JP4599758B2 - 弾性表面波共振子及びラダー型弾性表面波フィルタ - Google Patents
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【発明の属する技術分野】
本発明は弾性表面波デバイスに関し、特に狭帯域ラダー型弾性表面波フィルタに用いられる弾性表面波共振子(以下、SAW共振子と称す)に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、弾性表面波フィルタ(以下、SAWフィルタと称す)は通信分野で広く利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有することから特に携帯電話機等に多く用いられている。SAWフィルタの1つにラダー型弾性表面波フィルタ(以下、ラダー型SAWフィルタと称す)があり、急峻な減衰特性、低損失等の特性を有するため、携帯電話用RFフィルタ等に広く用いられている。
例えば、欧州の1.8GHz携帯電話システム(DCS)には、送受とも帯域幅が75MHz(比帯域幅で4.3%)という広帯域RFフィルタが用いられている。一方、複数の航行衛星から電波を受信し、地上の位置情報を高精度に求めるGPS装置には、中心周波数が1.5GHz、帯域幅が2MHz(比帯域幅で0.12%)という狭帯域のSAWフィルタが要求されている。
【0003】
図5(a)はラダー型SAWフィルタの基本区間の構成を示す図であって、並列腕のSAW共振子Zpと直列腕のSAW共振子Zsとから構成され、それぞれの腕のリアクタンス曲線は同図(b)のように設定される。即ち、並列腕SAW共振子Zpの***振周波数と、直列腕SAW共振子Zsの共振周波数とをほぼ一致するように設定すると、その周波数を中心周波数として、図5(b)のFに示すようにバンドパスフィルタが形成され、並列腕SAW共振子Zpの共振周波数と直列腕SAW共振子Zsの***振周波数とに減衰極が形成され、低損失で減衰傾度の急峻なフィルタが得られる。さらに、減衰傾度の急峻なフィルタや、保証減衰量の大きなフィルタが必要な場合には、図5(c)に示すようにラダー型基本区間フィルタを縦続接続してフィルタを構成する。
【0004】
図5(b)から明らかなように、ラダー型SAWフィルタの帯域幅はSAW共振子の共振周波数fsと***振周波数faとの差df=fa−fsに依存する。そして、共振周波数差dfはSAW共振子の容量比γ(モーショナルキャパシタンスC1に対する静電容量C0の比γ=C0/C1)により次式のように表される。
df=fs/(2γ)
従ってラダー型SAWフィルタの帯域幅はSAW共振子の容量比γによって決定されることになる。即ち、狭帯域のラダー型SAWフィルタを得るにはSAW共振子の容量比γを大きくすることが必要となる。
【0005】
図6(a)はラダー型SAWフィルタに用いられるSAW共振子の電極パターンの構成を示す図であって、圧電基板(図示しない)の主表面上に表面波の伝搬方向に沿ってIDT電極21と、その両側にグレーティング反射器(以下、反射器と称す)22a、22bとを配置して構成したものである。IDT電極21は互いに間挿し合う複数の電極指を有する一対のくし形電極からなり、それぞれのくし形電極から延在するリード電極を端子とする一端子対SAW共振子を形成している。
図6(b)は同図(a)に示したような電極パターンを用い、圧電基板に42°Y−X LiTaO3、IDT電極21の対数を85対、反射器22a、22bの本数をそれぞれ75本、IDT電極21の電極周期λを2μm、交差幅を40μm、アルミ電極膜厚を1800Åと設定したSAW共振子の共振特性を、周波数1.5GHzから2.5GHzにわたりスミス図表で示したものである。図から共振及び***振周波数はそれぞれ1948.356MHz、2014.827MHzとなり、容量比γは14.4であることが分かる。
また、同図(c)は周波数1.75GHzから2.25GHzにわたりSAW共振子のスプリアスをリターンロスにて示したものである。図から明らかなように、従来の正規型SAW共振子の設計では2.51dB程度のスプリアスが生じている。なお、スミス図表及びリターンロスはいずれもSAW共振子に並列に50Ωを終端してシミュレーションにより求めたものである。
大きなスプリアスを有するSAW共振子を用いてラダー型SAWフィルタを構成する場合、例えば直列腕のSAW共振子に図6(c)のようなスプリアスがある場合には、図7のSPで示すようなスプリアスが通過帯域の高域側に生じ、減衰量を劣化させることになる。また、並列腕のSAW共振子にスプリアスがある場合には、通過帯域内の高周波側より減衰域にかけてスプリアスが生じてフィルタ特性を劣化させることになる。
【0006】
狭帯域のラダー型SAWフィルタを実現すべく、容量比γを大きくする改善が種々試みられている。例えば特開平8−65089、特開平9−167937に開示されている手法は、図8(a)に示すようにSAW共振子に並列に容量Cpを付加して容量比γを大きくする手法である。容量Cpを形成する手段として圧電基板に一対のくし形を形成して静電容量を構成する手段等がある。図8(a)に示すように構成したSAW共振子のスミス図表及びリターンロスをシミュレーションにより求めたものが図8(b)、(c)である。なお、諸定数の値は図6(a)に示した値を用いたが、SAW共振子に生じるスプリアスの大きさを比較するためには、それぞれのSAW共振子のインピーダンスを同一とする必要があり、図8(a)に示す正規型IDT電極21の対数を73対、反射器の本数をそれぞれ87本、容量Cpを0.22pFとした。スミス図表より共振及び***振周波数はそれぞれ1948.383MHz、2005.240MHzと求まり、これより容量比γは16.9であることが分かる。図6で求めた14.4より大きくなっており、図8(c)よりスプリアスの大きさは2.39dB程度である。
【0007】
また、特開2000−49568には図9(a)に示すように、IDT電極内部で電極指の位相を180°ずらすように配置した部分Aを設けたIDT電極が提案されている。SAW共振子の正規型IDT電極23の対数Nを75.5対、反転電極の対数Kをそれぞれ5対、反射器25a、25bの本数Mをそれぞれ74本として、SAW共振子のインピーダンスを図6(a)のそれと合わせるように設定した。図9(b)はスミス図表、(c)はリターンロスである。このような電極パターンのIDT電極23を用いると、スミス図表より、共振及び***振周波数はそれぞれ1948.252MHz、2005.775MHzとなり、容量比γは16.7であることが分かる。また、リターンロスから明らかなように、容量比γは16.7と大きくなるもののスプリアスが数多く発生し、しかも大きさが2.47dBと大きいことが分かった。
【0008】
図10(a)は特開2000−49568に開示されているIDT電極パターンの変形例であり、励振の位相が逆転している領域に励振の間引き重み付けを施している。即ち、図中上下のくし形電極をそれぞれ「+」、「−」とすれば、A部の電極指構成は「++−+」という構成になっている。SAW共振子のインピーダンスを図6(a)のそれと合わせるように、正規型IDT電極対数Nを68対、A部に示したIDT電極の組数Kを17組、反射器Mをそれぞれ58本と設定した。図10(b)はスミス図表、(c)はリターンロスを示している。スミス図表より、共振及び***振周波数はそれぞれ1947.834MHz、2005.091MHzとなり、容量比γは16.8であることが分かる。容量比γは16.8と改善されるものの、スプリアスの大きさは3.69dBとむしろ大きくなっていることが判明した。
【0009】
図11(a)は特開平11−163664に開示されているIDT電極パターンの一例であり、一定の間隔を置いて電極指を間引いている。例えば、同図(a)のA部に示すように電極指7本につき1本の間引きを行っている。このようなIDT電極のSAW共振子の共振特性について、スミス図表及びリターンロスをシミュレーションにより求めたものが、図11(b)、(c)である。図6(a)のSAW共振子とインピーダンスを合わせるために間引き電極Kを図のA部の電極指列を1組として14組、正規型電極Nを1組、反射器Mをそれぞれ61本とした。スミス図表より、共振及び***振周波数はそれぞれ1968.914MHz、2025.927MHzとなり、容量比γは17.0であることが分かる。
この場合も容量比γは17.0と改善されるもののスプリアスは2.55dBと大きいことが分かる。
【0010】
特開平8−23256にはIDT電極に間引き重み付けを施す際に、IDT電極の中央より両側に行く程、間引き電極指数を多くするIDT電極の構成が提案されている。図12(a)に示すSAW共振子の電極パターンは励振強度分布をα=2.1のカイザー関数(弾性波素子技術ハンドブック(柴山乾夫、オーム社)p211)に近似した間引き重み付けを施したものである。IDT電極の対数を108対、反射器の本数をそれぞれ52本として、この構成のSAW共振子の共振特性をシミュレーションにより求めたものが、図11(b)のスミス図表と、同図(c)に示すリターンロスの図である。スミス図表より、共振及び***振周波数はそれぞれ1948.309MHz、2005.711MHzとなり、容量比γは16.8であることが分かる。スプリアスについても1.71dBと改善が見られるものの、依然として1.5dBを上まわる大きな値であることが分かった。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記に示したように従来の種々のSAW共振子の設計手法を用いてSAW共振子を構成すると、大きなスプリアスが発生することになる。そのため、このようなSAW共振子を用いて狭帯域のラダー型SAWフィルタを構成すると、スプリアスのためにフィルタ特性が劣化するという問題があった。
本発明は上記問題を解決するためになされたものであって、容量比を大きく改善すると共に、発生するスプリアスの大きさを抑圧したSAW共振子を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明に係る弾性表面波デバイスの発明は、圧電基板の主表面上に表面波の伝搬方向に沿って間引き重み付けしたIDT電極とその両側にグレーティング反射器を配置して構成する弾性表面波共振子において、前記IDT電極の内部に弾性表面波の励振の位相が逆相となる励振領域を含まないようにすると共に、IDT電極の間引きの重み付けが表面波の伝搬方向に対して左右で異なるようにしたことを特徴とする弾性表面波共振子である。
また、ある実施例では、圧電基板の主表面上に表面波の伝搬方向に沿って正規型IDT電極とその両側にグレーティング反射器を配置して構成する弾性表面波共振子において、前記正規型IDT電極の少なくとも一部の電極指を、奇数本ずつ交互に同電位に接続した電極指列で置換したことを特徴とする。
また、ある実施例では、圧電基板の主表面上に表面波の伝搬方向に沿って正規型IDT電極とその両側にグレーティング反射器を配置して構成する弾性表面波共振子において、一方のバスバーに接続した電極指を「+」、他方のバスバーに接続した電極指を「−」と表したとき、前記正規型IDT電極の少なくとも一部の電極指を、複数の間引いた電極指列「+++−−−」で置換したことを特徴とする。
また、ある実施例では、圧電基板の主表面上に表面波の伝搬方向に沿って正規型IDT電極とその両側にグレーティング反射器を配置して構成する弾性表面波共振子において、一方のバスバーに接続した電極指を「+」、他方のバスバーに接続した電極指を「−」と表したとき、前記正規型IDT電極の少なくとも一部の電極指を、複数の間引いた電極指列「+++++−−−−−」と、複数の間引いた電極指列「+++−−−」とで置換したことを特徴とする。
また、ある実施例では、圧電基板の主表面上に、表面波の伝搬方向に沿って間引き重み付けした一つのIDT電極と、その両側にグレーティング反射器と、を配置した弾性表面波共振子であって、前記IDT電極の内部に弾性表面波の励振の位相が逆相となる励振領域を含んでおらず、前記間引き重み付けが前記IDT電極の中心に対して前記表面波の伝搬方向について非対称となっており、前記IDT電極の一方のバスバーに接続した電極指を「+」、他方のバスバーに接続した電極指を「−」と表したとき、前記IDT電極の少なくとも一部の電極指が電極指列「+++−−−」の間引き電極であることを特徴とする。
さらに、前記IDT電極の少なくとも一部の電極指が電極指列「+++++−−−−−」の間引き電極であっても良い。
また、本発明は、前記の本発明による弾性表面波共振子、または前記のある実施例による弾性表面波共振子を用いて構成したことを特徴とするラダー型弾性表面波フィルタである。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下本発明を図面に示した実施の形態に基づいて詳細に説明する。
図1(a)は本発明に係るSAW共振子の構成を示す電極パターンであって、圧電基板(図示しない)の主表面上に表面波の伝搬方向に沿ってIDT電極1と、その両側に反射器2a、2bを配置して構成したものである。IDT電極1は互いに間挿し合う複数の電極指を有する一対のくし形電極からなり、それぞれのくし形電極から延在するリード電極を端子とする一端子対SAW共振子を形成している。
【0014】
本発明の特徴はIDT電極1の構成法にあり、A1、A2、A3、・・Ai、・・に示すようにIDT電極1に励振の間引き重み付けと共に、その重み付けの分布、即ち励振強度分布をIDT電極1の中央に対して対称ではなく、図中右方に向かってカイザー関数αに応じて施したところにある。例えば、図1(a)、(b)は図6(a)のSAW共振子のインピーダンスダンスに合わせるべく、α=1.9とし、IDT電極対数Nを105.5対、反射器の本数Mをそれぞれ54本と設定してシミュレーションしたときのスミス図表と、リターンロスを示す図である。同図(b)より共振、***振周波数はそれぞれ1948.379MHz、2005.386MHzとなり、容量比γは16.8と改善されている。また、***振周波数より高周波側に発生するスプリアスは同図(c)より1.46dBと1.5dBを下まわる値に改善されていることが分かる。
【0015】
図2(a)は本発明に係る第2の実施例であって、IDT電極3の構成法に特徴がある。即ち、図2(a)に示すように、一方のバスバーに接続した電極指を「+」、他方のバスバーに接続した電極指を「−」と表したとき、正規型IDT電極の少なくとも一部を、図中左方に示すように「+++−−−」という間引きした電極指列のIDT電極Aで置換したものである。図6(a)のSAW共振子とインピーダンスを合わせるために、IDT電極Aの組数Kを20組、正規型電極Nを65対、反射器Mをそれぞれ35本と設定したもののスミス図表、リターンロスを図2(b)、(c)に示す。スミス図表より共振、***振周波数はそれぞれ1948.293MHz、2005.099MHzとなり、容量比γは16.8と大きくなり改善されていることが分かる。また、図2(c)より高周波側のスプリアスは1.30dBと従来のそれより改善されていることが判明した。
【0016】
図3(a)は本発明に係る第3の実施例であって、正規型IDT電極の中、図中左方部の電極を「+++++−−−−−」タイプのIDT電極A1と、「+++−−−」タイプのIDT電極A2とを複合させた励振間引きIDT電極で置換したものである。インピーダンスを合わせるべくIDT電極A1−A1−A2−A1−A2を1組としたものを3組、正規型IDT電極Nを67対、反射器Mをそれぞれ30本としたSAW共振子の共振特性を図3(b)にスミス図表で、(c)にはリターンロスで表している。スミス図表より共振、***振周波数はそれぞれ1948.179MHz、2004.782MHzとなり、容量比γは17.0と改善されている。***振周波数の高周波側に生じるスプリアスは1.04dBと大幅に抑圧されていることが分かる。
【0017】
図1から図3に示した本発明に係る実施例1乃至3の共通点は、間引き電極が同電位の電極指を3本以上の奇数本連続させた電極から構成されていることと、IDT電極内の間引き電極の配置がIDT電極の中央に対して非対称と成っていることと、励振が逆相となる領域が含まれないことである。ただ、図4のA部に示すようにIDT電極の最外側の部分で同電位の電極指が偶数本連続しても励振が逆相となる領域は形成されないので、IDT電極の最外側の部分については同電位の電極指が偶数本あるいは奇数本でもよい。
【0018】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したように構成したので、請求項1に記載の発明は共振周波数の高周波側近傍に生ずるスプリアスを抑圧したSAW共振子が得られるとという優れた効果を表す。請求項2に記載の発明はスプリアスの大きさを抑圧したSAW共振子が得られるとという優れた効果を表す。請求項3及び4に記載の発明はスプリアスを抑圧したSAW共振子が実現できるという効果を表す。請求項5に記載の発明は通過域の近傍の減衰特性を改善したフィルタが実現できるという優れた効果を奏す。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明に係るSAW共振子の電極パターン示す図、(b)はスミス図表、(c)はリターンロスを示す図である。
【図2】 (a)は本発明に係る第2の実施例のSAW共振子の電極パターン示す図、(b)はスミス図表、(c)はリターンロスを示す図である。
【図3】(a)は本発明に係る第3の実施例のSAW共振子の電極パターン示す図、(b)はスミス図表、(c)はリターンロスを示す図である。
【図4】本発明に係るSAW共振子の電極パターン示す図である。
【図5】(a)はラダー型フィルタの基本区間を示す図、(b)は並列腕及び直列腕のリアクタンスカーブとフィルタ特性とを示す図、(c)は基本区間を縦続接続したラダー型フィルタである。
【図6】(a)は従来のSAW共振子の電極パターンを示す図、(b)はスミス図表、(c)はリターンロスを示す図である。
【図7】ラダー型SAWフィルタに生じるスプリアスを説明する図である。
【図8】IDT電極に容量を並列接続したSAW共振子の構成を示す図、(b)はスミス図表、(c)はリターンロスを示す図である。
【図9】(a)はIDT電極内部に電極指の位相を180°ずらすように配置したSAW共振子の電極パターンを示す図、(b)はスミス図表、(c)はリターンロスを示す図である。
【図10】(a)は励振の位相が逆転している領域に励振の間引き重み付けを施したSAW共振子の電極パターンを示す図、(b)はスミス図表、(c)はリターンロスを示す図である。
【図11】(a)は一定の間隔を置いて電極指を間引きしたSAW共振子の電極パターンを示す図、(b)はスミス図表、(c)はリターンロスを示す図である。
【図12】(a)はIDT電極の電極指にカイザー関数の間引き分布を施したSAW共振子の電極パターンを示す図、(b)はスミス図表、(c)はリターンロスを示す図である。
【符号の説明】
1、3、5・・IDT電極
2a、2b、4a、4b、6a、6b・・グレーティング反射器
A、A1、A2、A3、A4、A5、・・Ai・・間引き電極部
Claims (2)
- 圧電基板の主表面上に、弾性表面波の伝搬方向に沿って間引き重み付けした一つのIDT電極と、その両側にグレーティング反射器と、を配置した弾性表面波共振子であって、
前記IDT電極の内部に弾性表面波の励振の位相が逆相となる励振領域を含んでおらず、
前記間引き重み付けが前記IDT電極の中心に対して前記弾性表面波の伝搬方向について非対称となっており、
前記IDT電極の一方のバスバーに接続した電極指を「+」、他方のバスバーに接続した電極指を「−」と表したとき、
前記IDT電極の少なくとも一部の電極指が電極指列「+++−−−」の間引き電極であり、
前記IDT電極の少なくとも一部の電極指が電極指列「+++++−−−−−」の間引き電極であることを特徴とする弾性表面波共振子。 - 請求項1の弾性表面波共振子を用いて構成したことを特徴とするラダー型弾性表面波フィルタ。
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