JP4663348B2 - 配線基板、これを用いた固体撮像用半導体装置及びこれを用いた固体撮像用半導体装置の製造方法。 - Google Patents

配線基板、これを用いた固体撮像用半導体装置及びこれを用いた固体撮像用半導体装置の製造方法。 Download PDF

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Description

本発明は、固体撮像用半導体装置に係り、より詳しくはレンズ部と第２の配線基板との間に半導体チップと電気的に連結された第１の配線基板を配置した固体撮像用半導体装置に関する。
ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ＤＳＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｔｉｌｌ Ｃａｍｅｒａ）、移動電話機（Ｍｏｂｉｌｅ Ｐｈｏｎｅ）などのモバイル装置には、普通固体撮像用半導体チップとレンズを組み合わせた形態の固体撮像用半導体装置が搭載されている。こうした小型カメラを備えた移動電話機は、通話者の映像を小型カメラにより撮像して画像データとして入力して、通話相対方にその画像データを送信する。
こうしたモバイル装置の小型化がさらに進行されており、これらに使用される固体撮像用半導体装置も小型化が要求されている。このような固体撮像用半導体装置の小型化の要求を満足させるために、レンズと固体撮像用半導体チップとを一体化して形成された半導体装置が開発されている。
図１は、従来の固体撮像用半導体装置の概略的構成を示した断面図である。図１に示されたような従来の固体撮像用半導体装置１００は、固体撮像用レンズ１６０が付着されたレンズ部１５０、軟質印刷回路基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ；以下、“ＦＰＣ”と称する。）１１０及び半導体チップ１４０から構成される。
ここで、固体撮像用レンズ１６０と赤外線遮断用フィルター（ＩＲ ｃｕｔ ｆｉｌｔｅｒ）１６５が付着されているレンズ部１５０がＦＰＣ１１０の上部の一面に接着剤により固着されている。半導体チップ１４０は、固体撮像用レンズ１６０からの光を画像信号に変換し、この画像信号をイメージ処理する役割をするチップとして、ＦＰＣ１１０上に接合され、ＦＰＣ１１０の上面の所定の部分に形成されたパッドとワイヤー１４５によりワイヤーボンディング（Ｗｉｒｅ ｂｏｎｄｉｎｇ）されている。
また、このような固体撮像用半導体装置１００内に抵抗又はキャパシタのような受動素子１２０を共に実装して一体化された半導体装置が開発されている。
すなわち、ＦＰＣ１１０上の所定の部分に受動素子１２０が実装することができるが、図１に示すように、ＦＰＣ１１０上に半導体チップ１４０が接合されたところの周りに受動素子１２０が実装される。ここで、受動素子１２０は、レンズ部１５０内に実装されて一体化された固体撮像用半導体装置１００を構成する。
図１に示すように、受動素子１２０を固体撮像用半導体装置１００内に実装する場合、固体撮像用半導体装置１００の左右幅Ｌ１が広くなって全体的に固体撮像用半導体装置１００の小型化に障害になる。
特願２００３−２５９１６９号公報
本発明の技術的課題は、左右幅が狭く、小型化された固体撮像用半導体装置を提供することである。
本発明の他の技術的課題は、固体撮像用半導体装置に適した配線基板を提供することである。
前述した技術的課題を達成するための本発明の一実施形態による固体撮像用半導体装置は、固体撮像用レンズを備えるレンズ部と、開口部を備え、上部が内側面から開口部内へ突出して内側面に段差部が形成され、固体撮像用レンズと開口部が対向するようにレンズ部の下端と連結された第１の配線基板と、第１の配線基板の下端と電気的に連結された第２の配線基板と、開口部内に配置されるように第２の配線基板上に接合され、第１の配線基板と電気的に連結され、固体撮像用レンズからの光を画像信号に変換し、画像信号を処理する半導体チップと、を含む。
前述した他の技術的課題を達成するための本発明の一実施形態による配線基板は、半導体チップが実装される領域を画定する開口部を備え、上部が内側面から開口部内へ突出して内側面に段差部が形成された筐体部と、一端は筐体部の上面と連結され、他端は筐体部の下面と連結されたリードと、を含む。
また、前述した他の技術的課題を達成するための本発明の他の実施形態による配線基板は、半導体チップが実装される領域を画定する開口部を備え、上部が内側面から開口部内へ突出して内側面に段差部が形成された筐体部と、一端は筐体部の段差部から開口部内へ突出し、他端は筐体部の下面と連結されたリードと、を含む。
その他実施形態の具体的な事項は詳細な説明及び図面に含まれている。
前述したように本発明に従う固体撮像用半導体装置によれば、半導体チップと第２の配線基板とを、直接、電気的に連結する代わりに段差部が形成された第１の配線基板を中間媒介として用いて電気的に連結することによって、第１の配線基板の段差部の下部と第２の配線基板との所定の空間に受動素子を実装することができ、第２の配線基板上に半導体チップとの電気的連結のためのパッドを形成する必要がないので左右幅Ｌ２が狭い小型化された固体撮像用半導体装置を製造することができる。
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すれば明確になる。しかしながら、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、相異なる多様な形態で具現されるものであり、本実施形態は、本発明の開示が完全となり、当業者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、特許請求の範囲の記載に基づいて決められなければならない。なお、明細書全体にわたる同一参照符号は同一構成要素を示すものとする。
以下、添付した図面を参照して本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。
本発明の第１の実施形態を図２Ａ〜図２Ｅに基づいて説明する。図２Ａは、本発明の第１の実施形態による固体撮像用半導体装置２００を示した断面図である。そして、図２Ｂは、図２Ａの第１の配線基板２３０のみを示した部分切開斜視図である。
図２Ａ及び図２Ｂに示すように、本発明の固体撮像用半導体装置２００は、固体撮像用レンズ２６０が付着されたレンズ部２５０と、第１の配線基板２３０と、第２の配線基板２１０及び半導体チップ２４０と、から構成される。
ここで、レンズ部２５０は、光が通る部分に受光ホールが形成される。レンズ部２５０の受光ホールには、固体撮像用レンズ２６０が付着されている。望ましくは、レンズ部２５０内に位置し、固体撮像用レンズ２６０と所定の間隔をおいて対向し、固体撮像用レンズ２６０の下部に位置して、固体撮像用レンズ２６０を通過した光が通る部分に位置する赤外線遮断用フィルター２６５又は高周波遮光用フィルターが設けられる。本願では、説明の便宜のために赤外線遮断用フィルターを用いて説明する。
第１の配線基板２３０は、筐体部２３２とリード（Ｌｅａｄ）２３４とから構成される。
ここで、筐体部２３２は、レンズ部２５０の下部に接着剤で固定される。筐体部２３２は、固体撮像用レンズ２６０の垂直下部に開口部２３６を備える。こうした開口部２３６は、筐体部２３２に半導体チップ２４０が実装される領域を示す。図２Ｂに示すように、筐体部２３２には、その上部が内側面から開口部２３６内へ突出して段差部２３８が形成される。第１の配線基板２３０の下端と第２の配線基板２１０が連結されるため、第１の配線基板２３０の段差部２３８の下部と第２の配線基板２１０との間には所定の空間が形成される。従って、第１の配線基板２３０の段差部２３８の下部と第２の配線基板２１０との所定の空間に受動素子２２０を実装することができる。こうした受動素子２２０としては、抵抗（Ｒｅｓｉｓｔｏｒ）、キャパシタ（Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）、インダクタ（Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）などを使用することができる。
ここで、リード２３４は、筐体部２３２の内部を貫通して形成される。リード２３４の一端２３４ａは、筐体部２３２の上面と連結されて形成される。そして、リード２３４の他端２３４ｂは筐体部２３２の下面と連結される。リード２３４の材料は、例えばＣｕ又は合金（ＮｉとＦｅ）があり、製造方法はエッチングタイプ（Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｔｙｐｅ、円板を必要な形態のみ残してエッチングして製造する方法）とスタンピングタイプ（Ｓｔａｍｐｉｎｇ Ｔｙｐｅ、金型を用いて円板を必要な形態で圧力を加えて製造する方法）がある。こうしたリード２３４は、Ｎｉ，Ａｕのような貴金属（ｎｏｂｌｅ ｍｅｔａｌ）で鍍金されるものが望ましい。
本願で使用される筐体部２３２とリード２３４とから構成された第１の配線基板２３０としては印刷回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ；以下、“ＰＣＢ”と称する。）、セラミックリードレスチップキャリヤ（Ｃｅｒａｍｉｃ Ｌｅａｄｌｅｓｓ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ；以下、“ＣＬＣＣ”と称する。）又はプレモールデッドリードレスチップキャリヤ（Ｐｒｅ−ｍｏｌｄｅｄ Ｌｅａｄｌｅｓｓ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ；以下、“ＰＬＣＣ”と称する。）などを使用することができる。ここで、ＰＬＣＣはＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）のような物質を使用しうる。但し、前述した配線基板２３０は例示的なものに過ぎない。
そして、第２の配線基板２１０は、第１の配線基板２３０と電気的に連結される。従って、半導体チップ２４０、電気的接続手段２４５、第１の配線基板２３０及び第２の配線基板２１０は、電気的に連結されており、第２の配線基板２１０により固体撮像用半導体装置２００と外部本体（図示せず）が電気的に繋がる。本発明の一実施形態による第２の配線基板２１０はＦＰＣを使用することができる。
図２Ａ〜図２Ｂに示すように、半導体チップ２４０は、固体撮像用レンズ２６０の垂直下部に位置して筐体部２３２の開口部２３６内に安着されるように第２の配線基板２１０上に接合されて固定位置する。そして、半導体チップ２４０の上面に形成された電極パッド（図示せず）とリード２３４の一端２３４ａは電気的接続手段２４５により電気的に連結される。本発明の第１の実施形態において、電気的接続手段２４５はワイヤーボンディングであるものが望ましい。
ここで、半導体チップ２４０は、固体撮像用半導体素子と画像処理用半導体素子とを一つの半導体チップ内に一体化したものである。
固体撮像用半導体素子は、固体撮像用レンズ２６０からの光を画像信号に変換する光電変換素子群より成る。固体撮像用半導体素子には、例えばＣＭＯＳイメージセンサ（ＣＭＯＳ Ｉｍａｇｅ Ｓｅｎｓｏｒ；ＣＩＳ）を構成する２次元で配列された光電変換素子群より成る光電変換部（センサ部）と、光電変換素子群を順次に駆動して信号電荷を得る駆動回路部と、信号電荷をディジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換部と、ディジタル信号を映像信号出力に作る信号処理部と、ディジタル信号の出力レベルを本に電気的に露光時間を制御する露光制御手段を同一な半導体チップ上に形成した半導体回路部などが設けられている。勿論固体撮像用半導体素子は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅｄ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）を含む。
そして、画像処理用半導体素子は、固体撮像用半導体素子からの画像信号を処理する役割をする。
従って、本発明による半導体チップ２４０は、固体撮像用レンズ２６０及び赤外線遮断用フィルター２６５を通じて半導体チップ２４０においてのセンサ部に被写体像を結像させて光電変換することによって、例えばディジタル又はアナログの画像信号を出力した後、こうした画像信号を処理してリード２３４へ出力する役割をする。
そして、半導体チップ２４０のセンサ部を、固体撮像用レンズ２６０の垂直下部に位置づける。
このように、半導体チップ２４０と第２の配線基板２１０を、直接、電気的に連結する代わりに段差部２３８が形成された第１の配線基板２３０を中間媒介として用いて電気的に連結することによって、図１に示す従来技術に比べて固体撮像用半導体装置２００の高さは変化がない。だが、第１の配線基板２３０の段差部２３８の下部と第２の配線基板２１０との所定の空間に受動素子２２０を実装することができ、第２の配線基板２１０上に半導体チップ２４０との電気的連結のためのパッドを形成する必要がないので左右幅Ｌ２が狭い小型化された固体撮像用半導体装置２００を形成することができる。
以下、図３Ａ〜図３Ｄ及び図４Ａ〜図４Ｅに基づいて図２Ａの固体撮像用半導体装置２００の製造方法を説明する。
図３Ａ〜図３Ｄは、図２Ａの固体撮像用半導体装置２００の製造方法を順序通り示した断面図である。図４Ａ〜図４Ｅは、それぞれ図３Ａ〜図３Ｄ及び図２Ａの平面図である。
図３Ａ及び図４Ａに示すように、外部本体（図示せず）と固体撮像用半導体装置２００を連結する第２の配線基板２１０を準備する。第２の配線基板２１０には、外部本体（図示せず）と電気的に連結される連結端子２１７と受動素子２２０が実装される部分が画定されたボンディングパッド２１５が形成されている。
図３Ｂ及び図４Ｂに示すように、第２の配線基板２１０上に受動素子２２０を実装する。受動素子２２０は、後述する半導体チップ２４０が実装されるところの周囲に配置するのが望ましい。こうした受動素子２２０は、主に表面実装技術（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ；ＳＭＴ）により第２の配線基板２１０上に配置される。
図３Ｃ及び図４Ｃに示すように、段差部２３８が形成された第１の配線基板２３０を第２の配線基板２１０上に実装する。第１の配線基板２３０の段差部２３８の下部に受動素子２２０が配置されるようにする。
図３Ｄ及び図４Ｄに示すように、半導体チップ２４０が第１の配線基板２３０の開口部２３６内に配置されるように第２の配線基板２１０上に接合する。
図２Ａ及び図４Ｅに示すように、固体撮像用レンズ２６０及び赤外線遮断用フィルター２６５が付着されたレンズ部２５０を第１の配線基板２３０の上部に接合する。
以下、本発明の第２の実施形態を図５に基づいて説明する。第２の実施形態の説明において、図２Ａ〜図４Ｅに示す第１の実施形態と同一又は当該部分には同一符号を付けて説明を省略する。
図５は、本発明の第２の実施形態による固体撮像用半導体装置５００を示す断面図である。
第１の実施形態と異なる点は、図５に示すように、ソケットタイプ（Ｓｏｃｋｅｔ ｔｙｐｅ）の第２の配線基板５１０を使用する。第２の実施形態で使用されたソケットタイプの第２の配線基板５１０は、第２の配線基板５１０の下部にランド（ｌａｎｄ）タイプの外部連結端子５１５が形成されている。
以下、本発明の第３の実施形態を図６に基づいて説明する。第３の実施形態の説明において、図２Ａ〜図４Ｅに示す第１の実施形態と同一又は当該部分には同一符号を付けて説明を省略する。
図６は、本発明の第３の実施形態による固体撮像用半導体装置６００を示す断面図である。
第１の実施形態と異なる点は、図６に示すように、ソケットタイプの第２の配線基板６１０を使用する。第２の実施形態とは異なり、第３の実施形態で使用されたソケットタイプの第２の配線基板６１０は、第２の配線基板６１０の側面に外部連結端子６１５が形成されている。
以下、本発明の第４の実施形態を図７に基づいて説明する。第４の実施形態の説明において、図２Ａ〜図４Ｅに示す第１の実施形態と同一又は当該部分には同一符号を付けて説明を省略する。
図７は、本発明の第４の実施形態による固体撮像用半導体装置７００を示す断面図である。
第１の実施形態と異なる点は、図７に示すように、第２の配線基板７１０として硬質−軟質印刷回路基板（Ｒｉｇｉｄ−Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ＰＣＢ；以下、“ＲＦ−ＰＣＢ”と称する。）７１０を使用する。ＲＦ−ＰＣＢ７１０は、一般に使用される多層の硬質ＰＣＢ７１４，７１６と屈曲性を有する軟質ＦＰＣ７１２を組み合わせた形態の複合印刷回路基板として３次元の回路連結が可能なので携帯用電子機器の高機能化と小型化とを実現することができる。ここで、硬質ＰＣＢ７１４，７１６と軟質ＰＣＢ７１２の数は限定されない。
以下、本発明の第５の実施形態〜第８の実施形態を説明する。第５の実施形態〜第８の実施形態は、第１の実施形態〜第４の実施形態とは異なり、電気的接続手段８４５として金属バンプを用いたフリップチップボンディングを使用する。
以下、本発明の第５の実施形態を図８Ａ及び図８Ｂに基づいて説明する。第５の実施形態の説明において、図２Ａ〜図４Ｅに示す第１の実施形態と同一又は当該部分には同一符号を付けて説明を省略する。
図８Ａは、本発明の第５の実施形態による固体撮像用半導体装置８００を示す断面図である。そして、図８Ｂは図８Ａの第１の配線基板８３０のみを示す部分切開斜視図である。
図８Ａに示すように本発明の固体撮像用半導体装置８００は、固体撮像用レンズ２６０が付着されたレンズ部２５０と、第１の配線基板８３０と、第２の配線基板２１０及び半導体チップ２４０と、から構成される。第１の実施形態と異なる点は、第１の配線基板８３０の構造がかえられたものと電気的接続手段８４５がフリップチップボンディングに置換されたことである。
図８Ａ及び図８Ｂを参照すれば、第１の配線基板８３０は、筐体部８３２とリード８３４と、から構成される。
ここで、筐体部８３２は、レンズ部２５０の下部に接着剤で固定される。筐体部８３２は、固体撮像用レンズ２６０の垂直下部に開口部８３６を備える。こうした開口部８３６は、筐体部８３２に半導体チップ２４０が実装される領域を示す。図８Ｂに示すように、筐体部８３２には、その上部が内側面から開口部８３６内に突出して段差部８３８が形成される。第１の配線基板８３０の下端と第２の配線基板２１０が連結されるため、第１の配線基板８３０の段差部８３８の下部と第２の配線基板２１０との間には所定の空間が形成される。従って、第１の配線基板８３０の段差部８３８の下部と第２の配線基板２１０との所定の空間に受動素子２２０を実装することができる。
ここで、リード８３４は、筐体部８３２の内部を貫通して形成される。リード８３４の一端８３４ａは、筐体部８３２の段差部８３８から開口部８３６内へ突出して形成される。そして、リード８３４の他端８３４ｂは、筐体部８３２の下面と連結される。リード８３４の材料は、例えばＣｕ又は合金（ＮｉとＦｅ）があり、製造方法は、エッチングタイプとスタンピングタイプがある。こうしたリード８３４は、Ｎｉ、Ａｕのような貴金属で鍍金されるものが望ましい。
本願で使用される筐体部８３２とリード８３４とから構成された第１の配線基板８３０としては、ＰＣＢ、ＣＬＣＣ又はＰＬＣＣなどを使用することができる。ここで、ＰＬＣＣは、ＥＭＣのような物質が使用される。但し、前述した第１の配線基板８３０は例示的なものに過ぎない。
図８Ａ及び図８Ｂに示すように、半導体チップ２４０は、固体撮像用レンズ２６０の垂直下部に位置して筐体部８３２の開口部８３６下に安着されるように第２の配線基板２１０上に接合されて固定位置する。そして、半導体チップ２４０の上面に形成された電極パッド（図示せず）とリード８３４の一端８３４ａは、電気的接続手段８４５により電気的に連結される。本発明の一実施形態において、電気的接続手段８４５は、金属バンプを用いたフリップチップボンディングであるものが望ましい。
以下、本発明の第６の実施形態を図９に基づいて説明する。第６の実施形態の説明において、図８Ａ及び図８Ｂに示す図５の実施形態と同一又は当該部分には同一符号を付けて説明を省略する。
図９は、本発明の第６の実施形態による固体撮像用半導体装置９００を示す断面図である。
第５の実施形態と異なる点は、図９に示すように、ソケットタイプの第２の配線基板５１０を使用する。第６の実施形態で使用されたソケットタイプの第２の配線基板５１０は、第２の配線基板５１０の下部にランドタイプの外部連結端子５１５が形成されている。
以下、本発明の第７の実施形態を図１０に基づいて説明する。第７の実施形態の説明において、図８Ａ及び図８Ｂに示す第５の実施形態と同一又は当該部分には同一符号を付けて説明を省略する。
図１０は、本発明の第７の実施形態による固体撮像用半導体装置１０００を示す断面図である。
第５の実施形態と異なる点は、図１０に示すように、ソケットタイプの第２の配線基板６１０を使用する。第６の実施形態とは違って、第７の実施形態で使用されたソケットタイプの第２の配線基板６１０は、第２の配線基板６１０の側面に外部連結端子６１５が形成されている。
以下、本発明の第８の実施形態を図１１に基づいて説明する。第８の実施形態の説明において、図８Ａ及び図８Ｂに示す第５の実施形態と同一又は当該部分には同一符号を付けて説明を省略する。
図１１は、本発明の第８の実施形態による固体撮像用半導体装置１１００を示す断面図である。
第５の実施形態と異なる点は、図１１に示すように、第２の配線基板７１０として硬質−軟質印刷回路基板（ＲＦ−ＰＣＢ）７１０を使用する。ＲＦ−ＰＣＢ７１０は、一般に使用される多層の硬質ＰＣＢ７１４，７１６と屈曲性を有する軟質ＦＰＣ７１２を組み合わせた形態の複合印刷回路基板として３次元の回路連結が可能なので携帯用電子機器の高機能化と小型化とを実現することができる。ここで、硬質ＰＣＢ７１４，７１６と軟質ＰＣＢ７１２の数は限定されない。
以上、添付した図面を参照して本発明の好適な実施形態を説明したが、当業者であれば、本発明の技術的思想や必須的な特徴を変更せずに他の具体的な形態で実施しうることを理解することができる。したがって、上述した好適な実施形態は、例示的なものであり、限定的なものではないと理解すべきである。
本発明は、固体撮像用半導体装置に適用されうる。
従来の固体撮像用半導体装置の概略的構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態による固体撮像用半導体装置を示す断面図である。 図２Ａの第１の配線基板のみを示す部分切開斜視図である。 図２Ａの固体撮像用半導体装置の製造方法を順序通り示す断面図である。 図２Ａの固体撮像用半導体装置の製造方法を順序通り示したす断面図である。 図２Ａの固体撮像用半導体装置の製造方法を順序通り示したす断面図である。 図２Ａの固体撮像用半導体装置の製造方法を順序通り示したす断面図である。 図３Ａの平面図である。 図３Ｂの平面図である。 図３Ｃの平面図である。 図３Ｄの平面図である。 図２Ａの平面図である。 本発明の第２の実施形態による固体撮像用半導体装置を示す断面図である。 本発明の第３の実施形態による固体撮像用半導体装置を示す断面図である。 本発明の第４の実施形態による固体撮像用半導体装置を示す断面図である。 本発明の第５の実施形態による固体撮像用半導体装置を示す断面図である。 図８Ａの第１の配線基板のみを示す部分切開斜視図である。 本発明の第６の実施形態による固体撮像用半導体装置を示す断面図である。 本発明の第７の実施形態による固体撮像用半導体装置を示す断面図である。 本発明の第８の実施形態による固体撮像用半導体装置を示す断面図である。
符号の説明
２００： 固体撮像用半導体装置
２１０： 第２の配線基板
２１５： ボンディングパッド
２１７： 連結端子
２２０： 受動素子
２３０： 第１の配線基板
２３２： 筐体部
２３４： リード
２３４ａ： リードの一端
２３４ｂ： リードの他端
２３６： 開口部
２３８： 段差部
２４０： 半導体チップ
２４５： 電気的接続手段
２５０： レンズ部
２６０： 固体撮像用レンズ
２６５：赤外線遮断用フィルター
５００： 固体撮像用半導体装置
５１０： 配線基板
５１５： 外部連結端子
６００： 固体撮像用半導体装置
６１０： 第２の配線基板
６１５： 外部連結端子
７００： 固体撮像用半導体装置
７１０： 第２の配線基板
７１２： 軟質ＦＰＣ
７１４、７１６： 多層の硬質ＰＣＢ
８００： 固体撮像用半導体装置
８３０： 第１の配線基板
８３２： 筐体部
８３４ａ： リードの一端
８３４ｂ： リードの他端
８３６： 開口部
８３８： 段差部
８４５： 電気的接続手段
９００： 固体撮像用半導体装置
１０００： 固体撮像用半導体装置
１１００： 固体撮像用半導体装置
Ｌ１、Ｌ２： 左右幅

Claims (14)

  1. 固体撮像用レンズを備えるレンズ部と、
    開口部を備え、上部が内側面から前記開口部内へ突出して前記内側面に段差部が形成され、前記固体撮像用レンズと前記開口部が対向するように前記レンズ部の下端と連結された第１の配線基板と、
    前記第１の配線基板の下端と電気的に連結された第２の配線基板と、
    前記開口部内に配置されるように前記第２の配線基板上に接合され、前記第１の配線基板と電気的に連結される半導体チップと、
    前記第２の配線基板上に接合され、前記段差部の下部に配置される受動素子と、
    を含むことを特徴とする固体撮像用半導体装置。
  2. 前記半導体チップは、前記固体撮像用レンズからの光を画像信号に変換し、前記画像信号を処理することを特徴とする、請求項１に記載の固体撮像用半導体装置。
  3. 前記第１の配線基板は、ＰＣＢ、ＣＬＣＣ及びＰＬＣＣより成る群から選択されたいずれか一つより成ることを特徴とする、請求項１に記載の固体撮像用半導体装置。
  4. 前記第２の配線基板は、ＦＰＣ、一つ以上の軟質ＰＣＢと一つ以上の硬質ＰＣＢの組合及びソケットタイプパッケージより成る群から選択されたいずれか一つより成ることを特徴とする、請求項１に記載の固体撮像用半導体装置。
  5. 前記第１の配線基板と前記半導体チップは、ワイヤーボンディングにより電気的に連結されることを特徴とする、請求項１に記載の固体撮像用半導体装置。
  6. 前記第１の配線基板と前記半導体チップは、フリップチップボンディングにより電気的に連結されることを特徴とする、請求項１に記載の固体撮像用半導体装置。
  7. 前記固体撮像用レンズと所定の間隔をおいて対向し、前記固体撮像用レンズと前記半導体チップとの間に位置し、前記レンズ部内に固定位置する赤外線遮断用フィルターをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の固体撮像用半導体装置。
  8. 前記第２の配線基板の側面に形成された外部連結端子をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の固体撮像用半導体装置。
  9. 第２の配線基板を提供する段階と、
    前記第２の配線基板上に前記第２の配線基板と電気的に連結され、内部に開口部を備え、上部が内側面から前記開口部内へ突出して前記内側面に段差部が形成された第１の配線基板を提供する段階と、
    前記開口部内に配置される半導体チップを前記第２の配線基板上に接合する段階と、
    前記半導体チップを前記第１の配線基板と電気的に連結する段階と、
    前記第１の配線基板の上面に固体撮像用レンズを備えるレンズ部を形成する段階と、
    を含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
  10. 前記半導体チップを前記第１の配線基板と電気的に連結する段階は、フリップチップボンディングを用いることを特徴とする、請求項９に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
  11. 前記半導体チップを前記第１の配線基板と電気的に連結する段階は、ワイヤーボンディングを用いることを特徴とする、請求項９に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
  12. 前記第２の配線基板の側面に外部連結端子を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項９に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
  13. 前記第１の配線基板は、ＰＣＢ、ＣＬＣＣ及びＰＬＣＣより成る群から選択されたいずれか一つより成ることを特徴とする、請求項９に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
  14. 前記第２の配線基板は、ＦＰＣ、一つ以上の軟質ＰＣＢと一つ以上の硬質ＰＣＢの組合及びソケットタイプパッケージより成る群から選択されたいずれか一つより成ることを特徴とする、請求項９に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4864364B2 (ja) * 2005-07-11 2012-02-01 Ｈｏｙａ株式会社 電子内視鏡用撮像ユニット
KR100721163B1 (ko) * 2005-09-27 2007-05-23 삼성전기주식회사 이미지 센서 모듈과 이를 이용한 카메라 모듈 및 카메라모듈의 제조방법
JP2007173496A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像素子用パッケージおよび固体撮像装置
US7498646B2 (en) * 2006-07-19 2009-03-03 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Structure of image sensor module and a method for manufacturing of wafer level package
JP4923967B2 (ja) 2006-11-14 2012-04-25 凸版印刷株式会社 固体撮像装置及び電子機器
US7659617B2 (en) * 2006-11-30 2010-02-09 Tessera, Inc. Substrate for a flexible microelectronic assembly and a method of fabricating thereof
JP5082542B2 (ja) * 2007-03-29 2012-11-28 ソニー株式会社 固体撮像装置
CN100561736C (zh) * 2007-05-25 2009-11-18 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像感测器封装结构及其应用的成像模组
CN101349797A (zh) * 2007-07-16 2009-01-21 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像撷取模块及其镜头座
JP4413956B2 (ja) * 2007-08-21 2010-02-10 新光電気工業株式会社 カメラモジュール及び携帯端末機
KR100928011B1 (ko) * 2007-12-20 2009-11-24 삼성전기주식회사 이미지센서 모듈과 그 제조방법, 그리고 이를 포함하는카메라 모듈
KR100947971B1 (ko) * 2008-07-18 2010-03-15 삼성전기주식회사 모바일 기기용 카메라모듈
JP5197421B2 (ja) * 2009-02-17 2013-05-15 新光電気工業株式会社 カメラモジュール
CN101998035B (zh) * 2009-08-24 2013-07-03 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 相机模组及其组装方法
KR20110127913A (ko) * 2010-05-20 2011-11-28 삼성전자주식회사 카메라 모듈
JP5491628B2 (ja) * 2010-06-28 2014-05-14 京セラ株式会社 配線基板および撮像装置ならびに撮像装置モジュール
CN102569594A (zh) * 2010-12-24 2012-07-11 展晶科技(深圳)有限公司 封装载体及采用该封装载体的发光二极管封装结构
US8872293B2 (en) * 2011-02-15 2014-10-28 Sony Corporation Solid-state imaging device and method of manufacturing the same and electronic apparatus
JP2013243340A (ja) 2012-04-27 2013-12-05 Canon Inc 電子部品、実装部材、電子機器およびこれらの製造方法
JP5885690B2 (ja) 2012-04-27 2016-03-15 キヤノン株式会社 電子部品および電子機器
JP6296687B2 (ja) 2012-04-27 2018-03-20 キヤノン株式会社 電子部品、電子モジュールおよびこれらの製造方法。
CN103400848B (zh) * 2013-08-14 2015-08-12 中国电子科技集团公司第四十四研究所 用于倍增电荷耦合器件的封装结构
JP6939561B2 (ja) * 2015-11-24 2021-09-22 ソニーグループ株式会社 撮像素子パッケージ、撮像装置及び撮像素子パッケージの製造方法
WO2017092695A2 (zh) * 2015-12-01 2017-06-08 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其电气支架
KR20170099444A (ko) 2016-02-23 2017-09-01 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
US10290672B2 (en) * 2016-05-31 2019-05-14 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensor semiconductor packages and related methods
US10272678B2 (en) * 2016-11-18 2019-04-30 Ricoh Company, Ltd. Liquid discharge head, liquid discharge device, and liquid discharge apparatus
CN108649041B (zh) * 2018-04-16 2021-01-26 复旦大学 一种基于复合互连衬底的芯片封装结构及其方法
JP7336261B2 (ja) * 2019-05-22 2023-08-31 キヤノン株式会社 撮像ユニット及び撮像装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001358997A (ja) * 2000-06-12 2001-12-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2002246574A (ja) * 2001-02-15 2002-08-30 Citizen Electronics Co Ltd 半導体パッケージ及びその製造方法
JP2003158252A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58140156A (ja) * 1982-02-16 1983-08-19 Canon Inc 固体撮像装置
US5040069A (en) * 1989-06-16 1991-08-13 Fuji Photo Optical Co., Ltd. Electronic endoscope with a mask bump bonded to an image pick-up device
US5418566A (en) * 1990-09-10 1995-05-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Compact imaging apparatus for electronic endoscope with improved optical characteristics
JP3793454B2 (ja) 2001-12-19 2006-07-05 富士写真フイルム株式会社 撮像素子パッケージユニット
JP2003259169A (ja) 2002-03-05 2003-09-12 Fuji Photo Film Co Ltd 電子機器、撮像モジュール、および実装方法
KR100514917B1 (ko) 2002-05-07 2005-09-14 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 고체 촬상소자 장착용 패키지
JP4359072B2 (ja) * 2002-05-07 2009-11-04 三井化学株式会社 固体撮像素子装着用パッケージ
US7005310B2 (en) * 2002-08-14 2006-02-28 Renesas Technology Corporation Manufacturing method of solid-state image sensing device
KR200308381Y1 (ko) 2002-10-25 2003-03-28 카스크테크놀러지 주식회사 이미지 품질과 소형화를 위한 디지털 이미지 센서 모듈

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001358997A (ja) * 2000-06-12 2001-12-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2002246574A (ja) * 2001-02-15 2002-08-30 Citizen Electronics Co Ltd 半導体パッケージ及びその製造方法
JP2003158252A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法

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