JP4684310B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
本発明は処理室内にて基板を処理する基板処理装置に関し、特に、処理室に移載室が連接されている基板処理装置に関するものである。
処理室と移載室とが連接された基板処理装置には、基板の自然酸化を防止するため、移載室が密閉構造となっており、移載室内を不活性ガスに置換し、酸素濃度を所定値以下に保持させるためのパージガス導入管と排気管とが設けられている。
移載室は、基板上の自然酸化膜の付着を防止するため、酸素濃度を所定値以下に保持するとともに、不活性ガスを循環させている。
移載室は、基板上の自然酸化膜の付着を防止するため、酸素濃度を所定値以下に保持するとともに、不活性ガスを循環させている。
しかし、処理室で基板を処理した後に、基板の表面を調べると、表面に有機物が付着していることがある。このような有機物は、高温の処理の際に、処理室の配線が加熱されることにより発生し、ウエハのアンロードの際の高温の雰囲気とともに有機物が移載室に拡散することによって、基板に付着することが突き止められている。有機物のクリーニングをせずに成膜を実施した場合は、有機物等の汚染物質が付着した部分から膜が成長するので、結晶格子の局部的な歪や面内膜厚の不均一が発生することがある。
しかしながら、アンロード時に、自然酸化膜の基板への付着を防止するよりも、基板上の有機物の付着を防止するように変更するには、装置構成や装置パラメータを変更する必要がある。従って、装置の置き場所も限られているため、同一装置で自然酸化膜の基板への付着を防止する機能と基板上の有機物の付着を防止する機能とを処理毎に切替えて運用することが求められている。
しかしながら、アンロード時に、自然酸化膜の基板への付着を防止するよりも、基板上の有機物の付着を防止するように変更するには、装置構成や装置パラメータを変更する必要がある。従って、装置の置き場所も限られているため、同一装置で自然酸化膜の基板への付着を防止する機能と基板上の有機物の付着を防止する機能とを処理毎に切替えて運用することが求められている。
そこで、本発明の目的は、移載室内において、自然酸化膜の基板への付着を防止する装置から切り替えて、移載室内を拡散する有機物が基板に付着する前に移載室から速やかに排気させる装置に運用することを可能にし、又その逆の運用も一つの装置で行えるようにすることにある。
この発明は、前記目的を達成するため、基板の処理を行う処理室に連接される移載室をガスでパージするように制御する制御手段を備えた基板処理装置であって、前記制御手段は、前記移載室内のガスの流れを一方向に排気させる機能と、前記移載室内に不活性雰囲気でガスを循環させる機能と、を切替える切替手段を有する基板処理装置を提供する。ウエハのアンロードの前後、及びアンロードの最中に、移載室内の不活性ガスを一方向に排気させると、移載室に拡散した有機物が移載室から速やかに排気される。有機物が排気されるので、基板表面への有機物の付着が防止される。
本発明によれば、少なくともアンロード工程時に、移載室内において基板上に酸化膜が付着するよりも有機物の付着を防止する必要がある場合でも、同一装置で自然酸化膜の基板への付着を防止する機能と基板上の有機物の付着を防止する機能とを切替えて運用することで、有機物の付着を防止することができる。また、装置構成や装置パラメータを変更する場合でも、プログラム変更を行う必要がないため、同一装置で自然酸化膜の基板への付着を防止する機能と基板上の有機物の付着を防止する機能とを切替える作業を効率よく行えるようになった。その結果、膜種に応じてアンロード時に自然酸化膜の基板への付着
を防止する機能を基板上の有機物の付着を防止する機能に切替える運用が効率よく行えるようになった。
を防止する機能を基板上の有機物の付着を防止する機能に切替える運用が効率よく行えるようになった。
以下、図１及び図２を参照して本発明の一実施形態に係る基板処理装置について説明し、次に、図３乃至図７を参照して本発明に係る基板処理システム及び基板処理方法について説明する。
図１は基板処理装置の正面図、図２は図１の側面図である。
図１及び図２に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００は、シリコン等からなるウエハ（被処理基板）２００を収納したウエハキャリアとしてフープ（基板収容器。以下、ポッドという。）１１０が用いられる。ポッド１１０には、現在、ＦＯＵＲというタイプが主流で使用される。このポッド１１０は一側面に設けられた開口部を蓋体（図示せず）で塞ぐことによってウエハ２００を大気から隔離して搬送し、蓋体を取り去ることでポッド１１０内へのウエハ２００を出入することができようになっている。
筐体１１１の正面壁１１１ａにはポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置される。
ロードポート１１４はポッド１１０を載置して位置合わせするように構成される。
ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出される。
図１及び図２に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００は、シリコン等からなるウエハ（被処理基板）２００を収納したウエハキャリアとしてフープ（基板収容器。以下、ポッドという。）１１０が用いられる。ポッド１１０には、現在、ＦＯＵＲというタイプが主流で使用される。このポッド１１０は一側面に設けられた開口部を蓋体（図示せず）で塞ぐことによってウエハ２００を大気から隔離して搬送し、蓋体を取り去ることでポッド１１０内へのウエハ２００を出入することができようになっている。
筐体１１１の正面壁１１１ａにはポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置される。
ロードポート１１４はポッド１１０を載置して位置合わせするように構成される。
ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出される。
筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、回転式ポッド棚１０５は複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。すなわち、回転式ポッド棚１０５は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７はポッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
筐体１１１内において、ロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置される。
ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、ポッド搬送装置１１８はポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間でポッド１１０を搬送するように構成される。
筐体１１１内において、ロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置される。
ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、ポッド搬送装置１１８はポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間でポッド１１０を搬送するように構成される。
筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端にわたって構築されている。
サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２０、１２０には一対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。
ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ
着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２０、１２０には一対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。
ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ
着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
サブ筐体１１９はポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５の設置空間から流体的に隔絶された移載室１０２を構成している。移載室（気密室）１０２は、ウエハ２００の搬送エリアとして、また、後述のボート（基板保持手段）２１７のローディング、アンローディング空間として用いられる。
＜移載室＞
移載室１０２はウエハ２００の自然酸化を防止するため、及び処理室２０２の減圧に対応する密閉容器となっており、不活性ガスが充満されている。不活性ガスには、種々のガスを用いることができるが、本実施の形態では安価なＮ２ガスが用いられている。
移載室１０２の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転乃至直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａ及びウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。
＜移載室＞
移載室１０２はウエハ２００の自然酸化を防止するため、及び処理室２０２の減圧に対応する密閉容器となっており、不活性ガスが充満されている。不活性ガスには、種々のガスを用いることができるが、本実施の形態では安価なＮ２ガスが用いられている。
移載室１０２の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転乃至直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａ及びウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。
図１に示されるようにウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは、耐圧性の筐体１１１の右側端部とサブ筐体１１９の移載室１０２の前方領域右端部との間に設置される。
これらのウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ツイーザ（基板保持体）１２５ｃによりボート（基板保持具）２１７へのウエハ２００の装填（チャージ）及び脱装（ディスチャージ）が実施される。
これらのウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ツイーザ（基板保持体）１２５ｃによりボート（基板保持具）２１７へのウエハ２００の装填（チャージ）及び脱装（ディスチャージ）が実施される。
移載室１０２の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成されている。
待機部１２６の上方には反応炉２０１が設けられ、反応炉２０１の下部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成される。反応炉２０１には処理室２０２が設けられる。処理室２０２の区画壁は、石英（石英ガラス等）、セラミックなど電気的に絶縁可能な誘電材料で構成されている。
処理室２０２は誘電体からなる区画壁と前記シールキャップ１２９とで気密に区画されており、ヒータ１３が処理室２０２の区画壁を取り囲むように設けられる。
なお、前記処理室２０２には排気管（図示せず）が連通しており、排気管の下流に減圧排気装置としての真空ポンプ（図示せず）が接続される。また、処理室２０２には、処理ガス（成膜原料ガス、酸化ガス、エッチングガス等）を導入するためのガス導入管が接続される。
待機部１２６の上方には反応炉２０１が設けられ、反応炉２０１の下部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成される。反応炉２０１には処理室２０２が設けられる。処理室２０２の区画壁は、石英（石英ガラス等）、セラミックなど電気的に絶縁可能な誘電材料で構成されている。
処理室２０２は誘電体からなる区画壁と前記シールキャップ１２９とで気密に区画されており、ヒータ１３が処理室２０２の区画壁を取り囲むように設けられる。
なお、前記処理室２０２には排気管（図示せず）が連通しており、排気管の下流に減圧排気装置としての真空ポンプ（図示せず）が接続される。また、処理室２０２には、処理ガス（成膜原料ガス、酸化ガス、エッチングガス等）を導入するためのガス導入管が接続される。
図１に示すように、前記筐体１１１の右側端部とサブ筐体１１９の待機部１２６の右端部との間にはボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置される。
ボートエレベータ１１５の昇降台に連結された連結具としてのエレベータアーム１２８には前記シールキャップ１２９が水平に据え付けられる。
シールキャップ１２９はボート２１７を垂直に支持し、反応炉２０１の下部を開閉する蓋体として構成されている。このシールキャップ１２９は、前記ボートエレベータ１１５のエレベータアーム１２８に支持されている。ボートエレベータ１１５により、エレベータアーム１２８が上昇し、シールキャップ１２９が反応炉２０１の処理室２０２の炉口を閉鎖した段階で、ボート２１７の処理室２０２の挿入が終了する。ボートエレベータ１１５のエレベータアーム１２８を下降させると、ボート２１７は処理室２０２から搬出される。
ボートエレベータ１１５の昇降台に連結された連結具としてのエレベータアーム１２８には前記シールキャップ１２９が水平に据え付けられる。
シールキャップ１２９はボート２１７を垂直に支持し、反応炉２０１の下部を開閉する蓋体として構成されている。このシールキャップ１２９は、前記ボートエレベータ１１５のエレベータアーム１２８に支持されている。ボートエレベータ１１５により、エレベータアーム１２８が上昇し、シールキャップ１２９が反応炉２０１の処理室２０２の炉口を閉鎖した段階で、ボート２１７の処理室２０２の挿入が終了する。ボートエレベータ１１５のエレベータアーム１２８を下降させると、ボート２１７は処理室２０２から搬出される。
移載室１０２のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側及びボートエレベータ１１５側と
反対側である左側端部には、清浄化された大気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう、吸気ダクト（後述する）が設けられ、吸気ダクト（後述する）に供給フアン及びフィルタ（図示せず）で構成されたクリーンユニット１３４が取り付けられている。
そして、ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間に、ウエハ２００（被処理基板）の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてノッチ合わせ装置（図示せず）が設置されている。
反対側である左側端部には、清浄化された大気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう、吸気ダクト（後述する）が設けられ、吸気ダクト（後述する）に供給フアン及びフィルタ（図示せず）で構成されたクリーンユニット１３４が取り付けられている。
そして、ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間に、ウエハ２００（被処理基板）の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてノッチ合わせ装置（図示せず）が設置されている。
クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置及びウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７に流通された後、排気ダクト（後述する）から吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気されるか又は後述するように循環ライン（後述する）の吸込口に吸込まれてクリーンユニット１３４から再び移載室１０２内に吹き出され、移載室１０２内を循環される。
前記ボート２１７には後述するように複数本の保持部材２１７ｃ，２１７ｄが設けられる。
前記ボート２１７には後述するように複数本の保持部材２１７ｃ，２１７ｄが設けられる。
図３は移載室１０２を所定のガスでパージするよう制御するための一例を示す解説図である。
図３に示すように、移載室１０２には、ボート設置側と反対側に吸気ダクト３００が区画されており、吸気ダクト３００の導入口に吸気管３０３が接続されている。吸気ダクト３００の排気口は移載室１０２の底部付近に開口している。吸気ダクト３００には、その上流側と下流側とにそれぞれ開閉弁ＡＶ６５、ＡＶ６８が設けられており、上流側の開閉弁ＡＶ６５（ＤＶ１）と下流側の開閉弁ＡＶ６８との間に吹出口３０１が形成されている。
吹出口３０１には、前記クリーンユニット１３４が取り付けられている。
吹出口３０１には、前記クリーンユニット１３４が取り付けられている。
移載室１０２をパージする系統は、排気ダクト３１２と、パージガス導入管３０２ａとで構成される。
パージガス導入管３０２ａは、クリーンユニット１３４側と反対側から移載室１０２の区画壁を貫通して前記吸気ダクト３００内に挿入され、クリーンユニット１３４の背面部の接続部に接続される。
パージガス導入管３０２ａのガス排出口は、処理室２０２の炉口付近に開口される。
各パージガス導入管３０２ａには、マスフローメータにより流量がフィードバック制御されるマスフローコントローラＮ２ＭＦＣ＃１が設けられる。
排気ダクト３１２の導入口は、前記ボート２１７及び前記ウエハ移載装置１２５ａを挟んでその反対側に設置されていて、移載室１０２の底面付近に開口している。
排気ダクト３１２の排気口は、前記処理室２０２から処理室内雰囲気乃至処理済みガスを排気するためのガス排出管３１３に接続されている。
パージガス導入管３０２ａ及び排気ダクト３１２には、それぞれ開閉のために開閉弁ＡＶ５６（ＬＡ１），ＡＶ６６（ＤＶ２）が設けられている。又、排気ダクト３１２には、酸素濃度計ＯＶ１が設けられている。
パージガス導入管３０２ａは、クリーンユニット１３４側と反対側から移載室１０２の区画壁を貫通して前記吸気ダクト３００内に挿入され、クリーンユニット１３４の背面部の接続部に接続される。
パージガス導入管３０２ａのガス排出口は、処理室２０２の炉口付近に開口される。
各パージガス導入管３０２ａには、マスフローメータにより流量がフィードバック制御されるマスフローコントローラＮ２ＭＦＣ＃１が設けられる。
排気ダクト３１２の導入口は、前記ボート２１７及び前記ウエハ移載装置１２５ａを挟んでその反対側に設置されていて、移載室１０２の底面付近に開口している。
排気ダクト３１２の排気口は、前記処理室２０２から処理室内雰囲気乃至処理済みガスを排気するためのガス排出管３１３に接続されている。
パージガス導入管３０２ａ及び排気ダクト３１２には、それぞれ開閉のために開閉弁ＡＶ５６（ＬＡ１），ＡＶ６６（ＤＶ２）が設けられている。又、排気ダクト３１２には、酸素濃度計ＯＶ１が設けられている。
排気ダクト３１２の導入口が移載室１０２の底面付近に開口していると、移載室１０２を淀みなく排気させることが可能になる。同様に、吸気ダクト３００の導入口が移載室１０２の天井付近に開口し、吸気ダクト３００の排気口が、移載室１０２の底面付近に開口していると、移載室１０２内を淀みなく循環させることができる。
また、前記開閉弁ＡＶ５６、ＡＶ６５、ＡＶ６６、ＡＶ６８の開閉を組み合わせると、移載室１０２を大気又は不活性ガス雰囲気に切り替えることができ、又、不活性ガスを移
載室１０２内で循環させることができる。なお、３０５は移載室の温度を調節するためのラジエータである。
載室１０２内で循環させることができる。なお、３０５は移載室の温度を調節するためのラジエータである。
＜大気導入＞
大気導入の場合は、排気ダクト３１２の開閉弁ＡＶ６６（ＤＶ２）を閉、吸気ダクト３００の開閉弁ＡＶ６５（ＤＶ１）、吸気ダクト３００の開閉弁ＡＶ６８を開、パージガス導入管３０２ａの開閉弁ＡＶ５６（ＬＡ１）を閉とする。
このようにすると、クリーンルーム内の大気が導入され、移載室１０２が大気圧となるので、ポッド１１０とウエハ移載装置１２５ａとの間でのウエハ２００の搬送が可能になる。
大気導入の場合は、排気ダクト３１２の開閉弁ＡＶ６６（ＤＶ２）を閉、吸気ダクト３００の開閉弁ＡＶ６５（ＤＶ１）、吸気ダクト３００の開閉弁ＡＶ６８を開、パージガス導入管３０２ａの開閉弁ＡＶ５６（ＬＡ１）を閉とする。
このようにすると、クリーンルーム内の大気が導入され、移載室１０２が大気圧となるので、ポッド１１０とウエハ移載装置１２５ａとの間でのウエハ２００の搬送が可能になる。
＜パージ＞
パージの場合は、吸気ダクト３００の開閉弁ＡＶ６５（ＤＶ１）を閉、パージガス導入管３０２ａの開閉弁ＡＶ５６（ＬＡ１）を開、排気ダクト３１２の開閉弁ＡＶ６６（ＤＶ２）を開とする。
このようにすると、不活性ガスが不活性ガス供給源、例えば、不活性ガス供給ボンベから移載室１０２内に導入され、移載室１０２の雰囲気が排気ダクト３１２から排出されるので、移載室１０２内が不活性ガス雰囲気、例えば、窒素ガスに置換される。
移載室内が不活性ガスに置換されると、酸素濃度が低下するので、移載室１０２内でのウエハ２００の自然酸化が防止される。
パージの場合は、吸気ダクト３００の開閉弁ＡＶ６５（ＤＶ１）を閉、パージガス導入管３０２ａの開閉弁ＡＶ５６（ＬＡ１）を開、排気ダクト３１２の開閉弁ＡＶ６６（ＤＶ２）を開とする。
このようにすると、不活性ガスが不活性ガス供給源、例えば、不活性ガス供給ボンベから移載室１０２内に導入され、移載室１０２の雰囲気が排気ダクト３１２から排出されるので、移載室１０２内が不活性ガス雰囲気、例えば、窒素ガスに置換される。
移載室内が不活性ガスに置換されると、酸素濃度が低下するので、移載室１０２内でのウエハ２００の自然酸化が防止される。
＜移載室内雰囲気の循環＞
不活性ガスを循環させる場合は、パージガス導入管３０２ａの開閉弁ＡＶ５６（ＬＡ１）を開、吸気ダクト３００の開閉弁ＡＶ６８を開、吸気ダクト３００の開閉弁ＡＶ６５（ＤＶ１）を閉とし、クリーンユニット１３４の供給ファンを駆動する。又、排気ダクト３１２の開閉弁ＡＶ６６（ＤＶ２）を閉とする。
移載室内は、移載室１０２内を循環する間に、クリーンユニット１３４のフィルタによって清浄化されるので、塵埃によるウエハ２００の汚染が抑制される。
不活性ガスを循環させる場合は、パージガス導入管３０２ａの開閉弁ＡＶ５６（ＬＡ１）を開、吸気ダクト３００の開閉弁ＡＶ６８を開、吸気ダクト３００の開閉弁ＡＶ６５（ＤＶ１）を閉とし、クリーンユニット１３４の供給ファンを駆動する。又、排気ダクト３１２の開閉弁ＡＶ６６（ＤＶ２）を閉とする。
移載室内は、移載室１０２内を循環する間に、クリーンユニット１３４のフィルタによって清浄化されるので、塵埃によるウエハ２００の汚染が抑制される。
図４は基板処理を実行するための制御手段としての装置コントローラ３２１の一例を示すブロック図である。
装置コントローラ３２１は、ＣＰＵ、メモリ、ハードディスク、Ｉ／Ｏ（いずれも図示せず）等を主要部とする周知のコンピュータで構成されている。
本実施形態では、装置コントローラ３２１はそれぞれ操作部３２１ａと制御部３２１ｂと分散し、ＬＡＮを介して相互に接続した例を示しているが操作部と制御部を一つで構成してもよい。
操作部３２１ａにはモニタ３２４（表示手段）の他、必要なユーザインタフェィスが接続される。
制御部３２１ｂの出力部には、前記不活性ガス導入管に取り付けられたマスフローコントローラＮ２ＭＦＣ＃１及び吸気ダクト３００の開閉弁ＡＶ６８、パージガス導入管３０２ａの開閉弁ＡＶ５６（ＬＡ１）、排気ダクト３１２の開閉弁ＡＶ６６（ＤＶ２）、吸気ダクト３００の開閉弁ＡＶ６５（ＤＶ１）の他、設定値を参照し基板搬送系、基板搬送系のアクチュエータや各種メカニズムを動作させるためのサブコントローラ等が接続される。
本実施形態では、装置コントローラ３２１はそれぞれ操作部３２１ａと制御部３２１ｂと分散し、ＬＡＮを介して相互に接続した例を示しているが操作部と制御部を一つで構成してもよい。
操作部３２１ａにはモニタ３２４（表示手段）の他、必要なユーザインタフェィスが接続される。
制御部３２１ｂの出力部には、前記不活性ガス導入管に取り付けられたマスフローコントローラＮ２ＭＦＣ＃１及び吸気ダクト３００の開閉弁ＡＶ６８、パージガス導入管３０２ａの開閉弁ＡＶ５６（ＬＡ１）、排気ダクト３１２の開閉弁ＡＶ６６（ＤＶ２）、吸気ダクト３００の開閉弁ＡＶ６５（ＤＶ１）の他、設定値を参照し基板搬送系、基板搬送系のアクチュエータや各種メカニズムを動作させるためのサブコントローラ等が接続される。
また、制御部３２１ｂの入力部には、後述するマスフローコントローラＮ２ＭＦＣ＃１のマスフローメータと、移載室１０２の酸素濃度を検出するための酸素濃度センサＯＶ１等が接続される。
本実施の形態では、各開閉弁ＡＶ５６（ＬＡ１）、ＡＶ６５（ＤＶ１）、ＡＶ６６（Ｄ
Ｖ２）、ＡＶ６８が装置コントローラ３２１により直接制御されるようにしているがサブコントローラの一種である弁コントローラ（図示せず）により、制御されるようにしてもよい。
本実施の形態では、各開閉弁ＡＶ５６（ＬＡ１）、ＡＶ６５（ＤＶ１）、ＡＶ６６（Ｄ
Ｖ２）、ＡＶ６８が装置コントローラ３２１により直接制御されるようにしているがサブコントローラの一種である弁コントローラ（図示せず）により、制御されるようにしてもよい。
また、前記操作部３２１ａ又は制御部３２１ｂには、固定記憶装置として、例えば、ハードディスク３０６が搭載されている。このハードディスク３０６には、コンフィグレーションファイル、膜種毎のプロセスレシピや移載室１０２をパージするためのレシピ（以下、総称してレシピという）、各種制御テーブルや各種パラメータ操作画面、設定画面を含む画面ファイル等の必要なデータが格納されている。
装置コントローラ３２１を起動し、レシピを実行すると、レシピを構成するステップ毎の設定が基板搬送系、基板処理系のサブコントローラに参照され、基板搬送系のサブコントローラによりフロントシャッタ１１３、ポッド搬送装置１１８、回転式ポッド棚、ポッドオープナ１２１、キャップ着脱機構１２３、ウエハ移載装置１２５ａ、ツイーザ１２５ｃ、ノッチ合わせ装置が制御され、基板処理系のサブコントローラにより、炉口シャッタ１４７、ボートエレベータ１１５、ヒータ、真空ポンプ、処理ガス供給系が制御される。
図６に前記装置コントローラ３２１におけるレシピ作成の際の操作画面を示す。
なお、この操作画面は移載室１０２をパージするためのレシピ（以下、パージレシピという）の一例であり、画面のレイアウトや項目、ボタンの種類の配置によって本発明が限定されるものではない。又、プロセスレシピとパージレシピはそれぞれ個別に実行される。
図６に示すように、画面の画面左下欄には、バルブ配置図５１２が表示され、画面の右欄に設定項目が、画面の上欄にファイル情報が表示される。バルブ配置図５１２の構成は、図３で説明した構成と合致するのでここでは説明を割愛する。
なお、この操作画面は移載室１０２をパージするためのレシピ（以下、パージレシピという）の一例であり、画面のレイアウトや項目、ボタンの種類の配置によって本発明が限定されるものではない。又、プロセスレシピとパージレシピはそれぞれ個別に実行される。
図６に示すように、画面の画面左下欄には、バルブ配置図５１２が表示され、画面の右欄に設定項目が、画面の上欄にファイル情報が表示される。バルブ配置図５１２の構成は、図３で説明した構成と合致するのでここでは説明を割愛する。
バルブ配置図５１２の上欄には、例えば、「ＮＡＭＥ」ボタン５１３と、「Ｎｏ．」ボタン５１４の二つのプログラムボタンが表示される。
「ＮＡＭＥ」ボタン５１３は、押下されると、バルブ配置図５１２に表示される符号の表示を部品名称の表示に切り替え、「Ｎｏ．」ボタン５１４が押下されると、逆に、部品名称の表示を符号の表示に切り替える。このため、装置作業者は、「ＮＡＭＥ」ボタン５１３、「Ｎｏ．」ボタン５１４を選択して押下するだけで、どの部品が配管のどこに配置されるのかを操作画面上で把握することができる。これらのボタンにはそれぞれ制御部３２１ｂにより実行されるプログラムと関連付けられており、ボタンが指やタッチペン等の入力デバイスによって押下されると、対応するプログラムを動作させるようになっている。
ファイル情報としては、例えば、「ファイル」名称入力セル５１５と、レシピの「ステップＮｏ．」を表示する「ステップＮｏ．」表示セル５１６とが表示される。
この場合、「ファイル」名称入力セル５１５は、この画面のテーブル名称を入力するためのセルであり、「ステップＮｏ．」表示セル５１６は、レシピのステップ数に対応するステップ番号を入力するためのセルである。入力には、同じ画面に表示する文字入力システムを操作する文字／数字／記号テーブル（いずれも図示せず）を用いるが、前記操作部３２１ａに接続するキーボードを用いるようにしてもよい。
また、「バルブ設定」ボタン５１７を押下すると、図７に示すバルブ設定画面が表示される。
図７に示すように、バルブ設定画面上には、複数のボタンが表示される。
ボタンの上方側には、文字／記号表示が表示される。文字／記号表示の文字や記号は、図３で説明した各開閉弁の符号と対応している。
ボタン上のＯＰＥＮ、ＣＬＯＳＥの文字は、それぞれバルブの開閉を表している。
これらのボタンは押下するとＯＰＥＮ、ＣＬＯＳＥの文字が実線表示から破線表示に切り替えられ、もう一度押下すると破線表示から実線表示に切り替えられる。
ボタンの上方側には、文字／記号表示が表示される。文字／記号表示の文字や記号は、図３で説明した各開閉弁の符号と対応している。
ボタン上のＯＰＥＮ、ＣＬＯＳＥの文字は、それぞれバルブの開閉を表している。
これらのボタンは押下するとＯＰＥＮ、ＣＬＯＳＥの文字が実線表示から破線表示に切り替えられ、もう一度押下すると破線表示から実線表示に切り替えられる。
画面上の「６６：ＤＶ２」は前記開閉弁ＡＶ６６に、「６５：ＤＶ１」はＡＶ６５に、「５６：ＬＡ１」はＡＶ５６に対応する。
したがって、「６６：ＤＶ２」の表示の直ぐ下のボタンが押下されると、ボタン上のＣＬＯＳＥの文字が破線表示から実線表示となり、「６６：ＤＶ２」の開閉弁、すなわち、開閉弁ＡＶ６６が閉に設定される。
もう一度、同じ「６６：ＤＶ２」の表示の下のボタンが押下されると、今度は、ボタン上のＣＬＯＳＥの文字が実線表示から破線表示に切り替わって、「６６：ＤＶ２」の表示に対応する開閉弁ＡＶ６６（ＤＶ２）が開に設定される。なお、この場合に、同じ実線表示で文字がＯＰＥＮからＣＬＯＳＥに又はその逆に切り替わる表示形態としてもよい。
もう一度、同じ「６６：ＤＶ２」の表示の下のボタンが押下されると、今度は、ボタン上のＣＬＯＳＥの文字が実線表示から破線表示に切り替わって、「６６：ＤＶ２」の表示に対応する開閉弁ＡＶ６６（ＤＶ２）が開に設定される。なお、この場合に、同じ実線表示で文字がＯＰＥＮからＣＬＯＳＥに又はその逆に切り替わる表示形態としてもよい。
前記開閉弁ＡＶ５６（ＬＡ１）、ＡＶ６５（ＤＶ１）、ＡＶ６６（ＤＶ２）、ＡＶ６８についての開閉の設定を終了すると、この画面の下部の「ＳＥＴ」ボタン５１８を押下し、設定を確定する。
設定をキャンセルする場合は、画面上に表示された「ＣＡＮＣＥＬ（キャンセル）」ボタン５１９を押下する。
「ＳＥＴ」ボタン５１８を押下すると、設定が前記レシピに反映され、レシピを実行すると、この設定で開閉弁ＡＶ５６（ＬＡ１）、ＡＶ６５（ＤＶ１）、ＡＶ６６（ＤＶ２）、ＡＶ６８が開閉される。尚、本実施の形態では、前述した移載室１０２内を不活性ガスで循環させる場合の設定が実施される。
また、「ＳＥＴ」ボタン５１８を押下し、画面上の「戻る」ボタン（図示せず）を押下すると、画面は、元の操作画面に復帰する。
設定をキャンセルする場合は、画面上に表示された「ＣＡＮＣＥＬ（キャンセル）」ボタン５１９を押下する。
「ＳＥＴ」ボタン５１８を押下すると、設定が前記レシピに反映され、レシピを実行すると、この設定で開閉弁ＡＶ５６（ＬＡ１）、ＡＶ６５（ＤＶ１）、ＡＶ６６（ＤＶ２）、ＡＶ６８が開閉される。尚、本実施の形態では、前述した移載室１０２内を不活性ガスで循環させる場合の設定が実施される。
また、「ＳＥＴ」ボタン５１８を押下し、画面上の「戻る」ボタン（図示せず）を押下すると、画面は、元の操作画面に復帰する。
図５は開閉弁ＡＶ６５（ＤＶ１）、開閉弁ＡＶ６６（ＤＶ２）、開閉弁ＡＶ５６（ＬＡ１）の開閉及び酸素濃度センサの検出値の有効・無効を設定するための設定画面を操作画面に表示する表示例を示す。
具体的には、図３（Ａ）のＮ２パージモードと図３（Ｂ）の１パスモードとの切替設定を行う画面である。設定は、前記したように、図７に示したバルブ設定画面を用いて設定してもよい。又、画面ファイルは設定テーブルとして図５（Ａ）、（Ｂ）が、ハードディスク３０６に格納されもよい。
具体的には、図３（Ａ）のＮ２パージモードと図３（Ｂ）の１パスモードとの切替設定を行う画面である。設定は、前記したように、図７に示したバルブ設定画面を用いて設定してもよい。又、画面ファイルは設定テーブルとして図５（Ａ）、（Ｂ）が、ハードディスク３０６に格納されもよい。
図５に示すように、設定は、アンロード、ロードにより区分される。
ここで、ロード、アンロードは、ウエハ２００を保持したボート２１７のロード、アンロードを意味している。
ここで、ロード、アンロードは、ウエハ２００を保持したボート２１７のロード、アンロードを意味している。
図５（Ａ）のように１ＰＡＳＳ Ｓ／Ｗ（スイッチ）がＯＮの場合、吸気ダクト３００の開閉弁ＡＶ６５（ＤＶ１）が開、パージガス導入管３０２ａの開閉弁ＡＶ５６（ＬＡ１）が開、排気ダクト３１２の開閉弁ＡＶ６６（ＤＶ２）が開に設定される。
このため、アンロードの際は、パージガス導入管３０２ａから移載室１０２に導入される不活性ガス、例えば、窒素ガス及び吸気管３０３からの大気によって有機物がウエハ２００に付着する前に全て排気されるので、ウエハ２００表面への有機物の付着が防止される。
また、この場合に、移載室１０２の酸素濃度が大気導入によって酸素濃度の監視値より
も上昇し所定時間を経過してしまうが、図５に示すように、酸素濃度センサＯＶ１による監視が無効とされるので、このような問題も発生しない。
このため、アンロードの際は、パージガス導入管３０２ａから移載室１０２に導入される不活性ガス、例えば、窒素ガス及び吸気管３０３からの大気によって有機物がウエハ２００に付着する前に全て排気されるので、ウエハ２００表面への有機物の付着が防止される。
また、この場合に、移載室１０２の酸素濃度が大気導入によって酸素濃度の監視値より
も上昇し所定時間を経過してしまうが、図５に示すように、酸素濃度センサＯＶ１による監視が無効とされるので、このような問題も発生しない。
また、１ＰＡＳＳ Ｓ／Ｗ機能で動作させると、ウエハ２００への有機物の付着が防止され、その後の成膜処理における成膜の結合格子の局部的なひずみ、面内膜厚の不均一さが防止されるので、ウエハ２００のクリーニングを実施する必要がない。
基板処理（例えば、酸化処理）後、ウエハ２００は別の処理装置にて成膜処理が施され、被処理面上に、例えば、Ｓｉ３Ｎ４が成膜される。
ここで、１ＰＡＳＳ Ｓ／ＷがＯＮとなる条件に、処理室２０２の配線から有機物が発生する処理温度を入れると、それ以下の処理温度では、１ＰＡＳＳ Ｓ／ＷがＯＦＦとなるので、不活性ガスの消費量を低減することができる。
なお、１ＰＡＳＳ Ｓ／Ｗ（スイッチ）がＯＮの場合は、パージガス導入管３０２ａより供給される不活性ガスの流量は、好ましくは、８００ＳＬＭ以上に設定される。
基板処理（例えば、酸化処理）後、ウエハ２００は別の処理装置にて成膜処理が施され、被処理面上に、例えば、Ｓｉ３Ｎ４が成膜される。
ここで、１ＰＡＳＳ Ｓ／ＷがＯＮとなる条件に、処理室２０２の配線から有機物が発生する処理温度を入れると、それ以下の処理温度では、１ＰＡＳＳ Ｓ／ＷがＯＦＦとなるので、不活性ガスの消費量を低減することができる。
なお、１ＰＡＳＳ Ｓ／Ｗ（スイッチ）がＯＮの場合は、パージガス導入管３０２ａより供給される不活性ガスの流量は、好ましくは、８００ＳＬＭ以上に設定される。
一方、１ＰＡＳＳ Ｓ／Ｗ（スイッチ）がＯＦＦの場合は、吸気管３０３の開閉弁ＡＶ６５（ＤＶ１）が閉、パージガス導入管３０２ａの開閉弁ＡＶ５６（ＬＡ１）が開、排気ダクト３１２の開閉弁ＡＶ６６（ＤＶ２）が閉に設定される。また、酸素濃度センサＯＶ１の検出値は有効とされる。
このため、ロードの際は、移載室雰囲気は、酸素濃度センサＯＶ１の検出値と、移載室１０２の酸素濃度の監視値とに基づいて不活性ガスの導入によるパージが実施され、排気ダクト３１２のバイパスラインから、適宜、移載室雰囲気が排出される。
また、ロードの際は、移載室１０２で有機物が生成されることがないので、このようにすると、適宜流量の不活性ガスによって、移載室１０２の酸素濃度が監視値、例えば、２０ｐｐｍ以下に保持される。
なお、この場合に、不活性ガスの流量は４００〜８００ＳＬＭ未満の範囲内で決定される。
また、移載室１０２の酸素濃度が監視値に合致すると、吸気管３０３の開閉弁ＡＶ６５（ＤＶ１）が閉、吸気ダクト３００の開閉弁ＡＶ６８が開とされ、クリーンユニット１３４の供給ファンによる移載室内の循環が実行されるものとする。
このため、ロードの際は、移載室雰囲気は、酸素濃度センサＯＶ１の検出値と、移載室１０２の酸素濃度の監視値とに基づいて不活性ガスの導入によるパージが実施され、排気ダクト３１２のバイパスラインから、適宜、移載室雰囲気が排出される。
また、ロードの際は、移載室１０２で有機物が生成されることがないので、このようにすると、適宜流量の不活性ガスによって、移載室１０２の酸素濃度が監視値、例えば、２０ｐｐｍ以下に保持される。
なお、この場合に、不活性ガスの流量は４００〜８００ＳＬＭ未満の範囲内で決定される。
また、移載室１０２の酸素濃度が監視値に合致すると、吸気管３０３の開閉弁ＡＶ６５（ＤＶ１）が閉、吸気ダクト３００の開閉弁ＡＶ６８が開とされ、クリーンユニット１３４の供給ファンによる移載室内の循環が実行されるものとする。
このように、開閉弁ＡＶ６５（ＤＶ１）、ＡＶ６６（ＤＶ２）、ＡＶ５６（ＬＡ１）、開閉弁ＡＶ６８の開閉の設定をし、パージレシピを実行すると、基板処理の際に発生する有機物が全て排気されるので、従来のように、ウエハ２００表面への有機物の付着が防止され、その後の成膜処理の際の結晶格子の歪や面内膜厚不均一さの発生が防止される。また、ウエハ２００に付着した有機物のクリーニング工程を省略することができるので、生産性が向上する。
また、図５のように開閉弁を設定する手段を設けることで、装置に汎用性を持たせることができる。また１ＰＡＳＳ Ｓ／ＷをＯＮ／ＯＦＦするボタンを操作画面上に設け、プロセスレシピ実行中に押下して、１ＰＡＳＳ Ｓ／Ｗ機能に切り替えるようにしてもよい。その結果、アンロード時のみ１ＰＡＳＳ Ｓ／Ｗ機能に切り替えることができるので、膜種に応じて運用が効率よく行える。当然、１ＰＡＳＳ Ｓ／Ｗ機能の解除もできるのはいうまでもない。
また、図５のように開閉弁を設定する手段を設けることで、装置に汎用性を持たせることができる。また１ＰＡＳＳ Ｓ／ＷをＯＮ／ＯＦＦするボタンを操作画面上に設け、プロセスレシピ実行中に押下して、１ＰＡＳＳ Ｓ／Ｗ機能に切り替えるようにしてもよい。その結果、アンロード時のみ１ＰＡＳＳ Ｓ／Ｗ機能に切り替えることができるので、膜種に応じて運用が効率よく行える。当然、１ＰＡＳＳ Ｓ／Ｗ機能の解除もできるのはいうまでもない。
次に、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明する。
本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、基板を基板保持具としての前記ボート２１７に装填（チャージ）又は処理室２０２の基板支持具に支持する工程と、前記処理室２０２内にて所定の温度、圧力を一定に維持した状態で、所定の処理ガスを供給し、ウエハ２００を処理する工程と、処理後のウエハ２００を前記処理室２０２から搬出する工程とをこの順に実施する。そして、処理後のウエハ２００を搬出する工程、すなわち
、ウエハ２００又はボート２１７のアンロードの工程では、前記移載室１０２の雰囲気、すなわち、不活性ガスを含むクリーンエア１３３を一方向に排気させ（１ ＰＡＳＳ）、ウエハ２００への有機物の付着を防止する。
この後は、別の処理装置にて基板処理（例えば、成膜処理）を実施する。
このような方法を実施すると、アンロードの際に発生する有機物が全て排気され、ウエハ２００に対する有機物の付着が防止される。したがって、基板処理後、成膜を実施するに、成膜の結晶格子の局部的な歪の発生や面内膜厚が不均一になることが防止される。
、ウエハ２００又はボート２１７のアンロードの工程では、前記移載室１０２の雰囲気、すなわち、不活性ガスを含むクリーンエア１３３を一方向に排気させ（１ ＰＡＳＳ）、ウエハ２００への有機物の付着を防止する。
この後は、別の処理装置にて基板処理（例えば、成膜処理）を実施する。
このような方法を実施すると、アンロードの際に発生する有機物が全て排気され、ウエハ２００に対する有機物の付着が防止される。したがって、基板処理後、成膜を実施するに、成膜の結晶格子の局部的な歪の発生や面内膜厚が不均一になることが防止される。
なお、本実施の形態では、１ＰＡＳＳ Ｓ／Ｗ（スイッチ）のＯＮ、ＯＦＦに基づいて開閉弁ＡＶ６５（ＤＶ１）、ＡＶ６６（ＤＶ２）、ＡＶ５６（ＬＡ１）の開閉を設定する説明をしたが、図５に基づいてアンロード時に参照する１ＰＡＳＳ Ｓ／Ｗ（スイッチ）のＯＮのパージレシピと、ロード時に参照する１ＰＡＳＳ Ｓ／Ｗ（スイッチ）のＯＦＦのパージレシピを作成しておき、プロセスレシピのロード、アンロードの際に、それぞれこれらのレシピを実行させて、各開閉弁ＡＶ６５（ＤＶ１）、ＡＶ６６（ＤＶ２）、ＡＶ５６（ＬＡ１）の開閉を、前記したように制御することにより、ウエハ２００への有機物の付着を防止させるようにしてもよい。又、上記作成したパージレシピをプロセスレシピに組み込んでも構わない。
また、同様に、操作画面上に１ＰＡＳＳ Ｓ／Ｗ（スイッチ）のＯＮ／ＯＦＦボタンを設け、該操作画面上のボタン操作により、１ＰＡＳＳ Ｓ／Ｗ（スイッチ）のＯＮのパージレシピと、ロード時に参照する１ＰＡＳＳ Ｓ／Ｗ（スイッチ）のＯＦＦのパージレシピを選択できるようにし、アンロードの際は、１ＰＡＳＳ Ｓ／Ｗ（スイッチ）をＯＮ、ロード時には、１ＰＡＳＳ Ｓ／Ｗ（スイッチ）をＯＦＦとして、マニュアル操作により、有機物によるウエハ２００の汚染を防止するようにしてもよい。
次に、図１及び図２を参照して本実施形態に係る処理装置の動作について説明する。
ＡＧＶ、ＯＨＴを含めた工程内搬送台車により、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。
搬入されたポッド１１０は回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接、ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。
この際、ポッド１１０のウエハ出し入れ口はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１０２には、後述するレシピの実行によって、クリーンエアとして不活性ガスが１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１０２にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満されることにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
搬入されたポッド１１０は回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接、ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。
この際、ポッド１１０のウエハ出し入れ口はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１０２には、後述するレシピの実行によって、クリーンエアとして不活性ガスが１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１０２にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満されることにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
載置台１２２に載置されたポッド１１０はその開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ポッド１１０ウエハ出し入れ口が開放されている。
ポッド１１０がポッドオープナ１２１によって開放されると、ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置にてウエハ２００を整合した後、移載室１０２の後方にある待機部１２６へ搬入され、ボート２１７に装填（チャージ）される。ウエハ移載装置１２５ａはボート２１７にウエハ２００を受け渡した後は、ポッド１１０に戻って次
のウエハ２００がボート２１７に装填される。
ポッド１１０がポッドオープナ１２１によって開放されると、ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置にてウエハ２００を整合した後、移載室１０２の後方にある待機部１２６へ搬入され、ボート２１７に装填（チャージ）される。ウエハ移載装置１２５ａはボート２１７にウエハ２００を受け渡した後は、ポッド１１０に戻って次
のウエハ２００がボート２１７に装填される。
一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載機構１２５によるウエハ２００のボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１には回転式ポッド棚１０５から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた反応炉２０１の炉口が、炉口シャッタ１４７の開放動作によって、開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７はシールキャップ１２９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、処理室２０２内に搬入（ローディング）されて行く。
ローディング後は、レシピの設定値に従ったヒータの加熱と、減圧排気装置としての真空ポンプ（図示せず）の処理室内雰囲気の排気とによって、基板処理に適した温度、圧力に保持される。その後、処理室２０２に処理ガスが供給される。
処理ガスが酸化ガスの場合は、ウエハ２００の表面との反応により、ウエハ２００の被処理面に酸化膜が形成される。処理ガスが成膜ガスの場合は、熱ＣＶＤ反応によりウエハ２００の被処理面に成膜が形成される。
処理を終了すると、ボートエレベータ１１５の下降により、ボート２１７のアンロードが実施される。
この際、レシピにより、１ＰＡＳＳ Ｓ／Ｗ（スイッチ）がＯＮとなり、吸気管３０３の開閉弁ＡＶ６５（ＤＶ１）、パージガス導入管３０２ａの開閉弁ＡＶ５６（ＬＡ１）が開、排気ダクト３１２の開閉弁ＡＶ６６（ＤＶ２）が開とされ、パージガス導入管３０２ａから移載室１０２に導入される不活性ガス（例えば、窒素ガス）及び吸気管３０３からの大気によって、有機物がウエハ２００に付着する前に全て排気される。これにより、ウエハ２００の表面への有機物の付着が防止される。
処理後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウエハ２００の整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ２００及びポッド１１０が筐体１１１の外部へと払い出される。
本願発明における別の実施形態について説明する。本願発明における移載室が密閉性を有しない待機室の場合でも同様に１Ｐａｓｓ機能を用いると、基板の有機汚染の低減を図ることができる。図８に、そのときの設定画面例を示す。この場合、本実施形態における待機室では、酸素が存在しても（自然酸化膜が付着しても）Ｎ２パージが不要なので、アンロード時だけでなくロード時にも１Ｐａｓｓ機能を実施することができる。
処理ガスが酸化ガスの場合は、ウエハ２００の表面との反応により、ウエハ２００の被処理面に酸化膜が形成される。処理ガスが成膜ガスの場合は、熱ＣＶＤ反応によりウエハ２００の被処理面に成膜が形成される。
処理を終了すると、ボートエレベータ１１５の下降により、ボート２１７のアンロードが実施される。
この際、レシピにより、１ＰＡＳＳ Ｓ／Ｗ（スイッチ）がＯＮとなり、吸気管３０３の開閉弁ＡＶ６５（ＤＶ１）、パージガス導入管３０２ａの開閉弁ＡＶ５６（ＬＡ１）が開、排気ダクト３１２の開閉弁ＡＶ６６（ＤＶ２）が開とされ、パージガス導入管３０２ａから移載室１０２に導入される不活性ガス（例えば、窒素ガス）及び吸気管３０３からの大気によって、有機物がウエハ２００に付着する前に全て排気される。これにより、ウエハ２００の表面への有機物の付着が防止される。
処理後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウエハ２００の整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ２００及びポッド１１０が筐体１１１の外部へと払い出される。
本願発明における別の実施形態について説明する。本願発明における移載室が密閉性を有しない待機室の場合でも同様に１Ｐａｓｓ機能を用いると、基板の有機汚染の低減を図ることができる。図８に、そのときの設定画面例を示す。この場合、本実施形態における待機室では、酸素が存在しても（自然酸化膜が付着しても）Ｎ２パージが不要なので、アンロード時だけでなくロード時にも１Ｐａｓｓ機能を実施することができる。
以下、本発明に係る好ましい実施の態様を付記する。
＜実施の態様１＞
基板の処理を行う処理室に連接される移載室を不活性ガスでパージするように制御する制御手段を備えた基板処理装置において、前記制御手段は、前記移載室に不活性ガスを循環させる機能と、前記移載室内の不活性ガスを一方向に排気させる機能を有する基板処理装置。
＜実施の態様２＞
前記移載室をパージする複数のレシピを有し、前記各機能は前記レシピを選択させることにより、実行される基板処理装置。
＜実施の態様３＞
前記不活性ガスを一方向に排気させる機能と不活性ガスを循環させる機能の実施を操作画面により切り替えられる基板処理装置。
＜実施の態様４＞
前記移載室を不活性ガスでパージするレシピの実行中に、操作画面上の切替手段を押下
するようにした基板処理装置。
＜実施の態様５＞
基板を基板保持具に装填する工程と、前記基板保持具を炉内に挿入する工程と、前記炉内にて基板を処理する工程と、処理後の基板を炉内から搬出する工程と、を有し、前記基板を炉内から搬出する工程では、前記移載室内の不活性ガスを一方向に排気させ、前記基板保持具を炉内に挿入する工程では、前記移載室内の不活性ガスを循環させる基板処理装置。
＜実施の態様６＞
基板を炉内に挿入し基板保持具に支持する工程と、前記炉内にて基板を処理する工程と、処理後の基板を炉内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記基板を炉内から搬出する工程では、前記移載室内の不活性ガスを一方向に排気させ、前記基板保持具を炉内に挿入する工程では、前記移載室内の不活性ガスを循環させる半導体装置の製造方法。
＜実施の態様１＞
基板の処理を行う処理室に連接される移載室を不活性ガスでパージするように制御する制御手段を備えた基板処理装置において、前記制御手段は、前記移載室に不活性ガスを循環させる機能と、前記移載室内の不活性ガスを一方向に排気させる機能を有する基板処理装置。
＜実施の態様２＞
前記移載室をパージする複数のレシピを有し、前記各機能は前記レシピを選択させることにより、実行される基板処理装置。
＜実施の態様３＞
前記不活性ガスを一方向に排気させる機能と不活性ガスを循環させる機能の実施を操作画面により切り替えられる基板処理装置。
＜実施の態様４＞
前記移載室を不活性ガスでパージするレシピの実行中に、操作画面上の切替手段を押下
するようにした基板処理装置。
＜実施の態様５＞
基板を基板保持具に装填する工程と、前記基板保持具を炉内に挿入する工程と、前記炉内にて基板を処理する工程と、処理後の基板を炉内から搬出する工程と、を有し、前記基板を炉内から搬出する工程では、前記移載室内の不活性ガスを一方向に排気させ、前記基板保持具を炉内に挿入する工程では、前記移載室内の不活性ガスを循環させる基板処理装置。
＜実施の態様６＞
基板を炉内に挿入し基板保持具に支持する工程と、前記炉内にて基板を処理する工程と、処理後の基板を炉内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記基板を炉内から搬出する工程では、前記移載室内の不活性ガスを一方向に排気させ、前記基板保持具を炉内に挿入する工程では、前記移載室内の不活性ガスを循環させる半導体装置の製造方法。
なお、本実施形態の説明において、本発明を縦型の処理装置に適用する説明をしたが、横型の処理装置にも適用が可能であり、枚葉装置に適用することも可能である。
さらに、本発明に係る処理装置は、ＣＶＤ、酸化、アニール等の基板の処理に適用できるし、処理対象とする基板も水晶、液晶、半導体等の種々の基板を対象とする。
また、前記排気ダクト３１２とは別の不活性ガス導入管を前記各ポッド１１０に接続し、これらに開閉弁を設けて各ポッド１１０内の雰囲気を不活性ガスに置換することによって、各ポッド１１０内の基板の自然酸化を防止するようにしてもよい。
さらに、開閉弁、マスフローコントローラ及びパージガス導入管を備えるパージ系は、流量の確保や応答性の向上のため、必要に応じて二系統以上設けるようにしてもよい。
このように本発明は種々の改変が可能であり、本発明がこの改変された発明に及ぶことは当然である。
１０２ 移載室
１３４ クリーンユニット
２００ ウエハ（基板）
２０２ 処理室
２１７ ボート
３００ ダクト
３０２ａ パージガス導入管
３０３ 吸気管
３２１ 装置コントローラ（制御手段）
４００ 循環ライン
ＡＶ５６ 開閉弁
ＡＶ６５ 開閉弁
ＡＶ６６ 開閉弁
ＡＶ６８ 開閉弁
１３４ クリーンユニット
２００ ウエハ（基板）
２０２ 処理室
２１７ ボート
３００ ダクト
３０２ａ パージガス導入管
３０３ 吸気管
３２１ 装置コントローラ（制御手段）
４００ 循環ライン
ＡＶ５６ 開閉弁
ＡＶ６５ 開閉弁
ＡＶ６６ 開閉弁
ＡＶ６８ 開閉弁
Claims (1)
- 基板の処理を行う処理室に連接される移載室をガスでパージするように制御する制御手段を備えた基板処理装置であって、
前記制御手段は、前記移載室内のガスの流れを一方向に排気させる機能と、前記移載室内に不活性雰囲気でガスを循環させる機能と、を切替える切替手段を有し、
前記移載室は、清浄化された大気若しくは不活性ガスであるクリーンエアを供給する吸気ダクトと、前記処理室から処理室内雰囲気及び処理済ガスを排気するガス排気管及び酸素濃度計が設けられた排気ダクトと、前記吸気ダクト内に挿入されたパージガス導入管と、を含み、
前記切替手段は、操作画面上で、前記吸気ダクトのバルブ開閉と、前記排気ダクトのバルブ開閉と、前記パージガス導入管のバルブ開閉と、前記酸素濃度計の有効或いは無効とを設定し、前記基板を処理するプロセスレシピのロード或いはアンロード時に、前記移載室内のガスの流れを一方向に排気させる機能と前記移載室内に不活性雰囲気でガスを循環させる機能とを選択するように構成されている基板処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008111680A JP4684310B2 (ja) | 2007-08-14 | 2008-04-22 | 基板処理装置 |
| KR1020080077321A KR101051027B1 (ko) | 2007-08-14 | 2008-08-07 | 기판 처리 장치 |
| US12/222,653 US8443484B2 (en) | 2007-08-14 | 2008-08-13 | Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007211497 | 2007-08-14 | ||
| JP2008111680A JP4684310B2 (ja) | 2007-08-14 | 2008-04-22 | 基板処理装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009275907A Division JP5334261B2 (ja) | 2007-08-14 | 2009-12-03 | 基板処理装置、基板処理装置における表示方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009065113A JP2009065113A (ja) | 2009-03-26 |
| JP4684310B2 true JP4684310B2 (ja) | 2011-05-18 |
Family
ID=40559394
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008111680A Active JP4684310B2 (ja) | 2007-08-14 | 2008-04-22 | 基板処理装置 |
| JP2009275907A Active JP5334261B2 (ja) | 2007-08-14 | 2009-12-03 | 基板処理装置、基板処理装置における表示方法及び半導体装置の製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009275907A Active JP5334261B2 (ja) | 2007-08-14 | 2009-12-03 | 基板処理装置、基板処理装置における表示方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP4684310B2 (ja) |
| KR (1) | KR101051027B1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5796972B2 (ja) * | 2010-06-14 | 2015-10-21 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
| JP6027837B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2016-11-16 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| KR101740613B1 (ko) | 2012-09-27 | 2017-05-26 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| TWI534929B (zh) * | 2012-10-23 | 2016-05-21 | 日立國際電氣股份有限公司 | 基板處理設備、清除設備、製造半導體裝置的方法及記錄媒體 |
| JP6024980B2 (ja) * | 2012-10-31 | 2016-11-16 | Tdk株式会社 | ロードポートユニット及びｅｆｅｍシステム |
| KR101418733B1 (ko) * | 2012-10-31 | 2014-08-13 | 크린팩토메이션 주식회사 | 반도체 웨이퍼 제조 시스템에서 에스티비에 불활성 가스를 공급하는 방법 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 제조 시스템 |
| WO2015005192A1 (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-15 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、ガスパージ方法、半導体装置の製造方法、及び異常処理プログラムが格納された記録媒体 |
| CN109560010B (zh) | 2017-09-26 | 2022-12-16 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质 |
| JP6876020B2 (ja) | 2018-07-27 | 2021-05-26 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置および半導体装置の製造方法並びにプログラム |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2007095879A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3330166B2 (ja) * | 1992-12-04 | 2002-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JPH06338468A (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Kokusai Electric Co Ltd | 流体フローパターンパネル |
| JPH0729962A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-01-31 | Tokyo Electron Ltd | 真空排気方法及び装置 |
| JP3402713B2 (ja) * | 1993-12-10 | 2003-05-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JPH07230959A (ja) * | 1994-02-17 | 1995-08-29 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体近傍空間の気流の制御方法及び減圧装置 |
| JP4679720B2 (ja) * | 2000-12-22 | 2011-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP2004119888A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
-
2008
- 2008-04-22 JP JP2008111680A patent/JP4684310B2/ja active Active
- 2008-08-07 KR KR1020080077321A patent/KR101051027B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-12-03 JP JP2009275907A patent/JP5334261B2/ja active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043398A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
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| JP2007095879A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5334261B2 (ja) | 2013-11-06 |
| JP2009065113A (ja) | 2009-03-26 |
| KR101051027B1 (ko) | 2011-07-21 |
| KR20090017421A (ko) | 2009-02-18 |
| JP2010103545A (ja) | 2010-05-06 |
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| JP2010183068A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090930 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091006 |
|
| A521 | Written amendment |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110120 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110208 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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