JP4632180B2 - メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 - Google Patents
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- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 286
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 97
- 238000007726 management method Methods 0.000 claims description 75
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 38
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 298
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 65
- 229920001485 poly(butyl acrylate) polymer Polymers 0.000 description 30
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012005 ligant binding assay Methods 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
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- G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
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- G06F2212/72—Details relating to flash memory management
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Description
ホストシステムから与えられるセクタ単位のアドレスが割り当てられている論理セクタ領域を複数個集めた論理ページを形成する論理ページ形成手段と、
前記論理ページ単位のデータが格納されるデータ格納領域を複数個備えたデータ格納手段と、
前記論理ページと前記データ格納領域との対応関係を管理する対応管理手段と、
前記対応管理手段により管理されている前記論理ページと前記データ格納領域との対応関係に従って、ホストシステムから与えられるデータを前記データ格納領域に格納する制御手段と、
前記データ格納領域内のホストシステムから与えられたデータが格納されている領域のセクタ数を、前記データ格納領域毎に管理する領域管理手段と、
前記データ格納領域に格納されているデータをフラッシュメモリに書き込むデータ書き込み手段とを備える。前記データ書き込み手段は、複数個の前記データ格納領域のうち、ホストシステムから与えられたデータが格納されている領域のセクタ数が多い前記データ格納領域を優先して、前記データ格納領域に格納されているデータをフラッシュメモリに書き込む。
ホストシステムから与えられるセクタ単位のアドレスが割り当てられている論理セクタ領域を複数個集めた論理ページを形成する論理ページ形成ステップと、
前記論理ページ単位のデータが格納されるデータ格納領域と、前記論理ページとの対応関係を管理する対応管理ステップと、
前記対応管理ステップにより管理されている前記論理ページと前記データ格納領域との対応関係に従って、ホストシステムから与えられるデータを前記データ格納領域に格納する制御ステップと、
前記データ格納領域内のホストシステムから与えられたデータが格納されている領域のセクタ数を、前記データ格納領域毎に管理する領域管理ステップと、
前記データ格納領域に格納されているデータをフラッシュメモリに書き込むデータ書き込みステップとを備える。前記データ書き込みステップでは、複数個の前記データ格納領域のうち、ホストシステムから与えられたデータが格納されている領域のセクタ数が多い前記データ格納領域を優先して、前記データ格納領域に格納されているデータがフラッシュメモリに書き込まれる。
フラッシュメモリ2a内のPBA#0の物理ブロックと
フラッシュメモリ2b内のPBA#0の物理ブロックと
フラッシュメモリ2c内のPBA#0の物理ブロックと
フラッシュメモリ2d内のPBA#0の物理ブロックと
フラッシュメモリ2e内のPBA#0の物理ブロックと
フラッシュメモリ2f内のPBA#0の物理ブロックと
フラッシュメモリ2g内のPBA#0の物理ブロックと
フラッシュメモリ2h内のPBA#0の物理ブロックと
で構成されていることが分かる。それぞれの仮想ブロックを構成する物理ブロックのPBAは、同一でなくてもよいが、仮想ブロックの管理等を考慮すれば、同じPBAの物理ブロックで仮想ブロックが構成されることが好ましい。但し、PBAが同一の8個の物理ブロック(互いに異なるフラッシュメモリ2a〜2hに属する物理ブロック)の中に不良ブロックが含まれている場合には、その不良ブロックに代えて、別の物理ブロック(PBAが異なる物理ブロック)が割り当てられる。例えば、フラッシュメモリ2c内のPBA#7の物理ブロックが不良ブロックの場合には、このPBA#7の物理ブロックに代えて、PBA#1016の物理ブロックがVBN#7の仮想ブロックに割り当てられる。
は、アドレス変換テーブルに基づいて特定される。また、それぞれの仮想ブロックを構成する物理ブロックは、仮想ブロック管理テーブルに基づいて特定される。そして、メモリコントローラ3は、このようにして特定された互いに異なるフラッシュメモリ2a〜2hに属する物理ブロック対して並行してデータの書き込みを行う。
Claims (5)
- ホストシステムから与えられる指示情報に基づいて、物理ページ単位でデータの書き込み及び読み出しが行われ、複数個の物理ページを含む物理ブロック単位でデータの消去が行われるフラッシュメモリに対するアクセスを制御するメモリコントローラであって、
ホストシステムから与えられるセクタ単位のアドレスが割り当てられている論理セクタ領域を複数個集めた論理ページを形成する論理ページ形成手段と、
前記論理ページ単位のデータが格納されるデータ格納領域を複数個備えたデータ格納手段と、
前記論理ページと前記データ格納領域との対応関係を管理する対応管理手段と、
前記対応管理手段により管理されている前記論理ページと前記データ格納領域との対応関係に従って、ホストシステムから与えられるデータを前記データ格納領域に格納する制御手段と、
フラッシュメモリに格納されているデータを読み出し、前記データ格納領域に格納するデータ読み出し手段と、
異なる前記データ格納領域間で、一方の前記データ格納領域から他方の前記データ格納領域へのデータ転送を制御するデータ転送手段と、
前記データ格納領域内のホストシステムから与えられたデータが格納されている領域のセクタ数を、前記データ格納領域毎に管理する領域管理手段と、
前記データ格納領域に格納されているデータをフラッシュメモリに書き込むデータ書き込み手段とを備え、
前記データ読み出し手段は、前記制御手段が、いずれかの前記論理ページに対応するデータである第1のデータを、いずれかの前記データ格納領域である第1のデータ格納領域に格納するのに並行して、前記第1のデータと同じ前記論理ページに対応する第2のデータをフラッシュメモリから読み出し、読み出した前記第2のデータを、前記第1のデータ格納領域とは異なる前記データ格納領域である第2のデータ格納領域に格納し、
前記データ転送手段は、前記第1のデータ格納領域と前記第2のデータ格納領域との間でデータ転送を行うことにより、前記第2のデータの一部を前記第1のデータで置き換えたデータを作成し、
前記データ書き込み手段は、複数個の前記データ格納領域のうち、ホストシステムから与えられたデータが格納されている領域のセクタ数が多い前記データ格納領域を優先して、前記データ格納領域に格納されているデータをフラッシュメモリに書き込むことを特徴とするメモリコントローラ。 - 前記データ転送手段は、前記第1のデータの容量が前記論理ページの容量の1/2未満のときは、前記第1のデータを前記第2のデータ格納領域に転送し、前記第1のデータの容量が前記論理ページの容量の1/2以上のときは、前記第2のデータの一部を前記第1のデータ格納領域に転送することを特徴とする請求項1に記載のメモリコントローラ。
- 請求項1又は2に記載のメモリコントローラと、
このメモリコントローラにより制御されるフラッシュメモリを備えるフラッシュメモリシステム。 - ホストシステムから与えられる指示情報に基づいて、物理ページ単位でデータの書き込み及び読み出しが行われ、複数個の物理ページを含む物理ブロック単位でデータの消去が行われるフラッシュメモリに対するアクセスを制御するフラッシュメモリの制御方法であって、
ホストシステムから与えられるセクタ単位のアドレスが割り当てられている論理セクタ領域を複数個集めた論理ページを形成する論理ページ形成ステップと、
前記論理ページ単位のデータが格納されるデータ格納領域と、前記論理ページとの対応関係を管理する対応管理ステップと、
前記対応管理ステップにより管理されている前記論理ページと前記データ格納領域との対応関係に従って、ホストシステムから与えられるデータを前記データ格納領域に格納する制御ステップと、
フラッシュメモリに格納されているデータを読み出し、前記データ格納領域に格納するデータ読み出しステップと、
異なる前記データ格納領域間で、一方の前記データ格納領域から他方の前記データ格納領域へのデータ転送を制御するデータ転送ステップと、
前記データ格納領域内のホストシステムから与えられたデータが格納されている領域のセクタ数を、前記データ格納領域毎に管理する領域管理ステップと、
前記データ格納領域に格納されているデータをフラッシュメモリに書き込むデータ書き込みステップとを備え、
前記データ読み出しステップでは、前記制御ステップにより、いずれかの前記論理ページに対応するデータである第1のデータが、いずれかの前記データ格納領域である第1のデータ格納領域に格納されるのに並行して、前記第1のデータと同じ前記論理ページに対応する第2のデータをフラッシュメモリから読み出し、読み出した前記第2のデータを前記第1のデータの格納先になっている前記データ格納領域とは異なる前記データ格納領域である第2のデータ格納領域に格納し、
前記データ転送ステップでは、前記第1のデータ格納領域と前記第2のデータ格納領域との間でデータ転送を行うことにより、前記第2のデータの一部を前記第1のデータで置き換えたデータを作成し、
前記データ書き込みステップでは、複数個の前記データ格納領域のうち、ホストシステムから与えられたデータが格納されている領域のセクタ数が多い前記データ格納領域を優先して、前記データ格納領域に格納されているデータがフラッシュメモリに書き込まれることを特徴とするフラッシュメモリの制御方法。 - 前記データ転送ステップでは、前記第1のデータの容量が前記論理ページの容量の1/2未満のときは、前記第1のデータを前記第2のデータ格納領域に転送し、前記第1のデータの容量が前記論理ページの容量の1/2以上のときは、前記第2のデータの一部を前記第1のデータ格納領域に転送することを特徴とする請求項4に記載のフラッシュメモリの制御方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008266409A JP4632180B2 (ja) | 2008-10-15 | 2008-10-15 | メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 |
US12/585,911 US8214579B2 (en) | 2008-09-30 | 2009-09-29 | Memory controller, flash memory system with memory controller, and method of controlling flash memory |
US12/574,768 US8239615B2 (en) | 2008-09-30 | 2009-10-07 | Memory controller, flash memory system with memory controller, and method of controlling flash memory |
US12/588,311 US8219742B2 (en) | 2008-10-15 | 2009-10-13 | Memory controller, flash memory system with memory controller, and method of controlling flash memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008266409A JP4632180B2 (ja) | 2008-10-15 | 2008-10-15 | メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010097333A JP2010097333A (ja) | 2010-04-30 |
JP4632180B2 true JP4632180B2 (ja) | 2011-02-16 |
Family
ID=42099931
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008266409A Expired - Fee Related JP4632180B2 (ja) | 2008-09-30 | 2008-10-15 | メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8219742B2 (ja) |
JP (1) | JP4632180B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5093294B2 (ja) | 2010-05-14 | 2012-12-12 | Tdk株式会社 | メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 |
JP5464066B2 (ja) * | 2010-06-10 | 2014-04-09 | ソニー株式会社 | 通信装置、及び、通信方法 |
US9390049B2 (en) * | 2011-06-03 | 2016-07-12 | Micron Technology, Inc. | Logical unit address assignment |
US9417803B2 (en) | 2011-09-20 | 2016-08-16 | Apple Inc. | Adaptive mapping of logical addresses to memory devices in solid state drives |
EP2972888B1 (en) | 2013-03-14 | 2019-02-06 | Micron Technology, INC. | Memory systems and methods including training,data organizing,and/or shadowing |
US10713334B1 (en) | 2015-06-10 | 2020-07-14 | EMC IP Holding Company LLC | Data processing system with a scalable architecture over ethernet |
US10496284B1 (en) * | 2015-06-10 | 2019-12-03 | EMC IP Holding Company LLC | Software-implemented flash translation layer policies in a data processing system |
US10503416B1 (en) | 2015-06-10 | 2019-12-10 | EMC IP Holdings Company LLC | Flash memory complex with a replication interface to replicate data to another flash memory complex of a data processing system |
US11010054B1 (en) | 2015-06-10 | 2021-05-18 | EMC IP Holding Company LLC | Exabyte-scale data processing system |
US10515014B1 (en) | 2015-06-10 | 2019-12-24 | EMC IP Holding Company LLC | Non-uniform memory access (NUMA) mechanism for accessing memory with cache coherence |
TWI615770B (zh) * | 2015-11-17 | 2018-02-21 | 群聯電子股份有限公司 | 資料存取方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置 |
US11288007B2 (en) * | 2019-05-16 | 2022-03-29 | Western Digital Technologies, Inc. | Virtual physical erase of a memory of a data storage device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06349286A (ja) * | 1993-06-04 | 1994-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フラッシュメモリ用書き込み制御方法および制御装置 |
JPH0784886A (ja) * | 1993-09-13 | 1995-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | キャッシュメモリ制御方法およびキャッシュメモリ制御装置 |
JP2000305860A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-11-02 | Toshiba Corp | 情報記憶システム及び同システムに於ける記憶制御方法 |
JP2007034944A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Sony Corp | コンピュータシステム |
JP2008197981A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2010086107A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Tdk Corp | メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6370619B1 (en) * | 1998-06-22 | 2002-04-09 | Oracle Corporation | Managing partitioned cache |
US6658533B1 (en) * | 2000-09-21 | 2003-12-02 | Intel Corporation | Method and apparatus for write cache flush and fill mechanisms |
US7020739B2 (en) | 2000-12-06 | 2006-03-28 | Tdk Corporation | Memory controller, flash memory system having memory controller and method for controlling flash memory device |
US7073048B2 (en) * | 2002-02-04 | 2006-07-04 | Silicon Lease, L.L.C. | Cascaded microcomputer array and method |
JP4082913B2 (ja) | 2002-02-07 | 2008-04-30 | 株式会社ルネサステクノロジ | メモリシステム |
US20050144516A1 (en) | 2003-12-30 | 2005-06-30 | Gonzalez Carlos J. | Adaptive deterministic grouping of blocks into multi-block units |
US7328317B2 (en) * | 2004-10-21 | 2008-02-05 | International Business Machines Corporation | Memory controller and method for optimized read/modify/write performance |
JP5261661B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2013-08-14 | ストラタス・テクノロジーズ・バミューダ・リミテッド | 対称型マルチプロセッサ・フォルトトレラントコンピュータシステム |
JP4946102B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2012-06-06 | ソニー株式会社 | 不揮発性メモリシステムおよび不揮発性メモリの管理方法 |
-
2008
- 2008-10-15 JP JP2008266409A patent/JP4632180B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-10-13 US US12/588,311 patent/US8219742B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06349286A (ja) * | 1993-06-04 | 1994-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フラッシュメモリ用書き込み制御方法および制御装置 |
JPH0784886A (ja) * | 1993-09-13 | 1995-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | キャッシュメモリ制御方法およびキャッシュメモリ制御装置 |
JP2000305860A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-11-02 | Toshiba Corp | 情報記憶システム及び同システムに於ける記憶制御方法 |
JP2007034944A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Sony Corp | コンピュータシステム |
JP2008197981A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2010086107A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Tdk Corp | メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8219742B2 (en) | 2012-07-10 |
JP2010097333A (ja) | 2010-04-30 |
US20100095054A1 (en) | 2010-04-15 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100803 |
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