JP4770563B2 - 撮像装置 - Google Patents
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前記撮像素子の撮像動作を制御する撮像制御部と、
前記撮像素子の出力信号に信号処理を施す信号処理部とを備えた撮像装置において、
前記撮像素子は、定電流源を含むダミー画素を備え、
前記撮像制御部は、前記ダミー画素の動作を制御し、
前記信号処理部は、前記ダミー画素の出力信号を用いて前記通常画素の光電変換特性の温度特性を補償する温度特性補償手段を備えたことを特徴とする撮像装置。
前記通常画素の光電変換特性が線形特性を示す少なくとも2つの電流値で動作させた時の前記ダミー画素の出力信号を用いて前記通常画素の光電変換特性の線形特性領域の温度特性補償を行い、
また、前記通常画素の光電変換特性が対数特性を示す少なくとも2つの電流値で動作させた時の前記ダミー画素の出力信号を用いて前記通常画素の光電変換特性の対数特性領域の温度特性補償を行うことを特徴とする1に記載の撮像装置。
前記温度特性補償手段は、読み出された前記ダミー画素の出力信号に基づいて前記通常画素の光電変換特性を算出する特性算出手段と、前記特性算出手段で算出された前記通常画素の光電変換特性と、前記温度検出手段で検出された前記ダミー画素の出力信号読み出し時の前記撮像素子近傍の温度とを記憶する係数記憶手段と、前記特性算出手段により算出された前記通常画素の光電変換特性あるいは前記係数記憶手段に記憶された前記通常画素の光電変換特性の何れかに基づいて、前記通常画素の出力信号を基準光電変換特性に変換する特性変換手段とを備えたことを特徴とする1乃至5の何れか1項に記載の撮像装置。
前記撮像素子の撮像動作を制御する撮像制御部と、
前記撮像素子の出力信号に信号処理を施す信号処理部とを備えた撮像装置において、
前記撮像素子は、定電圧源を含む線形ダミー画素と、定電流源を含む対数ダミー画素とを備え、
前記撮像制御部は、前記線形ダミー画素と前記対数ダミー画素の動作を制御し、
前記信号処理部は、前記線形ダミー画素の出力信号を用いて前記通常画素の光電変換特性の線形領域の温度特性を補償し、前記対数ダミー画素の出力信号を用いて前記通常画素の光電変換特性の対数領域の温度特性を補償する温度特性補償手段を備えたことを特徴とする撮像装置。
前記撮像制御部が前記ダミー画素の定電流源を制御し、前記通常画素の光電変換特性が対数特性を示す少なくとも2つの電流値で動作させた時の前記ダミー画素の出力信号を用いて前記通常画素の光電変換特性の対数特性領域の温度特性補償を行うことを特徴とする9に記載の撮像装置。
y=aA・x+bA ・・・(1式)
ここに、aAおよびbAは特性Aでの定数である。(1式)に特性Aの線形特性部分の2点のデータ(Id1,DA1)と(Id2,DA2)を代入し、
DA1=aA・Id1+bA
DA2=aA・Id2+bA
上式から定数aAおよびbAを求めると、
aA=(DA1−DA2)/(Id1−Id2)
bA=(Id1・DA2−Id2・DA1)/(Id1−Id2)
となって、(1式)が求まる。
y=cA・ln(x)+dA ・・・(2式)
ここに、cAおよびdAは特性Aでの定数である。(2式)に特性Aの対数特性部分の2点のデータ(Id3,DA3)と(Id4,DA4)を代入し、
DA3=cA・ln(Id3)+dA
DA4=cA・ln(Id4)+dA
上式から定数cおよびdを求めると、
cA=(DA3−DA4)/ln(Id3/Id4)
dA={DA4・ln(Id3)−DA3・ln(Id4)}/{ln(Id3/Id4)}
となって、(2式)が求まる。
ThA=aA・IdA+bA
=cA・ln(IdA)+dA
これから、
ThA−cA・ln{(ThA−bA)/aA}+dA=0 ・・・(3式)
(3式)はこのままでは数式での解法はできないので、近似式を用いるか、ThAに適当な値を代入して(3式)の左辺が最少となるThAを求める数値解法を行う。
y=aA・x+bA ・・・(1式)
aA=(DA1−DA2)/(Id1−Id2)
bA=(Id1・DA2−Id2・DA1)/(Id1−Id2)
y=cA・ln(x)+dA ・・・(2式)
cA=(DA3−DA4)/ln(Id3/Id4)
dA={DA4・ln(Id3)−DA3・ln(Id4)}/{ln(Id3/Id4)}
ThA−cA・ln{(ThA−bA)/aA}+dA=0 ・・・(3式)
以上の(1式)乃至(3式)によって、撮像素子162のチップ温度T=Taでのダミー画素162xのダミー画素信号Vdmを与える式が求められたことになる。図3の説明で述べたようにダミー画素162xは通常画素162bのPD部の代わりにCC部を備えているだけで、画素中のトランジスタに起因する光電変換特性の温度特性は通常画素162bとダミー画素162xとでは同一であるから、上述した式が撮像素子162のチップ温度T=Taでの通常画素162bの光電変換特性を示していることになる。
y=cS・ln(x)+dS ・・・(12式)
ここに、aS、bS、cS、dSは基準特性での基準の係数である。
D=aA・x+bA
であるから、これからxを求めて(11式)に代入して、変換式(21式)を得る。
(領域2)特性Aの画素信号VpxがThA1以上、ThA(特性Aの変曲点)未満の領域。この領域では特性Aの線形特性から基準特性Sの対数特性への変換が行われる。変換前と変換後の画素信号VpxをそれぞれDとDoutとすると、(1式)から
D=aA・x+bA
であるから、これからxを求めて(12式)に代入して、変換式(22式)を得る。
(領域3)特性Aの画素信号VpxがThA以上の領域。この領域では特性Aの対数特性から基準特性Sの対数特性への変換が行われる。変換前と変換後の画素信号VpxをそれぞれDとDoutとすると、(2式)から
D=cA・ln(x)+dA
であるから、これからxを求めて(12式)に代入して、変換式(23式)を得る。
次に、チップ温度T=Tbでの特性BをT=Ts(基準温度)での基準特性Sに変換する方法について説明する。ここでは、特性Bとして線形特性、対数特性ともに基準特性よりも傾きが立っている特性を例にとって説明する。特性Bのモデル式は、上述した(1式)と(2式)の「A」を「B」に置き換えた以下の(31式)と(32式)である。
y=cB・ln(x)+dB ・・・(32式)
ここでも、特性Bを基準特性Sに変換するには、特性Bを3つの領域に分け、各々の領域毎に以下の変換を行う。
D=aB・x+bB
であるから、これからxを求めて(11式)に代入して、変換式(33式)を得る。
(領域2)特性Bの画素信号VpxがThB以上、ThB1未満の領域。ここに、ThB1は基準特性Sの変曲点ThSを与えるセンサ面照度IdSでの特性Bの画素信号Vpxの値であり、(32式)のxにIdSを代入することで得られる。この領域では特性Bの対数特性から基準特性Sの線形特性への変換が行われる。変換前と変換後の画素信号VpxをそれぞれDとDoutとすると、(32式)から
D=cB・ln(x)+dB
であるから、これからxを求めて(11式)に代入して、変換式(34式)を得る。
(領域3)特性Bの画素信号VpxがThB1以上の領域。この領域では特性Bの対数特性から基準特性Sの対数特性への変換が行われる。変換前と変換後の画素信号VpxをそれぞれDとDoutとすると、(32式)から
D=cB・ln(x)+dB
であるから、これからxを求めて(12式)に代入して、変換式(35式)を得る。
実際には、線形特性から線形特性への変換式である(21式)と(33式)および対数特性から対数特性への変換式である(23式)と(35式)とは同じ式であるから、結局、図6で述べた(1式)、(2式)および(3式)を用いて、撮像時のダミー画素行162Xのダミー画素信号Vdmの平均値から撮像時の光電変換特性を算出し、(21式)、(22式)、(23式)および(34式)を用いて、撮像時の光電変換特性を基準特性Sに変換することで光電変換特性の温度特性補償を行う。これらの演算は、画像処理部165で行われ、画像処理部165は本発明における特性算出手段および特性変換手段として機能する。
111 操作部
113 表示部
121 絞り
123 絞り駆動部
131 レンズ
133 レンズ駆動部
151 制御部
161 撮像制御部
162 撮像素子
162b 通常画素
162B 通常画素部
162x ダミー画素(および対数ダミー画素)
162X ダミー画素行(および対数ダミー画素行)
162y 線形ダミー画素
162Y 線形ダミー画素行
163 アナログデジタル(A/D)変換器
165 画像処理部
181 記録媒体
191 温度センサ
801 係数変換テーブル(LUT)
803 変曲点LUT
805 光電変換特性変換テーブル(LUT)
901 特性算出手段
903 係数記憶手段
905 特性変換手段
Claims (16)
- 光電変換素子を含み、線形特性と対数特性の2つの領域を含む光電変換特性で動作し得る通常画素が複数個マトリクス状に配置された通常画素部を有する撮像素子と、
前記撮像素子の撮像動作を制御する撮像制御部と、
前記撮像素子の出力信号に信号処理を施す信号処理部とを備えた撮像装置において、
前記撮像素子は、定電流源を含むダミー画素を備え、
前記撮像制御部は、前記ダミー画素の動作を制御し、
前記信号処理部は、前記ダミー画素の出力信号を用いて前記通常画素の光電変換特性の温度特性を補償する温度特性補償手段を備えたことを特徴とする撮像装置。 - 前記温度特性補償手段は、前記撮像制御部が前記ダミー画素の定電流源を制御し、
前記通常画素の光電変換特性が線形特性を示す少なくとも2つの電流値で動作させた時の前記ダミー画素の出力信号を用いて前記通常画素の光電変換特性の線形特性領域の温度特性補償を行い、
また、前記通常画素の光電変換特性が対数特性を示す少なくとも2つの電流値で動作させた時の前記ダミー画素の出力信号を用いて前記通常画素の光電変換特性の対数特性領域の温度特性補償を行うことを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。 - 前記ダミー画素は、前記通常画素部の周辺部に、前記通常画素部の画素配列方向に並行して配置されることを特徴とする請求項1または2に記載の撮像装置。
- 前記撮像制御部は、前記通常画素部の出力信号の読出動作の前後または途中に前記ダミー画素の出力信号の読出動作を行うことを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の撮像装置。
- 前記撮像制御部は、少なくとも2回、前記定電流源の電流値を切り換えて前記ダミー画素の線形特性の出力信号の読出動作を行い、また、少なくとも2回、前記定電流源の電流値を切り換えて前記ダミー画素の対数特性の出力信号の読出動作を行うことを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の撮像装置。
- 前記温度特性補償手段は、読み出された前記ダミー画素の出力信号に基づいて前記通常画素の光電変換特性を算出する特性算出手段と、前記特性算出手段により算出された前記通常画素の光電変換特性に基づいて、前記通常画素の出力信号を基準光電変換特性に変換する特性変換手段とを備えたことを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の撮像装置。
- 前記温度特性補償手段は、読み出された前記ダミー画素の出力信号を前記通常画素の光電変換特性を表す係数に変換する係数変換テーブルと、前記係数変換テーブルから出力された係数に基づいて、前記通常画素の出力信号を基準光電変換特性に変換する光電変換特性変換テーブルとを備えたことを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の撮像装置。
- 前記撮像素子近傍の温度を検出する温度検出手段を備え、
前記温度特性補償手段は、読み出された前記ダミー画素の出力信号に基づいて前記通常画素の光電変換特性を算出する特性算出手段と、前記特性算出手段で算出された前記通常画素の光電変換特性と、前記温度検出手段で検出された前記ダミー画素の出力信号読み出し時の前記撮像素子近傍の温度とを記憶する係数記憶手段と、前記特性算出手段により算出された前記通常画素の光電変換特性あるいは前記係数記憶手段に記憶された前記通常画素の光電変換特性の何れかに基づいて、前記通常画素の出力信号を基準光電変換特性に変換する特性変換手段とを備えたことを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の撮像装置。 - 光電変換素子を含み、線形特性と対数特性の2つの光電変換特性が自動的に切り換えられる通常画素が複数個マトリクス状に配置された通常画素部を有する撮像素子と、
前記撮像素子の撮像動作を制御する撮像制御部と、
前記撮像素子の出力信号に信号処理を施す信号処理部とを備えた撮像装置において、
前記撮像素子は、定電圧源を含む線形ダミー画素と、定電流源を含む対数ダミー画素とを備え、
前記撮像制御部は、前記線形ダミー画素と前記対数ダミー画素の動作を制御し、
前記信号処理部は、前記線形ダミー画素の出力信号を用いて前記通常画素の光電変換特性の線形領域の温度特性を補償し、前記対数ダミー画素の出力信号を用いて前記通常画素の光電変換特性の対数領域の温度特性を補償する温度特性補償手段を備えたことを特徴とする撮像装置。 - 前記温度特性補償手段は、前記撮像制御部が前記線形ダミー画素の定電圧源を制御し、少なくとも2つの電圧値で動作させた時の前記線形ダミー画素の出力信号を用いて前記通常画素の光電変換特性の線形特性領域の温度特性補償を行い、
前記撮像制御部が前記ダミー画素の定電流源を制御し、前記通常画素の光電変換特性が対数特性を示す少なくとも2つの電流値で動作させた時の前記ダミー画素の出力信号を用いて前記通常画素の光電変換特性の対数特性領域の温度特性補償を行うことを特徴とする請求項9に記載の撮像装置。 - 前記線形ダミー画素および対数ダミー画素は、前記通常画素部の周辺部に、前記通常画素部の画素配列方向に並行してそれぞれ配置されることを特徴とする請求項9または10に記載の撮像装置。
- 前記撮像制御部は、前記通常画素部の出力信号の読出動作の前後または途中に前記線形ダミー画素および対数ダミー画素の出力信号を読出動作を行うことを特徴とする請求項9乃至11の何れか1項に記載の撮像装置。
- 前記撮像制御部は、少なくとも2回、前記定電圧源の電圧値を切り換えて前記線形ダミー画素の出力信号の読出動作を行い、また、少なくとも2回、前記定電流源の電流値を切り換えて前記対数ダミー画素の出力信号の読出動作を行うことを特徴とする請求項9乃至12の何れか1項に記載の撮像装置。
- 前記温度特性補償手段は、読み出された前記線形ダミー画素および対数ダミー画素の出力信号に基づいて前記通常画素の光電変換特性を算出する特性算出手段と、前記特性算出手段により算出された前記通常画素の光電変換特性に基づいて、前記通常画素の出力信号を基準光電変換特性に変換する特性変換手段とを備えたことを特徴とする請求項9乃至13の何れか1項に記載の撮像装置。
- 前記温度特性補償手段は、読み出された前記線形ダミー画素および対数ダミー画素の出力信号を前記通常画素の光電変換特性を表す係数に変換する係数変換テーブルと、前記係数変換テーブルから出力された係数に基づいて、前記通常画素の出力信号を基準光電変換特性に変換する光電変換特性変換テーブルとを備えたことを特徴とする請求項9乃至13の何れか1項に記載の撮像装置。
- 前記温度特性補償手段は、読み出された前記ダミー画素の出力信号に基づいて前記通常画素の光電変換特性を算出する特性算出手段と、前記特性算出手段で算出された前記通常画素の光電変換特性と、前記ダミー画素の出力信号読み出し時の前記撮像素子近傍の温度とを記憶する係数記憶手段と、前記特性算出手段により算出された前記通常画素の光電変換特性あるいは前記係数記憶手段に記憶された前記通常画素の光電変換特性の何れかに基づいて、前記通常画素の出力信号を基準光電変換特性に変換する特性変換手段とを備えたことを特徴とする請求項9乃至13の何れか1項に記載の撮像装置。
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