CN102667525B - 放射线检测器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能改善具有光电转换元件的阵列基板与闪烁体层的密合力、不易发生由闪烁体层的剥离引起的特性劣化、可靠性高的放射线检测器。放射线检测器(11)包括：阵列基板(12)，该阵列基板(12)在基板上具有将荧光转换成电信号的光电转换元件(21)，并且在基板的最表层形成有保护膜(26)；基于CsI的闪烁体层(13)，该闪烁体层(13)设置于保护膜(26)上，将入射的放射线转换成荧光；反射层(14)，该反射层(14)设置于闪烁体层(13)上，使来自闪烁体层(13)的荧光向阵列基板(12)侧反射；其特征在于，由作为热塑性树脂的丙烯酸类有机树脂材料形成保护膜(26)。

Description

放射线检测器及其制造方法
技术领域
本发明涉及用于检测放射线的放射线检测器及其制造方法。
背景技术
作为新一代的X射线诊断用检测器，开发了使用有源矩阵的平面型的X射线检测器。通过检测照射至该X射线检测器的X射线，输出作为数字信号的X射线摄影图像或实时X射线图像。
X射线检测器通常包括：阵列基板，该阵列基板是将荧光转换成电信号的光电转换基板；闪烁体层，该闪烁体层设置于该阵列基板的表面上，是将入射的X射线转换成荧光的X射线转换部；反射层，该反射层根据需要设置于该闪烁体层上，使来自闪烁体层的荧光向阵列基板侧反射；以及防湿结构，该防湿结构设置于闪烁体层和反射层上，保护它们不受外界气体和湿度的影响。
该X射线检测器中，通过闪烁体层将X射线转换成可见光即荧光，通过非晶硅(a-Si)光电二极管或CCD(电荷偶联设备(Charge Coupled Device))等光电转换元件将该荧光转换成信号电荷，从而获取图像。
作为闪烁体层的材料，通常有碘化铯(CsI):钠(Na)、碘化铯(CsI):铊(Tl)、碘化钠（NaI)或氧硫化镉(Gd2O2S)等各种材料，可根据用途和所需特性分别使用不同材料。
闪烁体层可以通过切割等形成沟，或通过蒸镀法进行堆积以形成柱状结构，从而提高分辨率特性。
为了提高荧光的利用效率，改善灵敏度特性，在闪烁体层的上部根据需要形成有反射层。反射层用于使由闪烁体层发出的荧光中朝向光电转换元件侧的相反侧的荧光反射，从而使到达光电转换元件侧的荧光放大。
作为形成反射层的例子，已知在闪烁体层上形成银合金或铝等荧光反射率高的金属层的方法、涂布形成由TiO2等光散射性物质和粘合剂树脂构成的光散射反射性的反射层的方法等。此外，不形成在闪烁体层上、而是使具有铝等金属表面的反射板与闪烁体层密合来反射荧光的方式也已实用化。
在闪烁体层或反射层(或反射板等)的上部设置有防湿结构，该防湿结构用于保护它们不受外部气氛的影响，抑制由湿度等导致的特性劣化。特别是将由湿度引起的劣化大的材料、即CsI:Tl膜或CsI:Na膜用作闪烁体层的情况下，要求高防湿性能。
作为现有的防湿结构，有将AL箔等防湿层通过周边部与基板粘合密封来保持防湿性能的结构(参照例如专利文献1)、将AL箔或薄板等防湿层与基板隔着周围的环状结构物粘合密封的结构(参照例如专利文献2)等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2009-128023号公报
专利文献2：日本专利特开平5-242841号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
构成X射线检测器的一部分的阵列基板中，在玻璃基板上形成有作为光电转换元件的光电二极管、作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)和连接各元件的配线层的图案，为了实现平坦化、绝缘化等目的而在其上部设置有保护膜。
该保护膜需要使来自形成在光电转换元件上的闪烁体层的光透过，因此使用的是透明绝缘膜，由有机树脂膜、SiO、SiN、SiON等无机膜、有机树脂膜/无机膜的层叠膜等形成。
通过蒸镀法在该保护膜上形成由CsI等构成的闪烁体层的情况下，重要的是保护膜与闪烁体层的密合性。特别是将由光散射性物质和粘合剂树脂构成的糊料涂布在闪烁体层上并干燥而形成反射层的情况下，如果在反射层的收缩应力的作用下闪烁体层从阵列基板剥离，则由于闪烁体层/阵列基板间的空隙，光发生散射，可能会产生分辨率下降之类的重大缺陷。
本发明是鉴于上述问题而完成的发明，其目的在于提供一种能改善具有光电转换元件的阵列基板与闪烁体层的密合力、不易发生由闪烁体层的剥离引起的特性劣化、可靠性高的放射线检测器及其制造方法。
解决技术问题所采用的技术方案
为了达到上述目的，本发明的放射线检测器包括：阵列基板，该阵列基板在基板上具有将荧光转换成电信号的光电转换元件，并且在所述基板的最表层形成有保护膜；闪烁体层，该闪烁体层设置于所述保护膜上，将入射的放射线转换成荧光；反射层，该反射层设置于所述闪烁体层上，使来自所述闪烁体层的荧光向所述阵列基板侧反射；其特征在于，所述保护膜由热塑性树脂形成，该热塑性树脂具有所述闪烁体层的成膜温度以下的软化点。
此外，为了达到上述目的，本发明的放射线检测器的制造方法的特征在于，包括：在具有将荧光转换成电信号的光电转换元件的阵列基板的最表层设置由热塑性树脂形成的保护膜的工序；在比所述热塑性树脂的软化点更高的温度下通过真空蒸镀法在所述保护膜上形成将放射线转换成荧光的闪烁体层的工序；通过涂膜在所述闪烁体层上形成反射层的工序。
发明的效果
通过本发明，可提供一种能改善具有光电转换元件的阵列基板与闪烁体层的密合力、不易发生由闪烁体层的剥离引起的特性劣化、可靠性高的放射线检测器。
附图的简单说明
图1是表示本发明的一种实施方式的放射线检测器的立体图。
图2是图1的放射线检测器的剖视图。
图3是用于说明阵列基板和闪烁体层的剥离情况的示意图。
图4是表示改变反射层的量时的保护膜与闪烁体层的密合力评价样品的示意图。
实施发明的方式
下面参照图1和图2对本发明的放射线检测器的实施方式进行说明。
图1所示为本实施方式的放射线检测器的立体图，图2所示为该放射线检测器的剖视图。
放射线检测器11是检测放射线图像即X射线图像的平面传感器，例如用于常规医疗用途等。
该放射线检测器11如图1和图2所示，包括：阵列基板12，该阵列基板12是将荧光转换成电信号的光电转换基板；闪烁体层13，该闪烁体层13设置于作为所述阵列基板12的一个主面的表面上，是将入射的X射线转换成荧光的X射线转换部；反射层14，该反射层14设置于所述闪烁体层13上，使来自闪烁体层13的荧光向阵列基板12侧反射；以及防湿结构15，该防湿结构15设置于闪烁体层13和反射层14上，保护它们不受外界气体和湿度的影响；保护膜26以不生成高沸点氧化物的元素作为主要成分，由热塑性树脂形成，该热塑性树脂具有闪烁体层13的成膜温度以下的软化点。
下面对各构成要素逐一进行详细说明。
(阵列基板12)
阵列基板12将通过闪烁体层13由X射线转换成可见光的荧光转换成电信号，包括：玻璃基板16；近似矩形形状的多个光电转换部17，该光电转换部17设置于所述玻璃基板16上，起到光传感器的作用；沿行方向配置的多个控制线(或栅极线)18、沿列方向配置的多个数据线(或信号线)19、未图示的控制电路，该控制电路与各控制线18电连接；未图示的放大/转换部，该放大/转换部与各数据线19电连接。
在阵列基板12上，以矩阵状形成有各自具有相同结构的像素20，并且在各像素20内分别配置有作为光电转换元件的光电二极管21。这些光电二极管21配置于闪烁体层13的下部。
各像素20还包括：作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)22，该薄膜晶体管22与光电二极管21电连接；以及作为电荷储存部的未图示的储能电容器，该储能电容器用于储存由光电二极管21转换出的信号电荷。但是，光电二极管21的电容有时能兼作储能电容器，此时无需储能电容器。
各薄膜晶体管22使因荧光入射至光电二极管21而产生的电荷储存和释放，起到开关功能。薄膜晶体管22的至少一部分由作为非晶半导体的非晶硅(a-Si)或作为多晶半导体的多晶硅(P-Si)等半导体材料构成。
薄膜晶体管22如图2所示，具有栅极电极23、源极电极24和漏级电极25。该漏级电极25与光电转换元件(光电二极管)21和储能电容器电连接。
储能电容器形成为矩形平板状，与各光电二极管21的下部相向设置。
图1所示的控制线18在各像素20间沿行方向配置，如图2所示与薄膜晶体管22的栅极电极23电连接。
图1所示的数据线(信号线)19在各像素20间沿列方向配置，如图2所示与薄膜晶体管22的源极电极24电连接。
控制电路控制各薄膜晶体管22的工作状态、即开和关，安装于玻璃基板16的表面的沿着行方向的侧源。
放大/转换部包括：多个电荷放大器，该电荷放大器与各数据线19相对应地分别配置；并联/串联转换器，该并联/串联转换器与这些电荷放大器电连接；模数转换器，该模数转换器与该并联/串联转换器电连接。
为了保护光电转换元件(光电二极管)21及薄膜晶体管22等，在阵列基板12的最上部如图2所示形成有树脂制的保护层26。
(保护膜26)
保护膜26需要使通过闪烁体层13由X射线转换成的可见光到达光电二极管21，因此必须是透明膜。此外，需要形成用于将配线通过TAB连接与控制线18、数据线19的各电极焊盘部连接的接触孔，希望能有具有光刻加工性的膜。
作为保护膜26，优选使用具有闪烁体层13的成膜温度以下的软化点、作为成分不含Si的热塑性树脂。即，成膜温度(基板温度)在200℃以下的情况下，优选软化点低于200℃、特别是180℃以下的不含Si的热塑性树脂。具体而言，可例举丙烯酸类树脂(变形温度约80～100℃)、聚苯乙烯(软化点约90℃)、聚氯乙烯(软化点约65～80℃)、聚丙烯(软化点约140～160℃)等。特别是由下述实验例可知，使用将碘化铯(CsI):铊(Tl)或碘化钠(NaI):铊(Tl)等卤素化合物通过真空蒸镀法形成柱状(pillar)结构而得的层作为闪烁体层13的情况下，从密合性的角度考虑，优选使用丙烯酸类有机树脂(HRC；商品名，JSR制)。此外，保护膜26的厚度优选1～5μm的范围。如果小于1μm，则下层的图案台阶不足够平坦，如果大于5μm，则通过保护膜26到达下层的光电二极管21的光量减少。
(闪烁体层13)
闪烁体层13将入射的X射线转换成可见光即荧光，例如可使用由碘化铯(CsI):铊(Tl)或碘化钠(NaI):铊(Tl)等通过真空蒸镀法以基板温度150～200℃的条件进行蒸镀形成柱状(pillar)结构而得的层，或者将氧硫化镉(Gd2O2S)荧光体粒子与粘合剂材料混合、涂布在阵列基板12上进行烧成和固化、通过用切割器切割等方法形成沟部、从而形成为四边形状的层等。
也可以在这些柱子之间封入大气或防氧化用的氮(N2)等惰性气体，或者使其处于真空状态。
闪烁体层13较好是像例如以下所示的实验例那样，使用CsI:Tl蒸镀膜，膜厚约为600μm，CsI:Tl的柱状结构晶体的柱(pillar)的粗细在最表面处为8～12μm左右。
(反射层14)
形成于闪烁体层13上的反射层14用于使向光电二极管的相反侧发出的荧光反射，从而使到达光电二极管的荧光光量增大。但是，根据放射线检测器11所要求的分辨率、亮度等特性，也可以省略反射层14。
作为反射层14，可使用将银合金或铝等荧光反射率高的金属成膜在闪烁体层13上而得的层、使具有铝等金属表面的反射板与闪烁体层13密合而得的层、涂布形成由TiO2等光散射性物质和粘合剂树脂构成的漫反射性反射层而得的反射层等。
使用CsI:Tl蒸镀膜作为闪烁体层13的情况下，从CsI:Tl蒸镀膜的表面被覆性、由反射层材料的可见光吸收导致的损耗、由反射层/CsI:Tl蒸镀膜之间的距离增大导致的反射光扩散所引起的分辨率下降等的角度考虑，由于能获得高亮度和高分辨率，因此合适的是含有光散射性粒子和粘合剂的糊状的反射层材料。
具体而言，可使用例如填料:金红石型TiO2、粘合剂材料:缩丁醛树脂、溶剂:环己酮的白色糊料，为了实现低应力化，较好是将粘合剂树脂的一部分置换成增塑剂。此外，从反射率、耐裂性等的角度考虑，可以对白色糊料的填料粒径、粘合剂比例进行优化。
将白色糊料用分配器等涂布在闪烁体层13上，然后使其干燥并除去溶剂，藉此形成反射层14。
形成反射层14后，为了防止由闪烁体层13的吸湿导致的特性劣化而形成防湿结构15。作为防湿方式，可以是用聚对二甲苯的热CVD膜来覆盖闪烁体和反射层的整个表面的方法、用水蒸气屏蔽性高的粘接剂将帽子形状的铝箔粘接密封的方法、使用无机膜(铝箔等)和有机膜的层叠防湿片材或玻璃板等水蒸气屏蔽性高的防湿层构件以及配置于闪烁体周边部的框状的防湿构件的方法等各种方法。
(防湿结构15)
防湿结构15用于保护闪烁体层13和反射层14不受外部气氛的影响，抑制由湿度等导致的特性劣化，如图2所示形成为包括形成有帽檐部33的防湿层31和粘接层35。
防湿层31例如将厚0.1mmt的AL合金箔(A1N30-O材料)加压成形为在周边部具有宽5mm的帽檐部33的结构，从而形成为帽状。
接着，用分配器在该帽子的帽檐部33涂布粘接剂而形成粘接层35，与形成有闪烁体层13和反射层14的阵列基板12贴合。
粘接剂可使用通常在市场上销售的加热固化型或紫外线固化型的环氧类粘接材料。
此外，作为防湿层的材质，不限于AL或AL合金，也可以使用其它金属材料同样地形成，但采用AL或AL合金箔材料的情况下，由于作为金属材料的X射线吸收系数小，因此在能抑制防湿层内的X射线吸收损失方面有很大优势，加工成帽状时加工性也好。
此外，通过在减压气氛下将帽子形状的防湿结构15粘接于阵列基板12，可形成假定为飞机运输的减压条件下的机械强度优异的防湿结构。
形成防湿结构15，从而完成放射线检测器11的面板。再将配线通过TAB连接与控制线、信号线的各电极焊盘部连接，与放大器以后的电路连接，再组装于框体结构，从而完成X射线检测器11。
(阵列基板12和闪烁体层13的剥离情况)
采用阵列基板12、闪烁体层13(例如CsI:Tl蒸镀膜)、反射层14(例如TiO2糊料)结构的放射线检测器11中，由于阵列基板12与闪烁体层13的密合力不足，在反射层14的干燥时的收缩应力或可靠性试验负荷的作用下，可能会在闪烁体层13和阵列基板12的最表层即保护膜26之间的界面上发生剥离。
用图3对阵列基板12和闪烁体层13的剥离情况进行说明。
该图中示出如下例子：用硅氧烷类有机树脂材料形成设置于阵列基板12上的保护膜26，作为蒸镀前的表面处理，进行3分钟的紫外线/臭氧清洗处理(以下记作“UV/O3处理”)。
如图3所示，该放射线检测器11中，在A部位沿着闪烁体层13和阵列基板12上的保护膜26之间的界面发生了剥离。此外，在B部位，由于反射层14的干燥时的收缩应力所导致的应力集中，从反射层14端面发生了剥离。另外，在阵列基板12中央部的C部位等处，由于反射层14的糊料向闪烁体层13的柱子间的渗入的影响，在端部以外有时也会以斑状发生闪烁体层13的浮起。
因此，需要评价闪烁体层13和阵列基板12上的保护膜26之间的附着力，但使用CsI:Tl蒸镀膜作为闪烁体层13的情况下，由于膜本身很脆，因此难以通过胶带试验、拉伸试验、采用切削法的剥离强度－剪切强度测定、离心法附着力测定等进行附着力的定量化。因此，通过下述的定性方法进行附着力测定。
实施例
[实验例1]
(闪烁体层13的附着力评价试验)
为了简便地评价闪烁体层13的附着力，如图4所示，在玻璃基板41上形成各种保护膜42，在该保护膜42上以基板温度150℃的条件真空蒸镀膜厚约600μm的CsI:Tl蒸镀膜43，准备评价基板44。
评价的保护膜42是厚2～3μm的丙烯酸类有机树脂膜、厚2～3μm的硅氧烷类有机树脂膜、厚30nm的无机膜SiN，作为表面清洗，分别实施0分钟(无处理)、3分钟、10分钟的UV/O3处理，然后进行CsI:Tl蒸镀。
在该评价基板44上定量滴加反射层材料(填料:金红石型TiO2、粘合剂材料:缩丁醛树脂、溶剂:环己酮的白色糊料)，确认在干燥时的收缩应力的作用下CsI:Tl蒸镀膜是否有剥离，作为附着力的指标。
关于反射膜的涂布量，以干燥后的反射膜的重量达到约30、60、90mg的3种涂布量来进行，通过正面和背面观察来判断有无闪烁体层的剥离。
结果示于表1。
[表1]
根据表1的结果，对于硅氧烷类有机树脂和SiN，无论有无UV/O3处理，在反射层的干燥时的收缩应力的作用下，都发生了闪烁体层的剥离或浮起。另一方面，对于丙烯酸类有机树脂，通过实施UV/O3处理，在反射层干燥时未发生由收缩应力导致的膜剥离，确保了足够的附着力。
作为用丙烯酸类有机树脂材料能获得足够的附着力的理由，可例举以下理由。
(1)丙烯酸类有机树脂材料的树脂软化点(Tsoft)为100℃以下，比蒸镀时的基板温度(Tsub)150℃低，因此在闪烁体蒸镀时的升温状态下表面保护膜会软化，通过在该状态下进行蒸镀，可体现出锚定效果。
(2)通过UV/O3处理，产生了表面的有机污染物除去和表面改性的效果。
与之相对，可以推测出以下结论：硅氧烷类有机树脂是热固性树脂，在蒸镀时膜会固化；虽然通过UV/O3处理除去了表面的有机污染物，但如果进行长时间处理，则有机树脂的主要成分Si被分解，形成在处理温度下不挥发的SiO2，因此在树脂表面残留有SiO2残渣，阻碍与闪烁体的密合。
实施例1的结果中，虽然通过短时间处理附着力有一定增加，但如果进行长时间处理，则也可见附着力再次减少的趋势。上述由SiO2残渣导致的密合阻碍在SiN等无机膜中也一样。
另一方面，对于丙烯酸类有机树脂，在3分钟、10分钟的UV/O3清洗过程中未见不良情况，因此进行了17分钟的长时间处理，试着进行了同样的附着力试验，结果未发生闪烁体层的剥离。对于丙烯酸类有机树脂，即使在UV/O3处理的处理时间长的情况下，也能确认未发生会阻碍附着力的树脂表面的变质(表面粗糙、异相形成、粒状氧化物生成)。
[实验例2]
(实施了表面处理的硅氧烷类有机树脂保护膜的附着力评价试验)
接着，针对使用硅氧烷类有机树脂作为保护膜的情况下能确保附着力而不发生剥离的表面处理条件进行了研究。
作为所进行的表面处理，以表面上不形成SiO2等氧化物为前提，实施了醇(丙酮、乙醇)清洗、He等离子体处理、180℃-1h脱气处理、底涂剂处理(硅烷偶联剂:信越化学工业株式会社制KBM-1003、KBM-803)。
然后，在经过上述表面处理的硅氧烷类有机树脂上以基板温度150℃的条件真空蒸镀CsI:Tl蒸镀膜，确认有无由反射层定量滴加而导致的剥离。
结果示于表2。
[表2]
本试验的结果是，虽然剥离的程度有一定差异，但根据表2的结果，所有的试验中都发生了剥离。
关于He等离子体处理，通过调整处理时间、输出功率、He气压等，可见附着力改善的趋势，但无法获得能耐受反射层干燥时的收缩应力的水平的附着力。因此，硅氧烷类有机树脂材料难以确保与CsI:Tl蒸镀膜的附着力。
由以上可知，使用CsI:Tl作为闪烁体层13的情况下，为了确保与阵列基板12之间的足够的附着力，需要选择具有以下特性的保护膜。
(1)是具有CsI:Tl膜蒸镀温度以下的软化点的热塑性树脂，在蒸镀过程中膜会软化。即，满足树脂软化点(Tsoft)＜蒸镀时基板温度(Tsub)的关系。
(2)通过UV/O3处理进行表面改性的情况下可见附着力改善，是不含通过该处理形成高沸点氧化物的Si等构成元素的膜。
(3)作为阵列基板12的最表层的保护膜26所要求的其它特性，透明性和光刻加工性优异。
作为满足(1)～(3)的所有特性的膜，可例举作为正型紫外线感光性透明抗蚀层为人所知的丙烯酸类有机树脂(HRC；商品名，JSR制)。
[实验例3]
(使用丙烯酸类有机树脂保护膜的放射线检测面板的密合性评价试验)
使用丙烯酸类有机树脂(HRC；商品名，JSR制)作为满足上述条件的膜，在阵列基板12的最表层形成2μm的膜作为保护层26，实施5分钟的UV/O3处理后，以基板温度150℃的条件真空蒸镀CsI:Tl，形成600μm的闪烁体层13。然后，涂布TiO2糊料并干燥，形成约110μm的反射层14。其结果是，未发生由反射层干燥时的收缩应力导致的闪烁体层的剥离。
另外，作为阵列基板12的防湿结构15，使用将厚0.1mmt的AL合金箔(A1N30-O材料)加压成形为在周边部具有宽5mm的帽檐部33的结构而形成为帽状的AL帽。
对该AL帽的表面实施醇清洗和UV/O3清洗后，在表面涂布粘接剂，对阵列基板12也实施UV/O3清洗后进行贴合，从而能获得高密合力。
对阵列基板12实施UV/O3处理时，仅对作为粘接部位的周边部进行处理即可，有效区域的膜因UV/O3处理而变质的情况下，需要用不透过UV的金属板等覆盖。
但是，由于反射层14不会因UV/O3的作用而受损，因此也可以对阵列基板12的整个表面实施UV/O3处理。基于AL帽的防湿层31/粘接层35/阵列基板12(保护膜26)的粘接中(参照图2)，通过使用能通过UV/O3清洗进行表面洁净化和表面改性且不会生成高沸点氧化物的丙烯酸类有机树脂，也可以提供粘接强度高且可靠性高的防湿结构。
作为形成了防湿结构15的放射线检测器面板的可靠性评价，实施冷热循环试验((-20℃/RT/50℃/RT)60个循环)、高温高湿试验(60℃-90％RH×500h)。
其结果是，可以确认在上述可靠性试验的负荷的作用下未发生闪烁体层13的剥离，阵列基板12和闪烁体层13具有足够的附着力。此外，也未见高温高湿试验中由闪烁体层13的吸湿导致的亮度和分辨率的劣化，可以确认AL帽的密合也足够。
上述实施例中使用了CsI:Tl作为闪烁体层13，但对于CsI:Na，显然也能通过同样的蒸镀条件获得同样的效果。
符号的说明
11：X射线检测器
12：阵列基板
13：闪烁体层
14：反射层
15：防湿结构
17：光电转换部
31：防湿层
33：帽檐部
35：粘接层
41：玻璃基板
42：保护膜
43：CsI:Tl蒸镀膜
44：评价基板

Claims (7)

1.一种放射线检测器，其包括：阵列基板，该阵列基板在基板上具有将荧光转换成电信号的光电转换元件，并且在所述基板的最表层形成有保护膜；闪烁体层，该闪烁体层设置于所述保护膜上，将入射的放射线转换成荧光；反射层，该反射层是在以光散射性粒子和粘合剂树脂为主要成分的糊料状态下涂布在所述闪烁体层上并干燥而得的层，使来自所述闪烁体层的荧光向所述阵列基板侧反射；其特征在于，
所述保护膜由热塑性树脂形成，该热塑性树脂具有所述闪烁体层的成膜温度以下的软化点。
2.如权利要求1所述的放射线检测器，其特征在于，所述闪烁体层由具有柱状结构的卤素化合物形成，且所述保护膜的软化点低于200℃。
3.如权利要求1或2所述的放射线检测器，其特征在于，所述保护膜以不生成高沸点氧化物的元素为主要成分。
4.如权利要求3所述的放射线检测器，其特征在于，所述保护膜是丙烯酸类有机树脂材料。
5.一种放射线检测器的制造方法，其特征在于，包括：
在具有将荧光转换成电信号的光电转换元件的阵列基板的最表层设置由热塑性树脂形成的保护膜的工序；
在比所述热塑性树脂的软化点更高的温度下通过真空蒸镀法在所述保护膜上形成将放射线转换成荧光的闪烁体层的工序；
通过涂膜在所述闪烁体层上形成反射层的工序。
6.如权利要求5所述的放射线检测器的制造方法，其特征在于，在设置所述保护膜的工序之后，具有实施UV/O3处理或含氧气体的等离子体处理的工序。
7.如权利要求5或6所述的放射线检测器的制造方法，其特征在于，在通过真空蒸镀法形成所述闪烁体层的工序中，所述闪烁体层形成时的基板温度在200℃以下。
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