JP4779575B2 - 固体撮像素子 - Google Patents
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Description
(1)フォトダイオードのp型埋め込み領域29とp型エピタキシャル層22との分離幅を十分大きくとれ、nウェルの濃度を増やすことなく分離特性が改善する。
(2)領域IVの露光、注入をしなくて済み、工程が短縮される。
(3)図3では領域IIと領域IIIの重なりはなかったが、本実施の形態では重なりが生じる。この重なり部分236は不純物濃度が周辺よりも高くなる。この不純物濃度の高い領域236はフォトダイオードに蓄えられた電荷が転送ゲート電極31の電位に無関係に、nウェル235中を通ってソース近傍p型領域27に達することを防止するバリア層として機能する。
21’ 4度傾けp+型基板
22 p−型エピタキシャル層
23、23a、23b、23c、23d、231〜235 nウェル
24 ゲート酸化膜
25 リング状ゲート電極
26 n+型ソース領域
27 ソース近傍p型領域
28 n+型ドレイン領域
29 埋め込みp−型領域
30、44 フォトダイオード
31 転送ゲート電極
32、46 ドレイン電極配線
33、49 リング状ゲート電極配線
34、44 ソース電極配線(出力線)
35、41 転送ゲート電極配線
41 画素敷き詰め領域
42 画素
43 リング状ゲートMOSFET
45 転送ゲートMOSFET
71 p型領域
72 p-しきい値調整層
Claims (3)
- 第1の導電型の基板部の表面に設けられた第2の導電型のウェル領域と、
前記ウェル領域に形成された第1の導電型の光電変換領域と、
前記光電変換領域の近傍で、前記ウェル領域上に絶縁膜を挟んで設けられたリング状ゲート電極と、
前記リング状ゲート電極と前記光電変換領域の間の、前記ウェル領域上に前記絶縁膜を挟んで設けられた転送ゲート電極と、
前記ウェル領域の表面のうち、前記リング状ゲート電極と前記転送ゲート電極の領域を除いた部分の少なくとも一部に設けられた、前記ウェル領域と電気的に一体化した高濃度の第2の導電型のドレイン領域と、
前記リング状ゲート電極の中心開口部に対応する前記ウェル領域内に設けられた第2の導電型のソース領域と、
前記ソース領域を取り囲み、かつ、前記リング状ゲート電極の外周まで達しないように前記ウェル領域内に設けられた第1の導電型のソース近傍領域と、
前記ソース近傍領域下の前記ソース近傍領域に対応する領域のみに、前記ウェル領域を挟んで設けられ、前記基板部に接続する第1の導電型の高濃度領域とを、画素として有し、
前記ウェル領域は、前記リング状ゲート電極下の領域において、前記ソース近傍領域と前記高濃度領域との間に設けられて前記ソース近傍領域及び前記高濃度領域に接する第1の領域と、前記光電変換領域と前記ソース近傍領域及び前記高濃度領域との間で、かつ、前記リング状ゲート電極下まで広げられて形成された第2の領域とからなり、前記第1の領域における深さ方向の厚さが、前記第2の領域における深さ方向の厚さよりも薄く、
前記高濃度領域は、前記リング状ゲート電極下の領域において、前記ソース近傍領域下の領域における前記高濃度領域と前記ウェル領域の前記第1の領域との界面が、前記ウェル領域の前記第2の領域のうち前記リング状ゲート電極下の領域と前記基板部との界面よりも深さ方向において浅く設けられており、
前記高濃度領域及び前記ウェル領域の前記第2の領域は、前記リング状ゲート電極下の領域において、前記リング状ゲート電極の前記中心開口部に対して前記転送ゲート電極側とその反対側とがそれぞれ対称な構造を有し、
前記ソース近傍領域周辺の前記ウェル領域の前記第2の領域内には、前記リング状ゲート電極の外周まで達しないように設けられ、かつ、前記リング状ゲート電極の前記中心開口部に対して前記転送ゲート電極側とその反対側とにおいて対称な構造を有すると共に、前記ウェル領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第2の導電型のバリア層が画素として設けられ、前記バリア層は前記ウェル領域の前記第1の領域と接していることを特徴とする固体撮像素子。 - 前記基板部は、(100)面に対して3〜7度傾いていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記高濃度領域の不純物濃度よりも低く、かつ、前記基板部の不純物濃度よりも高く、かつ、前記ウェル領域と前記基板部とで電位差が生じた場合においても空乏層が発生しないような不純物濃度を有し、前記ウェル領域と前記基板部との電位差により前記基板部に空乏層が発生したときにおいても前記高濃度領域と前記基板部の前記空乏層が発生していない領域とを接続する第1の導電型の中濃度領域を、画素としてさらに有することを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
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JP2005315614A JP4779575B2 (ja) | 2005-10-31 | 2005-10-31 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2005315614A JP4779575B2 (ja) | 2005-10-31 | 2005-10-31 | 固体撮像素子 |
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JP2007123655A JP2007123655A (ja) | 2007-05-17 |
JP4779575B2 true JP4779575B2 (ja) | 2011-09-28 |
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Family Applications (1)
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2005
- 2005-10-31 JP JP2005315614A patent/JP4779575B2/ja active Active
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