような凹部9を設けなかった。他は実施例1と同様にして光導波路チップを作製した。
実施例において、図1(b)、(c)に示したような凹部9を設けなかった。その代わりに、延在部8A、8Bの各表面をイオンミリング法によって粗らし、中心線平均表面粗さを0.2umまで上昇させた。他は実施例と同様にして光導波路チップを作製した。
Claims (10)
- 支持基体、
前記支持基体上に設置されている光導波路基板であって、強誘電性材料からなり、波長変換機能を有するリッジ型光導波路、このリッジ型光導波路の両側にそれぞれ設けられている溝、および前記溝の外側に設けられている延在部を備えている光導波路基板、
前記光導波路基板上に設けられている被覆基板、
前記支持基体と前記光導波路基板の底面とを接着する第一の接着層、および
前記光導波路基板の前記リッジ型光導波路の上側面および前記延在部の上側面と前記被覆基板とを接着する第二の接着層を備えている波長変換素子であって、
前記延在部の前記上側面が、レーザー光の照射によって形成された複数列の細長い凹部によって粗面化されていることを特徴とする、波長変換素子。 - 前記溝と前記凹部とが平行に延びていることを特徴とする、請求項1記載の波長変換素子。
- 複数の前記凹部が隙間なく隣接することを特徴とする、請求項1または2記載の波長変換素子。
- 隣接する前記凹部の間に平坦部分が設けられていることを特徴とする、請求項1または2記載の波長変換素子。
- 前記平坦部分の幅が0.1〜2.0μmであることを特徴とする、請求項4記載の波長変換素子。
- 支持基体、
前記支持基体上に設置されている光導波路基板であって、強誘電性材料からなり、波長変換機能を有するリッジ型光導波路、このリッジ型光導波路の両側にそれぞれ設けられている溝、および前記溝の外側に設けられている延在部を備えている光導波路基板、
前記光導波路基板上に設けられている被覆基板、
前記支持基体と前記光導波路基板の底面とを接着する第一の接着層、および
前記光導波路基板の前記リッジ型光導波路の上側面および前記延在部の上側面と前記被覆基板とを接着する第二の接着層を備えている波長変換素子を製造する方法であって、
前記延在部の前記上側面にレーザー光の照射によって複数列の細長い凹部を形成することで粗面化することを特徴とする、波長変換素子の製造方法。 - 前記レーザー光の走査によって前記溝と前記凹部とを同時に形成することを特徴とする、請求項6記載の方法。
- 複数の前記凹部が隙間なく隣接することを特徴とする、請求項6または7記載の方法。
- 隣接する前記凹部の間に平坦部分が設けられていることを特徴とする、請求項6または7記載の方法。
- 前記平坦部分の幅が0.1〜2.0μmであることを特徴とする、請求項9記載の方法。
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