JP4806424B2 - 高調波発生素子 - Google Patents
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Description
支持基板、
強誘電性単結晶のX板またはオフセットX板からなり、周期分極反転構造が設けられたチャンネル型光導波路を備えている波長変換層、
波長変換層の上面側に設けられている上側基板、
上側基板の底面に形成されている導電膜、
波長変換層と前記支持基板とを接着する下地接着層、および
波長変換層と上側基板とを導電膜を介して接着する上側接着層を備えていることを特徴とする。
また、本発明に係る高調波発生素子は、
支持基板、
強誘電性単結晶のX板またはオフセットX板からなり、周期分極反転構造が設けられたチャンネル型光導波路を備えている波長変換層、
波長変換層の上面側に設けられている上側基板、
支持基板の上面に形成されている導電膜、
波長変換層と支持基板とを導電膜を介して接着する下地接着層、および
波長変換層と上側基板とを接着する上側接着層を備えていることを特徴とする。
(1) スパッタ法によって、上側基板の底面や支持基板の上面に金属薄膜を形成する。
(2) 導電性ペーストを上側基板の底面や支持基板の上面に印刷等で塗布し、焼き付ける。
(3) 上側基板の底面や支持基板の上面に導電性テープを貼る。
また、波長変換層3と支持基体1、上側基板5との間に接着剤のシートを介在させ、接合することができる。好ましくは、熱硬化性、光硬化性あるいは光増粘性の樹脂接着剤からなるシートを、波長変換層3と支持基体1、上側基板5との間に介在させ、シートを硬化させる。このようなシートとしては、10μm以下のフィルム樹脂が適当である。
図2に示すような素子11を作製した。具体的には、厚さ0.5mmのMgO5%ドープニオブ酸リチウム5度オフカットY基板上に、周期6.6μmの周期分極反転構造を形成した。厚さ0.5mmのノンドープニオブ酸リチウム基板に接着剤(アクリル系接着剤)を塗布した後、前記のMgOドープニオブ酸リチウム基板2と貼り合せ、MgOドープニオブ酸リチウム基板の表面を厚さ3.7μmとなるまで研削、研磨し、薄板を得た。次いで、レーザーアブレーション加工法により、この薄板にリッジ構造4(光導波路24)を形成した。光導波路の形成後、厚さ0.5umのSiO2オーバークラッドをスパッタ法によって成膜した。
実施例1と同様にして、図2の素子11を作製した。ただし、実施例1とは異なり、アルミニウム膜10によって上側基板の底面5aのうち90%を被覆した。
実施例1と同様にして、図2の素子11を作製した。ただし、実施例1とは異なり、アルミニウム膜10によって上側基板の底面5aのうち80%を被覆した。
実施例1と同様にして、図1の素子1を作製した。実施例1とは異なり、アルミニウム膜10を設けなかった。
20 上側接着層 21 下地接着層
Claims (5)
- 支持基板、
強誘電性単結晶のX板またはオフセットX板からなり、周期分極反転構造が設けられたチャンネル型光導波路を備えている波長変換層、
前記波長変換層の上面側に設けられている上側基板、
前記上側基板の底面に形成されている導電膜、
前記波長変換層と前記支持基板とを接着する下地接着層、および
前記波長変換層と前記上側基板とを前記導電膜を介して接着する上側接着層を備えていることを特徴とする、高調波発生素子。 - 前記支持基板の上面に形成された他の導電膜を備えており、前記下地接着層によって前記波長変換層と前記支持基板とが前記他の導電膜を介して接着されていることを特徴とする、請求項1記載の高調波発生素子。
- 支持基板、
強誘電性単結晶のX板またはオフセットX板からなり、周期分極反転構造が設けられたチャンネル型光導波路を備えている波長変換層、
前記波長変換層の上面側に設けられている上側基板、
前記支持基板の上面に形成されている導電膜、
前記波長変換層と前記支持基板とを前記導電膜を介して接着する下地接着層、および
前記波長変換層と前記上側基板とを接着する上側接着層を備えていることを特徴とする、高調波発生素子。 - 前記波長変換層に一対の細長い溝が形成されており、前記一対の溝によって前記チャンネル型光導波路が形成されていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つの請求項に記載の高調波発生素子。
- 前記上側接着層および前記下地接着層の厚さが0.5μm以上、10μm以下であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一つの請求項に記載の高調波発生素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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JP2008062539A JP4806424B2 (ja) | 2008-03-12 | 2008-03-12 | 高調波発生素子 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2009217133A JP2009217133A (ja) | 2009-09-24 |
JP4806424B2 true JP4806424B2 (ja) | 2011-11-02 |
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ID=41189026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2008062539A Active JP4806424B2 (ja) | 2008-03-12 | 2008-03-12 | 高調波発生素子 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4806424B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4576438B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2010-11-10 | 日本碍子株式会社 | 高調波発生素子の製造方法 |
JP5358224B2 (ja) | 2009-03-05 | 2013-12-04 | 日本碍子株式会社 | 波長変換素子の製造方法 |
JP5074436B2 (ja) | 2009-03-06 | 2012-11-14 | 日本碍子株式会社 | 高調波発生素子 |
JP6282632B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2018-02-21 | 日本碍子株式会社 | しみ出し光発生素子およびしみ出し光発生デバイス |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3915145B2 (ja) * | 1996-03-12 | 2007-05-16 | 松下電器産業株式会社 | 光波長変換素子および分極反転の製造方法 |
JP2002006353A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-09 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 分極反転結晶 |
JP2004295089A (ja) * | 2003-03-11 | 2004-10-21 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板およびその製造方法 |
EP1801625B1 (en) * | 2004-10-12 | 2019-11-20 | NGK Insulators, Ltd. | Optical waveguide substrate and harmonics generating device |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009217133A (ja) | 2009-09-24 |
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