JP4657228B2 - 波長変換素子 - Google Patents
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Description
支持基体、
強誘電性材料からなり、波長変換部が形成されている強誘電体層、
強誘電体層の背面側に形成されているバッファ層、
バッファ層と積層されているスペーサ層、および
スペーサ層と支持基体とを接着する樹脂接着剤層を備えており、強誘電体層にリッジ型光導波路が形成されており、このリッジ型光導波路内に波長変換部が設けられており、スペーサ層の内側かつバッファ層と樹脂接着剤層との間に空隙が形成されており、この空隙が波長変換部下に設けられていることを特徴とする。
また、本発明に係る波長変換素子は、支持基体、
強誘電性材料からなり、波長変換部が形成されている強誘電体層、
この強誘電体層の背面側に形成されているバッファ層、
バッファ層と積層されているスペーサ層、および
スペーサ層と前記支持基体とを接着する樹脂接着剤層
を備えており、強誘電体層が、波長変換部の両側にそれぞれ設けられている延在部、および波長変換部と各延在部との間にそれぞれ設けられている溝形成部を備えており、スペーサ層の内側かつバッファ層と樹脂接着剤層との間に空隙が形成されており、この空隙が波長変換部下に設けられていることを特徴とする。
図1は、本発明の一実施形態に係る波長変換素子1を概略的に示す断面図であり、図2は、比較例の波長変換素子11を概略的に示す断面図である。
図1に示すような形態の第二高調波発生素子を作製した。具体的には、厚さ0.5mmのMgO5%ドープニオブ酸リチウム5度オフカットY基板7上に、周期6.60μmの櫛状周期電極をフォトリソグラフィ法によって形成した。基板背面には、全面にわたって電極膜を形成したのち、パルス電圧を印加し、周期分極反転構造を形成した。周期分極反転を形成した後、厚さ1μmの酸化珪素バッファ層6をスパッタ法によって成膜した。エッチングによってバッファ層6に幅20um、深さ0.5umの空隙9を形成した。
図2に示す第二高調波発生素子を作製した。作製プロセスは実施例と同様にしたが、ただしスペーサ層5および空隙9は形成しなかった。そして、実施例1と同様にして、半導体レーザーの波長を温度によって可変させて位相整合する波長に調節した時に、最高11mWのSHG出力が得られた。その際の基本光の波長は1060.5nmであった。次いで、比較例の素子を上の条件で連続運転し、第二高調波の出力の変化を測定した。測定結果を図3に示す。
Claims (6)
- 支持基体、
強誘電性材料からなる強誘電体層、
この強誘電体層の背面側に形成されているバッファ層、
前記バッファ層と積層されているスペーサ層、および
前記スペーサ層と前記支持基体とを接着する樹脂接着剤層
を備えている波長変換素子であって、
前記強誘電体層にリッジ型光導波路が形成されており、このリッジ型光導波路内に波長変換部が設けられており、前記スペーサ層の内側かつ前記バッファ層と前記樹脂接着剤層との間に空隙が形成されており、この空隙が前記波長変換部下に設けられていることを特徴とする、波長変換素子。 - 支持基体、
強誘電性材料からなり、波長変換部が形成されている強誘電体層、
この強誘電体層の背面側に形成されているバッファ層、
前記バッファ層と積層されているスペーサ層、および
前記スペーサ層と前記支持基体とを接着する樹脂接着剤層
を備えている波長変換素子であって、
前記強誘電体層が、前記波長変換部の両側にそれぞれ設けられている延在部、および前記波長変換部と前記の各延在部との間にそれぞれ設けられている溝形成部を備えており、前記スペーサ層の内側かつ前記バッファ層と前記樹脂接着剤層との間に空隙が形成されており、この空隙が前記波長変換部下に設けられていることを特徴とする、波長変換素子。 - 前記バッファ層と前記スペーサ層とが同種の材質からなることを特徴とする、請求項1または2記載の波長変換素子。
- 前記強誘電体層の前記背面が全面にわたって略平坦面であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つの請求項に記載の波長変換素子。
- 前記支持基体の前記樹脂接着剤層と接する接着面が全面にわたって略平坦面であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一つの請求項に記載の波長変換素子。
- 前記空隙の幅Tの前記波長変換部の幅Wに対する比率T/Wが1.0以上、10.0以下であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一つの請求項に記載の波長変換素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007043469A JP4657228B2 (ja) | 2007-02-23 | 2007-02-23 | 波長変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007043469A JP4657228B2 (ja) | 2007-02-23 | 2007-02-23 | 波長変換素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008209451A JP2008209451A (ja) | 2008-09-11 |
JP4657228B2 true JP4657228B2 (ja) | 2011-03-23 |
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ID=39785835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2007043469A Active JP4657228B2 (ja) | 2007-02-23 | 2007-02-23 | 波長変換素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4657228B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4576438B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2010-11-10 | 日本碍子株式会社 | 高調波発生素子の製造方法 |
JP5600431B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2014-10-01 | 日本碍子株式会社 | 障害物の超音波検知デバイス |
JP5582868B2 (ja) * | 2010-05-14 | 2014-09-03 | シチズンホールディングス株式会社 | 光デバイス |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003156723A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-05-30 | Ngk Insulators Ltd | 光導波路デバイス、光変調器、光変調器の実装構造および光導波路基板の支持部材 |
JP2003215519A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-07-30 | Ngk Insulators Ltd | 光導波路デバイスおよび進行波形光変調器 |
JP2006267324A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学素子およびコヒーレント光源 |
-
2007
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2003156723A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-05-30 | Ngk Insulators Ltd | 光導波路デバイス、光変調器、光変調器の実装構造および光導波路基板の支持部材 |
JP2003215519A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-07-30 | Ngk Insulators Ltd | 光導波路デバイスおよび進行波形光変調器 |
JP2006267324A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学素子およびコヒーレント光源 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008209451A (ja) | 2008-09-11 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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