JP5601709B2 - 光導波路デバイスおよび高調波発生デバイス - Google Patents
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Description
強誘電体層が、チャンネル型光導波路が設けられたリッジ部、このリッジ部の一方の側に設けられた第一の突起、およびリッジ部の他方の側に設けられた第二の突起を備えており、リッジ部と各突起との間にそれぞれ内側溝が形成されており、各突起の外側にそれぞれ外側溝が形成されており、外側溝が内側溝よりも深く、リッジ部の幅W1が6.6μm以上、8.5μm以下であり、第一の突起の外側エッジと第二の突起の外側エッジとの間隔W2が10μm以上、18.5μm以下であり、リッジ部の上面に対する各内側溝の深さD1がそれぞれ2.0μm以上、2.9μm以下であり、リッジ部の上面に対する各外側溝の深さD2がそれぞれ2.5μm以上、3.5μm以下であり、内側溝の深さD1と外側溝の深さD2との差が0.5μm以上であり、各外側溝の各外側エッジの間隔W9が12.6μm以上、24.5μm以下であり、強誘電性材料がニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体またはK 3 Li 2 Nb 5 O 15 から選択されることを特徴とする。
強誘電体層が、チャンネル型光導波路が設けられたリッジ部、このリッジ部の一方の側に設けられた、リッジ部よりも低い第一の段差部、およびリッジ部の他方の側に設けられた、リッジ部よりも低い第二の段差部を備えており、各段差部の外側にそれぞれ溝が形成されており、リッジ部の幅W1が6.6μm以上、8.5μm以下であり、第一の段差部の外側エッジと第二の段差部の外側エッジとの間隔W2が10μm以上、18.5μm以下であり、リッジ部の上面に対する各段差部の深さD5がそれぞれ2.0μm以上、2.9μm以下であり、リッジ部の上面に対する各溝の深さD4がそれぞれ2.5μm以上、3.5μm以下であり、溝の深さD4と段差部の深さD5との差が0.5μm以上であり、各段差部の幅W5、W6が1μm以上、6.7μm以下であり、強誘電性材料がニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体またはK 3 Li 2 Nb 5 O 15 から選択される。
強誘電体材料からなる強誘電体層3が接着層2を介して支持基板1に接着されている。強誘電体層3の表面側、底面側には、それぞれ図示しないバッファを形成することができる。
強誘電性材料からなる強誘電体層3が接着層2を介して支持基板1に接着されている。強誘電体層3の表面側、底面側には、それぞれ図示しないバッファを形成することができる。
各発明において、リッジ部の幅W1が6.6μm以上、8.5μm以下である。W1を6.6μm以上とすることによってリッジ部5に光を閉じ込めることができ、伝搬損失が減少する。この観点からは、W1は7.0μm以上が更に好ましい。また、W1が8.5μmを超えると、シングルモード励起が困難になり伝搬光がマルチモードとなるために伝搬損失が上昇する。
支持基板1の具体的材質は、上記の条件を満足する限り、特に限定されず,ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、石英ガラスなどのガラスや水晶、Siなどを例示することができる。この場合、熱膨張差の観点では、強誘電体薄層と誘電体層とを同じ材質とすることが好ましく、ニオブ酸リチウム単結晶が特に好ましい。
図2に示す素子を製造した。
具体的には、周期17.6μmの周期状分極反転構造を形成した厚さ500μmのMgOドープニオブ酸リチウム基板を、厚さ1mmのノンドープニオブ酸リチウム基板1に貼り合わせた。次いで、MgOドープニオブ酸リチウム基板の表面を厚さ5.0μmとなるまで研削、研磨で加工し、強誘電体層3を形成した。次いで、レーザーアブレーション加工によってリッジ部、突起10A、10B、内側溝20、外側溝21を形成した。アブレーションの加工マスクの形状を変えることによって、各数値を調整した。さらに、長さ45mmの素子を作製し、素子の両端を端面研磨した。
実施例1と同様にして素子を作製し、その伝搬損失を測定した。ただし、強誘電体層3の厚さT1を4.0μmとした。その他の数値は表2に示すように変更した。結果を表2に示す。
実施例1と同様にして素子を作製し、その伝搬損失を測定した。ただし、強誘電体層3の厚さT1を7.0μmとした。その他の数値は表3に示すように変更した。結果を表3に示す。
図5に示す素子を製造した。
具体的には、周期17.6μmの周期状分極反転構造を形成した厚さ500μmのMgOドープニオブ酸リチウム基板を、厚さ1mmのノンドープニオブ酸リチウム基板1に貼り合わせた。次いで、MgOドープニオブ酸リチウム基板の表面を厚さ4.0μmとなるまで研削、研磨で加工し、強誘電体層3を形成した。次いで、レーザーアブレーション加工によってリッジ部、段差部25A、25B、溝16を形成した。アブレーションの加工マスクの形状を変えることによって、各数値を調整した。
実施例4と同様にして素子を作製し、その伝搬損失を測定した。ただし、強誘電体層3の厚さT1を7.0μmとした。その他の数値は表5に示すように変更した。結果を表5に示す。
10A 第一の突起 10B 第二の突起 10a 突起の外側エッジ
12、13 光導波路デバイス 20 内側溝 21 外側溝
22 欠け 25A 第一の段差部 25B 第二の段差部
26
段差部の外側エッジ 30 延在部 D1 内側溝の深さ
D2 外側溝の深さ D4 溝の深さ D5 段差部の深さ
W1 リッジ部の幅
W2 第一の突起(段差部)の外側エッジと第二の突起(段差部)の外側エッジとの間隔
Claims (12)
- 強誘電性材料からなり、厚さ4μm以上、7μm以下の強誘電体層、
支持基板、および
前記強誘電体層の底面と前記支持基板とを接着する接着層を備えている光導波路デバイスであって、
前記強誘電体層が、チャンネル型光導波路が設けられたリッジ部、このリッジ部の一方の側に設けられた第一の突起、および前記リッジ部の他方の側に設けられた第二の突起を備えており、前記リッジ部と前記各突起との間にそれぞれ内側溝が形成されており、前記各突起の外側にそれぞれ外側溝が形成されており、前記外側溝が前記内側溝よりも深く、前記リッジ部の幅W1が6.6μm以上、8.5μm以下であり、前記第一の突起の外側エッジと前記第二の突起の外側エッジとの間隔W2が10μm以上、18.5μm以下であり、前記リッジ部の上面に対する前記各内側溝の深さD1がそれぞれ2.0μm以上、2.9μm以下であり、前記リッジ部の上面に対する前記各外側溝の深さD2がそれぞれ2.5μm以上、3.5μm以下であり、前記内側溝の深さD1と前記外側溝の深さD2との差が0.5μm以上であり、前記各外側溝の各外側エッジの間隔W9が12.6μm以上、24.5μm以下であり、前記強誘電性材料がニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体またはK 3 Li 2 Nb 5 O 15 から選択されることを特徴とする、光導波路デバイス。 - 前記内側溝の深さD1が2.5μm以上、2.9μm以下であることを特徴とする、請求項1記載の光導波路デバイス。
- 前記リッジ部の幅W1が7.0μm以上、8.5μm以下であることを特徴とする、請求項1または2記載の光導波路デバイス。
- 前記接着層が、前記強誘電体層に接触する無機接着剤を含むことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つの請求項に記載の光導波路デバイス。
- 前記内側溝および前記外側溝がレーザーアブレーション法によって形成されていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一つの請求項に記載の光導波路デバイス。
- 請求項1〜5のいずれか一つの請求項に記載の光導波路デバイスと、前記リッジ部に形成された周期分極反転構造とを備えていることを特徴とする、高調波発生デバイス。
- 強誘電性材料からなり、厚さ4μm以上、7μm以下の強誘電体層、
支持基板、および
前記強誘電体層の底面と前記支持基板とを接着する接着層を備えている光導波路デバイスであって、
前記強誘電体層が、チャンネル型光導波路が設けられたリッジ部、このリッジ部の一方の側に設けられた、前記リッジ部よりも低い第一の段差部、および前記リッジ部の他方の側に設けられた、前記リッジ部よりも低い第二の段差部を備えており、前記各段差部の外側にそれぞれ溝が形成されており、前記リッジ部の幅W1が6.6μm以上、8.5μm以下であり、前記第一の段差部の外側エッジと前記第二の段差部の外側エッジとの間隔W2が10μm以上、18.5μm以下であり、前記リッジ部の上面に対する前記各段差部の深さD5がそれぞれ2.0μm以上、2.9μm以下であり、前記リッジ部の上面に対する前記各溝の深さD4がそれぞれ2.5μm以上、3.5μm以下であり、前記溝の深さD4と前記段差部の深さD5との差が0.5μm以上であり、前記各段差部の幅W5、W6が1μm以上、6.7μm以下であり、前記強誘電性材料がニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体またはK 3 Li 2 Nb 5 O 15 から選択されることを特徴とする、光導波路デバイス。 - 前記段差部の深さD5が2.5μm以上、2.9μm以下であることを特徴とする、請求項7記載の光導波路デバイス。
- 前記リッジ部の幅W1が7.0μm以上、8.5μm以下であることを特徴とする、請求項7または8記載の光導波路デバイス。
- 前記接着層が、前記強誘電体層に接触する無機接着剤を含むことを特徴とする、請求項7〜9のいずれか一つの請求項に記載の光導波路デバイス。
- 前記溝および前記段差部がレーザーアブレーション法によって形成されていることを特徴とする、請求項7〜10のいずれか一つの請求項に記載の光導波路デバイス。
- 請求項7〜11のいずれか一つの請求項に記載の光導波路デバイスと、前記リッジ部に形成された周期分極反転構造とを備えていることを特徴とする、高調波発生デバイス。
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