JP4667406B2 - 太陽電池モジュール及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、太陽電池モジュール及びその製造方法に関する。特に、本発明は、信頼性を向上させた太陽電池モジュール及びその製造方法に関する。
太陽電池システムは、クリーンで無尽蔵に供給される太陽光を直接電気に変換する。従って、太陽電池システムは、新しいエネルギー源として期待されている。
ここで、太陽電池システムを構成する太陽電池では、1枚当りの出力が数W程度である。従って、家屋やビル等の電源として太陽電池システムを用いる場合には、太陽電池システムには、複数の太陽電池が電気的に直列又は並列に接続された太陽電池モジュールが用いられる。これによって、太陽電池システムの出力は、数100W程度まで高められる。
具体的には、図1に示すように、太陽電池モジュール100は、太陽電池101と、太陽電池101の光入射面側に設けられた光入射側支持部材102と、太陽電池101の裏面側に設けられた裏面側支持部材103と、光入射側支持部材102と裏面側支持部材103との間で太陽電池101を封止する封止材104とを有する。
このような太陽電池モジュール100において、封止材104の硬化を強めるために、封止材104に架橋剤を添加する技術が提案さている(例えば、特許文献1)。
特開平11−61055号公報
太陽電池モジュール100が太陽光を受光していない状態では、図1に示すように、太陽電池101の光入射面側における応力aは、太陽電池101の裏面側における応力bと略等しい。
一方で、太陽電池モジュール100が太陽光を受光している状態では、太陽電池101の光入射面側の温度が太陽電池101の裏面側の温度よりも高くなる。これに伴って、太陽電池101の光入射面側では、太陽電池101の裏面側よりも封止材が熱膨張する。封止材104の方が太陽電池101よりも大きい熱膨張係数を有するため、図2に示すように、太陽電池101の光入射面側における応力aは、太陽電池101の裏面側における応力bよりも小さくなる。
このように、太陽電池101が太陽光を受光している状態では、応力a及び応力bのバランスが崩れてしまうため、図2に示すように、太陽電池101の反りが生じる。
ここで、図3に示すように、太陽電池101では、光電変換部105において生成される光生成キャリアを集電するために、光電変換部105の光入射面側に集電電極106が設けられており、光電変換部105において生成される光生成キャリアを集電するために、光電変換部105の裏面側に集電電極107が設けられている。集電電極106は、太陽電池101の光入射面側に設けられているため、太陽光の受光を妨げないように、可能な範囲で細く形成することが好ましい。
しかしながら、太陽光の受光によって太陽電池101の反りが生じると、応力が集電電極106に加わる。そして、太陽電池モジュール100は屋外で使用され、受光と非受光が繰り返されるので、集電電極106にダメージが蓄積される。このため集電電極106の集電能力が低下するおそれがある。そして、太陽電池101の反りは、光電変換部105を構成する基板の厚みが薄くなるほど大きくなるので、従来は基板の厚みをそれ程薄くすることができなかった。
そこで、本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであり、光入射面側に設けられた集電電極に蓄積されるダメージの影響を低減した太陽電池モジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の第1の特徴に係る太陽電池モジュールは、光が入射する光入射面及び前記光入射面の反対側に設けられた裏面を有する太陽電池と、前記太陽電池の前記光入射面側に設けられた光入射側支持部材と、前記太陽電池の前記裏面側に設けられた裏面側支持部材と前記光入射側支持部材と前記裏面側支持部材との間において、前記太陽電池を封止する封止材とを備え、前記封止材は、前記光入射面に接する第1領域と、前記裏面に接する第2領域とを有しており、前記第2領域の架橋度は、前記第1領域の架橋度よりも小さいことを要旨とする。
このような太陽電池モジュールによれば、太陽電池の裏面と接する封止材の第2領域の架橋度を、太陽電池の光入射面と接する封止材の第1領域の架橋度よりも小さくする事で、第1領域よりも低い温度において、第2領域を熱膨張し易くしている。このため、日中太陽光が照射する際に、温度が上がりにくい第2領域も熱膨張させることができる。これにより、太陽電池に加わっている応力を裏面側でも小さくすることができるので、太陽電池の光入射側と裏面側とで応力の大きさの差を小さくすることができる。この結果、太陽電池を光入射側に対して凸になるように反らせようとする力が緩和されるため、光入射面側に接着された集電電極に加わるストレスが弱まることとなる。
本発明の第2の特徴は、本発明の第1の特徴に係り、前記第2領域のゲル分率は、前記第1領域のゲル分率よりも小さいことを要旨とする。
本発明の第3の特徴は、本発明の第1又は第2の特徴に係り、前記第2領域の架橋に用いる架橋用添加剤量は、前記第1領域の架橋に用いる架橋用添加剤量よりも少ないことを要旨とする。
本発明の第4の特徴は、本発明の第1の特徴に係り、前記太陽電池は、光の入射により光生成キャリアを生成する光電変換部と、前記光電変換部の光入射面及び裏面に接着され、前記光電変換部から前記光生成キャリアを収集する集電電極とを備え、前記光電変換部の光入射面に接着された集電電極の接着面積は、裏面に接着された集電電極の接着面積よりも小さいことを要旨とする。
本発明の第5の特徴に係る太陽電池モジュールは、光が入射する光入射面及び前記光入射面の反対側に設けられた裏面を有する太陽電池と、前記太陽電池の前記光入射面側に設けられた光入射側支持部材と、前記太陽電池の前記裏面側に設けられた裏面側支持部材と前記光入射側支持部材と前記裏面側支持部材との間において、前記太陽電池を封止する封止材とを備え、前記封止材は、前記光入射面に接する第1領域と、前記裏面に接する第2領域とを有しており、前記第2領域のゲル分率は、前記第1領域のゲル分率よりも小さいことを要旨とする。
本発明の第6の特徴に係る太陽電池モジュールの製造方法は、光が入射する光入射面及び前記光入射面の反対側に設けられた裏面を有する太陽電池と、前記太陽電池の前記光入射面側に設けられた光入射側支持部材と、前記太陽電池の前記裏面側に設けられた裏面側支持部材と、前記光入射側支持部材と前記裏面側支持部材との間において、前記太陽電池を封止する封止材とを備えた太陽電池モジュールの製造方法であって、前記光入射側支持部材と、前記封止材を構成する第1の封止材シートと、前記太陽電池と、前記封止材を構成する第2の封止材シートと、前記裏面側支持部材とを順に積層して積層体を取得する工程Aと、前記積層体を加熱して、前記封止材の架橋反応を促す工程Bとを含み、前記工程Bにおいて、前記第2の封止材シートの加熱条件は、前記第1の封止材シートの加熱条件に比べて、前記封止材の架橋反応が進みにくい条件であることを要旨とする。
本発明によれば、光入射面側に設けられた集電電極に蓄積されるダメージの影響を低減した太陽電池モジュール及びその製造方法を提供することができる。
《実施形態》
次に、図面を用いて、本発明の実施形態について説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
〈太陽電池モジュール10の構成〉
本実施形態に係る太陽電池モジュール10の断面図を図4に示す。同図(A)は、モジュール化工程を経て一体化された後の状態を説明するための断面構造図である。また、同図(B)は、モジュール化工程前の状態を説明するための分解図である。
太陽電池モジュール10は、太陽電池ストリングス1、封止材2、光入射側支持部材3及び裏面側支持部材4を備えている。
太陽電池ストリングス1は、複数の太陽電池1a,1a・・・を、配線材5によって互いに電気的に接続することにより形成されている。
太陽電池1aは、光電変換部6及び集電電極7を備えている。
光電変換部6は、内部にPN接合やPIN接合等の半導体接合を有する、単結晶Si(シリコン)や多結晶Si等の結晶系の半導体材料、GaAsやCuInSe等の化合物系の半導体材料をはじめ、薄膜シリコン系、色素増感系等の有機系など一般的な太陽電池材料を用いて作製することが出来る。
集電電極7は、光電変換部6の光入射面及び裏面に接着され、光電変換部6から光生成キャリアを収集する。従って、集電電極7には、光入射面側集電電極7aと裏面電極7bとが含まれる。
光入射面側集電電極7a及び裏面電極7bは、銀やアルミ、銅、ニッケル、錫、金等、もしくはこれらの合金等の導電性材料を含んだもので形成される。なお、電極は導電性材料を含んだ単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。また、これらの導電性材料を含む層に加えて、SnO、ITO、IWO、ZnO等の透光性導電酸化物を含む層を有していてもよい。
光入射面側集電電極7aは、光電変換部6の光入射側面積を大きくするため、即ち、光電変換部6の露出部分の面積を大きくとるために、できるだけ小さい面積になるように設けられている。例えば、光入射面側集電電極7aは、太陽電池1aの上面図(図5参照)に示されるように、電極幅を小さくして、櫛型状に設けられる。一方、裏面電極7bは、光電変換部6の裏面側全面に設けてもよいし、光入射面側集電電極7aと同様に櫛形状に設けてもよい。このように、本実施形態では、光電変換部6の光入射面に接着された光入射面側集電電極7aの接着面積は、裏面に接着された裏面電極7bの接着面積よりも小さい。
封止材2は、太陽電池ストリングス1を封止している。具体的には、図4(A)に示すように、太陽電池1aの光入射面は封止材2の第1領域2aと接しており、太陽電池1aの裏面は封止材2の第2領域2bと接している。
封止材2は、EVA(エチレン・ビニル・アセチレート)やPVB(ポリ・ビニル・ブチラール)、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、フッ素系樹脂、アイオノマー樹脂、シラン変性樹脂、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、酸変性ポリオレフィン系樹脂、エポキシ系樹脂などの樹脂材料を用いて構成することができ、これらの樹脂の2種類以上を混合して用いても良い。
ここで、本実施形態では、太陽電池1aの裏面と接する封止材2の第2領域2bの架橋度は、太陽電池1aの光入射面と接する封止材2の第1領域2aの架橋度よりも小さい。このような封止材2の構成は、本発明の特徴に係るため後に詳説する。なお、架橋度とは、封止材の架橋割合のことを表し、架橋度が小さいほど、架橋反応が生じていない樹脂成分の領域が多く存在することを意味する。
光入射側支持部材3は、太陽電池1aの光入射側に封止材2の第1領域2aを介して接着されている。光入射側支持部材3はガラスやプラスチック等の、太陽電池1aが吸収できる波長の光を大半を透過させる部材を用いて構成することができる。
裏面側支持部材4は、太陽電池1aの裏面側に封止材2の第2領域2bを介して接着されている。裏面側支持部材4は、PET(ポリエチレンテレフタラート)フィルム等やフッ素樹脂フィルム等の樹脂フィルムや、シリカやアルミナ等の金属酸化物の蒸着膜が形成された樹脂フィルム、アルミ箔等の金属フィルム、もしくはこれらの積層フィルムなどの材料を用いて構成することができる。
このように、本実施形態では、太陽電池1aの光入射面は封止材2の第1領域2aと接しており、太陽電池1aの裏面は封止材2の第2領域2bと接している。
〈封止材2の架橋度について〉
本実施形態では、太陽電池1aの裏面と接する封止材2の第2領域2bの架橋度が、太陽電池1aの光入射面と接する封止材2の第1領域2aの架橋度よりも小さいことを特徴としている。このように、第2領域2bの架橋度を第1領域2aの架橋度より小さくするには、以下のような方法を用いることができる。
第1に、第1領域2a及び第2領域2bを形成するための封止材料として、同種・同量の架橋剤が添加された同材料の封止材料を用い、それぞれの架橋条件を変えることで、第2領域2bの架橋度を第1領域2aの架橋度より小さくすることができる。即ち、第2領域2bを形成するための封止材料を架橋させる際の温度を、第1領域2aを形成するための封止材料を架橋させる際の温度よりも低くすることにより、第2領域2bの架橋度を第1領域2aの架橋度よりも小さくすることができる。
第2に、第2領域2bを形成するための封止材料中に添加する架橋剤の量を、第1領域2aを形成するための封止材料中に添加する架橋剤の量よりも少なくすることで、第2領域2bの架橋度を第1領域2aの架橋度より小さくすることができる。この場合、封止材の架橋度は添加される架橋剤の量に依存し、封止材料の種類への依存度は小さいため、第1領域2a及び第2領域2bを形成するための封止材料として、前述のEVAやPVB等の樹脂材料を単独或いは組合わせて用いることができる。
なお、架橋剤には、一般的に有機過酸化物が用いられる。例えば、EVAを架橋させる有機過酸化物としては、2,5−ジメチルヘキサン、2,5−ジハイドロパ−オキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパ−オキシ)ヘキサン、3−ジ−t−ブチルパ−オキサイド、t−ジクミルパ−オキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパ−オキシ)ヘキシン、ジクミルパ−オキサイド、α,α’−ビス(t−ブチルパ−オキシイソプロピル)ベンゼン、n−ブチル−4,4−ビス(t−ブチルパ−オキシ)ブタン、2,2−ビス(t−ブチルパ−オキシ)ブタン、1,1−ビス(t−ブチルパ−オキシ)シクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパ−オキシ)3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、t−ブチルパ−オキシベンゾエ−ト、ベンゾイルパ−オキサイド等を用いることができる。
〈封止材2の構成について〉
本発明は、太陽電池1aの光入射面及び裏面と接する封止材2の第1領域2a及び第2領域2bの架橋度が前述の関係を満たしていることを特徴としている。従って、前述の関係を満たす第1領域2a及び第2領域2bを備えていれば、それら以外の封止材をさらに備えていてもよい。
例えば、太陽電池1aの光入射面と接する第1領域2aを備え、さらにその光入射面側に1又は複数の封止材層を有していてもよい。同様に、太陽電池1aの裏面と接する第2領域2bを備え、さらにその裏面側に1又は複数の封止材層を有していてもよい。また、これらを組合わせた構造であってもよい。
図6は、第1領域2aの光入射面に第3領域2cを備え、さらに、第2領域2bの裏面に第4領域2dを備える太陽電池モジュール10の分解断面図である。図6に示す太陽電池モジュール10においても、太陽電池1aの裏面と接する封止材2の第2領域2bの架橋度は、太陽電池1aの光入射面と接する封止材2の第1領域2aの架橋度よりも小さい。一方、第3領域及び第4領域を形成するための封止材料は、前述のEVAやPVB等の樹脂材料を単独或いは組合わせたものから選択することができる。
このように、封止材2は、3層以上の多層構造を有していてもよい。
〈太陽電池モジュール10の製造方法〉
本実施形態に係る太陽電池モジュール10の製造方法、即ち、太陽電池モジュール10のモジュール化工程について、図7及び図8を用いて説明する。まず、第1領域2a及び第2領域2bに同じ封止材料を用いる場合について説明した後に、第2領域2bの封止材料中に添加する架橋剤の量を、第1領域2aの封止材料中に添加する架橋剤の量よりも少なくする場合について説明する。
(1)第1領域2a及び第2領域2bに同じ封止材料を用いる場合
この場合、太陽電池1aの裏面と接する封止材2の第2領域2bの架橋度を、太陽電池1aの光入射面と接する封止材2の第1領域2aの架橋度よりも小さくするために、加熱温度、加熱時間の条件を変化させるべく以下の3つの工程を用いる。
ラミネート工程:この工程は、図7に示す真空ラミネート装置20を用いて、各部材間の気泡の発生を抑制しつつ内部部材同士を仮接着するための工程である。真空ラミネート装置20の内部は、ダイアフラム30により上下2室に分離されており、各室独立に減圧することができる。まず、真空ラミネート装置20内に加熱可能に構成された載置台40上に、光入射側支持部材3、光入射側封止材シート(第1領域)2a、太陽電池ストリングス1、裏面側封止材シート(第2領域)2b、及び裏面側支持部材4をこの順に載置する。次に、載置台40を所定の温度に加熱しながら上下各室から排気して脱泡する。ここで、当該所定の温度は、封止材2の架橋温度以下の温度である。続いて、上室に吸気することにより、ダイアフラム30で太陽電池モジュール10を所定時間だけ押さえて仮接着する。
第1キュア工程:この工程は、図8(A)に示す加熱装置50を用いて、封止材2を架橋させるための工程である。加熱装置50は、温風を送ることにより、太陽電池モジュール10を均一に加熱することができる。まず、仮接着された太陽電池モジュール10を、加熱装置50内に投入する。次に、太陽電池モジュール10を、所定の温度で所定の時間だけ加熱する。ここで、当該所定の温度は、封止材2の架橋温度以上の温度である。これにより、太陽電池1aの光入射面と接する封止材2の第1領域2aと、太陽電池1aの裏面と接する封止材2の第2領域2bとにおける架橋反応が生じる。
第2キュア工程:この工程は、図8(B)又は(C)に示す加熱装置60を用いて、太陽電池1aの光入射面と接する封止材2の第1領域2aにおける架橋反応を進めるための工程である。図8(B)又は(C)に示す加熱装置60は、温風により光入射面側を加熱しながら裏面側を冷却媒体又は冷風により冷却すること、光入射面側の封止材の面のみを架橋温度以上の温度で加熱するとともに、裏面側の封止材を架橋温度以下の温度で加熱する。これにより、太陽電池1aの光入射面と接する封止材2の第1領域2aにおける架橋反応のみが進行する。
以上の工程を経ることにより、光入射面側の封止材は、第1キュア工程及び第2キュア工程の間、架橋反応が生じる。一方、裏面側の封止材は、第1キュア工程の間だけ架橋反応が生じる。
(2)第2領域2bの封止材料中に添加する架橋剤の量を、第1領域2aの封止材料中に添加する架橋剤の量よりも少なくする場合
この場合、架橋度は、架橋剤の量により決まるため、第1領域2a及び第2領域2bに同じ封止材料を用いる場合とは異なり、キュア工程における加熱時間を、第1領域2aと第2領域2bとで個別的に調整する必要がない。従って、太陽電池モジュール10の光入射面側と裏面側とで、加熱温度、加熱時間の条件を変化させる必要がないために、ラミネート工程と第1キュア工程との2つの工程のみを用いる。
上述のラミネート工程を経た後、第1キュア工程において、太陽電池モジュール10を、封止材2の架橋温度以上の温度で所定の時間だけ加熱する。ここで、当該所定の時間は、封止材2が完全に架橋される時間である。第2キュア工程を行う必要なない。
以上のようにして、本実施形態にかかる太陽電池モジュール10は製造される。
〈作用及び効果〉
本実施形態によれば、このような構成を有することにより、光の当たり方の相違に起因する集電電極へのダメージの蓄積を抑制し、信頼性が向上した太陽電池モジュールを提供することが出来る。この理由を、以下に詳しく説明する。
表1は、太陽電池モジュールを構成する主な部材の線膨張係数を示す特性表である。封止材としては主な材料であるEVA樹脂の値を示している。また太陽電池として、一般的に用いられる材料であるシリコンの値を示している。また裏面フィルムとしてPETフィルムの値を記入している。同表に示す通り、線膨張係数は、封止材>PETフィルム>銅>ガラス≒シリコンの関係である。また、太陽電池モジュールを構成する部材の中で、封止材の線膨張係数とシリコンの線膨張係数の差が最も大きいことが分かる。
Figure 0004667406
従って、モジュール化工程において熱膨張した各構成部材の収縮度合いは、線膨張係数の大きい封止材が最も大きく、線膨張係数の小さいシリコン材料からなる太陽電池が最も小さい。
このため、従来の太陽電池モジュール100が太陽光を受光している状態では、図2及び図3に示したように、太陽電池101の光入射面にかかる応力aと、太陽電池101の裏面にかかる応力bとのバランスが崩れ、太陽電池101の反りが生じる。その結果、集電電極106にダメージが蓄積され、集電電極106の集電能力が低下する。
なお、以上の太陽電池モジュールの出力低下は、シリコンウェハが薄くなるに連れて、より起こりやすくなる。
一方、本実施形態にかかる太陽電池モジュール10によれば、太陽電池1aの裏面と接する封止材2の第2領域2bの架橋度を、太陽電池1aの光入射面と接する封止材2の第1領域2aの架橋度よりも小さくする事で、第1領域よりも低い温度において、第2領域2bを熱膨張し易くしている。このため、日中太陽光が照射する際に、温度が上がりにくい第2領域2bも熱膨張させることができる。これにより、太陽電池1aに加わっている応力を裏面側でも小さくすることができるので、太陽電池1aの光入射側と裏面側とで応力の大きさの差を小さくすることができる。この結果、太陽電池1aを光入射側に対して凸になるように反らせようとする力が緩和されるため、光入射面側集電電極7aに加わるストレスが弱まることとなる。
具体的には、図9に示すように、本実施形態にかかる太陽電池モジュール10に太陽光が入射している場合、太陽電池1aの光入射面にかかる応力と裏面にかかる応力との大きさのバランスが等しいか(同図(A)参照)、又は、裏面にかかる応力の方が大きい(同図(B)参照)。なお、裏面電極7bは、光入射面側集電電極7aと比較して、光電変換部6との接着面積を大きくすることにより、接着強度を強くすることができるため、図9(B)に示すように、太陽電池1aが裏面側に凸になるように反ったとしても、裏面電極7bに対するダメージは小さい。
このように、本実施形態にかかる太陽電池モジュール10によれば、光入射面側に設けられた集電電極へのダメージの蓄積を抑制して、信頼性の向上を可能とする太陽電池モジュール10及び太陽電池モジュール10の製造方法を提供することができる。
〈その他の実施形態〉
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
例えば、上記の実施形態では、裏面電極7bを光電変換部6の裏面全面に接着することとしたが、光電変換部の一部を露出するように接着されていてもよく、光入射面側集電電極7aと同様の櫛形状に形成されていてもよい。
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
以下、本発明に係る太陽電池モジュールについて、実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明は、下記の実施例に示したものに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において、適宜変更して実施することができるものである。
〈加熱条件と架橋度との関係〉
まず、封止材シートとしてEVAシートを用い、架橋工程時の温度と架橋度の関係について調べた。まず、ラミネート装置の載置台上にガラス板及び厚み0.6mmのEVAシート、PETフィルムをこの順に載置した。次いで減圧中、約120℃の温度で10分間加熱することで、脱泡及び仮接着を行った。尚、約120℃の温度はEVAの架橋温度以下の温度である。次いで、仮接着されたサンプルを加熱炉内に投入し、加熱温度を約150℃として架橋工程を行った。このとき、製造後の封止体の架橋度は加熱時間にも依存するために、加熱時間を5分〜45分の間で変化して架橋工程を行った。そして、このようにして作製されたサンプルのガラス板から封止体のみを引き剥がした後に、以下のようにしてゲル分率を測定することで、夫々の封止体の架橋度を評価した。
まず、ガラス板から引き剥がされた各封止体の重量を測定した。次に、各封止体をキシレン溶媒中に浸漬することにより、架橋しておらずゾル状態になっている領域を溶媒中に溶出させた。次いで、キシレン溶液を蒸発させ、架橋したゲル領域を抽出した。そして、抽出されたゲル領域の重量を測定し、溶媒に浸漬前の重量に対する比率をとることで、ゲル分率を求めた。計算式は以下の式の通りである。
ゲル分率(%)=(未溶解分の重量/試料の元の重量)×100
表2は、このようにして求めた各サンプルのゲル分率を示す特性表である。
Figure 0004667406
同表に示す通り、約150℃の温度で架橋工程を行う場合には、加熱時間を5分〜45分の間で調整することで、得られる封止体のゲル分率を13%〜87%の間で変化させることができることがわかった。
〈実施例及び比較例の製造〉
次に、表2の結果に基づき本発明に係る太陽電池モジュールを以下のようにして製造した。本実施例では、光入射側の封止材と裏面側の封止材として同じ封止材シートを用いた。従って、架橋工程時に、裏面側の封止材シートの加熱温度を光入射側の封止材シートの加熱温度よりも低くする第2キュア工程を行うことにより、本発明の太陽電池モジュールを製造した。
尚、以下の実施例では、光入射側および裏面側の封止材シートとしてEVAシート(厚み約0.6mm)を用いた。また、太陽電池として、n型の単結晶シリコンとp型の非晶質シリコンとから構成されるpn接合を有し、間に薄いi型の非晶質シリコン層を介挿させた、HIT(登録商標)構造の太陽電池(厚み100〜140μm)を用いた。また、光入射側支持部材としては厚み約3.2mmのガラス板を、裏面側支持部材としてはテドラフィルム(厚み約38μm)/アルミフィルム(厚み約30μm)/テドラフィルム(厚み約38μm)の積層フィルムを用いた。
(実施例1)
ラミネート工程を10分間、第1キュア工程を0分間、第2キュア工程を45分間行って実施例1のサンプルを作製した。
即ち、実施例1のサンプルでは、光入射面側の封止材は150℃の温度で45分間、裏面側の封止材は150℃の温度で0分間加熱されている。従って、前述の表2の結果から、光入射面側の封止材のゲル分率は約87%であり、裏面側の封止材のゲル分率は0%となっているものと考えられる。
(実施例2)
ラミネート工程を10分間、第1キュア工程を5分間、第2キュア工程を40分間行って実施例2のサンプルを作製した。
即ち、実施例2のサンプルでは、光入射面側の封止材は150℃の温度で45分間、裏面側の封止材は150℃の温度で5分間加熱されている。従って、前述の表2の結果から、光入射面側の封止材のゲル分率は約87%であり、裏面側の封止材のゲル分率は約13%となっているものと考えられる。
(実施例3)
ラミネート工程を10分間、第1キュア工程を10分間、第2キュア工程を35分間行って実施例3のサンプルを作製した。
即ち、実施例3のサンプルでは、光入射面側の封止材は150℃の温度で45分間、裏面側の封止材は150℃の温度で10分間加熱されている。従って、前述の表2の結果から、光入射面側の封止材のゲル分率は約87%であり、裏面側の封止材のゲル分率は約27%となっているものと考えられる。
(実施例4)
ラミネート工程を10分間、第1キュア工程を20分間、第2キュア工程を25分間行って実施例4のサンプルを作製した。
即ち、実施例4のサンプルでは、光入射面側の封止材は150℃の温度で45分間、裏面側の封止材は150℃の温度で20分間加熱されている。従って、前述の表2の結果から、光入射面側の封止材のゲル分率は約87%であり、裏面側の封止材のゲル分率は約53%となっているものと考えられる。
(実施例5)
ラミネート工程を10分間、第1キュア工程を30分間、第2キュア工程を15分間行って実施例5のサンプルを作製した。
即ち、実施例5のサンプルでは、光入射面側の封止材は150℃の温度で45分間、裏面側の封止材は150℃の温度で15分間加熱されている。従って、前述の表2の結果から、光入射面側の封止材のゲル分率は約87%であり、裏面側の封止材のゲル分率は約71%となっているものと考えられる。
(比較例1)
ラミネート工程を10分間、第1キュア工程を45分間、第2キュア工程を0分間行って比較例1のサンプルを作製した。
即ち、比較例1のサンプルでは、光入射面側及び裏面側とも封止材は150℃の温度で45分間加熱されている。従って、前述の表2の結果から、光入射面側及び裏面側とも封止材のゲル分率は約87%となっているものと考えられる。
〈温度サイクル試験〉
上述した実施例1〜5、比較例1のそれぞれの太陽電池モジュールについて、恒温槽を用いて次で述べるサイクル試験を行い、試験前後の太陽電池モジュールの出力を比較した。
サイクル試験は、JIS C8917の温度サイクル試験に準拠した方法を使用した。恒温槽のコントローラにプログラムした温度条件変化のグラフを図10に示す。同図のように、45分かけて25℃から90℃まで上昇させ、この温度で90分間保持し、次いで90分かけて−40℃まで降下させ、この温度で90分間保持し、さらに45分かけて25℃まで上昇させる。これを1サイクル(6時間)とする。
この時に、本発明者らは現実の太陽光線照射環境下に近づけるため、JIS C8917の温度サイクル試験方法に加え、最初の180分間、AM1.5、100mW/cmの光を太陽電池モジュールの光入射面側から照射した。なお、1サイクル中昼夜の時間が半々と仮定して、照射時間を1サイクルの半分の180分間としている。
この光照射により、試験対象の太陽電池モジュールの光入射面側の温度を反対側の温度よりも高温にさせることができる。即ち、恒温槽内部温度を90℃で保持している時には、この光照射により封止材の光入射面側の温度は90℃より上昇しているものと考えられる。
そして、このサイクルを400サイクル繰り返してサイクル試験を行い、その結果得られた各サンプルの出力特性を調べた。この結果を表3に示す。
尚、同表においては測定の結果を規格化出力低下率で示している。ここで、
出力低下率は、
出力低下率(%)=(試験前出力−試験後出力)/試験前出力×100
の計算式により計算される。よって、出力低下率が低いほど、出力低下が少なく信頼性の優れた太陽電池モジュールと言う事が出来る。また、規格化出力低下率は、比較例における出力低下率を1.00として規格化した値である。
Figure 0004667406
同表より、実施例1〜5の規格化出力低下率は、比較例の規格化出力低下率に比べ、低減されていることが分かる。これは、実施例1〜5のサンプルによれば、裏面側の封止材の架橋度を光入射面側の封止材の架橋度に比べ小さくしたことにより、光の当たり方の相違に起因する長時間使用後の特性低下を抑制できた結果によるものと考えられる。
さらに、実施例1〜3のように、裏面側のゲル分率が光入射側のゲル分率よりも50%以上小さい場合には、比較例に対して出力低下率が半分程度に抑制されていることが分かる。以上のように、本実施形態によって、従来と比べてモジュール出力低下率が低く、信頼性の優れた太陽電池モジュールが得られた。
以上のように、本発明によれば、光の当たり方の相違に起因する長時間使用後の特性低下を抑制し、信頼性が向上した太陽電池モジュールを提供することができる。また、特に本発明は、ストレスにより反り易くなる、厚みの薄い基板を用いた太陽電池を有する太陽電池モジュールに好適である。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の実施の形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。
従来の太陽電池への応力を説明する図である。 従来の太陽電池への応力を説明する図である。 従来の太陽電池への応力を説明する図である。 実施形態に係る太陽電池モジュールを説明する図である。 実施形態に係る太陽電池を説明する図である。 実施形態に係る太陽電池モジュールを説明する図である。 ラミネート工程に用いる真空ラミネート装置を説明する図である。 キュア工程に用いる加熱装置を説明する図である。 実施形態に係る太陽電池への応力を説明する図である。 温度サイクル試験の温度条件変化のグラフである。
符号の説明
a…応力
b…応力
1…太陽電池ストリングス
1a…太陽電池
2…封止材
2a…第1領域
2b…第2領域
2c…第3領域
2d…第4領域
3…光入射側支持部材
4…裏面側支持部材
5…配線材
6…光電変換部
7…集電電極
7a…光入射面側集電電極
7b…裏面電極
10…太陽電池モジュール
20…真空ラミネート装置
30…ダイアフラム
40…載置台
50…加熱装置
60…加熱装置
100…太陽電池モジュール
101…太陽電池
102…光入射側支持部材
103…裏面側支持部材
104…封止材
105…光電変換部
106…集電電極
107…集電電極

Claims (6)

  1. 光が入射する光入射面及び前記光入射面の反対側に設けられた裏面を有する太陽電池と、
    前記太陽電池の前記光入射面側に設けられた光入射側支持部材と、
    前記太陽電池の前記裏面側に設けられた裏面側支持部材と
    前記光入射側支持部材と前記裏面側支持部材との間において、前記太陽電池を封止する封止材とを備え、
    前記封止材は、前記光入射面に接する第1領域と、前記裏面に接する第2領域とを有しており、
    前記第2領域の架橋度は、前記第1領域の架橋度よりも小さいことを特徴とする太陽電池モジュール。
  2. 前記第2領域のゲル分率は、前記第1領域のゲル分率よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池モジュール。
  3. 前記第2領域の架橋に用いる架橋用添加剤量は、前記第1領域の架橋に用いる架橋用添加剤量よりも少ないことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の太陽電池モジュール。
  4. 前記太陽電池は、光の入射により光生成キャリアを生成する光電変換部と、前記光電変換部の光入射面及び裏面に接着され、前記光電変換部から前記光生成キャリアを収集する集電電極とを備え、
    前記光電変換部の光入射面に接着された集電電極の接着面積は、裏面に接着された集電電極の接着面積よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池モジュール。
  5. 光が入射する光入射面及び前記光入射面の反対側に設けられた裏面を有する太陽電池と、
    前記太陽電池の前記光入射面側に設けられた光入射側支持部材と、
    前記太陽電池の前記裏面側に設けられた裏面側支持部材と
    前記光入射側支持部材と前記裏面側支持部材との間において、前記太陽電池を封止する封止材とを備え、
    前記封止材は、前記光入射面に接する第1領域と、前記裏面に接する第2領域とを有しており、
    前記第2領域のゲル分率は、前記第1領域のゲル分率よりも小さいことを特徴とする太陽電池モジュール。
  6. 光が入射する光入射面及び前記光入射面の反対側に設けられた裏面を有する太陽電池と、前記太陽電池の前記光入射面側に設けられた光入射側支持部材と、前記太陽電池の前記裏面側に設けられた裏面側支持部材と、前記光入射側支持部材と前記裏面側支持部材との間において、前記太陽電池を封止する封止材とを備えた太陽電池モジュールの製造方法であって、
    前記光入射側支持部材と、前記封止材を構成する第1の封止材シートと、前記太陽電池と、前記封止材を構成する第2の封止材シートと、前記裏面側支持部材とを順に積層して積層体を取得する工程Aと、
    前記積層体を加熱して、前記封止材の架橋反応を促す工程Bとを含み、
    前記工程Bにおいて、前記第2の封止材シートの加熱条件は、前記第1の封止材シートの加熱条件に比べて、前記封止材の架橋反応が進みにくい条件であることを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
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