JP5353200B2 - 固体撮像装置および撮像装置 - Google Patents

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Description

本発明は、固体撮像装置および撮像装置に関するものである。
通常、固体撮像装置は可視波長領域(およそ400nm〜700nm)だけでなく、更に波長の長い近赤外光まで感度を有しているため、カメラ撮像用として用いる場合に不自然な画像となってしまう。
これを回避するため、通常、カメラレンズ側に可視光よりも波長の長い光をカットするフィルタ(以下、IRカットフィルタという)が挿入されている。
この固体撮像装置の感度特性を利用して、光量の少ない状況では、IRカットフィルタを使用せず、可視光とともに近赤外光も利用することで、明るい画像を生成している。すなわち、明るさに応じて機械的にIRカットフィルタが挿入されている状態とされていない状態を作り出す方式が一般的に用いられている(例えば、特許文献1〜4参照。)。
しかしながら、切り替え機構を有するがゆえに稼動部分も機械精度が要求され、またカメラシステムの小型化が困難で、製造コストを下げられない要因となっている。
IRカットフィルタを使用せずに、光量が多いとき、少ないときに関わらず可視光と近赤外光の信号を使用して画像生成する方式も提案されている(例えば、特許文献5参照。)。しかしながら、この方式では色再現の劣化が見られる。
一方、可視光の信号と近赤外光の信号を独立して出力する機能を有する固体撮像素子も提案されている(例えば、特許文献6、7参照。)。これを用いることによりIRカットフィルタを使用することなく色再現の良いカラー画像を得ることができる。また、夜間などの光量の少ないときは近赤外光の信号も利用することにより明るい画像を得ることが可能である。
しかし、特許文献6の発明では、4種類の分光特性を持つ2次元的に配置された画素アレイを利用している。そのため、可視光の信号と近赤外光の信号を独立して得るために、2次元的に配列された画素アレイ上に配置するカラーフィルターの分光を厳密に規定する必要があった。また、マトリクス演算処理を行う必要があり、容易に実現できるものではない。
また、特許文献6、7の発明では、可視光の信号と近赤外光の信号の両方を得るために、可視光に感度を有する画素に加えて近赤外光に感度を有する画素を配置している。このため、ベイヤー配列などの通常の固体撮像素子のカラーフィルター配列を乱すことになり、画像として輝度や色の解像度が不足してしまう。
特開2000-59798号公報 特開2000-224469号公報 特開2004-337718号公報 特開2005-45559号公報 特開平06-169461号公報 特開2002-142228号公報 特開2006-190958号公報
解決しようとする問題点は、可視光に感度を有する画素に加えて近赤外光に感度を有する画素を配置しているため、ベイヤー配列などの通常の固体撮像素子のカラーフィルター配列を乱すことになり、画像として輝度や色の解像度が不足する点である。
本発明は、色再現、色解像度を劣化させることなく、可視光の信号と近赤外光の信号の両方を得て、暗時の撮像を可能にする。
本発明の固体撮像装置は、入射光を光電変換して信号電荷を得る複数の光電変換素子と、前記複数の光電変換素子のそれぞれの光入射側に設けられたカラーフィルター層と、前記各カラーフィルター層よりも前記光入射側に形成されていて、近赤外光に吸収を有する色素を用いた有機光電変換層と、前記カラーフィルター層と前記有機光電変換層との間の、前記近赤外光よりも長い波長の光を吸収する光電変換層を有する。
本発明の固体撮像装置では、有機光電変換層により近赤外光が光電変換されて近赤外光に対応する信号電荷が得られる。よって、夜間のような暗時においては、光電変換素子からの信号電荷に加えて有機光電変換層からの信号電荷も用いることができるので、高感度化される。また、昼間のような明時においては、ベイヤー配列などの通常の固体撮像素子のカラーフィルター層の配列を乱すことなく、光電変換素子により例えば通常の赤色光、緑色光、青色光の信号電荷が得られる。もしくは補色光の信号電荷が得られる。
本発明の撮像装置は、入射光を集光する結像光学部と、前記結像光学部で集光した光を受光して光電変換する固体撮像装置と、光電変換された信号を処理する信号処理部を有し、前記信号処理部は、明時は、前記固体撮像装置から出力された赤色光、緑色光、青色光の信号を基に信号処理をしたカラー画像信号を出力し、暗時は、前記固体撮像装置から出力された赤色光、緑色光、青色光と近赤外光の信号を混合して信号処理をした白黒画像信号を出力する。
本発明の撮像装置では、可視光の信号と近赤外光の信号を独立して出力する。しかも、昼間のような明時においては、前記固体撮像装置から出力された赤色光、緑色光、青色光の信号を基に信号処理をしたカラー画像信号を出力することから、色再現、色解像度を劣化させない。また、夜間のような暗時においては、固体撮像装置から出力された赤色光、緑色光、青色光と近赤外領域の波長の信号を混合して信号処理をした白黒画像信号を出力することから、高感度な出力信号が得られる。
本発明の固体撮像装置は、IRカットフィルタを用いることなく、通常の固体撮像素子のカラーフィルター層の配列を乱すことなく、高感度な出力信号が得られるので、明時において色再現、色解像度を劣化させることなく、暗時においても撮像が可能になる。
本発明の撮像装置は、暗時において、固体撮像装置から出力された赤色光、緑色光、青色光と近赤外光の信号を混合して信号処理をした白黒画像信号を出力することから、高感度化されるので、夜間の撮影が容易になる。また、明時においては、色再現、色解像度を劣化させることなく、カラー画像を撮影することができる。
以下、発明を実施するための最良の形態(以下、実施の形態とする)について説明する。
1.第1の実施の形態(第1固体撮像装置の基本構成の第1例、第1固体撮像装置の変形例)。
2.第2の実施の形態(第1固体撮像装置の構成をCMOSイメージセンサに適用した一例)
3.第3の実施の形態(第2固体撮像装置の基本構成の第2例)。
4.第4の実施の形態(第2固体撮像装置の構成をCMOSイメージセンサに適用した一例)
5.第5の実施の形態(撮像装置の基本構成の一例)。
<1.第1の実施の形態>
[第1固体撮像装置の基本構成の第1例]
本発明の第1実施の形態に係る第1固体撮像装置の基本構成の第1例を、図1の概略構成断面図によって説明する。
図1に示すように、半導体基板11に、入射光を光電変換して信号電荷を得る複数の光電変換素子12(12R、12G、12B)が形成されている。各光電変換素子12は、例えばフォトダイオードで構成されている。上記半導体基板11には、例えばシリコン基板が用いられている。もしくは、SOI基板や、SOI基板のシリコン層上にシリコンエピタキシャル成長層を形成した基板が用いられている。
上記各光電変換素子12のそれぞれの光入射側には、カラーフィルター層13が形成されている。
例えば、光電変換素子12(12R)には、赤色光を吸収するカラーフィルター層13(赤色カラーフィルター層13R)が形成されている。また、光電変換素子12(緑色カラーフィルター層12G)には、緑色光を吸収するカラーフィルター層13(緑色カラーフィルター層13G)が形成されている。さらに、光電変換素子12(12B)には、青色光を吸収するカラーフィルター層13(青色カラーフィルター層13B)が形成されている。
上記各カラーフィルター層13よりも上記光入射側には、近赤外光に吸収を有する色素を用いた有機光電変換層14が形成されている。上記近赤外光とは、波長が例えば770nmよりも長く2.5μm以下の光をいう。
上記有機光電変換層14に用いる近赤外光を吸収する色素は、例えば、キノイド系金属錯体色素、シアニン系色素、インモニウム系色素、ジインモニウム系色素、トリアリルメタン系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、スクアリリウム系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、アントラキノン系色素、ニッケル−ジチオール錯体系色素などを、必要な分光特性や出力感度特性に応じて用いることができる。
このように、第1固体撮像装置1は構成されている。
[第1固体撮像装置の変形例]
また、図2に示すように、上記カラーフィルター層13と上記有機光電変換層14との間に、上記近赤外光の波長よりも長い波長の光を吸収する光電変換層15が形成されていてもよい。
一般的に、シリコン基板は近赤外光を吸収し、またカラーフィルターは近赤外光に吸収を持つものが非常に少ない。
次に、一般的な固体撮像装置の分光感度特性の一例を図3によって説明する。図3は、縦軸に分光相対感度を示し、横軸に波長を示す。
図3に示すように、例えば、20%以上に感度を有する波長領域は以下のようになっている。
赤色カラーフィルター層を有する固体撮像素子は、570nm〜870nm程度の波長領域の光に感度(図中の分光感度曲線R)を有している。
緑色カラーフィルター層を有する固体撮像素子は、460nm〜600nm程度の波長領域の光と750nm〜860nm程度の波長領域の光に感度(図中の分光感度曲線G)を有している。
青色カラーフィルター層を有する固体撮像素子は、380nm〜520nm程度の波長領域の光と790nm〜880nm程度の波長領域の光に感度(図中の分光感度曲線B)を有している。
上記のように、近赤外光にも感度を有している。
このように、従来の各カラーフィルター層を有する固体撮像素子は、近赤外光にも分光感度を有している。
このため、従来のカラーフィルター層を用いた固体撮像装置をカメラ撮像用の固体撮像装置として用いる場合、不自然な画像となってしまう。
そこで、IRカットフィルターをカラーフィルターの入射光側に挿入することで、各カラーフィルター層に入射する入射光から近赤外光をカットしていた。
次に、上記第1固体撮像装置1における各カラーフィルター層13を設けた固体撮像素子12の分光相対感度特性の一例を図4によって説明する。図4は、縦軸に分光相対感度を示し、横軸に波長を示す。
図4に示すように、例えば、20%以上に感度を有する波長領域は以下のようになっている。
赤色カラーフィルター層13Rを有する固体撮像素子12(12R)は、570nm〜660nm程度の波長領域の光に感度(図中の分光感度曲線R)を有している。
緑色カラーフィルター層13Gを有する固体撮像素子12(12G)は、460nm〜600nm程度の波長領域の光に感度(図中の分光感度曲線G)を有している。
青色カラーフィルター層13Bを有する固体撮像素子12(12B)は、380nm〜520nm程度の波長領域の光に感度(図中の分光感度曲線B)を有している。
また、上記近赤外光に吸収を有する色素を用いた有機光電変換層14は、680nm〜860nm程度の波長領域の光に感度(図中の分光感度曲線I)を有している。
したがって、有機光電変換層14は680nm〜860nm程度の波長領域の光を吸収し、それよりも短い波長の光は透過する。
このため、カラーフィルター層13には、可視光以下の波長の光が入射されることになる。
よって、各光電変換素子12には、各カラーフィルター13によって分光された可視光が到達することとなり、各カラーフィルター13に対応する光電変換素子12からは、前記図4の実線に示すような可視光の分光感度の出力を得ることができる。
一方、第1固体撮像装置1における各カラーフィルター層13を有する固体撮像素子12は、その分光感度特性が近赤外光に感度を示していない。その理由は、上記有機光電変換層14にて近赤外域の波長の光が吸収されているためである。
したがって、カラーフィルター層13には、近赤外領域の光が入射されていない。
また、上記説明したように、有機光電変換層14は680nm〜860nm程度の波長領域の光に感度を有する。
よって、上記各光電変換素子12では可視光の信号を出力し、上記有機光電変換層14では近赤外光の信号を出力することができる。
要するに、上記第1固体撮像装置1は、可視光の波長領域の信号と近赤外光の波長領域の信号を独立して出力する機能を有している。
また、光電変換層15が形成されている構成では、有機光電変換層14で吸収できていない赤外光(例えば波長が2.5μm以上10μm以下程度の光)を、光電変換層15が吸収する。
このため、カラーフィルター層13に赤外光が入射されなくなる。
よって、たとえカラーフィルター層13が赤外光にも感度を有していたとしても、赤外光が入射されないので、光電変換素子12では、赤外光に感度を示さない。
上記第1固体撮像装置1では、一例として、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の原色タイプのカラーフィルターを使用して説明したが、カラーフィルターとしては、マゼンダ(Mg)、シアン(Cy)、イエロー(Ye)、緑(G)の補色タイプやその他組み合わせのカラーフィルターを用いていても構わない。
また、前記図1は、簡易的に光電変換部(フォトダイオード)しか示していない。しかしながら、この光電変換部(フォトダイオード)で光電変換された信号電荷を読み出す方法としては、CCDイメージセンサのような電荷転送方式、CMOSイメージセンサのような各画素に読み出しゲートを備える方式、等、光電変換部からの信号電荷の読み出し方式は問わない。
<2.第2の実施の形態>
[第1固体撮像装置1の構成をCMOSイメージセンサに適用した一例]
次に、上記第1固体撮像装置1の構成をCMOSイメージセンサに適用した一例を、図5の概略構成断面図によって説明する。
図5に示すように、半導体基板11に、入射光を光電変換して信号電荷を得る複数の光電変換素子12(12R、12G、12B)が形成されている。各光電変換素子12は、例えばフォトダイオードで構成されている。上記半導体基板11には、例えばシリコン基板が用いられている。もしくは、SOI基板や、SOI基板のシリコン層上にシリコンエピタキシャル成長層を形成した基板が用いられている。
上記半導体基板11には、各光電変換素子12によって光電変換された信号電荷を読み出すための転送ゲート31が形成されている。この転送ゲート31は、詳細を図示していないが、例えばゲート絶縁膜上にゲート電極が形成されている。また、上記半導体基板11には、図示はしていないが、上記転送ゲート31にフローティングディフュージョンを介して、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ、選択トランジスタ等の画素トランジスタおよび周辺回路が形成されている。
また、上記半導体基板11上には、上記画素トランジスタや周辺回路を被覆する多層配線部41が形成されている。この多層配線部41は、絶縁膜42中に、複数層(図面では一例として2層)に形成された配線43が形成されたものである、配線の層数は2層に限らず、3層、4層またはそれ以上であってもよい。
上記多層配線部41の絶縁膜42上には、カラーフィルター層13が形成されている。
例えば、光電変換素子12(12R)には、赤色光を吸収するカラーフィルター層13(赤色カラーフィルター層13R)が形成されている。また、光電変換素子12(緑色カラーフィルター層12G)には、緑色光を吸収するカラーフィルター層13(緑色カラーフィルター層13G)が形成されている。さらに、光電変換素子12(12B)には、青色光を吸収するカラーフィルター層13(青色カラーフィルター層13B)が形成されている。
各カラーフィルター13には、それぞれに、その上面に透明電極16が形成されている。各透明電極16は、それぞれに信号読み出しのコンタクト部44を介して上記配線43のうちの信号読み出し配線43rに接続されている。
すなわち、赤色(R)のカラーフィルター層13R上に透明電極16(16R)が形成されていて、この透明電極16Rはコンタクト部44(44R)を介して信号読み出し配線43r(43rR)に接続している。
緑色(R)のカラーフィルター層13G上に透明電極16(16G)が形成されていて、この透明電極16Gはコンタクト部44(44G)を介して信号読み出し配線43R(43rG)に接続している。
青色(B)のカラーフィルター層13B上に透明電極16(16B)が形成されていて、この透明電極16Bはコンタクト部44(44B)を介して信号読み出し配線43r(43rB)に接続している。
また、上記透明電極16は、例えばインジウムスズ酸化膜(ITO)、インジウム亜鉛酸化膜、酸化亜鉛等の可視光および近赤外光を透過する透明電極で形成される。
上記各カラーフィルター層13よりも上記光入射側には、近赤外光に吸収を有する色素を用いた有機光電変換層14が形成されている。上記近赤外光とは、波長が例えば770nmよりも長く2.5μm以下の光をいう。
上記有機光電変換層14に用いる近赤外光を吸収する色素は、例えば、キノイド系金属錯体色素、シアニン系色素、インモニウム系色素、ジインモニウム系色素、トリアリルメタン系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、スクアリリウム系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、アントラキノン系色素、ニッケル−ジチオール錯体系色素などを、必要な分光特性や出力感度特性に応じて用いることができる。
上記有機光電変換層14には、その上面に透明電極17が形成されている。
また、上記透明電極17は、例えばインジウムスズ酸化膜(ITO)、インジウム亜鉛酸化膜、酸化亜鉛等の可視光および近赤外光を透過する透明電極で形成される。
このように、第1固体撮像装置1は構成されている。
上記第1固体撮像装置1では、有機光電変換層14により近赤外光が光電変換されて近赤外光に対応する信号電荷が得られる。よって、夜間のような暗時においては、光電変換素子12からの信号電荷に加えて有機光電変換層14からの信号電荷も用いることができるので、高感度化される。また、昼間のような明時においては、ベイヤー配列などの通常の固体撮像素子12のカラーフィルター層13の配列を乱すことなく、光電変換素子12により例えば通常の赤色光、緑色光、青色光の信号電荷が得られる。もしくは補色光の信号電荷が得られる。
よって、上記第1固体撮像装置1は、IRカットフィルタを用いることなく、通常の固体撮像素子12のカラーフィルター層13の配列を乱すことなく、高感度な出力信号が得られるので、明時において色再現、色解像度を劣化させることなく、暗時においても撮像が可能になる。
<3.第3の実施の形態>
[第2固体撮像装置の基本構成の第2例]
本発明の第2実施の形態に係る第2固体撮像装置の基本構成の第2例を、図6の概略構成断面図によって説明する。
図6に示すように、半導体基板11に、入射光を光電変換して信号電荷を得る複数の光電変換素子12が形成されている。各光電変換素子12は、近赤外光を吸収して、その光電変換された信号電荷を出力する、例えばフォトダイオードで構成されている。上記近赤外光とは、波長が例えば770nmよりも長く2.5μm以下の光をいう。
上記半導体基板11には、例えばシリコン基板が用いられている。もしくは、SOI基板や、SOI基板のシリコン層上にシリコンエピタキシャル成長層を形成した基板が用いられている。
上記各光電変換素子12に入射する入射光の入射側には、有機光電変換層14が形成されている。
例えば、各光電変換素子12上には、赤色光を吸収する有機光電変換層14(赤色有機光電変換層14R)が形成されている。その上に青色光を吸収する有機光電変換層14(青色有機光電変換層14B)が形成されていて、さらに緑色光を吸収する有機光電変換層14(緑色有機光電変換層14G)が形成されている。そして上記各有機光電変換層14から、それぞれの色の出力が得られる。
このように、第2固体撮像装置2は構成されている。
一般的な固体撮像素子の分光感度特性の一例を図7によって説明する。図7は、縦軸に分光相対感度を示し、横軸に波長を示す。
図7に示すように、例えば、20%以上に感度を有する波長領域は以下のようになっている。
一般的な固体撮像素子は、可視光の波長から近赤外光に感度(図中の分光感度曲線C)を有している。
このため、従来のカラーフィルター層を用いた固体撮像装置をカメラ撮像用の固体撮像装置として用いる場合、不自然な画像となってしまう。
そこで、IRカットフィルタをカラーフィルターの入射光側に挿入することで、各カラーフィルター層に入射する入射光から近赤外光をカットしていた。
次に、上記第2固体撮像装置2における各有機光電変換層14および固体撮像素子12の分光感度特性の一例を図8によって説明する。図8は、縦軸に分光相対感度を示し、横軸に波長を示す。
図8に示すように、例えば、20%以上に感度を有する波長領域は以下のようになっている。
赤色有機光電変換層14Rは、575nm〜655nm程度の波長領域の光に感度(図中の分光感度曲線R)を有している。
緑色有機光電変換層14Gは、485nm〜595nm程度の波長領域の光に感度(図中の分光感度曲線G)を有している。
青色有機光電変換層14Bは、415nm〜520nm程度の波長領域の光に感度(図中の分光感度曲線B)を有している。
また、上記近赤外光に吸収を有する色素を用いた固体撮像素子12は、660nm〜820nm程度の波長領域の光に感度(図中の分光感度曲線I)を有している。
したがって、有機光電変換層14は315nm〜655nm程度の波長領域の光を吸収し、近赤外光に感度を示していない。したがって、有機光電変換層14は、近赤外領域の光が透過されるので、近赤外光は固体撮像素子12に入射され、吸収される。
よって、各有機光電変換層14には、可視光が分光されて吸収され、出力されることとなり、各光電変換素子12からは、前記図8の分光感度曲線Iに示すような近赤外光の分光感度の出力を得ることができる。
要するに、上記第2固体撮像装置2は、可視光の波長領域の信号と近赤外光の波長領域の信号を独立して出力する機能を有している。
上記第2固体撮像装置2では、一例として、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の原色タイプの有機光電変換層を使用して説明したが、有機光電変換層としては、マゼンダ(Mg)、シアン(Cy)、イエロー(Ye)、緑(G)の補色タイプやその他組み合わせの有機光電変換層を用いていても構わない。
また、前記図6は、簡易的に光電変換部(フォトダイオード)しか示していない。しかしながら、この光電変換部(フォトダイオード)で光電変換された信号電荷を読み出す方法としては、CCDイメージセンサのような電荷転送方式、CMOSイメージセンサのような各画素に読み出しゲートを備える方式、等、光電変換部からの信号電荷の読み出し方式は問わない。
<4.第4の実施の形態>
[第2固体撮像装置2の構成をCMOSイメージセンサに適用した一例]
次に、上記第2固体撮像装置2の構成をCMOSイメージセンサに適用した一例を、図9の概略構成断面図によって説明する。
図9に示すように、半導体基板11に、入射光を光電変換して信号電荷を得る複数の光電変換素子12が形成されている。各光電変換素子12は、近赤外光を吸収して、その光電変換された信号電荷を出力する、例えばフォトダイオードで構成されている。上記近赤外光とは、波長が例えば770nmよりも長く2.5μm以下の光をいう。
上記半導体基板11には、例えばシリコン基板が用いられている。もしくは、SOI基板や、SOI基板のシリコン層上にシリコンエピタキシャル成長層を形成した基板が用いられている。
上記半導体基板11には、各光電変換素子12によって光電変換された信号電荷を読み出すための転送ゲート21が形成されている。
また、上記半導体基板11上には、上記画素トランジスタや周辺回路を被覆する多層配線部41が形成されている。この多層配線部41は、絶縁膜42中に、複数層(図面では一例として4層)に形成された配線43が形成されたものである、配線の層数は2層に限らず、3層、4層またはそれ以上であってもよい。
上記多層配線部41の絶縁膜42上には、上記各光電変換素子12に対応して赤色読み出し用透明電極21が形成されている。この赤色読み出し用透明電極21を介して、赤色光を吸収する有機光電変換層14(赤色有機光電変換層14R)が形成され、この赤色有機光電変換層14R上には透明電極22が形成されている。さらに透明電極22上には、絶縁膜51が形成されている。
上記の絶縁膜51上には、上記各光電変換素子12に対応して青色読み出し用透明電極23が形成されている。この青色読み出し用透明電極23を介して、青色光を吸収する有機光電変換層14(青色有機光電変換層14B)が形成され、この青色有機光電変換層14B上には透明電極24が形成されている。さらに透明電極24上には、絶縁膜52が形成されている。
上記の絶縁膜52上には、上記各光電変換素子12に対応して緑色読み出し用透明電極25が形成されている。この緑色読み出し用透明電極25を介して、緑色光を吸収する有機光電変換層14(緑色有機光電変換層14G)が形成され、この緑色有機光電変換層14G上には透明電極26が形成されている。
上記赤色読み出し用透明電極21はコンタクト部53を介して例えば2層目の配線43(信号読み出し配線43R)に接続されている。また青色読み出し用透明電極23はコンタクト部54を介して例えば3層目の配線43(信号読み出し配線43B)に接続されている。さらに緑色読み出し用透明電極25にはコンタクト部55を介して例えば4層目の配線43(信号読み出し配線43G)に接続されている。
さらに上記以外の配線が1層目の配線43(43A)で形成されている。
また、上記各透明電極21〜26は、例えばインジウムスズ酸化膜(ITO)、インジウム亜鉛酸化膜、酸化亜鉛等の可視光および近赤外光を透過する透明電極で形成される。
このように、第2固体撮像装置2は構成されている。
上記第2固体撮像装置2では、各光電変換素子12により近赤外光が光電変換されて近赤外光に対応する信号電荷が得られる。よって、夜間のような暗時においては、有機光電変換層14からの信号電荷に加えて光電変換素子12からの信号電荷も用いることができるので、高感度化される。また、昼間のような明時においては、有機光電変換層14により例えば通常の赤色光、緑色光、青色光の信号電荷が得られる。
よって、上記第2固体撮像装置2は、IRカットフィルタを用いることなく、有機光電変換層14の配列を乱すことなく、高感度な出力信号が得られるので、明時において色再現、色解像度を劣化させることなく、暗時においても撮像が可能になる。
<5.第5の実施の形態>
[撮像装置の基本構成の一例]
次に、本発明の第5実施の形態に係る撮像装置の構成の一例を、図10のブロック図によって説明する。この撮像装置には、例えば、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、携帯電話のカメラ等がある。
図10に示すように、撮像装置100は、撮像部101に固体撮像装置(図示せず)を備えている。この撮像部101の集光側には像を結像させる結像光学部102が備えられ、また、撮像部101には、それを駆動する駆動回路、固体撮像装置で光電変換された信号を画像に処理する信号処理回路等を有する信号処理部103が接続されている。また上記信号処理部によって処理された画像信号は画像記憶部(図示せず)によって記憶させることができる。
上記信号処理部103は、明時は、上記固体撮像装置から出力された赤色光、緑色光、青色光の信号を基に信号処理をしたカラー画像信号を出力する。また暗時は、上記固体撮像装置から出力された赤色光、緑色光、青色光と近赤外光の信号を混合して信号処理をした白黒画像信号を出力する。
このような撮像装置100において、上記固体撮像装置には、前記説明した第1固体撮像装置1または第2固体撮像装置2を用いることができる。
次に、上記第1固体撮像装置1を用いた場合について具体的に説明する。
昼間など光量が十分な場合は、各光電変換素子12(前記図1、図5参照)から出力される可視光の信号を使用して処理することにより、通常のカラー画像信号を出力することができる。このとき、色再現を劣化させる近赤外光は有機光電変換層14(前記図1、図5参照)により吸収されるため、一般的に用いられるIRカットフィルタは必要ない。したがって、撮像装置100を小型化することが可能となる。
一方、夜間など光量が少ない場合は、各光電変換素子12(前記図1、図5参照)からの可視光の信号に加えて、有機光電変換層14(前記図1、図5参照)から出力される近赤外光の信号を合わせて用いることにより、より明るい画像信号を生成することができる。このとき、近赤外光の信号は、各光電変換素子12に対応する全領域から出力することができるため、昼間の画像に対して解像度は劣化しない。また、光量が少ない場面では、色情報が少なくなるため、白黒画像処理をすることにより2次元的にカラーフィルターを配列した固体撮像素子のカラー画像生成に必要なデモザイク処理が無くすことができ、偽信号の発生を抑制することが可能である。
また、光量が少ないところでの撮像時には、光電変換素子12からの出力信号に対して、相対的に暗時ノイズが増加するため、有機光電変換層14からの近赤外光の信号のみを使用して、白黒画像を生成することも可能である。
周囲の明るさを検知するシステムと組み合わせることにより、近赤外光の信号を用いた画像生成への切り替えを自動化することができる。これは、例えば周囲の明るさを検知するセンサ、可視光の信号量を監視する回路を追加して、信号処理回路へのフィードバックを行うことにより実現できる。
これらの可視光の信号と近赤外光の信号の使用は電気的に切り替えることができ、機械的な機構を組み込む必要がないため、小型でコストの安い昼夜兼用カメラを作製することが可能である。
[信号処理の一例]
例えば、図11に示すように、第1固体撮像装置1により光電変換された信号電荷、例えばRAWデータは、デモザイク処理ブロック210で赤色光(R)信号、緑色光(G)信号、青色光(B)信号に分離される。そして、それらの信号を基にクロマ信号生成処理ブロック220にてクロマ信号を生成し、また輝度信号生成ブロック230にて輝度信号を生成する。それぞれに生成されたクロマ信号と輝度信号により画像生成ブロック240にて画像を生成する。
また、周囲の明るさを検知するセンサ250が備えられている。このセンサ250で検出した周囲の明るさ、もしくは上記センサ250で検出した周囲の明るさに上記赤色光(R)信号、緑色光(G)信号、青色光(B)信号の各信号量を加えた明るさにて、信号量比較処理ブロック260にて、近赤外光を使用するか否かを判断する。
そして、近赤外光を使用する場合には、スイッチ270をON状態とし、近赤外光信号を上記輝度生成処理ブロック230に送る。この場合、輝度生成処理ブロック230では、赤色光(R)信号、緑色光(G)信号、青色光(B)信号に近赤外光信号を加えて、輝度信号が生成される。
一方、近赤外光を使用しない場合には、スイッチ270をOFF状態として、近赤外光信号を上記輝度生成処理ブロック230に送らない。この場合、輝度生成処理ブロック230では、赤色光(R)信号、緑色光(G)信号、青色光(B)信号のみで輝度信号が生成される。
また、近赤外光のみを使用して画像を生成する場合には、信号量比較処理ブロック260にて、スイッチ280をOFF状態として、画像生成ブロック240にて輝度信号のみで画像を生成する。
次に、上記第2固体撮像装置2を用いた場合について具体的に説明する。
昼間など光量が十分な場合は、有機光電変換層14R、14G、14B(前記図6、図9参照)から出力される可視光の信号を使用して処理することにより、通常のカラー画像信号を出力することができる。このとき、色再現を劣化させる近赤外光に対しては、有機光電変換層14R、14G、14Bは吸収を持っていないので出力されないため、一般的に用いられるIRカットフィルタは必要ない。そのため、撮像装置100を小型化することが可能となる。
ここで、有機光電変換層14R、14G、14Bは積層して配置されているため、通常のベイヤー配列のRGBカラーフィルター方式の固体撮像素子に対して色解像度の高い画像を得ることができる。
一方、夜間など光量が少ない場合は、有機光電変換層14R、14G、14Bからの可視光の信号に加えて、光電変換素子12から出力される近赤外光の信号を合わせて用いることにより、より明るい画像信号を生成することができる。
また、光量が少ない場面では、色情報が少なくなるため、白黒画像処理をすることにより暗くなると目立ってくる色ノイズを抑制することが可能である。
また、光量が少ないところでの撮像時は、有機光電変換層14R、14G、14Bからの出力信号に対して、相対的に暗時ノイズが増加するため、光電変換素子12からの近赤外光の信号のみを使用して、白黒画像を生成することも可能である。
周囲の明るさを検知するシステムと組み合わせることにより、近赤外光の信号を用いた画像生成への切り替えを自動化することができる。これは、例えば周囲の明るさを検知するセンサ、可視光の信号量を監視する回路を追加して、信号処理回路へのフィードバックを行うことにより実現できる。
これらの可視光の信号と近赤外光の信号の使用は電気的に切り替えることができ、機械的な機構を組み込む必要がないため、小型でコストの安い昼夜兼用カメラを作製することが可能である。
[信号処理の一例]
例えば、図12に示すように、第2固体撮像装置2により光電変換された信号電荷、例えば赤色光(R)信号、緑色光(G)信号、青色光(B)信号が出力される。その出力された赤色光(R)信号、緑色光(G)信号、青色光(B)信号を基に、クロマ信号生成処理ブロック220にてクロマ信号を生成し、また輝度信号生成ブロック230にて輝度信号を生成する。それぞれに生成されたクロマ信号と輝度信号により画像生成ブロック240にて画像を生成する。
また、周囲の明るさを検知するセンサ250が備えられている。このセンサ250で検出した周囲の明るさ、もしくは上記センサ250で検出した周囲の明るさに上記赤色光(R)信号、緑色光(G)信号、青色光(B)信号の各信号量を加えた明るさにて、信号量比較処理ブロック260にて、近赤外光を使用するか否かを判断する。
そして、近赤外光を使用する場合には、スイッチ270をON状態とし、近赤外光信号を上記輝度生成処理ブロック230に送る。この場合、輝度生成処理ブロック230では、赤色光(R)信号、緑色光(G)信号、青色光(B)信号に近赤外光信号を加えて、輝度信号が生成される。
一方、近赤外光を使用しない場合には、スイッチ270をOFF状態として、近赤外光信号を上記輝度生成処理ブロック230に送らない。この場合、輝度生成処理ブロック230では、赤色光(R)信号、緑色光(G)信号、青色光(B)信号のみで輝度信号が生成される。
また、近赤外光のみを使用して画像を生成する場合には、信号量比較処理ブロック260にて、スイッチ280をOFF状態として、画像生成ブロック240にて輝度信号のみで画像を生成する。
上記撮像装置100では、暗時において、固体撮像装置から出力された赤色光、緑色光、青色光と近赤外光の信号を混合して信号処理をした白黒画像信号を出力することから、高感度化されるので、夜間の撮影が容易になる。また、明時においては、色再現、色解像度を劣化させることなく、カラー画像を撮影することができる。
また本願発明の第1固体撮像装置1または第2固体撮像装置2を用いることから、明時において色再現、色解像度を劣化させることなく、暗時においても撮像が可能になるという利点がある。
また、可視光の信号と近赤外光の信号を独立して出力することが可能であるため、一般的な撮像装置で必要とされていたIRカットフィルタが必要でなく、小型の撮像装置の提供が可能となる。
さらに、可視光の信号と近赤外光の信号を独立して出力できることを利用して、機械的な機構を用いない、小型でコストの安い昼夜兼用撮像装置を提供することが可能となる。
なお、上記撮像装置100は、上記構成に限定されることはなく、固体撮像装置を用いる撮像装置であれば如何なる構成のものにも適用することができる。
上記第1固体撮像装置1または第2固体撮像装置2はワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
また、本発明は、固体撮像装置のみではなく、撮像装置にも適用可能である。この場合、撮像装置として、高画質化の効果が得られる。ここで、撮像装置は、例えば、カメラや撮像機能を有する携帯機器のことを示す。また「撮像」は、通常のカメラ撮影時における像の撮りこみだけではなく、広義の意味として、指紋検出なども含むものである。
本発明の第1実施の形態に係る第1固体撮像装置の基本構成の第1例を示した概略構成断面図である。 第1固体撮像装置の変形例を示した概略構成断面図である。 一般的な固体撮像装置の分光感度特性図である。 第1固体撮像装置の分光感度特性図である。 第1固体撮像装置の構成をCMOSイメージセンサに適用した一例を示した概略構成断面図である。 本発明の第2実施の形態に係る第2固体撮像装置の基本構成の第1例を示した概略構成断面図である。 一般的な固体撮像素子の分光感度特性図である。 第2固体撮像装置の分光感度特性図である。 第2固体撮像装置の構成をCMOSイメージセンサに適用した一例を示した概略構成断面図である。 本発明の第5実施の形態に係る撮像装置の構成の一例を示したブロック図である。 撮像装置の信号処理の一例を示したブロック図である。 撮像装置の信号処理の一例を示したブロック図である。
符号の説明
1,2…固体撮像装置、12…光電変換素子、13…カラーフィルター層、14…有機光電変換層

Claims (4)

  1. 入射光を光電変換して信号電荷を得る複数の光電変換素子と、
    前記複数の光電変換素子のそれぞれの光入射側に設けられたカラーフィルター層と、
    前記各カラーフィルター層よりも前記光入射側に形成されていて、近赤外光に吸収を有する色素を用いた有機光電変換層と、
    前記カラーフィルター層と前記有機光電変換層との間の、前記近赤外光よりも長い波長の光を吸収する光電変換層を有する
    固体撮像装置。
  2. 前記カラーフィルター層は、
    赤色に吸収を有するカラーフィルター層と、
    青色に吸収を有するカラーフィルター層と、
    緑色に吸収を有するカラーフィルター層を有する
    請求項1記載の固体撮像装置。
  3. 入射光を集光する結像光学部と、
    前記結像光学部で集光した光を受光して光電変換する固体撮像装置と、
    光電変換された信号を処理する信号処理部を有し、
    前記固体撮像装置は、
    入射光を光電変換して信号電荷を得る複数の光電変換素子と、
    前記複数の光電変換素子のそれぞれの光入射側に設けられたカラーフィルター層と、
    前記各カラーフィルター層よりも前記光入射側に形成されていて、近赤外光に吸収を有する色素を用いた有機光電変換層と、
    前記カラーフィルター層と前記有機光電変換層との間の、前記近赤外光よりも長い波長の光を吸収する光電変換層を有し、
    前記信号処理部は、
    明時は、前記固体撮像装置から出力された赤色光、緑色光、青色光の信号を基に信号処理をしたカラー画像信号を出力し、
    暗時は、前記固体撮像装置から出力された赤色光、緑色光、青色光と近赤外光の信号を混合して信号処理をした白黒画像信号を出力する
    撮像装置。
  4. 前記カラーフィルター層は、
    赤色に吸収を有するカラーフィルター層と、
    青色に吸収を有するカラーフィルター層と、
    緑色に吸収を有するカラーフィルター層を有する
    請求項3記載の撮像装置。
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