JP4702003B2 - 液晶装置およびプロジェクタ - Google Patents
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Description
なお特許文献1に記載された液晶装置では、図7に示すように、複数のスイッチング素子31,32,33が、データ線61の延在方向に沿って直線状に配置されるので、隣接配置された走査線72と走査線73との間に、スイッチング素子32およびスイッチング素子33が直列に配置されることになる。
これに対して、本発明の構成によれば、複数のスイッチング素子がデータ線の延在方向に沿って一方の前記データ線と他方の前記データ線に交互に接続されて配置されているので、隣接配置された走査線の間に、複数のスイッチング素子を並列配置することができる。これにより、非開口部の面積を小さくすることが可能になり(例えば、スイッチング素子の幅と略同じ長さだけ、非開口部の幅を小さくすることが可能になり)、開口率を増加させることができる。したがって、回折の影響を低減することができる。
この構成によれば、画素電極の非形成領域において発生しうる光漏れを防止することが可能になり、表示品質に優れた液晶装置を提供することができる。
なお平面視とは、基板の法線方向から見た場合をいう。
この構成によれば、非開口部の面積を格段に小さくすることが可能になり、開口率を増加させることができる。したがって、回折の影響を低減することができる。
この構成によれば、複数の画素電極により開口部が構成されるので、開口部の面積を増加させることができる。したがって、回折の影響を低減することができる。
この構成によれば、隣接配置された複数のデータ線の間における電気的な干渉を防止することができる。
この構成によれば、回折の影響を低減することが可能な液晶装置を備えているので、画像光の多くを投射レンズにのみ込ませることが可能になる。したがって、明るく表示品質に優れたプロジェクタを提供することができる。
この構成によれば、表示画像において各画素の周囲に遮光部を配置することが可能になる。その結果、違和感のない画像表示(特にテキスト表示)を行うことができる。
この構成によれば、表示画像において各画素の周囲に遮光部を配置することが可能になる。その結果、違和感のない画像表示(特にテキスト表示)を行うことができる。
この構成によれば、第1の液晶装置の非開口部によって表示画像に形成される遮光部の明るさと、第2の液晶装置の非開口部によって表示画像に形成される遮光部の明るさとを揃えることが可能になる。その結果、違和感のない画像表示を行うことができる。
最初に、液晶装置について説明する。
図1(a)は液晶装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図1(b)は図1(a)のH−H’線に沿う側面断面図である。図1(b)に示すように、液晶装置100は、液晶50を挟持するTFTアレイ基板(以下「素子基板」という。)10および対向基板20と、素子基板10上にマトリクス状に配置された複数の画素電極9とを備えている。
図2は、液晶装置の等価回路図である。液晶装置は、マトリクス状に配置された複数の画素電極9と、画素電極9への通電を制御するTFT素子30と、TFT素子30に対して走査信号を供給する走査線3aと、走査線3aと交差するように配置されTFT素子30に対して画像信号を供給するデータ線6aとを備えている。
図3は、液晶装置における光変調領域の平面構造の説明図である。なお以下の各図では、容量線および蓄積容量の記載を省略している。
素子基板上には、複数の画素電極9がマトリクス状に配列形成されている。画素電極9は、インジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide、以下ITOという)等の透明導電性材料により、略矩形状に形成されている。この画素電極9の形成領域が画素領域であり、画素領域ごとに光変調が行われるようになっている。また画素電極9の周囲に、データ線6aおよび走査線3aが設けられている。これらのデータ線6aおよび走査線3aは、AlやCu等の導電性材料によって形成されている。
図4は、液晶装置の断面構造の説明図であり、図3のA−A’線における側面断面図である。
図4に示すように、素子基板10は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体10Aを備えている。その基板本体10Aの内面には、第1層間絶縁膜12を介して半導体層1aが形成されている。この半導体層1aを中心として、TFT素子30が形成されている。すなわち、半導体層1aにおける走査線3aとの対向部分にはチャネル領域1a’が形成され、その両側にソース領域1sおよびドレイン領域1dが形成されている。なおTFT素子30にはLDD(Lightly Doped Drain)構造を採用することが望ましい。この場合、チャネル領域1a’の両側に不純物濃度が相対的に低い低濃度ソース領域および低濃度ドレイン領域(LDD領域)が形成され、その両側に不純物濃度が相対的に高い高濃度ソース領域および高濃度ドレイン領域が形成される。
図3に戻り、本実施形態の液晶装置は、第1データ線61の延在方向に隣接する一対の画素電極91,92に対応する一対の走査線71,72が、第1データ線61の延在方向において一対の画素電極91,92を挟むように配置され、第1データ線61の延在方向に整列配置された複数の画素電極91,92,93に対応する複数のTFT素子31,32,33が、隣接するデータ線61,62の対向する側において、データ線61,62の延在方向に沿って一方のデータ線61と他方のデータ線62に交互に接続されて配置されているものである。
なお本実施形態では、画像信号が供給されるデータ線ではなく、TFT素子のON/OFF信号が供給される走査線を隣接配置させることにより開口部の面積を増加させたので、配線間の電気的な干渉を最小限に留めることができる。
図8は、図3に示す本実施形態に係る液晶装置の開口率と、図7に示す従来技術の変形例に係る液晶装置の開口率とを比較したグラフである。図8に示すように、あらゆる画素ピッチについて、本実施形態に係る液晶装置の開口率の方が大きくなっている。したがって、本実施形態に係る液晶装置では回折の影響を低減することができる。
次に、第2実施形態に係る液晶装置について説明する。
図9は、第2実施形態に係る液晶装置の平面構造の説明図である。第2実施形態に係る液晶装置は、一対の画素電極91,92の間に、画素電極の非形成領域を覆う第2遮光膜24が形成されている点で、第1実施形態と異なっている。なお第1実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
次に、第3実施形態に係る液晶装置について説明する。
図10は、第3実施形態に係る液晶装置の平面構造の説明図である。第3実施形態に係る液晶装置は、第2走査線72および第3走査線が平面視において重なるように積層配置されている点で、同層に並べて配置されている第1実施形態とは異なっている。なお上記各実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
次に、上記各実施形態の液晶装置を用いて光変調を行うプロジェクタについて説明する。図12は、プロジェクタの概略構成図である。
そこで図13(b)に示すように、第1液晶装置110を緑色光変調装置823に割り当て、第2液晶装置120を赤色光変調装置822および青色光変調装置824に割り当てることが望ましい。この場合、図13(a)に示す第1遮光部79mはマゼンタに表示され、第2遮光部79gは緑色に表示される。これにより、第1遮光部79mおよび第2遮光部79gの明るさを揃えることが可能になり、違和感のない画像表示を行うことができる。
次に、第4実施形態に係る液晶装置について説明する。
図14は、第4実施形態に係る液晶装置の平面構造の説明図である。第4実施形態に係る液晶装置は、データ線61の延在方向に隣接する一対の画素電極91,92に対応する一対の走査線71,72が、データ線61の延在方向において一対の画素電極91,92を挟むように配置され、走査線71の延在方向に隣接する一対の画素電極91,93に対応する一対のデータ線61,62が、走査線71の延在方向において一対の画素電極91,93を挟むように配置されたものである。なお上記各実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
そこで図15(a)に示すように、第1液晶装置110を緑色光変調装置823に割り当て、第2液晶装置120を赤色光変調装置822および青色光変調装置824に割り当てることが望ましい。この場合、図15(b)に示す第1遮光部69m,79mはマゼンタに表示され、第2遮光部69g,79gは緑色に表示される。これにより、第1遮光部69m,79mおよび第2遮光部69g,79gの明るさを揃えることが可能になり、違和感のない画像表示を行うことができる。
Claims (11)
- 液晶を挟持する一対の基板と、前記一対の基板のうち一方の前記基板上にマトリクス状に配置された複数の画素電極と、前記画素電極への通電を制御するTFT素子と、前記TFT素子に対して走査信号を供給する走査線と、前記走査線と交差するように配置され前記TFT素子に対して画像信号を供給するデータ線とを備え、前記複数の画素電極への通電を独立して制御することが可能な液晶装置であって、
前記データ線の延在方向に隣接する第1の前記画素電極および第2の前記画素電極にそれぞれ対応する第1の前記走査線および第2の前記走査線が、前記データ線の延在方向において前記第1の画素電極および前記第2の画素電極を挟むように配置され、
前記第2の画素電極を前記第1の画素電極と挟む位置に第3の前記画素電極が配置され、前記第3の画素電極に対応する第3の前記走査線および前記第2の走査線が、前記第2の画素電極と前記第3の画素電極との間に配置され、
前記第2の画素電極に対応する第2の前記TFT素子のドレイン領域と前記第3の画素電極に対応する第3の前記TFT素子のドレイン領域とは互いに、前記第2の走査線および前記第3の走査線と平行に並列配置され、
前記第1の画素電極を前記第2の画素電極と挟む位置に第4の前記画素電極が配置され、前記第4の画素電極に対応する第4の前記走査線および前記第1の走査線が、前記第1の画素電極と前記第4の画素電極との間に配置され、
前記第1の画素電極に対応する第1の前記TFT素子のドレイン領域と前記第4の画素電極に対応する第4の前記TFT素子のドレイン領域とは互いに、前記第1の走査線および前記第4の走査線と平行に並列配置されていることを特徴とする液晶装置。 - 前記各TFT素子のソース領域が、前記データ線と平面視において重なるように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
- 前記第2のTFT素子のドレイン領域および前記第3のTFT素子のドレイン領域が、前記第2の走査線と前記第3の走査線との間に配置されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の液晶装置。
- 前記第2の走査線および前記第3の走査線が、平面視において重なるように積層配置され、
前記第2のTFT素子のドレイン領域および前記第3のTFT素子のドレイン領域が、前記第2の走査線および前記第3の走査線と平面視において重なるように配置されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の液晶装置。 - 前記第1の画素電極と前記第2の画素電極との間には、前記画素電極の非形成領域を覆う遮光膜が形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の液晶装置。
- 前記走査線の延在方向に隣接する一対の前記画素電極に対応する一対の前記データ線が、前記走査線の延在方向において前記一対の画素電極を挟むように配置されていることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の液晶装置。
- 隣接配置された複数の前記データ線に対して、前記画像信号が略同時に供給されるようになっていることを特徴とする請求項6に記載の液晶装置。
- 請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の液晶装置を用いて光変調を行うことを特徴とするプロジェクタ。
- 請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の液晶装置を用いて光変調を行うプロジェクタであって、
第1の色光を変調する第1の前記液晶装置から出射した画像と、第2の色光を変調する第2の前記液晶装置から出射した画像とを、前記プロジェクタの投影面で重ねる場合に、
前記投影面上において、前記第1の液晶装置を構成する前記走査線の位置と、前記第2の液晶装置を構成する前記走査線の位置とが、前記データ線の延在方向における前記画素電極の長さと略同じ長さだけ、前記データ線の延在方向に相互にずれるように、
前記第1の液晶装置を構成する前記走査線および前記第2の液晶装置を構成する前記走査線が配置されていることを特徴とするプロジェクタ。 - 請求項6または請求項7に記載の液晶装置を用いて光変調を行うプロジェクタであって、
第1の色光を変調する第1の前記液晶装置から出射した画像と、第2の色光を変調する第2の前記液晶装置から出射した画像とを、前記プロジェクタの投影面で重ねる場合に、
前記投影面上において、前記第1の液晶装置を構成する前記走査線の位置と、前記第2の液晶装置を構成する前記走査線の位置とが、前記データ線の延在方向における前記画素電極の長さと略同じ長さだけ、前記データ線の延在方向に相互にずれるように、前記第1の液晶装置を構成する前記走査線および前記第2の液晶装置を構成する前記走査線が配置されるとともに、
前記投影面上において、前記第1の液晶装置を構成する前記データ線の位置と、前記第2の液晶装置を構成する前記データ線の位置とが、前記走査線の延在方向における前記画素電極の長さと略同じ長さだけ、前記走査線の延在方向に相互にずれるように、前記第1の液晶装置を構成する前記データ線および前記第2の液晶装置を構成する前記データ線が配置されていることを特徴とするプロジェクタ。 - 前記第1の色光は緑色光であり、前記第2の色光は赤色光または青色光であることを特徴とする請求項9または請求項10に記載のプロジェクタ。
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