JPH0729962A - 真空排気方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 ［目的］搬送室等のチャンバから有害なガスを効果的に
排除する。 ［構成］搬送室１２は、プロセスチャンバ１０とカセッ
トチャンバ１４の間に設置され、ゲートバルブ１６，１
８を介して両チャンバ１４，１０と連結される。真空排
気装置は、搬送室１２の中から気体を非選択的に室外へ
排気する第１の排気部２２と、搬送室１２内に所望の調
圧ガスを供給する調圧ガス供給部３０と、該調圧ガスの
凝固点よりも高い温度で搬送室１２内の気体分子を選択
的に凝結排気する第２の排気部４０と、第１および第２
の排気部２２，４０ならびに調圧ガス供給部３０の動作
を制御する制御部４６とから構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、搬送室等のチャンバを
真空排気する方法および装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ＣＶＤ装置、ドライエッチング
装置、スパッタ装置等の半導体製造装置では、プロセス
チャンバ内部で真空を破壊することなくプロセスを継続
できるようにするため、プロセスチャンバにゲートバル
ブを介してウエハ搬送室を連結している。ウエハ搬送室
の室内には搬送アームが設けられ、減圧状態の下でこの
搬送アームがカセットチャンバとプロセスチャンバとの
間で半導体ウエハを搬送する。ウエハ搬送室内を真空排
気する従来の方法は、専らターボ分子ポンプやクライオ
ポンプ等の真空ポンプを用いて室内を真空引きする方法
であった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記のように真空ポン
プによってウエハ搬送室内を真空引きしても、室内には
Ｈ2 ＯやＯ2 等の大気中分子が残留しやすく、それらの
Ｈ2 Ｏ分子やＯ2 分子によってウエハ表面が酸化される
おそれがある。また、プロセスチャンバからウエハ搬送
室に入ってきた未反応ガス、反応生成物等のプロセスガ
スが搬送室内に残留していると、搬送アームが腐食する
おそれもある。

【０００４】そこで従来は、ウエハ搬送室からそれらの
有害なガスを排除するために、真空ポンプの排気能力を
高める工夫を行っていた。しかし、この方法によると、
真空排気設備のコストが上がる割には、有害ガスの排気
効率はそれほど上がらない。さらに、プロセスチャンバ
以上にウエハ搬送室を減圧することができないという制
限もある。つまり、搬送室の真空度がプロセスチャンバ
の真空度を超えたならば、プロセスチャンバから多量の
プロセスガスが搬送室へ流入し、流入したプロセスガス
がそこから他のプロセスチャンバへ入ったりカセットチ
ャンバ等を通って装置外部へ流出したときは、クロスコ
ンタミネーションや環境破壊を招くおそれがある。した
がって、たとえばプロセスチャンバの真空度が１×１０
^-5Ｔｏｒｒ程度の場合、搬送室の真空度は１×１０^-4Ｔ
ｏｒｒ程度が限度で、これ以上高くすることはできな
い。

【０００５】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
もので、搬送室等のチャンバから有害なガスを効果的に
排除するようにした真空排気方法および装置を提供する
ことを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第１の真空排気方法は、被処理体を保管
もしくは移送し、または処理するための所定のチャンバ
の室内を真空に排気する方法において、前記チャンバ内
に所望のガスを供給しながら、前記チャンバの中から気
体を非選択的に外へ排気し、かつ前記所望のガスの凝固
点よりも高い温度で前記チャンバ内の気体分子を選択的
に凝結排気する方法とした。

【０００７】本発明の第２の真空排気方法は、被処理体
を保管もしくは移送し、または処理するための所定のチ
ャンバの室内を真空に排気する真空排気方法において、
前記チャンバの中から気体を非選択的に外へ排気して前
記チャンバの室内を所定の第１の圧力まで減圧してから
前記チャンバ内に所望のガスを供給し、前記チャンバの
室内が所定の第２の圧力に達したのち前記所望のガスの
凝固点よりも高い温度で前記チャンバ内の気体分子を選
択的に凝結排気する方法とした。

【０００８】本発明の第１の真空排気装置は、被処理体
を保管もしくは移送し、または処理するための所定のチ
ャンバの室内を真空に排気する真空排気装置において、
前記チャンバ内に所望のガスを供給するガス供給手段
と、前記チャンバの中から気体を非選択的に外へ排気す
る第１の排気手段と、前記チャンバ内で前記ガスの凝固
点よりも高い温度で気体分子を選択的に凝結排気する第
２の排気手段と、前記ガス供給手段、前記第１の排気手
段および前記第２の排気手段の動作を制御する制御手段
とを具備する構成とした。

【０００９】また、本発明の第２の真空排気装置は、被
処理体を保管もしくは移送し、または処理するための所
定の第１のチャンバの室内を真空に排気する真空排気装
置において、前記第１のチャンバの室内を第２のチャン
バの室内に接続するための開閉手段と、前記第１のチャ
ンバの室内に所望のガスを供給するガス供給手段と、前
記第１のチャンバの室内から気体を非選択的に室外へ排
気する第１の排気手段と、前記第１のチャンバの室内で
前記開閉手段に隣接した位置に設けられ、前記第１のチ
ャンバ内で前記ガスの凝固点よりも高い温度で気体分子
を選択的に凝結排気する第２の排気手段と、前記ガス供
給手段、前記第１の排気手段および前記第２の排気手段
の動作を制御し、前記第１のチャンバ内の圧力を所望の
値に制御する制御手段とを具備する構成とした。

【００１０】

【作用】最初に、第１の排気手段を作動させると、チャ
ンバ内に存在している全てのガスが非選択的に室外へ排
出され、チャンバ内は減圧状態になる。次に、第１の排
気手段を作動させたまま、ガス供給手段を作動させる
と、チャンバ内に所望のガスが供給されることによっ
て、チャンバ内でその所望のガスの分圧および絶対量が
増大し、他のガスつまり不所望なガスの分圧および絶対
量が減少する。次に、第１の排気手段およびガス供給手
段を作動させたまま、第２の排気手段を作動させると、
該所望のガスの凝固点よりも高い凝固点を有する気体分
子が凝結排気され、所望のガスの分圧および絶対量はさ
らに増大し、不所望のガスの分圧および絶対量はさらに
減少する。

【００１１】

【実施例】以下、添付図を参照して本発明の実施例を説
明する。図１は、本発明の一実施例による真空排気装置
を備えた半導体製造装置の構成を示す。この半導体製造
装置は、半導体製造工程における所定のプロセス（たと
えばＣＶＤ工程）を行うためのプロセスチャンバ１０
と、装置内で半導体ウエハＷの搬送を行うための搬送室
１２と、装置内にウエハカセットＣＲをロード／アンロ
ードするためのロードロック室またはカセットチャンバ
１４とを有する。搬送室１２は、プロセスチャンバ１０
とカセットチャンバ１４との間に設置され、ゲートバル
ブ１６，１８を介して両チャンバ１４，１０と連結され
る。

【００１２】搬送室１２内には、半導体ウエハＷを搬送
するための伸縮回転自在な搬送アーム２０が設けられて
いる。この搬送アーム２０は、ゲートバルブ１６，１８
を通ってカセットチャンバ１４およびプロセスチャンバ
１０にアクセスし、両チャンバ１４，１０の間で未処理
または処理済の半導体ウエハＷを搬送するように構成さ
れている。

【００１３】カセットチャンバ１４には、この半導体製
造装置でプロセスを受けるべき半導体ウエハＷをたとえ
ば２５枚収容したウエハカセットＣＲがロードされる。
カセットチャンバ１４にカセットＣＲがロードされる
と、カセット出入口１４ａが閉じる。次に、図示しない
カセットチャンバ排気系により所望の圧力までカセット
チャンバ１４の排気が行われ、次いでゲートバルブ１８
が開いてカセットチャンバ１４と搬送室１２とが連通す
る。一方、搬送室１２は、本実施例の真空排気装置によ
って予め大気圧から所定の真空度たとえば１×１０^-3Ｔ
ｏｒｒ程度まで真空排気されている。プロセスチャンバ
１０は、図示しない専用の真空ポンプによって所定の真
空度たとえば１×１０^-4Ｔｏｒｒ程度まで真空排気され
る。

【００１４】本実施例の真空排気装置は、搬送室１２の
中から気体を非選択的に室外へ排気する第１の排気部２
２と、搬送室１２内に所望の調圧ガスを供給する調圧ガ
ス供給部３０と、該調圧ガスの凝固点よりも高い温度で
搬送室１２内の気体分子を選択的に凝結排気する第２の
排気部４０と、第１および第２の排気部２２，４０なら
びに調圧ガス供給部３０の動作を制御する制御部４６と
を有している。

【００１５】第１の排気部２２は、一端（ガス吸入口）
が搬送室１２の底面より室内に臨んでいる排気管２４
と、この排気管２４の他端に接続された真空ポンプ２６
と、排気管２４に介設された開閉弁２８とから構成され
る。真空ポンプ２６は、たとえばターボ分子ポンプとロ
ータリポンプの組み合わせからなる。

【００１６】調圧ガス供給部３０は、一端（ガス吐出
口）が搬送室１２の天井面より室内に臨んでいるガス供
給管３２と、このガス供給管３２の他端に接続された調
圧ガス供給源３４と、ガス供給管３２に介設された流量
調整器（ＭＦＣ）３６および開閉弁３８とから構成され
る。

【００１７】第２の排気部４０は、搬送室１２の底部に
設置されたトラップ４２と、このトラップ４２に配管４
３を介して冷媒を循環供給する冷媒供給装置４４とから
構成される。トラップ４２は、熱交換を効率的に行うこ
とができるものであれば任意の形状・構造が可能であ
り、たとえばアルミニウム製のパイプまたはチューブを
ラジエータ型に構成したものでよく、パイプに放熱フィ
ンを取付したものでもよい。

【００１８】制御部４６は、第１の排気部２２における
真空ポンプ２６および開閉弁２８、調圧ガス供給部３０
における流量調整器３６および開閉弁３８、ならびに第
２の排気部４０における冷媒供給装置４４を制御するコ
ントローラ４８と、搬送室１２内の圧力を検出し、その
圧力値をコントローラ４８に与える圧力センサ５０とか
ら構成される。コントローラ４８は、マイクロコンピュ
ータなどからなり、上記の真空排気系の各部の制御の外
に搬送アーム２０およびゲートバルブ１６，１８等の制
御をも行い、プロセスチャンバ１０側のコントローラ
（図示せず）、外部のウエハカセット搬送装置（図示せ
ず）および入力装置（図示せず）等とも接続されてい
る。圧力センサ５０は、たとえば電離真空計からなり、
搬送室１２内の圧力を表す電気信号（圧力検知信号）を
出力する。

【００１９】図２は、搬送室１２の真空排気に関するコ
ントローラ４８の制御動作を示すフローチャートであ
る。このフローチャートにつき本実施例における真空排
気装置の動作を説明する。

【００２０】搬送室１２の真空排気が行われる前の初期
状態では、第１の排気部２２、調圧ガス供給部３０およ
び第２の排気部４０の各部が停止状態にある。したがっ
て、開閉弁２８，３８は閉じていて、トラップ４２に冷
媒は供給されておらず、ゲートバルブ１６，１８も閉じ
ている。コントローラ４８は、次のようにして搬送室１
２の真空排気を制御する。

【００２１】先ず、コントローラ４８は、第１の排気部
２２の真空ポンプ２６と開閉弁２８とをポンプの種類や
特性で定められた手順にしたがって作動させる（）。
これにより、密閉状態の搬送室１２内に入っている全て
のガス（主に大気ガス）が非選択的に排気管２４を通っ
て室外へ排出され、搬送室１２の室内は減圧状態にな
る。この真空引きによって、搬送室１２内のガスのう
ち、大気ガス中のＮ2 ガスは速やかに排気されるが、Ｈ
2 Ｏガス、Ｏ2 ガス、残留プロセスガス等は排出しにく
く、その多くが残存し、したがって搬送室１２内で占め
るＨ2 Ｏガス、Ｏ2ガスおよびプロセスガスの割合つま
り分圧比は増大する。

【００２２】第１の排気部２２によって搬送室１２内が
第１の設定圧力たとえば１×１０^-4Ｔｏｒｒまで減圧さ
れたなら、コントローラ４８は調圧ガス供給部３０の開
閉弁３８を開け、調圧ガス供給部３０を作動させる
（）。これにより、調圧ガス供給源３４からの調圧ガ
スたとえばＮ2 ガスがガス供給管３２を通って搬送室１
２に供給される（）。一方、第１の排気部２２による
排気も継続して行われる。このようにＮ2 ガスが供給さ
れると同時に真空引きが行われることによって、搬送室
１２内ではＮ2 ガスの分圧比および絶対量が増大すると
同時に、Ｏ2 ガス、Ｈ2 Ｏガスおよびプロセスガスの分
圧比が減少する。また、Ｎ2 ガスに巻き込まれるように
してＯ2 ガス、Ｈ2 Ｏガスおよびプロセスガスも効率的
に室外へ排気されるため、Ｏ2 ガス、Ｈ2 Ｏガスおよび
プロセスガスの絶対量も減少する。さらに、炭化水素等
のパーティクルもＮ2 ガスに巻き込まれるようにして室
外へ排出される。

【００２３】コントローラ４８は、搬送室１２内のガス
が粘性流で排気されるよう排気部２２もしくは調圧ガス
供給部３０の流量調整器３６を制御しながら、室内の圧
力を第２の設定圧力たとえば１×１０^-2Ｔｏｒｒに調節
する。その後、第２の排気部４０を作動させる（，
）。第１の排気部２２および調圧ガス供給部３０に対
しては、それぞれの動作を継続させる。

【００２４】第２の排気部４０においては、冷媒供給装
置４４より所定の冷媒たとえば液体Ｎ2 がトラップ４２
に循環供給され、トラップ４２の表面が液体Ｎ2 の温度
（−２１０〜−１８９゜Ｃ）付近に冷却される。これに
よって、搬送室１２内の気体分子のうち−１８９゜Ｃ以
上の凝固点を有する気体分子とりわけＨ2 Ｏ分子および
プロセスガス分子がトラップ４２で凝結（凍結ないし吸
着）排気される。しかし、凝固点が−２０９．８６゜Ｃ
のＮ2 分子はトラップ４２で凝結排気されることはな
い。また、凝固点が−２１８．４゜ＣのＯ2 分子もトラ
ップ４２では凝結排気されない。

【００２５】この結果、搬送室１２内では、Ｎ2 ガスの
分圧比が急激に増大する一方、Ｈ2Ｏガスおよびプロセ
スガスの分圧比は急激に減少し、Ｏ2 ガスの分圧比もＮ
2 ガスに対しては相対的に減少する。その後に、ウエハ
搬送動作に入る（）。ウエハ搬送動作では、ゲート１
６を開いて搬送アーム２０を作動させ、カセットチャン
バ１４より１枚の未処理の半導体ウエハＷをプロセスチ
ャンバ１０に移し、ゲート１６を閉じる。そして、プロ
セスチャンバ１０でプロセスが終了したなら、ゲート１
６を開いて搬送アーム２０を作動させ、プロセスチャン
バ１０より処理済の半導体ウエハＷをカセットチャンバ
１４に戻し、ゲート１６を閉じる。

【００２６】このようなウエハ搬送が行われる度毎に、
プロセスチャンバ１０よりゲート１６を通って僅かなが
らプロセスガスが圧力差に逆らって、あるいは搬送アー
ム２０に付着して搬送室１２内に入ってくる。しかし、
搬送室１２内に入ってきたプロセスガスは、Ｎ2 ガスに
巻き込まれるようにして室外へ排出されるか、トラップ
４２に捕捉されるため、搬送室１２内にガスとして残留
する量は少ない。

【００２７】このように、本実施例の真空排気装置にお
いては、調圧ガス供給部３０によって搬送室１２内に調
圧ガスを供給しながら、第１の排気部２２によって搬送
室１２内のガスを非選択的に室外へ排気し、かつ第２の
排気部２２によって該調圧ガスの凝固点よりも高い温度
で搬送室１２内の気体分子を選択的に凝結排気するの
で、１×１０^-3程度の減圧下で搬送室１２からＨ2 Ｏそ
の他の有害なガス（コンタミナントガス）を効率的に排
除することができる。したがって、真空ポンプ２６に高
い費用をかけることなく、残留水分による半導体ウエハ
Ｗの酸化、プロセスチャンバ１０からのプロセスガスの
逆流による搬送アーム２０の腐食およびプロセス・チャ
ンバ間のクロスコンタミネーション等を効果的に防止す
ることができる。

【００２８】ウエハカセットＣＲが処理済の半導体ウエ
ハＷで一杯になると、１カセット分のウエハ搬送動作が
終了し（）、コントローラ４８は第１および第２の排
気部２２，４０ならびに調圧ガス供給部３０の動作を停
止させ、リセット状態に戻る（）。その後、ウエハカ
セットＣＲは外部のカセット搬送装置（図示せず）によ
ってカセットチャンバ１４から搬出される。

【００２９】調圧ガス供給部３０より搬送室１２内に供
給される調圧ガスおよび第２の排気部４０において冷媒
供給装置４４よりトラップ４２に供給される冷媒はそれ
ぞれＮ2 ガスおよび液体Ｎ2 に限るものではなく、図３
および図５に示すような種々の調圧ガス、冷媒の組み合
わせが可能である。要は、トラップ４２に供給される冷
媒によっては凝結しない調圧ガスを選択すればよい。し
たがって、たとえば液体Ｎ2 を冷媒として用いる場合
は、Ｎ2 の冷却温度（約−２００゜Ｃ）では凝固しない
任意の調圧ガスが使用可能であり、Ｎ2 ガス以外にたと
えばＮe ガスやＨe ガスでも可能である。また、液体Ｎ
e を冷媒に用いる場合はＮe ガスやＨe ガス等が使用可
能であり、液体Ｈe を冷媒に用いる場合はＨe ガスを使
用すればよい。

【００３０】図６に示すように、水素、酸素以外の一般
のコンタミントガスは窒素（Ｎ2 ）の凝固点よりも高い
温度で凝結する。したがって、トラップ４２に供給され
る冷媒に液体Ｎ2 を使用し、搬送室１２に供給される調
圧ガスにＮ2 ガスを使用することで、大抵のコンタミナ
ントガスを効率的に排気することができる。また、冷媒
にＮｅ、Ｈｅを用いた場合は、凝固点が−２１８．４゜
ＣのＯ2 分子もトラップ４２で凝結排気されるので、よ
り一層高い排気効率が得られる。図４に、冷媒の例と各
冷媒使用時に可能な調圧ガスの例を示す。

【００３１】なお、図１では、搬送室１２とプロセスチ
ャンバ１０間のゲートバルブ１６とトラップ４２とを離
しているが、両者を近接させると、プロセスチャンバ１
０から搬送室１２内に混入するガスに対する第２の排気
部４０による凝結排気効果が一層高められる。つまり、
搬送室１２内の圧力は一般にプロセスチャンバ１０内の
圧力よりも高い値に設定され、反応ガスの逆流を軽減さ
せているが、皆無ではない。ゲートバルブ１６の近くに
トラップ４２が配置されることによって、Ｈ2Ｏガス、
プロセスガス等の不所望な気体分子はトラップ４２に衝
突する確率が上がるため、一層効果的にトラップ４２に
捕捉されて凝結排気される。

【００３２】図７に、この考え方を発展させた第２の実
施例の構成を示す。減圧容器５０の内部には処理室５２
と搬送室５４が設けられ、両室はゲートバルブ５６を介
して連通する。搬送室５４内には、ゲートバルブ５６に
隣接した位置に、ゲートバルブ５６を取り囲むような形
状たとえばたとえばトンネル状のトラップ面（凝結排気
面）を有する選択的排気手段５８が配置される。この選
択的排気手段５８のトラップ面の長さ（トンネル長）
は、任意の長さに選ばれてよいが、好ましくは搬送室５
４内の所望の圧力における気体の平均自由工程と同じま
たはそれ以上の長さに選ばれてよい。搬送室５４とカセ
ット室６０との間も同様に構成することができる。この
実施例における真空排気制御のシーケンスは次のように
なる。

【００３３】 先ず、ゲートバルブ５６を閉じた状態
で、搬送室５４を非選択的排気ポンプ（図示せず）によ
って十分に（たとえば１＋１０^-7Ｔｏｒｒまで）減圧す
る。

【００３４】 次に、選択的排気手段５８によって排
気されない気体たとえば窒素を搬送室５４に適量流し込
みながら、非選択的排気ポンプを用いて搬送室５４内部
を所望の圧力（最も圧力の低い粘性流域が好ましく、た
とえば１×１０^-2Ｔｏｒｒ）になるように調整しながら
排気する。

【００３５】 次に、搬送室５４内部の選択的排気手
段５８に液体窒素を供給して冷却する。

【００３６】 一方、処理室５２の内部を非選択的排
気ポンプによって搬送室５４内部の圧力よりも低くなる
ように排気する。

【００３７】 次に、被処理体（図示せず）の搬送の
ためにゲートバルブ５６を開ける。そうすると、処理室
５２内部の圧力が搬送室５４内部の圧力よりも低く設定
されてはいても、処理室５２内の処理ガスの残留成分は
搬送室５４に向かっても拡散する。しかし、搬送室５４
側に拡散した処理ガスの残留成分は、選択的排気手段５
８のトンネル内で大きな確率で窒素と衝突散乱し、選択
的排気手段５８に凝固吸着される。対称がカセット室６
０の場合は、カセット室６０経由で流れ込む水分や、ウ
ェハ・キャリヤから発生するガス等が選択的排気手段に
凝固吸着されることになる。

【００３８】 被処理体の搬送が終わったなら、ゲー
トバルブ５６を閉じる。

【００３９】なお、本発明は、半導体製造装置における
任意の搬送室の真空排気に適用することが可能であり、
さらにはイオン注入機の熱処理装置等の非化学的処理
（物理的処理、熱処理等）装置の処理室の真空排気にも
適用可能である。また、上記実施例では搬送室（チャン
バ）に調圧ガスを供給したが、任意の所望のガスを供給
することが可能である。また、被処理体としては半導体
ウエハに限らず、ＬＣＤ基板でもよく、酸化その他の変
質を嫌う任意の被処理体が可能である。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の真空排気
方法または装置によれば、チャンバに所望のガスを供給
しながら、チャンバ内の気体を非選択的に室外へ排気
し、かつ該所望のガスの凝固点よりも高い温度でチャン
バ内の気体分子を選択的に凝結排気するようにしたの
で、チャンバ内の真空度をそれほど高くせずにチャンバ
内の不所望なガスを効率的に排除することが可能であ
る。したがって、真空排気設備の大幅なコストアップを
招くことなく、被処理体の酸化その他の変質を効果的に
防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による真空排気装置を備えた
半導体製造装置の構成を示すブロック図である。

【図２】実施例におけるコントローラの制御動作を示す
フローチャートである。

【図３】実施例の真空排気方法で使用可能な主な冷媒の
凝固点を示す図である。

【図４】実施例の真空排気方法で使用可能な主な冷媒の
温度および各冷媒に対して使用可能な主な調圧ガスの種
類を示す表である。

【図５】実施例の真空排気方法で使用可能な主な調圧ガ
スの種類と各調圧ガスの凝固点を示す表である。

【図６】実施例の真空排気方法で凝結排気可能な主なコ
ンタミナントガスの種類と各ガスの凝固点を示す表であ
る。

【図７】第２の実施例による真空排気装置を備えた半導
体製造装置の構成を示すブロック図である。

【符号の説明】

１０ プロセスチャンバ １２ 搬送室 １４ カセットチャンバ ２０ 搬送アーム ２２ 第１の排気部 ３０ 調圧ガス供給部 ４０ 第２の排気部 ４６ 制御部 ５２ 処理室 ５４ 搬送室 ５６ ゲートバルブ ５８ 選択的排気手段

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理体を保管もしくは移送し、または
   処理するための所定のチャンバの室内を真空に排気する
   方法において、 前記チャンバ内に所望のガスを供給しながら、前記チャ
   ンバの中から気体を非選択的に外へ排気し、かつ前記所
   望のガスの凝固点よりも高い温度で前記チャンバ内の気
   体分子を選択的に凝結排気することを特徴とする真空排
   気方法。
2. 【請求項２】 被処理体を保管もしくは移送し、または
   処理するための所定のチャンバの室内を真空に排気する
   真空排気方法において、 前記チャンバの中から気体を非選択的に外へ排気して前
   記チャンバの室内を所定の第１の圧力まで減圧してから
   前記チャンバ内に所望のガスを供給し、前記チャンバの
   室内が所定の第２の圧力に達したのち前記所望のガスの
   凝固点よりも高い温度で前記チャンバ内の気体分子を選
   択的に凝結排気することを特徴とする真空排気方法。
3. 【請求項３】 被処理体を保管もしくは移送し、または
   処理するための所定のチャンバの室内を真空に排気する
   真空排気装置において、 前記チャンバ内に所望のガスを供給するガス供給手段
   と、 前記チャンバの中から気体を非選択的に外へ排気する第
   １の排気手段と、 前記チャンバ内で前記ガスの凝固点よりも高い温度で気
   体分子を選択的に凝結排気する第２の排気手段と、 前記ガス供給手段、前記第１の排気手段および前記第２
   の排気手段の動作を制御し、前記チャンバ内の圧力を所
   望の値に制御する制御手段と、を具備することを特徴と
   する真空排気装置。
4. 【請求項４】 被処理体を保管もしくは移送し、または
   処理するための所定の第１のチャンバの室内を真空に排
   気する真空排気装置において、 前記第１のチャンバの室内を第２のチャンバの室内に接
   続するための開閉手段と、 前記第１のチャンバの室内に所望のガスを供給するガス
   供給手段と、 前記第１のチャンバの室内から気体を非選択的に室外へ
   排気する第１の排気手段と、 前記第１のチャンバの室内で前記開閉手段に隣接した位
   置に設けられ、前記第１のチャンバ内で前記ガスの凝固
   点よりも高い温度で気体分子を選択的に凝結排気する第
   ２の排気手段と、 前記ガス供給手段、前記第１の排気手段および前記第２
   の排気手段の動作を制御し、前記第１のチャンバ内の圧
   力を所望の値に制御する制御手段と、を具備することを
   特徴とする真空排気装置。
5. 【請求項５】 前記第２の排気手段は、前記開閉手段の
   回りを取り囲むように形成された凝結排気面を有する請
   求項４に記載の真空排気装置。