JP4148105B2 - SiC基板の製造方法 - Google Patents
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Description
図4(a)に示すように、SiC基板1を用意する。図1および図2を参照して説明したように、SiC基板1は、SiCの塊体1からワイヤーソーなどによって切削加工されて切り出される。SiC基板1の第1の主面1aおよび第2の主面1bには切削加工による加工変質層3aおよび3bがそれぞれ形成されている。
第1の実施形態と同様、図6(a)に示すように、SiC基板1を用意する。SiC基板1の第1の主面1aおよび第2の主面1bには切削加工または機械的平坦加工による加工変質層3aおよび3bがそれぞれ形成されている。
第2の実施形態と同様の手順により、SiC基板1を用意し(図7(a))、加工変質層3aおよび3bを反応性エッチングにより除去する。これにより、図7(b)に示すように、実質的に平坦で、加工変質層のないSiC基板1’を用意する。SiC基板1’の第1の主面1’aおよび第2の主面1’bは、切削可能により得られる程度の面粗度を有している。
第1の実施形態において図4(c)に示すように、鏡面に仕上げられた第2の主面11bを有するSiCの単結晶基板1に対して第1の主面1a側から反応性イオンエッチングにより加工変質層3aをエッチングしてゆき、そのエッチング量とSiC基板1の平面度との関係を調べた。
2 SiCの塊体
3a、3b 加工変質層
1a、4a、11a、12a 第1の主面
1b、4b、11b、12b 第2の主面
Claims (11)
- 表面粗度Raが10nm以上1μm以下である第1の主面、および、表面粗度Raが1nm以下であり、素子が形成される側である第2の主面を有するSiC基板の製造方法であって、
第1の主面に機械的平面加工あるいは切削加工により生じた加工変質層を有し、前記第1の主面の表面粗度Raが10nm以上1μm以下であるSiC基板を用意する工程と、
前記表面粗度Raが10nm以上1μm以下である第1の主面に気相エッチングを施し、前記加工変質層の少なくとも一部を除去する工程と、
を包含するSiC基板の製造方法。 - 前記SiC基板を用意する工程は、前記第1の主面および前記第2の主面のそれぞれに前記機械的平面加工あるいは切削加工により生じた加工変質層を有し、前記第1および第2の主面の表面粗度Raがそれぞれ10nm以上1μm以下である前記SiC基板を用意し、
前記第2の主面の加工変質層を化学的機械研磨によって除去し、前記第2の主面を鏡面に仕上げる工程をさらに包含する請求項1に記載のSiC基板の製造方法。 - 前記SiC基板を用意する工程は、前記第1の主面および前記第2の主面のそれぞれに前記機械的平面加工あるいは切削加工により生じた加工変質層を有し、前記第1および第2の主面の表面粗度Raがそれぞれ10nm以上1μm以下である前記SiC基板を用意し、
前記第2の主面に気相エッチングを施し、前記第2の主面の加工変質層の少なくとも一部を除去する工程と、
前記第2の主面の加工変質層の少なくとも一部を除去する工程の後、前記第2の主面を鏡面研磨する工程と
をさらに包含する請求項1に記載のSiC基板の製造方法。 - 前記SiC基板を用意する工程の前に、前記SiCの塊体から前記SiC基板を切断する工程をさらに包含し、前記第1の主面および第2の主面は前記切断工程により形成されたものである請求項2または3に記載のSiC基板の製造方法。
- 前記除去する工程において、前記SiC基板の反りの変化を許容するように前記SiC基板を保持する請求項1から4のいずれかに記載のSiC基板の製造方法。
- 前記除去する工程の前後において、前記第1の主面の表面粗度が維持される請求項1から5のいずれかに記載のSiC基板の製造方法。
- 前記除去する工程において、前記気相エッチングを反応性イオンエッチング法により行う請求項1から6のいずれかに記載のSiC基板の製造方法。
- 前記反応性イオンエッチング法は、フッ素を含むガスを用いる請求項7に記載のSiC基板の製造方法。
- 前記フッ素を含むガスはCF4またはSF6である請求項8に記載のSiC基板の製造方法。
- 前記除去する工程において、前記加工変質層を0.5〜20μm/Hrの範囲のエッチング速度で除去する請求項1から9のいずれかに記載のSiC基板の製造方法。
- 前記SiC基板は非晶質、多結晶または単結晶である請求項1から10のいずれかに記載のSiC基板の製造方法。
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