JP4778655B2 - １つまたは多くの被膜を基板に沈積する方法および装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも一つの液体または固体の少なくとも１つの反応ガスおよび必要な場合は少なくともさらに一つの室温でガス状の反応ガス用の初期物質を使用して、１つまたは多くの被膜を反応室に配置される少なくとも一つの基板に作成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この種の方法およびこの種の装置は、ＷＯ９５／０２７１１またはＷＯ９９／０２７５６により既知である。この両方の文書においてここでは詳細のすべてについて言及しない説明を明確に引用している。既知の装置は少なくとも一つの個別または混合した初期物質（前駆体）の貯蔵容器を備えている。さらに既知の方法では基板が特に１つまたは多数の支持体に配置される反応室を備え、その中て被膜が基板に形成される。制御装置により制御される供給装置は、初期物質を少なくとも一つの供給配管により貯蔵容器から初期物質が蒸発される領域に供給される。（いわゆる「蒸発器」）
【０００３】
ＷＯ９５／０２７１１により既知の装置は、前駆体（初期物質）を「液滴の形状」で下流側に接続される温度調節される蒸発室に導入し、そこで蒸発されるかまたは直接容器を温度調整することによってガス状の製品を反応炉に供給する。
【０００４】
この定期的な噴射において、すべての操作条件において反応室における反応ガスは十分に均等な配分にならない。
【０００５】
さらに反応ガスは必ずしも最適な温度で反応室に噴射されないことが多い。
【０００６】
ＵＳ-ＰＳ５５５４２２０により既知の凝縮被膜生成装置においても同様な問題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は一般的な装置およびそれに対応する方法を、従来の技術では発生する恐れのある供給されるガスの配分および／または作製される被膜の成分を持つ供給ガスの温度の不均等性による欠陥を防止するように発展させることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この課題は請求項に示す本発明により解決される。
【０００９】
本発明によれば、反応ガスは反応室に入る前でガス導入装置に導入され、使用される反応ガスの数より少ないかまたは同じ数の多数に分割されたガス通路を通り、種々の反応ガスが基板の寸法に対し均等に平均化されるが、基板の表面より前では実質的に互いに反応しないように、空間的に分離して反応室に供給するように配置した多くの出口開口を使用する。この反応ガスはそれぞれのガス通路でガス導入装置によって温度調整、すなわち加熱されるかまたは冷却され、特にガス温度は制御されるか一定温度に保持される。
【００１０】
シャワーヘッドとも呼ばれるこのようなガス導入装置は、他のこの種の方法でも既知であるが、ガス導入装置でガスの温度調整および特に必要な場合は事前温度調整による温度制御が行なわれる本発明による形態は知られていない（ＵＳ５８７１５８６）。
【００１１】
供給されるガスの温度特別に簡単な調整、および特に制御は、個々のガスの温度をガス導入装置の水平および／または垂直温度勾配を異なった温度に調整するか制御することによって行なう。
【００１２】
さらに本発明による方法では、ガス導入装置に供給されるガスの体積を調整し特に制御する。ガス導入装置は少なくとも一つの搬送ガスおよび／または掃気ガスの導入に使用することができる。
【００１３】
少なくとも一つの基板に被膜を形成する本発明による方法は、ＣＶＤ、ＭＯＣＶＤまたはＯＶＰＤ法（凝着被膜形成）に使用され、特に酸化材料のグループに属する例えばＢａＳｒＴｉＯ３、ＰｂＺｒＴｉＯ３、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９のようなペロブスカイト、または被膜ペロブスカイトの製作、または有機被膜の製作、特に「小さな分子」および例えばＯＬＥＤまたは太陽電池のような薄い被膜部品の重合体に使用される。
【００１４】
本発明による基板を被膜する反応炉、特に本発明による方法が使用できる構造は、少なくとも２つの異なるガスまたは混合ガスを別々に準備するガス供給装置、少なくとも一つの被膜する基板を少なくとも一つの加熱または冷却した支持体に配置した反応室、および少なくとも２つのガスまたは混合ガスが互いに分離されて反応室に供給され、グループに統合される多数のガス出口開口を備え、その数は別々に供給されるガスまたは混合ガスの数に対応し、ガス出口開口のそれぞれのグループからガスまたは混合ガスの１つが反応室に流出する少なくとも１つの温度調整するガス導入装置（シャワーヘッド）を備えている。
【００１５】
このような反応炉は下記の特長によって改善されている。
・ ガス導入装置はガス出口開口を有する板を備えている。
・ 板は基板または支持体加熱または冷却、および／または加熱されたまたは冷却された基板または支持体によって、直接的または間接的に温度調整される。
・ 板とガス導入装置の基本体および／またはガス導入装置の基本体および熱冷却体または熱源の間に、ガスによって形成される調整可能な熱抵抗体が配置される。
【００１６】
本発明による構成では、ガス導入装置を例えば電気的に加熱する必要はない。ガス導入装置の温度調整はむしろ１つまたは多数の調整可能な熱抵抗によって行なわれ、高温の場所からガス導入装置へ、またはガス導入装置から反応室の低温の場所への熱の流れの調整また制御が可能となる。したがって簡単に構成され、しかも容易に正確に制御できるガス導入装置が得られる。
【００１７】
特に支持体および／または基板を直接的または間接的に冷却または加熱し、支持体または基板からまたは支持体または基板への熱流を調整または制御する。
【００１８】
本発明による装置の好ましい構成は次の特長によって特徴付けられる。
・ 出口開口の反対側に板が種々の別々に供給されるガスまたは混合ガスの緩衝空間に配置され、その数は少なくともグループの数に対応し、配管によってガス供給システムおよびそれぞれに対応するガス出口開口に流体的に接続される。
・ 緩衝空間は熱的に板および熱冷却体または熱源に結合される。
【００１９】
これらの構成は、緩衝空間に存在するガスが希望する方法で温度調整できるよう十分長くガス導入装置に残留する利点がある。可変熱抵抗との結合は、特に少なくとも一つの媒体を調節可能な圧力にしながら中間空間で実施する。
【００２０】
さらに緩衝空間を加熱または冷却される板の垂直な方向に重なり合ってガス導入装置のケースに配置すると好都合である。この構成によって区分した温度に対応する緩衝が得られ、簡単な方法で必要な場合はガスを種々な温度に温度調整することができる。
【００２１】
垂直方向に半径対称としたケースの構成は、半径方向の均等な温度分布をもたらす。
【００２２】
中間空間に異なる熱伝導率の媒体を使用した場合、簡単な方法で熱抵抗を調整することができる。媒体にガスまたは混合ガスを使用すると、特別に迅速な調整または制御が得られる。
【００２３】
中間空間を基板が配置される空間に対して気密とする構成によって、反応室のガス流は乱されなくなる。
【００２４】
熱源または熱冷却体として、請求項に示すように反応室の温度調整される部分を好都合に使用することができる。特に温度調整する板を、基板または支持体から熱輻射、熱伝導などによる熱移動により温度調整することができる。
【００２５】
半径方向および／または垂直方向の温度勾配の調整のため、ガス導入装置を異なった種類に構成することができ、例えば少なくとも１種類の材料から構成させ、特に１つまたは多数の異なった材料による水平または垂直の多層構造として製作する。この場合多層組織の内部は温度調節のためダクトを設けることができる。材料として例えばアルミニウム、特殊鋼、水晶ガラスおよびセラミックを使用することができる。
【００２６】
さらにガス導入装置は少なくとも１つの必要によって除去できる中間板を設け、垂直方向および／または水平方向に対する温度勾配の調整のため互いに向かい合ったガス導入装置の仕切り壁に熱的に結合させ、特に緩衝空間を制約することができる。特に少なくとも１つの中間板に少なくとも１つの開口を設けることができる。さらに少なくとも２つの中間板を熱的な橋状体によって垂直、水平および／または半径方向の熱の流れを結合することができる。また少なくとも１つの中間板をガス導入装置内のガスの方向転換に役立てることもできる。代わりにまたは追加して少なくとも１つの中間板をガス導入装置の外側に配置し衝撃防止板として役立てることもできる。
【００２７】
さらに加熱した板に設けたガス出口開口の短管を、個々の緩衝空間に接続することができる。この場合開口を適切な形状に形成すると有利である。
【００２８】
本発明による装置は、特に少なくともプロセスガスの一部が固体または液体の前駆物質から生成される被膜の製作に適している。さらにガス導入装置はプロセスガスに加えて少なくとも一つの搬送ガスおよび／または掃気ガスを供給することができる。
【００２９】
本発明の実施例を以下添付した図面によって説明する。
【００３０】
【発明の実施の形態】
ここで図式的に概略を図示した反応炉は壁３１の形状をした反応炉周壁を備えている。この反応炉周壁３１によって反応炉の底部３２は囲まれる。例えば円筒状の構造を有する底部３２に１つまたは多くの基板２の保持体である支持体１４が置かれる。支持体１４は下側から加熱器１６によって加熱される。加熱器１６の代わりに支持体１４を例えば室温に保持するため冷却器を設けることもでき、これによって支持体１４の上に置かれる基板２に凝縮による被膜を形成することができる。
【００３１】
底部３２または支持体１４の上側に外部に対しガス気密に閉じられた空間１があり、反応室１を形成する。反応室１では支持体１４の上側に配置されたガス導入装置８にガス３、４、５が供給される。これらのガスは反応ガスか反応ガスを含むもので、例えば支持体上に凝縮することができる。別の方法ではこれらのガスはガス相で、または好ましくは基板表面で化学的に互いに反応し、基板表面２は反応生成物によって被膜が形成される。被膜形成は結晶の成長が含まれる。被膜の成長は殆ど多結晶によって行なわれる。特別の場合は被膜の成長は単結晶で行なわれる。
【００３２】
ガス導入装置８は反応炉のカバー１９の空洞に設けられる。この反応炉のカバー１９は図示しない加熱器または同様に図示しない冷却器によって事前設定された温度に保持される。ガス導入装置８は反応炉のカバー１９との表面の接触はない。むしろ反応炉のカバー１９とガス導入装置８の外表面の間の空間２０がガスで掃気される。図１または図７にはこのための掃気ガス配管３３が示され、これによって掃気ガス２３を供給することができる。掃気ガスは反応室１に存在するプロセスガスに応じて選定される。これは不活性ガスであることか好ましい。ＭＯＣＶＤプロセスの場合は窒素または窒素と水素の混合物である。しかし水素であってもよい。例えば最初に説明した酸化プロセスのような別のプロセスの場合は希ガスの混合物、例えばヘリウムとアルゴンの混合物とすることができる。互いに極端に異なる熱伝導特性を備えたガスの混合物が好ましく、両方のガスの混合の割合を調整することによって反応炉のカバー１９からガス導入装置８への熱の移動を調整することができる。熱の移動を熱伝導により確実に実施するため、空間２０を適応する圧力に調節しなれればならない。反応室１のプロセス圧力がこの圧力より低いと、空間２０は反応室１から絶縁される。これはガス気密または絞りの役目を果たす絶縁体２９によって行なわれるので、ガスは空間２０から反応室に流れることができる。空間２０は幾つかの専用のガス排出配管を備えている。反応室の半径方向の外側にあるガス排出配管は図示していない。
【００３３】
反応ガス３、４、５をガス貯蔵装置からガス導入装置８に供給する供給配管２１、２２が空間２０を貫通する。ガス３、４は蒸気の形態で供給される液状の初期物質３’、４’であってもよい。初期物質３’、４’は、反応ガス３、４に昇華する固体であってもよい。固体材料３’または液体４’は、図１に図式的に示される容器７に保管される。容器７から出たガス３、４は配管２１を経て反応室のカバー１９を通りガス導入装置８に供給される。配管２１には追加的に搬送ガスまたは掃気ガス１３が送り込まれる。
【００３４】
図９に図示した実施例において、液体の初期物質は温度調整される蒸発器３８に供給される。初期物質はここで既知の方法によって表面接触または好ましくは温度の高い搬送ガスからの熱の供給によって蒸発され、ガス配管２１を経て反応炉に供給される。この実施例で初期物質が入っている容器７は加熱されないことが好ましい。
【００３５】
配管２２によってガス状の初期物質５はガス導入装置８に到達する。
【００３６】
ガス導入装置８の説明を図２を参照して実施する。ガス導入装置８は円板状のカバー板１７を備え、そのなかに中心から縁に対して多くの星形に走るダクト２４、２５が配置される。ダクト２４は配管２１によって接続され、これによって反応ガス３、４が上部室９の外周に導かれる。ダクト２５を通って供給配管２２によって供給された反応ガス５は室９の下側にある室１０の周辺部に流れる。空間９、１０はガス気密されて互いに分離され緩衝空間を形成する。両方の緩衝空間９、１０の分離は、中間板１８によって行なわれカバー板１７と同様に金属から製作することができる。中間板１８およびカバー板１７は，熱を伝導する橋状体２６によって互いに結合される。橋状体２６を除去するとカバー板１７から中間板１８への熱移動は緩衝空間９に供給される反応ガス３、４、または追加の搬送ガスまたは掃気ガス１３およびガス導入装置８の外周部の熱伝導によって行われる。カバー板１７はほとんど空間２０を介しての熱伝導によって加熱されたり冷却されたりする。
【００３７】
中間板１８は多くの開口を備え、室１０を貫通してガス導入装置８底板を形成する穴板１５まで突き出す管２７が接続される。板１５および中間板１８の間には緩衝空間１０がありこの内部に反応ガス５が流れる。管２７またはその出口開口１１の間の空間に開口１２が設けられ、緩衝空間１０にある反応ガス５が流出することができる。
【００３８】
板１５は多数の互いに近接して設けられる出口開口１１、１２を有する穴板として構成される。管２７に所属する出口開口１１は専ら緩衝空間に存在する反応ガス３および４が排出される第１のグループを形成する。それぞれが出口開口１１に隣接する第２のグループに所属する出口開口１２は、緩衝空間１０に存在する反応ガス５を排出する。
【００３９】
緩衝空間９、１０の圧力は出口開口１１、１２の直径および数に関連して、板１５の全面積にわたって均等な流れの状態が発生するよう選定する。反応室１の高さは、出口開口１１、１２から流出するガス流が基板２までの間に混合するように選定する。
【００４０】
中間板１８から板１５への熱の移動は熱伝導によって行なわれる。管が熱伝達材料から製作される場合の熱伝達は管２７によって行われる。しかし熱伝達は緩衝空間に存在するガスによって実施することもできる。さらにガス導入装置８の外周から実施される。
【００４１】
図３に図示したガス導入装置は上側緩衝空間９に中間板２８を備えている。この中間板２８は同様に橋状体２６によってカバー板１７に接続される。また橋状体２６は同様に中間板２８を中間板１８に接続するため設けることもできる。さらに中間板１８は衝突緩和壁の機能も有する。供給配管２１からガス導入装置８に流出するガス流は中心に流れ、半径方向の外側に向きを変え中間板２８の周辺に流れ、同時に外側から内側へ緩衝空間９を流れる。
【００４２】
上記に説明した部品の温度調節／制御特性は図５によって明らかである。空間２０の動作は、ここでは調節可能な抵抗として示される。ガス導入装置８も同様である。図１にＴ１で示した反応炉のカバー１９の位置は、例えば１０００℃の温度Ｔ１となる。基板２の表面温度Ｔ４は約２００℃となる。この両方の温度は反応炉のカバー１９の加熱、または支持体１４の加熱または冷却によって調節することができる。形状、または空間２０のガス、または緩衝空間９、１０のガス３、４、５または１３の成分または圧力の変化によって、温度Ｔ２、Ｔ３およびカバー板１７または板１５の温度が調整される。
【００４３】
温度経過を図６に示す。板１５は例えば４００℃の低い温度となる。カバー板１７は例えば８００℃の温度となる。
【００４４】
上記に説明した装置によって実施できる別のプロセスにおいて、基板２は加熱器１６による適切な加熱によって、例えば冷却によって室温に保持される反応炉カバーの温度Ｔ１より高い温度になる。空間２０のガスおよびその圧力の適切な選定、およびガス導入装置８における流れのパラメータまたは形状の調整によって、温度Ｔ２またはＴ３を制御することができる。例えば反応ガスが反応温度より高い温度で分解するガスの場合は、パラメータをこれらのガスが付属する緩衝空間の温度を分解温度より低くするように調節する。凝縮温度より低い温度で反応ガスが凝縮する恐れのある反応ガスの場合は、緩衝空間の対応する温度をそれに応じて高く保持する。
【００４５】
配管２１、２２を通じてガス導入装置に進入するガスは、ガス導入装置８によって温度調整される。
【００４６】
図８に図示する実施例においては、温度調整はダクト３４、３５または３６を流れる媒体例えばガスによって行なわれる。温度調整は加熱導線によって実施することができる。ダクト３４は穴板１５を横断している。ダクト３４を通って冷却または加熱媒体が流れる。ダクト３５は中間板１８に配置される。このダクトを通って冷却または加熱媒体が流れる。最後にカバー板１７にもダクト３６が設けられ、同様に媒体を流すことができる。図８にはダクト３４、３５、３６を図式的に示してあるだけである。ダクトは板が均等に温度調整されるよう個々の板に配置する。例えば板にダクトを波状に貫通させる。ダクトはそれぞれの端部を互いに接続する穴で形成することができる。またダクトを溝として加工した後板で覆うことも可能で、板１５、１８、１７は２つの互いに重なった互いに結合された板で構成される。ガス導入装置８またはその板は水平方向の多層構造物として構成される。
【００４７】
ガスが出口開口１１、１２をできるだけ確実に層流で流出するため、開口は漏斗状に広げる。これは図４に示される。
【００４８】
図７に示した実施例では、ガス導入装置は図３または図４に対応して構成される。この実施例では空間２０に衝突緩和板３０の形状した別の中間板が設けられる。この衝突緩和板３０に向って、配管３３によって空間２０に進入するガス２３が流れる。この実施例の場合は追加のガス配管が空間２０に導入される。この配管３３’は衝突緩和板３０を貫通して突き出し、配管３３’から流出するガス流２３’はカバー板１７に向って流れる。
【００４９】
空間２０に供給される掃気ガス２３、２３’は温度調整することができる。
【００５０】
開示されたすべての特徴は本発明に対し基本的なものである。従って、対応する／添付の優先書類（事前出願のコピー）の開示もまたすべて本出願の開示内に含まれるものであり、その目的のためこれらの書類の特徴もこの出願の請求事項に含まれるものである。
【発明の効果】
供給されるガスの配分および／または作製される被膜の成分を持つ供給されるガスの温度の不均等性による欠陥を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による装置の図式的断面図である。
【図２】 図式化したガス導入装置の拡大断面図である。
【図３】 図２に変更を加えた図である。
【図４】 ガス導入装置の板の拡大図である。
【図５】 緩衝体積の技術的作用の接続図的な図である。
【図６】 緩衝体積の範囲の温度経過である。
【図７】 本発明の別の実施例に対する図１による図である。
【図８】 本発明の別の実施例に対する図２による図である。
【図９】 別の実施例の図１による図である。

Claims (17)

1. 少なくとも１つの液体または固体の初期物質（３’、４’）から生じる少なくとも１つの反応ガス（３、４）を使用して、かつ、必要な場合はさらに別の少なくとも１つの室温でガス状の反応ガス（５）を使用して、反応室内で温度調整される支持体（１４）に配置される少なくとも１つの基板に1つまたは多数の被膜を形成するための方法であって、
   液体または固体の初期物質（３’、４’）が１つまたは多数の蒸発器（７）で、反応室（１）に供給される前に液体相または固体相から直接蒸気相に移行され、
   ガス導入装置（８）に供給される反応ガス（３，４，５）は、それらの使用される反応ガス（３、４、５）の数より少ないかまたは同じ数の複数に分割されたガス通路（９、１０）を通り、そのガス通路（９、１０）は多数の出口開口（１１、１２）を使用し、
   使用される反応ガス（３、４、５）が基板表面上に均等に平均化して供給され、
   反応ガス（３、４、５）はそれぞれのガス通路（９、１０）でガス導入装置（８）によって温度調整され、ガス導入装置（８）の支持体（１４）に対向する一方の面は支持体（１４）と熱の授受を行ない、ガス導入装置（８）の他方の面はガス掃気される空間（２０）を介して熱を熱冷却体に放出し又は熱源より吸収し、その空間（２０）の熱抵抗は掃気ガスの成分の変更によって調整可能である、上記方法において、
   ・反応ガス（３、４、５）は基板の表面と実質的に反応しないように反応室（１）に空間的に分離して供給され、
   ・反応室（１）に対して空間（２０）を絶縁および絞り（２９）によって分離することにより、空間（２０）の熱抵抗は掃気ガスの圧力の変化によって調整可能であり、および
   ・ガス導入装置（８）に配置されたガス通路（９、１０）によって構成される、ガス導入装置（８）の両方の面の間の緩衝空間の熱抵抗が、反応ガス（３、４、５）の圧力および／または成分の変更によって可変に調整される、
   ことを特徴とする方法。
2. ガス導入装置（８）内で個々のガスの温度を水平方向および／または垂直方向の温度勾配の調整によって異なった温度に調整または制御することを特徴とする請求項１による方法。
3. 被膜を形成するための方法がＣＶＤ、ＭＯＣＶＤまたはＯＶＰＤ法であることを特徴とする請求項１または２による方法。
4. ＢａＳｒＴｉＯ _３ 、ＰｂＺｒＴｉＯ _３ 、ＳｒＢｉ _２ Ｔａ _２ Ｏ _９ を含む酸化材料のグループに属するペロブスカイトまたは被膜ペロブスカイトである１成分、２成分または多成分の酸化材料を製作するために、または、ＯＬＥＤまたは太陽電池のための有機薄膜を製作するために使用されることを特徴とする請求項１ないし３の何れかによる方法。
5. ガス導入装置（８）が少なくとも１つの搬送ガス（１３）および／または掃気ガスの供給のために使用されることを特徴とする請求項１ないし４の何れかによる装置。
6. 請求項１ないし５のいずれかによる方法を使用して基板（２）に被膜を形成する装置であって、
   ・少なくとも２つの異なるガス（３、４、５）または混合ガスを分離して準備するガス供給容器（７）と、
   ・少なくとも１つの被膜を生成させる基板（２）を少なくとも１つの加熱または冷却した支持体（１４）に配置する反応室（１）と、
   ・少なくとも２つのガス（３、４、５）または混合ガスを複数のガス通路（９、１０）を経て分離して反応室（１）に供給し、多数のガス出口開口（１１、１２）備えた少なくとも１つのガス導入装置（８）と、
   ・ガス出口開口（１１、１２）を備えてガス導入装置（８）の支持体（１４）に対向する一方の面に設けられ、基板（２）または支持体（１４）の加熱器（１６）または冷却器、および／または加熱されたまたは冷却された基板（２）または支持体（１４）と直接的または間接的に熱の授受を行なう板（１５）と、
   ・ガス導入装置（８）の他方の面と熱冷却体または熱源の間で熱の授受を行なうためのガス掃気される空間（２０）であってその熱抵抗は掃気ガスの成分の変更によって調整できる空間（２０）と、を備えた装置において、
   ・空間（２０）と反応室（１）の絶縁および絞り（２９）によって、掃気される空間（２０）の熱抵抗が掃気ガスの圧力によって調整でき、
   ・板（１５）および空間（２０）の間に配置され、ガス導入装置に設けられ、ガス通路（９，１０）で構成される少なくとも１つの緩衝空間の熱抵抗が、緩衝空間（９、１０）のガス（３、４、５）の圧力および／またはガスの成分で調整でき、
   ・ガス出口開口（１１、１２）がグループにまとめられ、その数は分離された個々のガス（３、４、５）または混合ガスに対応し、ガス出口開口（１１、１２）のそれぞれのグループからガス（３、４、５）または混合ガスの１つが反応室に流出する、
   ことを特徴とする装置。
7. 緩衝空間（９、１０）が、加熱または冷却される板（１５）と垂直方向に配置され、かつガス導入装置（８）のケース（１５、１７）内にて上下に配置されることを特徴とする請求項６による装置。
8. 熱源（１９）または熱冷却体は反応炉の温度調整される部分であり、熱冷却体は反応炉の冷却された部分であり、水冷却または加熱される反応炉カバー（１７）であることを特徴とする請求項６または７による装置。
9. ガス導入装置（８）が水平方向または垂直方向の多層組織として１つまたは多くの異なる材料から製作されることを特徴とする請求項６ないし８の何れかによる装置。
10. ガス導入装置（８）は垂直方向および／または水平方向の温度勾配を調整するため、ガス導入装置（８）の互いに対向する仕切り壁（１５、１７）に熱的に結合（２６、２７）されかつ２つのガス通路（９、１０）の間に位置する少なくとも１つの第１の中間板（１８）を備えることを特徴とする請求項６ないし９の何れかによる装置。
11. 少なくとも１つの第１の中間板（１８）に少なくとも一つの開口を備えたことを特徴とする請求項１０による装置。
12. 少なくとも１つの第１の中間板（１８）及び１つのガス通路（９）内に位置する少なくとも１つの第２の中間板（２８）が、垂直、水平および／または半径方向の熱流を調整するため、熱的な橋状体（２６、２７）によって結合されることを特徴とする請求項１０又は１１の何れかによる装置。
13. 少なくとも１つの第２の中間板（２８）がガス導入装置（８）内においてガスの方向転換の役目を果たすことを特徴とする請求項１２による装置。
14. 少なくとも１つの第３の中間板（３０）が、ガス導入装置（８）の外部の空間（２０）に配置され衝突緩和板として機能することを特徴とする請求項６ないし１３の何れかによる装置。
15. 第１の中間板（１８）が緩衝空間（９、１０）を分離することを特徴とする請求項１０による装置。
16. ガス導入装置（８）の少なくとも１つの仕切り壁（１７）の内部に少なくとも１つのダクト（２４、２５）が設けられ、ガス導入装置（８）における温度勾配を調整することを特徴とする請求項１０による装置。
17. 短管（２７）がガス出口開口（１１）と少なくとも１つの緩衝空間（９）とを接続することを特徴とする請求項６ないし１６の何れかによる装置。

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