JP4753637B2 - メモリ - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1実施形態による単純マトリックス型の強誘電体メモリの全体構成を示したブロック図である。図2は、図1に示した第1実施形態による単純マトリックス型の強誘電体メモリのメモリセルアレイの構成を説明する概略図である。図3は、図1に示した第1実施形態による単純マトリックス型の強誘電体メモリの動作制御回路の構成を説明するためのブロック図である。まず、図1〜図3を参照して、本発明の第1実施形態による単純マトリックス型の強誘電体メモリの構成について説明する。
図5は、本発明の第2実施形態による単純マトリックス型の強誘電体メモリの動作制御回路の構成を説明するためのブロック図である。図5を参照して、この第2実施形態では、上記第1実施形態とは異なり、外部クロックに同期して外部アクセス動作が行われる単純マトリックス型の強誘電体メモリの場合の構成について説明する。
2、2a 動作制御回路
16 強誘電体キャパシタ
17 メモリセル
20、20a 外部アクセス検知回路
21 アクセス計数回路
22 リフレッシュ制御回路
23 リフレッシュ判定回路
24 内部クロック生成回路
25 アクセス制御回路
Claims (22)
- 外部アクセス動作を検知する外部アクセス検知手段と、
前記外部アクセス動作に基づいて、内部アクセス動作を行うアクセス制御手段と、
前記外部アクセス検知手段により前記外部アクセス動作が検知されたことと、前記アクセス制御手段の動作状態とに基づいて、リフレッシュ動作を行うかどうかを判定するリフレッシュ判定手段とを備え、
前記リフレッシュ判定手段は、前記アクセス制御手段が他の内部アクセス動作を行っているかどうかを判定し、前記アクセス制御手段が他のリフレッシュ動作を行っているかどうかを判定し、
前記アクセス制御手段は、前記リフレッシュ判定手段の判定結果に基づいて、前記内部アクセス動作の前または後に前記リフレッシュ動作を行う、メモリ。 - 前記アクセス制御手段が前記他の内部アクセス動作および前記他のリフレッシュ動作のいずれの動作も行っていない場合には、前記リフレッシュ判定手段は、前記リフレッシュ動作を行う信号を出力する、請求項1に記載のメモリ。
- 前記リフレッシュ動作が行われている場合には、前記アクセス制御手段は、前記リフレッシュ動作の終了後に、前記内部アクセス動作を行う、請求項1または2に記載のメモリ。
- 前記内部アクセス動作の期間は、前記外部アクセス動作の期間よりも短い、請求項1〜3のいずれか1項に記載のメモリ。
- 前記アクセス制御手段は、前記外部アクセス動作の期間よりも短い周期を有する内部クロックを生成するクロック生成手段を含み、
前記アクセス制御手段は、前記内部アクセス動作および前記リフレッシュ動作のそれぞれを前記内部クロックの1周期で行う、請求項4に記載のメモリ。 - 前記内部クロックは、前記内部アクセス動作のための内部クロックと前記リフレッシュ動作のための内部クロックとを含み、
前記外部アクセス動作の期間が、前記内部アクセス動作のための前記内部クロックの周期と前記リフレッシュ動作のための前記内部クロックの周期との和よりも小さくない場合には、前記アクセス制御手段は、次の前記外部アクセス動作の期間の間に前記リフレッシュ動作を行う、請求項5に記載のメモリ。 - 前記外部アクセス動作のアクセス回数を計数する外部アクセス計数手段をさらに備え、
前記アクセス制御手段は、前記リフレッシュ判定手段の判定結果と、前記外部アクセス計数手段によって計数された前記アクセス回数とに基づいて前記リフレッシュ動作を行う、請求項1〜6のいずれか1項に記載のメモリ。 - 先行する内部アクセス動作が行われている場合には、前記アクセス制御手段は、前記先行する内部アクセス動作の終了後に、前記内部アクセス動作を行う、請求項1に記載のメモリ。
- 前記他の内部アクセス動作または前記他のリフレッシュ動作のいずれかが行われている場合には、前記アクセス制御手段は、前記内部アクセス動作を行い、その後、前記他の内部アクセス動作または前記他のリフレッシュ動作の終了後には前記リフレッシュ動作を行わない、請求項1に記載のメモリ。
- 前記内部アクセス動作は、データ書き込み動作と共に、データ読み出し動作とデータ再書き込み動作とを含み、
前記リフレッシュ動作は、データ読み出し動作とデータ再書き込み動作とを含む、請求項1に記載のメモリ。 - ワード線とビット線と、
少なくとも前記ワード線にリンクするように配置されたメモリセルと
をさらに含み、
前記アクセス制御手段は、前記ワード線にリンクされた前記メモリセルに対して前記ワード線毎に前記リフレッシュ動作を一括して行う、請求項1に記載のメモリ。 - ワード線とビット線と、
前記ワード線と前記ビット線との間に配置された強誘電体キャパシタと
をさらに備える、請求項1に記載のメモリ。 - 前記内部アクセス動作を行うための内部アドレス信号に対応する行アドレス信号と前記リフレッシュ動作を行うためのリフレッシュアドレス信号に対応する他の行アドレス信号とを切り替えるための切り替え手段をさらに含む、請求項1に記載のメモリ。
- 前記他の内部アクセス動作および前記他のリフレッシュ動作のいずれの動作も行われていない場合には、前記アクセス制御手段は、前記リフレッシュ動作を行うための信号に基づいて、前記内部アクセス動作を行い、その後、前記リフレッシュ動作を継続して行う、請求項2に記載のメモリ。
- 前記外部アクセス動作は、周期的に行われ、
前記内部クロックは、前記内部アクセスのための内部クロックと前記リフレッシュ動作のための内部クロックとを含み、前記外部アクセス動作の期間は、前記内部アクセス動作のための前記内部クロックの周期と前記リフレッシュ動作のための前記内部クロックの周期との合計よりも短い、請求項5に記載のメモリ。 - 前記アクセス制御手段は、前記内部アクセス動作の複数回毎に1回、前記リフレッシュ動作を行う、請求項15に記載のメモリ。
- メモリを動作させる方法であって、前記方法は、
外部アクセス検知回路によって、外部アクセス動作を検知することと、
アクセス制御回路によって、内部アクセス動作を行うことと、
前記外部アクセス検知回路により前記外部アクセス動作が検知されたことと前記アクセス制御回路の動作状態とに基づいて、リフレッシュ判定回路によって、リフレッシュ動作を行うかどうかを判定することと、
前記リフレッシュ判定回路による判定結果に基づいて、前記アクセス制御回路によって、前記リフレッシュ動作を行うことと、
前記リフレッシュ判定回路によって、前記アクセス制御回路が他のリフレッシュ動作を行っているかどうかを判定すること
を含む、方法。 - 前記リフレッシュ判定回路によって、前記アクセス制御回路が他の内部アクセス動作を行っているかどうかを判定することをさらに含む、請求項17に記載の方法。
- 前記内部アクセス動作の期間は、前記外部アクセス動作の期間よりも短く、
前記内部クロックの1周期内に前記内部アクセス動作および前記リフレッシュ動作のそれぞれを行うために、前記アクセス制御回路のクロック生成回路によって、前記外部アクセス動作の期間よりも短い周期を有する内部クロックを生成することをさらに含む、請求項17に記載の方法。 - 外部アクセス計数回路によって、前記外部アクセス動作のアクセス回数を計数することをさらに含み、
前記アクセス制御回路は、前記リフレッシュ動作を行っているかどうかの前記リフレッシュ判定回路による判定結果と、前記外部アクセス計数回路によって計数された前記アクセス回数とに基づいて、前記リフレッシュ動作を行う、請求項17に記載の方法。 - 内部アクセス動作を行うように構成されたアクセス制御回路と、
前記アクセス制御回路がリフレッシュ動作を行っているかどうかを判定するように構成されたリフレッシュ判定回路と、
外部アクセス動作を検知するように構成された外部アクセス検知回路と、
前記外部アクセス動作の回数を計数するように構成された外部アクセス計数回路と、
を含み、
前記アクセス制御回路は、前記内部アクセス動作と競合することなく前記リフレッシュ動作を行うようにさらに構成され、
前記アクセス制御回路は、前記リフレッシュ判定回路による判定結果と前記外部アクセス計数回路によって計数された前記アクセス回数とに基づいて、前記リフレッシュ動作を行うようにさらに構成されているメモリ。 - 外部アクセス動作を検知するように構成された外部アクセス検知回路をさらに含み、
前記内部アクセス動作の期間は、前記外部アクセス動作の期間よりも短く、
前記アクセス制御回路は、内部クロックの1周期内に前記内部アクセス動作および前記リフレッシュ動作のそれぞれを行うために、前記外部アクセス動作の期間よりも短い周期を有する前記内部クロックを生成するように構成されたクロック生成回路を含む、請求項21に記載のメモリ。
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