JP4770549B2 - 赤外線センサ - Google Patents
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また、この発明によれば、温度検知部は、脚部に沿って延長された配線を介してベース基板の前記一表面上の導体パターンと電気的に接続されてなり、配線は、チタン膜と当該チタン膜上の窒化チタン膜との積層膜からなり、脚部は、前記多孔質材料であるポーラスシリカにより形成されベース基板の前記一表面側に立設された円筒状の支持ポスト部と、支持ポスト部の上端部と支持部とを連結した梁部とで構成され、配線のうち支持ポスト部に形成されている部位は、支持ポスト部の内周面の全体と導体パターンの表面とに跨って形成されてなり、支持ポスト部が配線により補強されているので、脚部がシリコン酸化膜により構成される場合に比べて脚部を通した熱伝達をより抑制することができて高感度化を図れ、また、前記多孔質材料であるポーラスシリカにより形成された支持ポスト部が配線により補強される。
G=2×α×(S/L)=560×10−9〔W/K〕となる。
G=2×α×(S/L)=2.0×10−8〔W/K〕
となり、熱コンダクタンスGを脚部42がシリコン酸化膜により構成される比較例の熱コンダクタンスGの10分の1よりも小さな値とすることができ、脚部42,42を通した熱伝達をより抑制することができ、高感度化を図れる。
C1=cv×A×d=22.6×10−10〔J/K〕となる。
C1=cv×A×d=11.0×10−10〔J/K〕
となり、支持部41の熱容量C1を支持部41がシリコン酸化膜により構成される比較例の場合に比べて半分よりも小さな値とすることができ、時定数が小さくなって応答速度の高速化を図れる。
C2=cv×A×d=11.0×10−10〔J/K〕となる。
C3=cv×A×d=3.0×10−10〔J/K〕となる。
1a シリコン基板
1b 絶縁膜
3 温度検知部
4 断熱部
6 赤外線反射膜
7 間隙
8 配線
10 導体パターン
41 支持部
41b 応力緩和層(第1の応力緩和層)
41c 応力緩和層(第2の応力緩和層)
42 脚部
Claims (2)
- ベース基板と、赤外線を吸収するとともに該吸収による温度変化を検知する温度検知部と、温度検知部がベース基板の一表面から離間して配置されるように温度検知部を支持して温度検知部とベース基板とを熱絶縁する断熱部と、ベース基板の前記一表面上に設けられ温度検知部および断熱部を透過した赤外線を温度検知部側へ反射する赤外線反射膜とを備え、ベース基板は、シリコン基板と当該シリコン基板の一表面側に形成された絶縁膜とで構成され、断熱部は、ベース基板の前記一表面から離間して配置されベース基板側とは反対側に温度検知部が形成される支持部と、多孔質材料により形成されてなり支持部とベース基板とを連結した脚部とを有し、支持部に当該支持部の応力を緩和する少なくとも1層の応力緩和層が積層されてなり、温度検知部は、脚部に沿って延長された配線を介してベース基板の前記一表面上の導体パターンと電気的に接続されてなり、配線は、チタン膜と当該チタン膜上の窒化チタン膜との積層膜からなり、脚部は、前記多孔質材料であるポーラスシリカにより形成されベース基板の前記一表面側に立設された円筒状の支持ポスト部と、支持ポスト部の上端部と支持部とを連結した梁部とで構成され、配線のうち支持ポスト部に形成されている部位は、支持ポスト部の内周面の全体と導体パターンの表面とに跨って形成されてなり、支持ポスト部が配線により補強されていることを特徴とする赤外線センサ。
- 前記支持部は、多孔質材料により形成されてなることを特徴とする請求項1記載の赤外線センサ。
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