JP4630689B2 - ウエーハの分割方法 - Google Patents

ウエーハの分割方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4630689B2
JP4630689B2 JP2005055788A JP2005055788A JP4630689B2 JP 4630689 B2 JP4630689 B2 JP 4630689B2 JP 2005055788 A JP2005055788 A JP 2005055788A JP 2005055788 A JP2005055788 A JP 2005055788A JP 4630689 B2 JP4630689 B2 JP 4630689B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
division
lines
sheet
expansion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005055788A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006245103A (ja
Inventor
勝 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2005055788A priority Critical patent/JP4630689B2/ja
Priority to US11/362,389 priority patent/US7341926B2/en
Publication of JP2006245103A publication Critical patent/JP2006245103A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4630689B2 publication Critical patent/JP4630689B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/40Removing material taking account of the properties of the material involved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0011Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0052Means for supporting or holding work during breaking
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/16Composite materials, e.g. fibre reinforced
    • B23K2103/166Multilayered materials
    • B23K2103/172Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)

Description

本発明は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に機能素子が形成されたウエーハを、該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するウエーハの分割方法に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等の回路を形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより回路が形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハも所定の分割予定ラインに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径3μm程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ20μm程度に形成されている。
しかるに、サファイヤ基板、炭化珪素基板等はモース硬度が高いため、上記切削ブレードによる切断は必ずしも容易ではない。更に、切削ブレードは20μm程度の厚さを有するため、デバイスを区画する分割予定ラインとしては幅が50μm程度必要となる。このため、例えば大きさが300μm×300μm程度のデバイスの場合には、ストリートの占める面積比率が14%にもなり、生産性が悪いという問題がある。
一方、近年半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、その被加工物に対して透過性を有するパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、被加工物の一方の面側から内部に集光点を合わせて被加工物に対して透過性を有する赤外光領域のパルスレーザー光線を照射し、被加工物の内部に分割予定ラインに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、被加工物を分割するものである。(例えば、特許文献1参照。)
特許第3408805号公報
上述したように分割予定ラインに沿って変質層が連続的に形成されたウエーハの分割予定ラインに沿って外力を付与し、ウエーハを個々のチップに分割する方法として、本出願人はウエーハが貼着された拡張シートを拡張してウエーハに引張力を付与することにより、ウエーハを変質層が形成された分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する技術を特願2003−361471号として提案した。
しかしながら、ウエーハが貼着された保護テープを拡張してウエーハに引張力を付与する方法は、ウエーハが貼着された保護テープを拡張するとウエーハには放射状に引っ張り力が作用するため、格子状に形成された分割予定ラインに対してランダムな方向に引張力が作用することになるので、ウエーハは不規則に分割され、分割されない未分割領域が残存するという問題がある。また、分割予定ライン上に回路の機能をテストするためのテスト エレメント グループ(TEG)と称するテスト用の金属パターンが配設されているウエーハを上述したように保護テープを拡張して分割予定ラインに沿って分割すると、上記金属パターンに不規則な力が作用することに起因して、金属パターンが鋸刃状に破断され、デバイスの品質を低下させるという問題がある。
上記問題を解消するために本出願人は、ウエーハが貼着された保護テープをウエーハに形成された複数の第1の分割予定ラインと直交する方向に拡張してウエーハを変質層が形成された複数の第1の分割予定ラインに沿って複数の帯状片に分割し、その後、拡張シートを第2の分割予定ラインと直交する方向に拡張して複数の帯状片に分割されたウエーハを変質層が形成された複数の第2の分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割装置を特願2004−106279号として提案した。
而して、上述した分割装置を用いたウエーハの分割方法においては、ウエーハを複数の第1の分割予定ラインに沿って複数の帯状片に分割した後に、保護テープに第1の分割予定ラインと直交する方向に作用せしめた引張力を解除すると、複数の帯状片間の隙間が必ずしも一定とはならず、複数の帯状片が不規則な状態となる。この状態から保護テープを第2の分割予定ラインと直交する方向に拡張すると、ウエーハには全ての第2の分割予定ラインと直交する方向に正確に引張力を作用することができないため、ウエーハを全ての第2の分割予定ラインに沿って必ずしも正確に分割することができないとともに、分割予定ライン上に配設されたテスト エレメント グループ(TEG)と称するテスト用の金属パターンも鋸刃状に破断される個所が発生する。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、分割予定ラインに沿って強度が低下せしめられたウエーハを、分割予定ラインに沿って効率良く且つ確実に分割することができるウエーハの分割方法を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数の第1の分割予定ラインと該複数の第1の分割予定ラインと直交する複数の第2の分割予定ラインが形成されているとともに該複数の第1の分割予定ラインと該第2の分割予定ラインによって区画された複数の領域に機能素子が形成されたウエーハを、該複数の第1の分割予定ラインおよび該複数の第2の分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するウエーハの分割方法であって、
該ウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を該複数の第1の分割予定ラインおよび該複数の第2の分割予定ラインに沿って照射し、該ウエーハの内部に該複数の第1の分割予定ラインおよび該複数の第2の分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
該変質層形成工程を実施する前または後に、紫外線を照射することにより硬化する粘着剤が表面に敷設された伸張可能な拡張シートの表面に該ウエーハを貼着する拡張シート貼着工程と、
該ウエーハの外側において該拡張シートにおける第1の分割予定ラインと略平行になる部分の表面および表面を一対の挟持部材によって挟持し、該挟持部材を左右方向に作動して該拡張シートを該複数の第1の分割予定ラインと直交する方向に拡張して該ウエーハを該変質層が形成された該複数の第1の分割予定ラインに沿って複数の帯状片に分割するとともに、該帯状片間に隙間を形成する第1のシート拡張工程と、
第1のシート拡張工程を実施した状態でウエーハ側から該帯状片間の隙間を通して該拡張シートに敷設された該粘着剤に紫外線を照射することにより該粘着剤を硬化せしめて該帯状片間に隙間が形成された状態を維持する粘着剤硬化工程と、
該粘着剤硬化工程を実施した後に、該拡張シートを該複数の第2の分割予定ラインと直交する方向に拡張して該複数の帯状片に分割された該ウエーハを該変質層が形成された該複数の第2の分割予定ラインに沿って分割する第2のシート拡張工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
すなわち、上記拡張シートの表面に敷設された粘着層は紫外線によって硬化する粘着剤によって形成されており、上記粘着剤硬化工程はウエーハから紫外線を照射する。
本発明によるウエーハの分割方法によれば、拡張シートを複数の第1の分割予定ラインと直交する方向に拡張してウエーハを変質層が形成された複数の第1の分割予定ラインに沿って複数の帯状片に分割するとともに該帯状片間に隙間を形成する第1のシート拡張工程を実施した後に、拡張シートに敷設された粘着剤に紫外線照射を照射することにより粘着剤を硬化せしめる粘着剤硬化工程を実施するので、複数の第1の分割予定ラインに沿って分割された各帯状片が所定の隙間を維持した状態で規制される。従って、拡張シートを複数の第2の分割予定ラインと直交する方向に拡張して複数の帯状片に分割されたウエーハを変質層が形成された複数の第2の分割予定ラインに沿って分割する第2のシート拡張工程においては、ウエーハには複数の第2の分割予定ラインと直交する方向に正確に引張力が作用する。この結果、ウエーハは複数の第2の分割予定ラインに沿って正確に分割されるとともに、分割予定ライン上に配設されたテスト
エレメント グループ(TEG)と称するテスト用の金属パターンも第2の分割予定ラインに沿って正確に破断される。
以下、本発明によるウエーハの分割方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1には、本発明に従って個々のチップに分離されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図1に示す半導体ウエーハ10はシリコンウエーハからなっており、表面10aには複数の第1の分割予定ライン101と該複数の第1の分割予定ライン101と直交する複数の第2の分割予定ライン102が形成されている。そして、半導体ウエーハ10の表面10aには、複数の第1の分割予定ライン101と複数の第2の分割予定ライン102によって区画された複数の領域に機能素子としての回路103が形成されている。以下、この半導体ウエーハ10を個々の半導体チップに分離する分割方法について説明する。
半導体ウエーハ10を個々の半導体チップに分離するには、半導体ウエーハ10に対して透過性を有するパルスレーザー光線を複数の第1の分割予定ライン101および複数の第2の分割予定ライン102に沿って照射し、半導体ウエーハ10の内部に複数の第1の分割予定ライン101および複数の第2の分割予定ライン102に沿って変質層を形成することにより分割予定ラインに沿って強度を低下せしめる変質層形成工程を実施する。
この変質層形成工程は、図2に示すレーザー加工装置1を用いて実施する。図2に示すレーザー加工装置2は、被加工物を保持するチャックテーブル21と、該チャックテーブル21上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段22と、チャックテーブル21上に保持された被加工物を撮像する撮像手段23を具備している。チャックテーブル21は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図2において矢印Xで示す加工送り方向および矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記レーザー光線照射手段22は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング221の先端に装着された集光器224からパルスレーザー光線を照射する。また、上記レーザー光線照射手段12を構成するケーシング221の先端部に装着された撮像手段23は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子(CCD)の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。
上述したレーザー加工装置1を用いて実施する変質層形成工程について、図2および図3を参照して説明する。
この変質層形成行程は、先ず上述した図2に示すレーザー加工装置2のチャックテーブル21上に半導体ウエーハ10を裏面10bを上にして載置し、該チャックテーブル21上に半導体ウエーハ10を吸着保持する。半導体ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル21は、図示しない移動機構によって撮像手段23の直下に位置付けられる。
チャックテーブル21が撮像手段23の直下に位置付けられると、撮像手段23および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ10のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段23および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ10の所定方向に形成されている第1の分割予定ライン101と、該第1の分割予定ライン101に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段22の集光器224との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ10に形成されている複数の第1の分割予定ライン101と直交する方向に形成されている複数の第2の分割予定ライン102に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ10の複数の第1の分割予定ライン101および複数の第2の分割予定ライン102が形成されている表面10aは下側に位置しているが、撮像手段13が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成された撮像手段を備えているので、裏面10bから透かして第1の分割予定ライン101および第2の分割予定ライン102を撮像することができる。
以上のようにしてチャックテーブル21上に保持された半導体ウエーハ10に形成されている第1の分割予定ライン101および第2の分割予定ライン102を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図3の(a)で示すようにチャックテーブル21をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段22の集光器224が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第1の分割予定ライン101の一端(図3の(a)において左端)をレーザー光線照射手段12の集光器224の直下に位置付ける。そして、集光器224から半導体ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル21即ち半導体ウエーハ10を図3の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図3の(b)で示すようにレーザー光線照射手段22の集光器224の照射位置が第1の分割予定ライン101の他端(図3の(b)において右端)の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル21即ち半導体ウエーハ10の移動を停止する。この変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ10の表面10a(下面)付近に合わせる。この結果、半導体ウエーハ10の表面10a(下面)に露出するとともに表面10aから内部に向けて変質層110が形成される。この変質層110は、溶融再固化層として形成される。
上記変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4スレーザー
波長 :1064nmのパルスレーザー
パルス出力 :10μJ
集光スポット径 :φ1μm
繰り返し周波数 :100kHz
加工送り速度 :100mm/秒
上記変質層110は、表面10aおよび裏面10bに露出しないように内部だけに形成してもよく、また、上記集光点Pを段階的に変えて上述したレーザー加工工程を複数回実行することにより、複数の変質層110を形成してもよい。
上述した変質層形成工程を半導体ウエーハ2に所定方向に形成された全ての第1の分割予定ライン101に沿って実施したならば、第2の分割予定ライン102に沿っても上記変質層形成工程を実施する。
上述した変質層形成工程によって半導体ウエーハ10の内部に複数の第1の分割予定ライン101および複数の第2の分割予定ライン102に沿って変質層110を形成したならば、外的刺激を与えることにより硬化する粘着剤が表面に敷設された伸張可能な拡張シートの表面にウエーハを貼着する拡張シート貼着工程を実施する。即ち、図4に示すように環状のフレーム3の内側開口部を覆うように外周部が装着された伸張可能な拡張シート4の表面に半導体ウエーハ10の表面10aを貼着する。なお、上記拡張シート4は、図示の実施形態においては厚さが100μmのポリ塩化ビニル(PVC)からなるシート基材の表面にアクリル樹脂系の粘着剤が厚さが5μm程度塗布されている。この粘着財は紫外線等の外的刺激によって硬化する性質を有するものが用いられている。
なお、粘着シート貼着工程は上記変質層形成工程の前に実施してもよく、この場合、拡張シート4の表面に半導体ウエーハ10の表面10aを貼着した状態で上述した変質層形成工程を実施する。
上述した変質層形成工程および粘着シート貼着工程を実施したならば、拡張シート3を第1の分割予定ライン101と直交する方向に拡張して半導体ウエーハ10を変質層110が形成された複数の第1の分割予定ライン101に沿って複数の帯状片に分割するとともに、該帯状片間に隙間を形成する第1のシート拡張工程を実施する。第1のシート拡張工程について、図5および図6を参照して説明する。第1のシート拡張工程は、先ず上述したように複数の第1の分割予定ライン101および複数の第2の分割予定ライン102に沿って変質層110が形成された半導体ウエーハ10を拡張シート4を介して支持した環状のフレーム3をシート拡張装置5のフレーム保持部材51上に載置し、クランプ52によって環状のフレーム3をフレーム保持部材51上に固定する。次に、半導体ウエーハ10の外側において拡張シート4における第1の分割予定ライン101と略平行になる部分の表面および裏面を挟持部材53、53によって挟持する。そして、この挟持部材53、53を図5および図6に示すように矢印Vで示すように図において左右方向に作動すると、拡張シート4は第1の分割予定ライン101と直交する方向に拡張せしめられる。この結果、拡張シート4の表面に貼着されている半導体ウエーハ10には第1の分割予定ライン101と直交する方向に引張力が作用するため、拡張シート4の表面に貼着されている半導体ウエーハ10は変質層110が形成されていることによって強度が低下せしめられた複数の第1の分割予定ライン101に沿って複数の帯状片120に分割されるとともに、各帯状片120間に隙間Sが形成される。この第1のシート拡張工程においては、半導体ウエーハ10には第1の分割予定ライン101と直交する方向に引張力が作用するため、半導体ウエーハ10は複数の第1の分割予定ライン101に沿って正確に分割されるとともに、分割予定ライン上に配設されたテスト エレメント グループ(TEG)と称するテスト用の金属パターンも複数の第1の分割予定ライン101に沿って正確に破断される。なお、上記第1のシート拡張工程においては、本発明者等の実験によると拡張シート4を5mm程度引き伸ばしたときに半導体ウエーハ10を変質層110が形成されている複数の第1の分割予定ライン101に沿って破断することができた。このとき、個々に分割された各帯状片120間の間隙Sは、0.5mm程度となった。
上記第1のシート拡張工程を実施したならば、第1のシート拡張工程を実施した状態で各帯状片120間に隙間Sを通して拡張シート4の表面に敷設された粘着剤に外的刺激を付与することにより粘着剤を硬化せしめる粘着剤硬化工程を実施する。この粘着剤硬化工程は、図7に示すようにシート拡張装置5の上方に配設された紫外線照射器6によってウエーハ10側から紫外線を照射する。この結果、拡張シート4の表面に敷設された粘着剤は各帯状片120間で硬化し、半導体ウエーハ10の各帯状片120は隙間Sが形成された状態に維持される。
次に、拡張シート4を第2の分割予定ラインと直交する方向に拡張して複数の帯状片120に分割された半導体ウエーハ10を変質層110が形成された複数の第2の分割予定ライン102に沿って分割する第2のシート拡張工程を実施する。第2のシート拡張工程について、図8および図9を参照して説明する。第2のシート拡張工程は、上述したように半導体ウエーハ10を拡張シート4を介して支持した環状のフレーム3がシート拡張装置5のフレーム保持部材51上に固定された状態で90度回動し、半導体ウエーハ10の外側において拡張シート4における第2の分割予定ライン102と略平行になる部分の表面および裏面を挟持部材53、53によって挟持する。そして、挟持部材53、53を図8および図9に示すように矢印Vで示すように図において左右方向に作動すると、拡張シート4は第2の分割予定ライン102と直交する方向に拡張せしめられる。この結果、拡張シート4の表面に貼着されている半導体ウエーハ10には第2の分割予定ライン102と直交する方向に引張力が作用するため、拡張シート4の表面に貼着されている半導体ウエーハ10(複数の帯状片120に分割される)は変質層110が形成されることによって強度が低下せしめられた複数の第2の分割予定ライン102に沿って分割され、個々の半導体チップ130に分離される。このとき、半導体ウエーハ10は上述した第1のシート拡張工程および粘着剤硬化工程を実施することにより、複数の第1の分割予定ライン101に沿って分割された各帯状片120が所定の隙間Sを維持した状態で規制されているので、半導体ウエーハ10には第2の分割予定ライン102と直交する方向に正確に引張力が作用する。従って、半導体ウエーハ10は複数の第2の分割予定ライン102に沿って正確に分割されるとともに、分割予定ライン上に配設されたテスト エレメント グループ(TEG)と称するテスト用の金属パターンも第2の分割予定ライン102に沿って正確に破断される。
本発明によるウエーハの分割方法によって個々のチップに分割される半導体ウエーハの斜視図。 本発明によるウエーハの分割方法における変質層形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。 本発明によるウエーハの分割方法における変質層形成行程の説明図。 本発明によるウエーハの分割方法における拡張シート貼着工程を実施したウエーハの斜視図。 本発明によるウエーハの分割方法における第1のシート拡張工程を示す平面図。 本発明によるウエーハの分割方法における第1のシート拡張工程を示す断面図。 本発明によるウエーハの分割方法における粘着剤硬化工程の説明図。 本発明によるウエーハの分割方法における第2のシート拡張工程を示す平面図。 本発明によるウエーハの分割方法における第2のシート拡張工程を示す断面図。
符号の説明
2:レーザー加工装置
21:レーザー加工装置のチャックテーブル
22:レーザー光線照射手段
23:撮像手段
3:環状のフレーム
4:拡張シート
5:シート拡張装置
51:フレーム保持部材
52:クランプ
53:挟持部材
6:紫外線照射器
10:半導体ウエーハ
101:分割予定ライン
102:回路
110:変質層
130:半導体チップ

Claims (1)

  1. 表面に複数の第1の分割予定ラインと該複数の第1の分割予定ラインと直交する複数の第2の分割予定ラインが形成されているとともに該複数の第1の分割予定ラインと該第2の分割予定ラインによって区画された複数の領域に機能素子が形成されたウエーハを、該複数の第1の分割予定ラインおよび該複数の第2の分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するウエーハの分割方法であって、
    該ウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を該複数の第1の分割予定ラインおよび該複数の第2の分割予定ラインに沿って照射し、該ウエーハの内部に該複数の第1の分割予定ラインおよび該複数の第2の分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
    該変質層形成工程を実施する前または後に、紫外線を照射することにより硬化する粘着剤が表面に敷設された伸張可能な拡張シートの表面に該ウエーハを貼着する拡張シート貼着工程と、
    該ウエーハの外側において該拡張シートにおける第1の分割予定ラインと略平行になる部分の表面および裏面を一対の挟持部材によって挟持し、該挟持部材を左右方向に作動して該拡張シートを該複数の第1の分割予定ラインと直交する方向に拡張して該ウエーハを該変質層が形成された該複数の第1の分割予定ラインに沿って複数の帯状片に分割するとともに、該帯状片間に隙間を形成する第1のシート拡張工程と、
    第1のシート拡張工程を実施した状態でウエーハ側から該帯状片間の隙間を通して該拡張シートに敷設された該粘着剤に紫外線を照射することにより該粘着剤を硬化せしめて該帯状片間に隙間が形成された状態を維持する粘着剤硬化工程と、
    該粘着剤硬化工程を実施した後に、該拡張シートを該複数の第2の分割予定ラインと直交する方向に拡張して該複数の帯状片に分割された該ウエーハを該変質層が形成された該複数の第2の分割予定ラインに沿って分割する第2のシート拡張工程と、を含む、
    ことを特徴とするウエーハの分割方法。
JP2005055788A 2005-03-01 2005-03-01 ウエーハの分割方法 Active JP4630689B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005055788A JP4630689B2 (ja) 2005-03-01 2005-03-01 ウエーハの分割方法
US11/362,389 US7341926B2 (en) 2005-03-01 2006-02-27 Wafer dividing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005055788A JP4630689B2 (ja) 2005-03-01 2005-03-01 ウエーハの分割方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006245103A JP2006245103A (ja) 2006-09-14
JP4630689B2 true JP4630689B2 (ja) 2011-02-09

Family

ID=36944622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005055788A Active JP4630689B2 (ja) 2005-03-01 2005-03-01 ウエーハの分割方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7341926B2 (ja)
JP (1) JP4630689B2 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4944642B2 (ja) * 2007-03-09 2012-06-06 株式会社ディスコ デバイスの製造方法
JP2008235650A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスの製造方法
JP2008294191A (ja) * 2007-05-24 2008-12-04 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP4630377B2 (ja) * 2009-03-11 2011-02-09 古河電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2012089707A (ja) * 2010-10-20 2012-05-10 Sekisui Chem Co Ltd 半導体チップのピックアップ方法及び割裂装置
JP2012129473A (ja) * 2010-12-17 2012-07-05 Sekisui Chem Co Ltd ダイシング−ダイボンディングテープ
JP2014007344A (ja) * 2012-06-26 2014-01-16 Disco Abrasive Syst Ltd 収容カセット
JP6438791B2 (ja) * 2015-02-06 2018-12-19 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
JP6478801B2 (ja) * 2015-05-19 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6710457B2 (ja) * 2016-06-01 2020-06-17 株式会社ディスコ エキスパンドシート、エキスパンドシートの製造方法、及びエキスパンドシートの拡張方法
JP6870974B2 (ja) * 2016-12-08 2021-05-12 株式会社ディスコ 被加工物の分割方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004100240A1 (ja) * 2003-05-12 2004-11-18 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. 板状部材の分割方法及び分割装置
JP2005045149A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Tokyo Seimitsu Co Ltd エキスパンド方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP2004273895A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの分割方法
JP2005129607A (ja) 2003-10-22 2005-05-19 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP4684569B2 (ja) 2004-03-31 2011-05-18 株式会社ディスコ テープ拡張装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004100240A1 (ja) * 2003-05-12 2004-11-18 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. 板状部材の分割方法及び分割装置
JP2005045149A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Tokyo Seimitsu Co Ltd エキスパンド方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20060199355A1 (en) 2006-09-07
US7341926B2 (en) 2008-03-11
JP2006245103A (ja) 2006-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4630689B2 (ja) ウエーハの分割方法
JP4769560B2 (ja) ウエーハの分割方法
JP4398686B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP4777761B2 (ja) ウエーハの分割方法
JP5307612B2 (ja) 光デバイスウエーハの加工方法
KR101160200B1 (ko) 웨이퍼의 분할방법
JP4590174B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2005129607A (ja) ウエーハの分割方法
JP4694795B2 (ja) ウエーハの分割方法
JP2008294191A (ja) ウエーハの分割方法
JP2007305687A (ja) ウエーハの分割方法および分割装置
JP4447392B2 (ja) ウエーハの分割方法および分割装置
KR20110055395A (ko) 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법
JP2007012878A (ja) ウエーハの分割方法
JP2006202933A (ja) ウエーハの分割方法
JP2006114691A (ja) ウエーハの分割方法
JP2011091293A (ja) ウエーハの加工方法
JP4833657B2 (ja) ウエーハの分割方法
JP2006108273A (ja) ウエーハの分割方法および分割装置
JP2008042110A (ja) ウエーハの分割方法
JP2011003757A (ja) ウエーハの分割方法
JP2011151070A (ja) ウエーハの加工方法
JP2008311404A (ja) ウエーハの加工方法
JP2006128211A (ja) ウエーハの分割装置
JP2005251986A (ja) ウエーハの分離検出方法および分離検出装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080227

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100713

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100720

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100916

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101102

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101115

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4630689

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250