JP4678039B2 - SiC基板 - Google Patents
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Description
度が遅いという問題がある。
。本発明によれば、直径4インチ以下のSiC基板の反りを±50μm以内にすることができる。このような反りの小さいSiC基板は従来の製造方法では得られなかった。
が存在する場合、機械的平面加工によって基板を研磨することにより、その加工変質層は、除去される。しかし、機械的平面加工により、基板の主面の表面近傍領域に常に加工歪が発生し、新たな加工変質層が形成される。その結果、機械的平面加工が施された基板の主面は常に加工変質層が存在する。上述したように、この加工変質層の厚さは、表面の最大面粗度Rmaxに依存する。機械的平面加工により研磨された面は、おおよそ10nm〜1μm程度の面粗度Raを有する。
いることができるが、CF4またはSF6を用いることがより好ましい。Fを含むガスに加えて、Ar、H2、O2、N2などの他のガスを混合して用いてもよい。
図4(a)に示すように、SiC基板1を用意する。図1および図2を参照して説明したように、SiC基板1は、SiCの塊体1からワイヤーソーなどによって切削加工されて切り出される。SiC基板1の第1の主面1aおよび第2の主面1bには切削加工による加工変質層3aおよび3bがそれぞれ形成されている。
、SiC基板1は第1の主面1aが凸状になるよう全体が反る。
れる材料で基板ホルダ20を構成することが好ましい。
第1の実施形態と同様、図6(a)に示すように、SiC基板1を用意する。SiC基板1の第1の主面1aおよび第2の主面1bには切削加工または機械的平坦加工による加工変質層3aおよび3bがそれぞれ形成されている。
第2の実施形態と同様の手順により、SiC基板1を用意し(図7(a))、加工変質
層3aおよび3bを反応性エッチングにより除去する。これにより、図7(b)に示すように、実質的に平坦で、加工変質層のないSiC基板1’を用意する。SiC基板1’の第1の主面1’aおよび第2の主面1’bは、切削可能により得られる程度の面粗度を有している。
第2の主面1’bが下定盤に接するようにSiC基板1’を保持し、第1の主面1’aおよび第2の主面1’bに対して、化学的機械研磨を同時に施す。これにより、凸状の第2の主面12bおよび凹状の第1の主面12aを有する。つまり、鏡面に仕上げられた第2の主面12bが凸状となるよう湾曲したSiC基板12が得られる。
第1の実施形態において図4(c)に示すように、鏡面に仕上げられた第2の主面11bを有するSiCの単結晶基板1に対して第1の主面1a側から反応性イオンエッチングにより加工変質層3aをエッチングしてゆき、そのエッチング量とSiC基板1の平面度との関係を調べた。
すると、平面度の改善はそれ以上見られなくなる。この実験例の場合、約2.5μm以上SiC基板をエッチングすることによって、加工改質層がほぼ完全に除去できることがわかる。
2 SiCの塊体
3a、3b 加工変質層
1a、4a、11a、12a 第1の主面
1b、4b、11b、12b 第2の主面
Claims (6)
- 実質的に平行な第1および第2の主面を有し、前記第2の主面のみが鏡面仕上げされており、反りが±50μm以下であるSiC基板であって、
前記第2の主面の表面粗度Raは1nm以下であり、
前記第1の主面の加工変質層が除去されている、SiC基板。 - 前記第1の主面の表面粗度は10nm以上1μm以下である請求項1に記載のSiC基板。
- 前記第1の主面は気相エッチングが施されている請求項1に記載のSiC基板。
- 前記気相エッチングはフッ素を含むガスを用いた反応性イオンエッチングである、請求項1に記載のSiC基板。
- 前記SiC基板は非晶質、多結晶または単結晶である請求項1から4のいずれかに記載のSiC基板。
- 前記SiC基板の直径は4インチ以下である請求項1から5のいずれかに記載のSiC基板。
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