JP4899948B2 - 光学素子の製造方法 - Google Patents
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Description
ここでは、本発明の光学素子の製造方法の一例を図1(A)〜(G)を用いて説明する。
101S 第1の基板の主面
101R 第1の基板の裏面
102 第2の基板
102S 第2の基板の主面
102R 第2の基板の裏面
103 第1の電極
104 第2の電極
105 電源
106 分極反転領域
107 結晶破壊部
108 ギャップ層
109 リッジ光導波路
110 トレンチ
111 レジストパターン
Claims (1)
- 単一分極化された強誘電体基板の第1面に櫛型電極を含む第1の電極を形成するとともに前記第1面の裏面に第2の電極を形成する第1の工程と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に電界を印加することにより前記強誘電体基板に分極反転領域を形成する第2の工程と、
前記第2の工程の後で、前記第1面に所定のレジストパターンを形成し、このレジスト開口部をドライエッチングすることで前記第1面にギャップ層を形成する第3の工程と、
前記レジストパターン及び前記第1の電極、前記第2の電極を除去する第4の工程と、
前記第4の工程の後で、前記強誘電体基板の第1面を支持基板に貼り合わせる第5の工程と、
前記第5の工程の後で、前記強誘電体基板の前記第1面とは反対側の面を研磨及びトレンチ加工することにより光導波路を形成する第6の工程とを備え、
前記第3の工程において、少なくとも前記第1の電極の櫛型電極先端部を含む前記レジスト開口部をエッチングする光学素子の製造方法。
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