JP4764137B2 - 反射防止膜 - Google Patents
反射防止膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4764137B2 JP4764137B2 JP2005318762A JP2005318762A JP4764137B2 JP 4764137 B2 JP4764137 B2 JP 4764137B2 JP 2005318762 A JP2005318762 A JP 2005318762A JP 2005318762 A JP2005318762 A JP 2005318762A JP 4764137 B2 JP4764137 B2 JP 4764137B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- refractive index
- film thickness
- high refractive
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明は、反射防止膜に関し、特にカメラレンズ等の表面に設けられる反射防止膜の特性を改善するための膜構成に関するものであって、スパッタ法を用いて形成する反射防止膜に関するものである。
従来用いられている反射防止膜は、反射防止の波長域の中心波長をλとしたとき、光学膜厚が基板側からλ／４−λ／２−λ／４の３層整数基本構成を等価膜で置き換えた非整数６層、又は非整数７層膜が主流であった。
例えば、特許文献１のように、基板上に１層〜７層を積層してなる反射防止膜が提案されている。
近年においては、以上のような膜構成の反射防止膜に対して、さらに低反射率の高性能反射防止膜が求められており、例えば、特許文献２のように、基板上に１層〜９層を積層した９層の膜構成による反射防止膜が提案されている。
しかしながら、このような９層の膜構成のものにおいては、特許文献１の膜構成のものに比較して、総光学膜厚が約２倍となり成膜コスト上不利になる。
また、層数が増えるため品質のバラツキが多くなるという点にも問題を有している。
例えば、特許文献１のように、基板上に１層〜７層を積層してなる反射防止膜が提案されている。
近年においては、以上のような膜構成の反射防止膜に対して、さらに低反射率の高性能反射防止膜が求められており、例えば、特許文献２のように、基板上に１層〜９層を積層した９層の膜構成による反射防止膜が提案されている。
しかしながら、このような９層の膜構成のものにおいては、特許文献１の膜構成のものに比較して、総光学膜厚が約２倍となり成膜コスト上不利になる。
また、層数が増えるため品質のバラツキが多くなるという点にも問題を有している。
一方、以上の特許文献１、特許文献２のような反射防止膜の形成方法としては、従来においては、真空蒸着法（イオンプレーティング、イオンビームアシスト法を含む）によるのが一般的であった。
このような真空蒸着法は、大型装置により多量のレンズを同時加工（例えば、傘（レンズ）径Φ６００〜９００）して成膜コストを下げるには有効な方法である。
しかしながら、低コストの小型装置により小型で小量のレンズを加工（例えば、ホルダー径〜Φ１００）するには難点があった。
このような真空蒸着法は、大型装置により多量のレンズを同時加工（例えば、傘（レンズ）径Φ６００〜９００）して成膜コストを下げるには有効な方法である。
しかしながら、低コストの小型装置により小型で小量のレンズを加工（例えば、ホルダー径〜Φ１００）するには難点があった。
このようなことから、例えば、特許文献３のように少量加工に適しているスパッタ法による反射防止膜が提案されている。
これにより、メカ機構が簡単で、小型の装置によって、少量加工に適した加工が可能とされる。
また、例えば、特許文献４では、スパッタ法により形成された１４〜１７層の多層膜構成による低反射率の反射防止膜が提案されている。
これにより、ＴｉＯ２とＳｉＯ２の交互層をベースにした１４〜１７層の多層膜により、波長４００〜７００ｎｍで反射率が０．１以下の反射防止膜が構成可能とされる。
特開平１０−２０１０２号公報
特開２００２−２６７８０１号公報
特許第２５６６６３４号公報
特開２００２−１４２０３号公報
これにより、メカ機構が簡単で、小型の装置によって、少量加工に適した加工が可能とされる。
また、例えば、特許文献４では、スパッタ法により形成された１４〜１７層の多層膜構成による低反射率の反射防止膜が提案されている。
これにより、ＴｉＯ２とＳｉＯ２の交互層をベースにした１４〜１７層の多層膜により、波長４００〜７００ｎｍで反射率が０．１以下の反射防止膜が構成可能とされる。
上記したように、特許文献１、特許文献２の反射防止膜の形成方法に用いられる真空蒸着法は、小型装置により小型で小量のレンズを加工する際には難点があり、このような場合には特許文献３、特許文献４のようにスパッタ法によることとなる。
しかしながら、特許文献３のものでは、前述したようにメカ機構が簡単で、小型の装置によって少量加工とすることが可能となるが、近年において望まれている低反射率の反射防止特性の点で、必ずしも満足の得られるものではなかった。
また、特許文献４のものでは、前述したように反射率が０．１以下の反射防止膜が得られるが、成膜速度が遅く、成膜コスト上、必ずしも満足の得られるものではなかった。
しかしながら、特許文献３のものでは、前述したようにメカ機構が簡単で、小型の装置によって少量加工とすることが可能となるが、近年において望まれている低反射率の反射防止特性の点で、必ずしも満足の得られるものではなかった。
また、特許文献４のものでは、前述したように反射率が０．１以下の反射防止膜が得られるが、成膜速度が遅く、成膜コスト上、必ずしも満足の得られるものではなかった。
本発明は、上記課題に鑑み、スパッタ法によっても、低反射率の反射防止特性を有し、蒸着法に近い成膜時間で加工することが可能となる反射防止膜を提供することを目的とするものである。
本発明は上記課題を解決するため、つぎのように構成した反射防止膜を提供する。
本発明においては、反射防止膜の基準波長をλ０としたとき、基板側から高屈折率膜で始まり、高屈折率膜と低屈折率膜を交互に１０層を積層した反射防止膜をつぎのように構成したことを特徴としている。
すなわち、前記高屈折率膜のλ０における光学膜厚の合計膜厚と、全層のλ０における光学膜厚の総合計膜厚が、つぎの式（１）を満たし、
かつ、λ０＝５８８ｎｍとし、高屈折率膜の屈折率をｎＨ、低屈折率膜の屈折率をｎＬとしたとき、それぞれの屈折率がつぎの式（２）を満たし、
かつ、前記各層の光学膜厚が、つぎの式（３）を満たし、可視域４５０ｎｍ〜６５０ｎｍで垂直入射時の反射率が０．２％以下であることを特徴としている。
高屈折率膜における光学膜厚の合計膜厚（ｄ１＋ｄ３＋ｄ５＋ｄ７＋ｄ９）≦全層における光学膜厚の総合計膜厚（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３＋ｄ４＋ｄ５＋ｄ６＋ｄ７＋ｄ８＋ｄ９＋ｄ１０）×０．５５ ……（１）
但し、式（１）において、
ｄ１、ｄ３、ｄ５、ｄ７、ｄ９：前記高屈折率膜のλ０における基板側からの各層の光学膜厚
ｄ２、ｄ４、ｄ６、ｄ８、ｄ１０：前記低屈折率膜のλ０における基板側からの各層の光学膜厚
ｎＨ≧２．３、ｎＬ≦１．５……（２）
０．１５≧ｎＨ×ｄ１／λ０≧０．０２
０．１７≧ｎＬ×ｄ２／λ０≧０．０４
０．４３≧ｎＨ×ｄ３／λ０≧０．０２
０．３６≧ｎＬ×ｄ４／λ０≧０．０５
０．２１≧ｎＨ×ｄ５／λ０≧０．０５
０．３９≧ｎＬ×ｄ６／λ０≧０．０９
０．２１≧ｎＨ×ｄ７／λ０≧０．０１
０．２５≧ｎＬ×ｄ８／λ０≧０．０２
０．５０≧ｎＨ×ｄ９／λ０≧０．１４
０．２３≧ｎＬ×ｄ１０／λ０≧０．１９
……（３）
また、本発明においては、前記高屈折率膜が、ＴｉＯ２を主成分とする膜であり、低屈折率膜がＳｉＯ２を主成分とする膜であることを特徴としている。
本発明においては、反射防止膜の基準波長をλ０としたとき、基板側から高屈折率膜で始まり、高屈折率膜と低屈折率膜を交互に１０層を積層した反射防止膜をつぎのように構成したことを特徴としている。
すなわち、前記高屈折率膜のλ０における光学膜厚の合計膜厚と、全層のλ０における光学膜厚の総合計膜厚が、つぎの式（４）を満たし、
かつ、λ０＝５８８ｎｍとし、高屈折率膜の屈折率をｎＨ、低屈折率膜の屈折率をｎＬとしたとき、それぞれの屈折率がつぎの式（５）を満たし、
かつ、前記各層の光学膜厚が、つぎの式（６）を満たし、可視域４５０ｎｍ〜６５０ｎｍで垂直入射時の反射率が０．２％以下であることを特徴としている。
高屈折率膜における光学膜厚の合計膜厚（ｄ１＋ｄ３＋ｄ５＋ｄ７＋ｄ９）≦全層における光学膜厚の総合計膜厚（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３＋ｄ４＋ｄ５＋ｄ６＋ｄ７＋ｄ８＋ｄ９＋ｄ１０）×０．４ ……（４）
但し、式（４）において、
ｄ１、ｄ３、ｄ５、ｄ７、ｄ９：前記高屈折率膜のλ０における基板側からの各層の光学膜厚
ｄ２、ｄ４、ｄ６、ｄ８、ｄ１０：前記低屈折率膜のλ０における基板側からの各層の光学膜厚
ｎＨ≧２．２、ｎＬ≦１．５……（５）
０．１０≧ｎＨ×ｄ１／λ０≧０．０１
０．２１≧ｎＬ×ｄ２／λ０≧０．０５
０．１１≧ｎＨ×ｄ３／λ０≧０．０１
０．５９≧ｎＬ×ｄ４／λ０≧０．２９
０．０９≧ｎＨ×ｄ５／λ０≧０．０１
０．１３≧ｎＬ×ｄ６／λ０≧０．０１
０．２２≧ｎＨ×ｄ７／λ０≧０．０８
０．０５≧ｎＬ×ｄ８／λ０≧０．０１
０．２７≧ｎＨ×ｄ９／λ０≧０．１１
０．２４≧ｎＬ×ｄ１０／λ０≧０．１９
…………（６）
また、本発明においては、前記高屈折率膜が、ＴｉＯ２を主成分とする膜、またはＮｂ２Ｏ５を主成分とする膜であり、前記低屈折率膜が、ＳｉＯ２を主成分とする膜であることを特徴としている。
また、本発明においては、前記全層が、スパッタで形成されることを特徴としている。
本発明においては、反射防止膜の基準波長をλ０としたとき、基板側から高屈折率膜で始まり、高屈折率膜と低屈折率膜を交互に１０層を積層した反射防止膜をつぎのように構成したことを特徴としている。
すなわち、前記高屈折率膜のλ０における光学膜厚の合計膜厚と、全層のλ０における光学膜厚の総合計膜厚が、つぎの式（１）を満たし、
かつ、λ０＝５８８ｎｍとし、高屈折率膜の屈折率をｎＨ、低屈折率膜の屈折率をｎＬとしたとき、それぞれの屈折率がつぎの式（２）を満たし、
かつ、前記各層の光学膜厚が、つぎの式（３）を満たし、可視域４５０ｎｍ〜６５０ｎｍで垂直入射時の反射率が０．２％以下であることを特徴としている。
高屈折率膜における光学膜厚の合計膜厚（ｄ１＋ｄ３＋ｄ５＋ｄ７＋ｄ９）≦全層における光学膜厚の総合計膜厚（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３＋ｄ４＋ｄ５＋ｄ６＋ｄ７＋ｄ８＋ｄ９＋ｄ１０）×０．５５ ……（１）
但し、式（１）において、
ｄ１、ｄ３、ｄ５、ｄ７、ｄ９：前記高屈折率膜のλ０における基板側からの各層の光学膜厚
ｄ２、ｄ４、ｄ６、ｄ８、ｄ１０：前記低屈折率膜のλ０における基板側からの各層の光学膜厚
ｎＨ≧２．３、ｎＬ≦１．５……（２）
０．１５≧ｎＨ×ｄ１／λ０≧０．０２
０．１７≧ｎＬ×ｄ２／λ０≧０．０４
０．４３≧ｎＨ×ｄ３／λ０≧０．０２
０．３６≧ｎＬ×ｄ４／λ０≧０．０５
０．２１≧ｎＨ×ｄ５／λ０≧０．０５
０．３９≧ｎＬ×ｄ６／λ０≧０．０９
０．２１≧ｎＨ×ｄ７／λ０≧０．０１
０．２５≧ｎＬ×ｄ８／λ０≧０．０２
０．５０≧ｎＨ×ｄ９／λ０≧０．１４
０．２３≧ｎＬ×ｄ１０／λ０≧０．１９
……（３）
また、本発明においては、前記高屈折率膜が、ＴｉＯ２を主成分とする膜であり、低屈折率膜がＳｉＯ２を主成分とする膜であることを特徴としている。
本発明においては、反射防止膜の基準波長をλ０としたとき、基板側から高屈折率膜で始まり、高屈折率膜と低屈折率膜を交互に１０層を積層した反射防止膜をつぎのように構成したことを特徴としている。
すなわち、前記高屈折率膜のλ０における光学膜厚の合計膜厚と、全層のλ０における光学膜厚の総合計膜厚が、つぎの式（４）を満たし、
かつ、λ０＝５８８ｎｍとし、高屈折率膜の屈折率をｎＨ、低屈折率膜の屈折率をｎＬとしたとき、それぞれの屈折率がつぎの式（５）を満たし、
かつ、前記各層の光学膜厚が、つぎの式（６）を満たし、可視域４５０ｎｍ〜６５０ｎｍで垂直入射時の反射率が０．２％以下であることを特徴としている。
高屈折率膜における光学膜厚の合計膜厚（ｄ１＋ｄ３＋ｄ５＋ｄ７＋ｄ９）≦全層における光学膜厚の総合計膜厚（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３＋ｄ４＋ｄ５＋ｄ６＋ｄ７＋ｄ８＋ｄ９＋ｄ１０）×０．４ ……（４）
但し、式（４）において、
ｄ１、ｄ３、ｄ５、ｄ７、ｄ９：前記高屈折率膜のλ０における基板側からの各層の光学膜厚
ｄ２、ｄ４、ｄ６、ｄ８、ｄ１０：前記低屈折率膜のλ０における基板側からの各層の光学膜厚
ｎＨ≧２．２、ｎＬ≦１．５……（５）
０．１０≧ｎＨ×ｄ１／λ０≧０．０１
０．２１≧ｎＬ×ｄ２／λ０≧０．０５
０．１１≧ｎＨ×ｄ３／λ０≧０．０１
０．５９≧ｎＬ×ｄ４／λ０≧０．２９
０．０９≧ｎＨ×ｄ５／λ０≧０．０１
０．１３≧ｎＬ×ｄ６／λ０≧０．０１
０．２２≧ｎＨ×ｄ７／λ０≧０．０８
０．０５≧ｎＬ×ｄ８／λ０≧０．０１
０．２７≧ｎＨ×ｄ９／λ０≧０．１１
０．２４≧ｎＬ×ｄ１０／λ０≧０．１９
…………（６）
また、本発明においては、前記高屈折率膜が、ＴｉＯ２を主成分とする膜、またはＮｂ２Ｏ５を主成分とする膜であり、前記低屈折率膜が、ＳｉＯ２を主成分とする膜であることを特徴としている。
また、本発明においては、前記全層が、スパッタで形成されることを特徴としている。
本発明によれば、スパッタによっても、低反射率の反射防止特性を有し、蒸着法に近い成膜時間で加工することが可能となる反射防止膜を実現することができる。
以上の構成によれば、スパッタ法によっても、低反射率の反射防止特性を有し、蒸着法に近い成膜時間で加工することが可能となるが、それは本発明者のつぎのような知見に基づくものである。
すなわち、本発明者は、鋭意研究した結果、高屈折率膜と低屈折率膜の１０層交互層において、高屈折率膜のλ０における光学膜厚の合計膜厚を、全層のλ０における総光学膜厚の合計膜厚の所定以下とすることにより、成膜時間の短縮化が図り得ることを見出した。
このことは、例えば、後述する実施例１の硝子基板がＬａＳＦ０３のもにおいて、前述した式（１）、式（２）及び式（３）の関係を満たすことにより、特許文献１（比較例１）の蒸着法と略同等の成膜時間の比較例３の２倍弱まで、成膜時間が短縮可能となることからも明白である。
具体的には、表１に示されているように、硝子基板がＬａＳＦ０３での高屈折率膜ＴｉＯ２のλ０における光学膜厚の合計膜厚は４８７であるのに対して、低屈折率膜ＳｉＯ２のλ０における光学膜厚の合計膜厚は４２８である。
したがって、高屈折率膜のλ０における光学膜厚の合計膜厚は、全層のλ０における総光学膜厚の合計膜厚の５０％以下の範囲にあり、前述した式（１）式（２）及び式（３）の関係を満たしている。
上記実施例１のものでは、このような膜厚関係のもとで、成膜時間の合計が１２５６秒（２０分５６秒）であり、比較例１の成膜時間１０分３０秒の２倍弱まで、成膜時間の短縮化が図られている。
すなわち、本発明者は、鋭意研究した結果、高屈折率膜と低屈折率膜の１０層交互層において、高屈折率膜のλ０における光学膜厚の合計膜厚を、全層のλ０における総光学膜厚の合計膜厚の所定以下とすることにより、成膜時間の短縮化が図り得ることを見出した。
このことは、例えば、後述する実施例１の硝子基板がＬａＳＦ０３のもにおいて、前述した式（１）、式（２）及び式（３）の関係を満たすことにより、特許文献１（比較例１）の蒸着法と略同等の成膜時間の比較例３の２倍弱まで、成膜時間が短縮可能となることからも明白である。
具体的には、表１に示されているように、硝子基板がＬａＳＦ０３での高屈折率膜ＴｉＯ２のλ０における光学膜厚の合計膜厚は４８７であるのに対して、低屈折率膜ＳｉＯ２のλ０における光学膜厚の合計膜厚は４２８である。
したがって、高屈折率膜のλ０における光学膜厚の合計膜厚は、全層のλ０における総光学膜厚の合計膜厚の５０％以下の範囲にあり、前述した式（１）式（２）及び式（３）の関係を満たしている。
上記実施例１のものでは、このような膜厚関係のもとで、成膜時間の合計が１２５６秒（２０分５６秒）であり、比較例１の成膜時間１０分３０秒の２倍弱まで、成膜時間の短縮化が図られている。
また、後述する実施例３の硝子基板がＬａＳＦ０３のもにおいて、前述した式（４）、式（５）及び式（６）の関係を満たすことにより、比較例３と略同じ成膜時間で、成膜が可能となることからも明白である。
具体的には、表３に示されているように、硝子基板がＬａＳＦ０３での高屈折率膜Ｎｂ２Ｏ５のλ０における光学膜厚の合計膜厚は２９２であるのに対して、低屈折率膜ＳｉＯ２のλ０における光学膜厚の合計膜厚は４９３である。
したがって、高屈折率膜のλ０における光学膜厚の合計膜厚は、全層のλ０における総光学膜厚の合計膜厚の４０％以下の範囲にあり、前述した式（４）、式（５）及び式（６）の関係を満たしている。
上記実施例３のものでは、このような膜厚関係のもとで、成膜時間の合計が７４９秒（１２分２９秒）であり、比較例１の成膜時間１０分３０秒と略同じ成膜時間まで、成膜時間の短縮化が図られている。
なお、上記した成膜はスパッタ法を用いて反射防止膜を形成する場合、特に有功であるが、必ずしもスパッタ法にかぎられるものではなく、真空蒸着法を用いることも勿論可能である。真空蒸着法による場合には、最終層をＭｇＦ２膜に置きかえることも、また可能である。
すなわち、低屈折率膜の材料として使用されるＭｇＦ２膜は、結合エネルギーが低く、スパッタ法では剥離してしまい、最終層をＭｇＦ２膜で形成することは困難であったが、真空蒸着法ではそれが可能となる。
具体的には、表３に示されているように、硝子基板がＬａＳＦ０３での高屈折率膜Ｎｂ２Ｏ５のλ０における光学膜厚の合計膜厚は２９２であるのに対して、低屈折率膜ＳｉＯ２のλ０における光学膜厚の合計膜厚は４９３である。
したがって、高屈折率膜のλ０における光学膜厚の合計膜厚は、全層のλ０における総光学膜厚の合計膜厚の４０％以下の範囲にあり、前述した式（４）、式（５）及び式（６）の関係を満たしている。
上記実施例３のものでは、このような膜厚関係のもとで、成膜時間の合計が７４９秒（１２分２９秒）であり、比較例１の成膜時間１０分３０秒と略同じ成膜時間まで、成膜時間の短縮化が図られている。
なお、上記した成膜はスパッタ法を用いて反射防止膜を形成する場合、特に有功であるが、必ずしもスパッタ法にかぎられるものではなく、真空蒸着法を用いることも勿論可能である。真空蒸着法による場合には、最終層をＭｇＦ２膜に置きかえることも、また可能である。
すなわち、低屈折率膜の材料として使用されるＭｇＦ２膜は、結合エネルギーが低く、スパッタ法では剥離してしまい、最終層をＭｇＦ２膜で形成することは困難であったが、真空蒸着法ではそれが可能となる。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。
まず、本発明の実施例を説明する前に、比較例について説明する。
まず、本発明の実施例を説明する前に、比較例について説明する。
（比較例１）
比較例１においては、前述した特許文献１の実施例２を参考として、真空蒸着法により硝子基板（ＳＫ１６）上に７層膜を形成した。
図１に、比較例１における７層膜の特性図を示す。図１において、縦軸は反射率％、横軸は波長を示す。垂直入射０Ｒ、４５度入射４５Ｒとも実用上は問題がない。
しかしながら、小量のレンズを加工（例えばホルダー径〜Φ１００）するための装置コストの低い小型装置を製作しようとした場合、つぎのような点に難点が見受けらける。
すなわち、電子銃蒸発源の大きさ、膜厚分布改善のための蒸発源と傘（レンズ）の間の距離、極薄膜に対する膜厚制御精度のバラツキ、等において難点が見受けらける。
比較例１においては、前述した特許文献１の実施例２を参考として、真空蒸着法により硝子基板（ＳＫ１６）上に７層膜を形成した。
図１に、比較例１における７層膜の特性図を示す。図１において、縦軸は反射率％、横軸は波長を示す。垂直入射０Ｒ、４５度入射４５Ｒとも実用上は問題がない。
しかしながら、小量のレンズを加工（例えばホルダー径〜Φ１００）するための装置コストの低い小型装置を製作しようとした場合、つぎのような点に難点が見受けらける。
すなわち、電子銃蒸発源の大きさ、膜厚分布改善のための蒸発源と傘（レンズ）の間の距離、極薄膜に対する膜厚制御精度のバラツキ、等において難点が見受けらける。
（比較例２）
比較例２においては、前述した特許文献２の実施例１を参考として、真空蒸着法により硝子基板（ＢＫ７）上に９層膜を形成した。
図２に、比較例２における７層膜の膜特性を示す。
図２に示すように、垂直入射０Ｒの特性は改善されており、４５度入射４５Ｒとも実用上は問題がない。
しかしながら、比較例２の９層膜においては、総光学膜厚が比較例１の場合に比較して約２倍となる。
そのため、成膜コスト上不利となり、また層数が増えるため品質のバラツキが多くなる。
また、小量のレンズを加工（例えばホルダー径〜Φ１００）するための装置コストの低い小型装置を製作しようとした場合の難点については、比較例１と同様である。
比較例２においては、前述した特許文献２の実施例１を参考として、真空蒸着法により硝子基板（ＢＫ７）上に９層膜を形成した。
図２に、比較例２における７層膜の膜特性を示す。
図２に示すように、垂直入射０Ｒの特性は改善されており、４５度入射４５Ｒとも実用上は問題がない。
しかしながら、比較例２の９層膜においては、総光学膜厚が比較例１の場合に比較して約２倍となる。
そのため、成膜コスト上不利となり、また層数が増えるため品質のバラツキが多くなる。
また、小量のレンズを加工（例えばホルダー径〜Φ１００）するための装置コストの低い小型装置を製作しようとした場合の難点については、比較例１と同様である。
（比較例３）
比較例３においては、前述した特許文献３を参考として、スパッタ法（ＤＣ反応性）により硝子基板（ＢＫ７）上にＴｉＯ2とＳｉＯ2の交互層による６層膜を形成した。
図３に、比較例３におけるＴｉＯ2とＳｉＯ2の交互層による６層膜の特性図を示す。
比較例３での波長５８８ｎｍにおけるＴｉＯ2膜の屈折率は２．４、ＳｉＯ2膜の屈折率は１．４６である。
図３から明らかなように、膜を形成する材料は異なっているものの、膜構成そのものは図１と同様であり、低反射率の反射防止特性の点で改善が望まれる。
特に、垂直入射０Ｒの特性においては、図２に近い特性が得られるように改善が望まれる。
比較例３においては、前述した特許文献３を参考として、スパッタ法（ＤＣ反応性）により硝子基板（ＢＫ７）上にＴｉＯ2とＳｉＯ2の交互層による６層膜を形成した。
図３に、比較例３におけるＴｉＯ2とＳｉＯ2の交互層による６層膜の特性図を示す。
比較例３での波長５８８ｎｍにおけるＴｉＯ2膜の屈折率は２．４、ＳｉＯ2膜の屈折率は１．４６である。
図３から明らかなように、膜を形成する材料は異なっているものの、膜構成そのものは図１と同様であり、低反射率の反射防止特性の点で改善が望まれる。
特に、垂直入射０Ｒの特性においては、図２に近い特性が得られるように改善が望まれる。
この比較例３の検討をはじめ、以下の比較例４、実施例１〜３の検討に用いたスパッタ装置の模式図を図８に示す。
図８において、８５は真空槽であり、カソード８２（１基のカソードの表と裏にターゲットを有する両面カソード）は基板ホルダー８４の回転中心軸からオフセット（カソード回転軸８３までの距離ΔＸ）して配置される。
カソード回転軸８３により、基板ホルダーへの向き（ターゲット面の法線と被成膜基板の法線とのなす角Θ）を制御する。カソード回転時は、基板ホルダーとの接触を避けるため基板ホルダーは上下動する。
ターゲットは片側Ｓｉで反対側はＴｉであり、その水冷、電力の供給は回転軸８３を通して行う。
基板はΦ１００の基板ホルダー８４に収容され公転（公転半径Ｒが０の場合は自転）する。
Ｔｉ、及びＳｉをＤＣ反応性スパッタで成膜（ΔＸ＝５０、カソードが水平な時のターゲット面と基板ホルダー面の距離ＳＴ＝６０、Ｒ＝０）した時、成膜速度はつぎのとおりであった。
すなわち、ＴｉＯ2膜の成膜速度（波長５８８ｎｍにおける光学膜厚）は０．５２ｎｍ／ｓｅｃであり、ＳｉＯ2膜の成膜速度（波長５８８ｎｍにおける光学膜厚）は１．３７ｎｍ／ｓｅｃであった。
６層膜の成膜時間は、ＴｉＯ2膜が約４９５秒、ＳｉＯ2膜が約１３５秒で合計１０分３０秒であった。これは、比較例１の真空蒸着法と略同等の成膜時間である。
また、このようなスパッタ装置によれば、メカ機構が簡単で、真空槽８５の容積を小さくすることができる（真空蒸着法の約１／５以下）。
そのため、排気タクト、装置コストが有利となる。
図８において、８５は真空槽であり、カソード８２（１基のカソードの表と裏にターゲットを有する両面カソード）は基板ホルダー８４の回転中心軸からオフセット（カソード回転軸８３までの距離ΔＸ）して配置される。
カソード回転軸８３により、基板ホルダーへの向き（ターゲット面の法線と被成膜基板の法線とのなす角Θ）を制御する。カソード回転時は、基板ホルダーとの接触を避けるため基板ホルダーは上下動する。
ターゲットは片側Ｓｉで反対側はＴｉであり、その水冷、電力の供給は回転軸８３を通して行う。
基板はΦ１００の基板ホルダー８４に収容され公転（公転半径Ｒが０の場合は自転）する。
Ｔｉ、及びＳｉをＤＣ反応性スパッタで成膜（ΔＸ＝５０、カソードが水平な時のターゲット面と基板ホルダー面の距離ＳＴ＝６０、Ｒ＝０）した時、成膜速度はつぎのとおりであった。
すなわち、ＴｉＯ2膜の成膜速度（波長５８８ｎｍにおける光学膜厚）は０．５２ｎｍ／ｓｅｃであり、ＳｉＯ2膜の成膜速度（波長５８８ｎｍにおける光学膜厚）は１．３７ｎｍ／ｓｅｃであった。
６層膜の成膜時間は、ＴｉＯ2膜が約４９５秒、ＳｉＯ2膜が約１３５秒で合計１０分３０秒であった。これは、比較例１の真空蒸着法と略同等の成膜時間である。
また、このようなスパッタ装置によれば、メカ機構が簡単で、真空槽８５の容積を小さくすることができる（真空蒸着法の約１／５以下）。
そのため、排気タクト、装置コストが有利となる。
（比較例４）
比較例４においては、前述した特許文献４の実施例１を参考として、つぎのように１６層膜を形成した。
すなわち、スパッタ法（ＤＣ反応性）により、硝子基板（ＢＫ７）上にＴｉＯ2（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は２．４）とＳｉＯ2（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は１．４６）の交互層により１６層膜を形成した。
図４に、比較例４における１６層膜の特性図を示す。
図４において、０Ｒは垂直入射、４５Ｒは４５度入射の場合を示す。比較例４によれば、比較例３よりも０Ｒの垂直入射の反射率特性は改善されるが、４５Ｒの４５度の反射率特性において４５０〜５５０ｎｍの反射が高くなる。
しかしながら、６００〜６５０ｎｍ域の反射率は改善されており、見た目の色味としては良い。
１６層膜の成膜時間は、比較例３と同様、ＴｉＯ2膜が約１７２０秒、ＳｉＯ2膜が約３６７秒で合計３４分４７秒であった。
これは、比較例１の真空蒸着法の略３倍であり改善が望まれる。
また、スパッタ法の膜厚制御精度が蒸着に比較して安定しているとしても、層数が増えるため品質のバラツキが多くなるという欠点を有している。
比較例４においては、前述した特許文献４の実施例１を参考として、つぎのように１６層膜を形成した。
すなわち、スパッタ法（ＤＣ反応性）により、硝子基板（ＢＫ７）上にＴｉＯ2（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は２．４）とＳｉＯ2（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は１．４６）の交互層により１６層膜を形成した。
図４に、比較例４における１６層膜の特性図を示す。
図４において、０Ｒは垂直入射、４５Ｒは４５度入射の場合を示す。比較例４によれば、比較例３よりも０Ｒの垂直入射の反射率特性は改善されるが、４５Ｒの４５度の反射率特性において４５０〜５５０ｎｍの反射が高くなる。
しかしながら、６００〜６５０ｎｍ域の反射率は改善されており、見た目の色味としては良い。
１６層膜の成膜時間は、比較例３と同様、ＴｉＯ2膜が約１７２０秒、ＳｉＯ2膜が約３６７秒で合計３４分４７秒であった。
これは、比較例１の真空蒸着法の略３倍であり改善が望まれる。
また、スパッタ法の膜厚制御精度が蒸着に比較して安定しているとしても、層数が増えるため品質のバラツキが多くなるという欠点を有している。
［実施例１］
実施例１においては、スパッタ法（ＤＣ反応性）により、ＴｉＯ2（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は２．４）とＳｉＯ2（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は１．４６）の交互層により、１０層膜を形成した。
図５（ａ）、図５（ｂ）に、実施例１における１０層膜の特性図を示す。
図５（ａ）において、０Ｒ１は硝子基板がＢＫ７のときの垂直入射、０Ｒ２は硝子基板がＳＫ１６のときの垂直入射、０Ｒ３は硝子基板がＢａＳＦ０８のときの垂直入射の場合を示す。
また、０Ｒ４は硝子基板がＬａＳＦ０３のときの垂直入射、図５（ｂ）の４５Ｒ１〜４５Ｒ４は同様に４５度入射の場合を示す。
実施例１においては、スパッタ法（ＤＣ反応性）により、ＴｉＯ2（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は２．４）とＳｉＯ2（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は１．４６）の交互層により、１０層膜を形成した。
図５（ａ）、図５（ｂ）に、実施例１における１０層膜の特性図を示す。
図５（ａ）において、０Ｒ１は硝子基板がＢＫ７のときの垂直入射、０Ｒ２は硝子基板がＳＫ１６のときの垂直入射、０Ｒ３は硝子基板がＢａＳＦ０８のときの垂直入射の場合を示す。
また、０Ｒ４は硝子基板がＬａＳＦ０３のときの垂直入射、図５（ｂ）の４５Ｒ１〜４５Ｒ４は同様に４５度入射の場合を示す。
本実施例によれば、比較例３の０Ｒの垂直入射の反射率特性は改善されるが、４５Ｒの４５度の反射率特性において４５０〜５５０ｎｍの反射が高くなる。
しかしながら、６００〜６５０ｎｍ域の反射率は改善されており、見た目の色味としては良い。
本実施例での１０層膜の成膜時間は、比較例３同様、各種硝子についてＴｉＯ2膜が約８３０〜９４０秒、ＳｉＯ2膜が約３１０〜３５０秒で合計２０〜２１分であった。
これは、比較例１の真空蒸着法の略２倍の成膜時間であるが、比較例４のスパッタ法の略２／３倍の成膜時間であり、成膜時間の短縮に有効であった。
表１に各種硝子の膜構成を示す。
表１においてＴｉＯ2、ＳｉＯ2の光学膜厚の合計は波長５８８ｎｍにおける値であり、各成膜速度は比較例３と同様である。
しかしながら、６００〜６５０ｎｍ域の反射率は改善されており、見た目の色味としては良い。
本実施例での１０層膜の成膜時間は、比較例３同様、各種硝子についてＴｉＯ2膜が約８３０〜９４０秒、ＳｉＯ2膜が約３１０〜３５０秒で合計２０〜２１分であった。
これは、比較例１の真空蒸着法の略２倍の成膜時間であるが、比較例４のスパッタ法の略２／３倍の成膜時間であり、成膜時間の短縮に有効であった。
表１に各種硝子の膜構成を示す。
表１においてＴｉＯ2、ＳｉＯ2の光学膜厚の合計は波長５８８ｎｍにおける値であり、各成膜速度は比較例３と同様である。
［実施例２］
実施例２においては、スパッタ法（ＤＣ反応性）により、ＴｉＯ2（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は２．４）とＳｉＯ2（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は１．４６）の交互層により、１０層膜を形成した。
図６（ａ）、図６（ｂ）に、実施例２における１０層膜の特性図を示す。
スパッタ法（ＤＣ反応性）により、ＴｉＯ2とＳｉＯ2の交互層で形成した１０層膜の特性例を図６（ａ）、６（ｂ）に示す。
図６（ａ）において０Ｒ１は硝子基板がＢＫ７のときの垂直入射、０Ｒ２は硝子基板がＳＫ１６のときの垂直入射、０Ｒ３は硝子基板がＢａＳＦ０８のときの垂直入射の場合を示す。
また、０Ｒ４は硝子基板がＬａＳＦ０３のときの垂直入射、図６（ｂ）の４５Ｒ１〜４５Ｒ４は同様に４５度入射の場合を示す。
本実施例によれば、比較例３よりも０Ｒの垂直入射の反射率特性は改善されるが、４５Ｒの４５度の反射率特性において４７０〜５７０ｎｍの反射が高くなる。しかしながら、６００〜６５０ｎｍ域の反射率は改善されており、見た目の色味としては良い。
本実施例での１０層膜の成膜時間は、実施例１同様、各種硝子についてＴｉＯ2膜が約５００〜５１０秒、ＳｉＯ2膜が約３３０〜３７０秒で合計１４分〜１４分３０秒であった。
これは、比較例１の真空蒸着法の略１．５倍以下の成膜時間であるが、比較例４のスパッタ法の略１／２倍以下の成膜時間であり、成膜時間の短縮に有効であった。
表２に各種硝子の膜構成を示す。
表２において、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2の光学膜厚の合計は波長５８８ｎｍにおける値であり、各成膜速度は比較例３と同様である。
実施例２においては、スパッタ法（ＤＣ反応性）により、ＴｉＯ2（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は２．４）とＳｉＯ2（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は１．４６）の交互層により、１０層膜を形成した。
図６（ａ）、図６（ｂ）に、実施例２における１０層膜の特性図を示す。
スパッタ法（ＤＣ反応性）により、ＴｉＯ2とＳｉＯ2の交互層で形成した１０層膜の特性例を図６（ａ）、６（ｂ）に示す。
図６（ａ）において０Ｒ１は硝子基板がＢＫ７のときの垂直入射、０Ｒ２は硝子基板がＳＫ１６のときの垂直入射、０Ｒ３は硝子基板がＢａＳＦ０８のときの垂直入射の場合を示す。
また、０Ｒ４は硝子基板がＬａＳＦ０３のときの垂直入射、図６（ｂ）の４５Ｒ１〜４５Ｒ４は同様に４５度入射の場合を示す。
本実施例によれば、比較例３よりも０Ｒの垂直入射の反射率特性は改善されるが、４５Ｒの４５度の反射率特性において４７０〜５７０ｎｍの反射が高くなる。しかしながら、６００〜６５０ｎｍ域の反射率は改善されており、見た目の色味としては良い。
本実施例での１０層膜の成膜時間は、実施例１同様、各種硝子についてＴｉＯ2膜が約５００〜５１０秒、ＳｉＯ2膜が約３３０〜３７０秒で合計１４分〜１４分３０秒であった。
これは、比較例１の真空蒸着法の略１．５倍以下の成膜時間であるが、比較例４のスパッタ法の略１／２倍以下の成膜時間であり、成膜時間の短縮に有効であった。
表２に各種硝子の膜構成を示す。
表２において、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2の光学膜厚の合計は波長５８８ｎｍにおける値であり、各成膜速度は比較例３と同様である。
［実施例３］
実施例３においては、スパッタ法（ＤＣ反応性）により、Ｎｂ2Ｏ5（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は２．２５）とＳｉＯ2（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は１．４６）の交互層により、１０層膜を形成した。
図７（ａ）、図７（ｂ）に、実施例３における１０層膜の特性図を示す。
本実施例でのＮｂ2Ｏ5膜の成膜速度（波長５８８ｎｍにおける光学膜厚）は０．７５ｎｍ／ｓｅｃであった。
図７（ａ）において、０Ｒ１は硝子基板がＢＫ７のときの垂直入射、０Ｒ２は硝子基板がＳＫ１６のときの垂直入射の場合を示す。
また、０Ｒ３は硝子基板がＢａＳＦ０８のときの垂直入射、０Ｒ４は硝子基板がＬａＳＦ０３のときの垂直入射、図７（ｂ）の４５Ｒ１〜４５Ｒ４は同様に４５度入射の場合を示す。
本実施例によれば、比較例３よりも０Ｒの垂直入射の反射率特性は改善されるが、４５Ｒの４５度の反射率特性において４７０〜５７０ｎｍの反射が高くなる。しかしながら、６００〜６５０ｎｍ域の反射率は改善されており、見た目の色味としては良い。
本実施例での１０層膜の成膜時間は、実施例１同様、各種硝子についてＮｂ2Ｏ5膜が約３６０〜３９０秒、ＳｉＯ2膜が約４９０〜５４０秒で合計〜１２分３０秒程度であった。
これは、比較例１の真空蒸着法の略１．３倍以下の成膜時間であるが、比較例４のスパッタ法の略１／３倍の成膜時間であり成膜時間の短縮に有効であった。
表３に各種硝子の膜構成を示す。
表３において、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＯ2の光学膜厚の合計は波長５８８ｎｍにおける値であり、ＳｉＯ2の成膜速度は比較例３と同様である。
実施例３においては、スパッタ法（ＤＣ反応性）により、Ｎｂ2Ｏ5（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は２．２５）とＳｉＯ2（波長５８８ｎｍにおける膜の屈折率は１．４６）の交互層により、１０層膜を形成した。
図７（ａ）、図７（ｂ）に、実施例３における１０層膜の特性図を示す。
本実施例でのＮｂ2Ｏ5膜の成膜速度（波長５８８ｎｍにおける光学膜厚）は０．７５ｎｍ／ｓｅｃであった。
図７（ａ）において、０Ｒ１は硝子基板がＢＫ７のときの垂直入射、０Ｒ２は硝子基板がＳＫ１６のときの垂直入射の場合を示す。
また、０Ｒ３は硝子基板がＢａＳＦ０８のときの垂直入射、０Ｒ４は硝子基板がＬａＳＦ０３のときの垂直入射、図７（ｂ）の４５Ｒ１〜４５Ｒ４は同様に４５度入射の場合を示す。
本実施例によれば、比較例３よりも０Ｒの垂直入射の反射率特性は改善されるが、４５Ｒの４５度の反射率特性において４７０〜５７０ｎｍの反射が高くなる。しかしながら、６００〜６５０ｎｍ域の反射率は改善されており、見た目の色味としては良い。
本実施例での１０層膜の成膜時間は、実施例１同様、各種硝子についてＮｂ2Ｏ5膜が約３６０〜３９０秒、ＳｉＯ2膜が約４９０〜５４０秒で合計〜１２分３０秒程度であった。
これは、比較例１の真空蒸着法の略１．３倍以下の成膜時間であるが、比較例４のスパッタ法の略１／３倍の成膜時間であり成膜時間の短縮に有効であった。
表３に各種硝子の膜構成を示す。
表３において、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＯ2の光学膜厚の合計は波長５８８ｎｍにおける値であり、ＳｉＯ2の成膜速度は比較例３と同様である。
８２：カソード
８３：カソード回転軸
８４：基板ホルダー
８５：真空槽
８３：カソード回転軸
８４：基板ホルダー
８５：真空槽
Claims (5)
- 反射防止膜の基準波長をλ０としたとき、基板側から高屈折率膜で始まり、高屈折率膜と低屈折率膜を交互に１０層を積層した反射防止膜であって、
前記高屈折率膜のλ０における光学膜厚の合計膜厚と、全層のλ０における光学膜厚の総合計膜厚が、つぎの式（１）を満たし、
かつ、λ０＝５８８ｎｍとし、高屈折率膜の屈折率をｎＨ、低屈折率膜の屈折率をｎＬとしたとき、それぞれの屈折率がつぎの式（２）を満たし、
かつ、
前記各層の光学膜厚が、つぎの式（３）を満たし、可視域４５０ｎｍ〜６５０ｎｍで垂直入射時の反射率が０．２％以下であることを特徴とする反射防止膜。
高屈折率膜における光学膜厚の合計膜厚（ｄ１＋ｄ３＋ｄ５＋ｄ７＋ｄ９）≦全層における光学膜厚の総合計膜厚（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３＋ｄ４＋ｄ５＋ｄ６＋ｄ７＋ｄ８＋ｄ９＋ｄ１０）×０．５５ ……（１）
但し、式（１）において、
ｄ１、ｄ３、ｄ５、ｄ７、ｄ９：前記高屈折率膜のλ０における基板側からの各層の光学膜厚
ｄ２、ｄ４、ｄ６、ｄ８、ｄ１０：前記低屈折率膜のλ０における基板側からの各層の光学膜厚
ｎＨ≧２．３、ｎＬ≦１．５……（２）
０．１５≧ｎＨ×ｄ１／λ０≧０．０２
０．１７≧ｎＬ×ｄ２／λ０≧０．０４
０．４３≧ｎＨ×ｄ３／λ０≧０．０２
０．３６≧ｎＬ×ｄ４／λ０≧０．０５
０．２１≧ｎＨ×ｄ５／λ０≧０．０５
０．３９≧ｎＬ×ｄ６／λ０≧０．０９
０．２１≧ｎＨ×ｄ７／λ０≧０．０１
０．２５≧ｎＬ×ｄ８／λ０≧０．０２
０．５０≧ｎＨ×ｄ９／λ０≧０．１４
０．２３≧ｎＬ×ｄ１０／λ０≧０．１９
……（３） - 前記高屈折率膜が、ＴｉＯ２を主成分とする膜であり、低屈折率膜がＳｉＯ２を主成分とする膜であることを特徴とする請求項１に記載の反射防止膜。
- 反射防止膜の基準波長をλ０としたとき、基板側から高屈折率膜で始まり、高屈折率膜と低屈折率膜を交互に１０層を積層した反射防止膜であって、
前記高屈折率膜のλ０における光学膜厚の合計膜厚と、全層のλ０における光学膜厚の総合計膜厚が、つぎの式（４）を満たし、
かつ、λ０＝５８８ｎｍとし、高屈折率膜の屈折率をｎＨ、低屈折率膜の屈折率をｎＬとしたとき、それぞれの屈折率がつぎの式（５）を満たし、
かつ、前記各層の光学膜厚が、つぎの式（６）を満たし、可視域４５０ｎｍ〜６５０ｎｍで垂直入射時の反射率が０．２％以下であることを特徴とする反射防止膜。
高屈折率膜における光学膜厚の合計膜厚（ｄ１＋ｄ３＋ｄ５＋ｄ７＋ｄ９）≦全層における光学膜厚の総合計膜厚（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３＋ｄ４＋ｄ５＋ｄ６＋ｄ７＋ｄ８＋ｄ９＋ｄ１０）×０．４ ……（４）
但し、式（４）において、
ｄ１、ｄ３、ｄ５、ｄ７、ｄ９：前記高屈折率膜のλ０における基板側からの各層の光学膜厚
ｄ２、ｄ４、ｄ６、ｄ８、ｄ１０：前記低屈折率膜のλ０における基板側からの各層の光学膜厚
ｎＨ≧２．２、ｎＬ≦１．５……（５）
０．１０≧ｎＨ×ｄ１／λ０≧０．０１
０．２１≧ｎＬ×ｄ２／λ０≧０．０５
０．１１≧ｎＨ×ｄ３／λ０≧０．０１
０．５９≧ｎＬ×ｄ４／λ０≧０．２９
０．０９≧ｎＨ×ｄ５／λ０≧０．０１
０．１３≧ｎＬ×ｄ６／λ０≧０．０１
０．２２≧ｎＨ×ｄ７／λ０≧０．０８
０．０５≧ｎＬ×ｄ８／λ０≧０．０１
０．２７≧ｎＨ×ｄ９／λ０≧０．１１
０．２４≧ｎＬ×ｄ１０／λ０≧０．１９
…………（６） - 前記高屈折率膜が、ＴｉＯ２を主成分とする膜、またはＮｂ２Ｏ５を主成分とする膜であり、
前記低屈折率膜が、ＳｉＯ２を主成分とする膜であることを特徴とする請求項３に記載の反射防止膜。 - 前記全層が、スパッタで形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の反射防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005318762A JP4764137B2 (ja) | 2005-11-01 | 2005-11-01 | 反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005318762A JP4764137B2 (ja) | 2005-11-01 | 2005-11-01 | 反射防止膜 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007127725A JP2007127725A (ja) | 2007-05-24 |
| JP2007127725A5 JP2007127725A5 (ja) | 2008-12-18 |
| JP4764137B2 true JP4764137B2 (ja) | 2011-08-31 |
Family
ID=38150443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005318762A Active JP4764137B2 (ja) | 2005-11-01 | 2005-11-01 | 反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4764137B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5248516B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2013-07-31 | 株式会社ニコン・エシロール | 光学部品、及び光学部品の製造方法 |
| CN104360422B (zh) * | 2014-12-02 | 2016-12-07 | 中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所 | 一种低损耗超高透过率激光减反射薄膜的制备方法 |
| WO2018216310A1 (ja) * | 2017-05-26 | 2018-11-29 | コニカミノルタ株式会社 | 光学素子及び投影レンズ |
| KR102323720B1 (ko) * | 2020-03-19 | 2021-11-09 | (주)도 은 | 근적외선 차단용 반사 방지층을 갖는 안경렌즈 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02113201A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-25 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光学多層膜を被覆した物品 |
| JP4166845B2 (ja) * | 1997-05-16 | 2008-10-15 | Ｈｏｙａ株式会社 | 反射防止膜を有する眼鏡プラスチックレンズ |
| JPH1130704A (ja) * | 1997-05-16 | 1999-02-02 | Hoya Corp | 眼鏡プラスチックレンズ |
| JP3975242B2 (ja) * | 1997-05-16 | 2007-09-12 | Ｈｏｙａ株式会社 | 反射防止膜を有するプラスチック光学部品 |
| JP2001209038A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-08-03 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 液晶表示素子用基板 |
| JP2001264526A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-09-26 | Canon Inc | 回折光学素子、該素子を有する光学系及び光学装置 |
| JP4190773B2 (ja) * | 2002-02-26 | 2008-12-03 | オリンパス株式会社 | 反射防止膜と光学レンズ及び光学レンズユニット |
| JP4645938B2 (ja) * | 2003-07-10 | 2011-03-09 | コニカミノルタオプト株式会社 | 光学部品及び光ピックアップ装置 |
| JP2005292462A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Konica Minolta Opto Inc | 誘電体多層膜を有する光学素子 |
-
2005
- 2005-11-01 JP JP2005318762A patent/JP4764137B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2007127725A (ja) | 2007-05-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0933654B1 (en) | Anti-reflection coatings | |
| US7749622B2 (en) | Multilayer film-coated substrate and process for its production | |
| US9945983B2 (en) | Silicon titanium oxide coating, coated article including silicon titanium oxide coating, and method of making the same | |
| EP1557479A1 (en) | Substrate having multilayer film and method for manufacturing the same | |
| JP2007127681A (ja) | プラスチックレンズ | |
| JP4764137B2 (ja) | 反射防止膜 | |
| JP4255617B2 (ja) | 多層導電性反射防止コーティング | |
| JPH1130703A (ja) | 反射防止膜を有するプラスチック光学部品 | |
| JP2007310335A (ja) | 表面鏡 | |
| JP3135010B2 (ja) | 導電性反射防止膜 | |
| Woo et al. | Wideband Antireflection Coatings of Porous MgF∼ 2 Films by Using Glancing Angle Deposition | |
| JP2006317603A (ja) | 表面鏡 | |
| JPH11171596A (ja) | 反射防止膜 | |
| CN108828697B (zh) | 一种埃米抗氧化抗反射耐腐蚀镜片及其制备方法 | |
| JP7216471B2 (ja) | 車載レンズ用のプラスチックレンズ及びその製造方法 | |
| JP2566634B2 (ja) | 多層反射防止膜 | |
| JPH1067078A (ja) | 光学要素とその製造に用いられるフッ化物材料の多層積層体 | |
| JP3560655B2 (ja) | 光学薄膜の製造方法 | |
| WO2018043516A1 (ja) | 反射防止膜、光学素子および光学系 | |
| US20140170421A1 (en) | Low-E Panel with Improved Barrier Layer and Method for Forming the Same | |
| JP2007127725A5 (ja) | ||
| CN210166521U (zh) | 减反射膜及微型投影*** | |
| JP7303496B2 (ja) | 膜付き透明基板の製造方法 | |
| JP2000171607A (ja) | 高緻密な多層薄膜およびその成膜方法 | |
| JPH10268107A (ja) | 反射防止膜付合成樹脂レンズ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081031 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081031 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110323 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110519 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110607 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110610 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4764137 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |