JP4570341B2 - 薄膜トランジスタおよびそれを用いた表示素子、ならびに液晶表示素子 - Google Patents
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Description
実施例1では、下記の(化1)で示される複合機能型高分子材料(直鎖型高分子)を有機層3に用いた電界効果型トランジスタ10を作製した。複合機能型高分子材料は、高分子主鎖にキャリア輸送能があるポリ(p‐フェニレンビニレン)構造を有し、側鎖に絶縁性のエチレングリコール構造を有する。ゲート電極2にはTaを用い、ソース電極4及びドレイン電極5にはAuを用いた。
図5は、実施例2の液晶表示素子1000の模式的な断面図を示す。液晶表示素子1000は、トランジスタ10(図1)と、液晶表示素子100(図2)との組み合わせで構成される。
実施例3では、下記の(化2)で示される複合機能型高分子材料を有機層3に用いた電界効果型トランジスタ10を作製した。複合機能型高分子材料は、コアにキャリア輸送能があるフルオレン構造を有し、デンドロンに絶縁性のベンジルエーテル構造を有する。ゲート電極2にはTaを用い、ソース電極4及びドレイン電極5にはAuを用いた。
実施例4の液晶表示素子1000は、図5に示すように、実施例2の液晶表示素子1000と同様の構成を有する。実施例4の液晶表示素子1000は、トランジスタ10(図1)と、液晶表示素子100(図2)との組み合わせで構成される。
2 ゲート電極
3 有機層
4 ソース電極
5 ドレイン電極
10 トランジスタ
11 基板
12 有機層
13 液晶層
100 液晶表示素子
101 基板
102 ゲート電極
103 有機層
104 ドレイン電極
105 ソース電極
112 有機層
113 液晶層
Claims (12)
- 第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた有機層と、前記有機層に電界を印加するための第3電極とを備え、
前記有機層と前記第3電極との間に絶縁層を有さず、
前記有機層は、直鎖型高分子を有し、
前記直鎖型高分子は、主鎖に導電性の線状π共役系分子を有するポリ(p‐フェニレンビニレン)構造、ポリチオフェン構造およびポリフルオレン構造の少なくともいずれか一つを有し、側鎖にエチレングリコール構造の絶縁性残基を有し、
前記直鎖型高分子は、前記側鎖を介した非共有結合的相互作用による自己組織化構造を有する、薄膜トランジスタ。 - 第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた有機層と、前記有機層に電界を印加するための第3電極とを備え、
前記有機層と前記第3電極との間に絶縁層を有さず、
前記有機層は、デンドリック高分子を有し、
前記デンドリック高分子は、コアに導電性のπ共役系分子を有するフルオレン構造、オリゴチオフェン構造、オリゴフェニレンビニレン構造、アントラセン構造、ポルフィリン類構造の少なくともいずれか一つを有し、デンドロンにベンジルエーテル構造、または、ベンジルエーテル構造であって末端基にアミンを付加した構造の絶縁性残基を有し、
前記デンドリック高分子は、前記デンドロンを介した非共有結合的相互作用による自己組織化構造を有する、薄膜トランジスタ。 - 前記有機層は、ドーパントを含む、請求項1または2に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第3電極によって印加された電界に対する前記有機層の電界効果を利用する電界効果型トランジスタである、請求項1から3のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第1、第2および第3電極と前記有機層が直接接触している請求項1から4のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
- 請求項1から5のいずれかに記載の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素とを備える表示素子。
- 互いに対向する第1基板および第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に配置された液晶層と、
画素に接続された薄膜トランジスタとを有する液晶表示素子であって、
さらに、前記液晶層と前記第1基板との間、および前記液晶層と前記第2基板との間のうち少なくとも一方に第1有機層を有し、
前記薄膜トランジスタは、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた第2有機層と、前記第2有機層に電界を印加するための第3電極とを備え、
前記第2有機層と前記第3電極との間に絶縁層を有さず、
前記第1および第2有機層は、直鎖型高分子を有し、
前記直鎖型高分子は、主鎖に導電性の線状π共役系分子を有するポリ(p‐フェニレンビニレン)構造、ポリチオフェン構造およびポリフルオレン構造の少なくともいずれか一つを有し、側鎖にエチレングリコール構造の絶縁性残基を有し、
前記直鎖型高分子は、前記側鎖を介した非共有結合的相互作用による自己組織化構造を有する、液晶表示素子。 - 前記液晶層は、前記第1有機層と直接接触している請求項7に記載の液晶表示素子。
- 互いに対向する第1基板および第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に配置された液晶層と、
画素に接続された薄膜トランジスタとを有する液晶表示素子であって、
さらに、前記液晶層と前記第1基板との間、および前記液晶層と前記第2基板との間のうち少なくとも一方に第1有機層を有し、
前記薄膜トランジスタは、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた第2有機層と、前記第2有機層に電界を印加するための第3電極とを備え、
前記第2有機層と前記第3電極との間に絶縁層を有さず、
前記第1および第2有機層は、デンドリック高分子を有し、
前記デンドリック高分子は、コアに導電性のπ共役系分子を有するフルオレン構造、オリゴチオフェン構造、オリゴフェニレンビニレン構造、アントラセン構造およびポルフィリン類構造の少なくともいずれか一つを有し、デンドロンにベンジルエーテル構造、または、ベンジルエーテル構造であって末端基にアミンを付加した構造の絶縁性残基を有し、
前記デンドリック高分子は、前記デンドロンを介した非共有結合的相互作用による自己組織化構造を有する、液晶表示素子。 - 前記液晶層は、前記第1有機層と直接接触している請求項9に記載の液晶表示素子。
- 前記第1有機層は、配向処理をされていない請求項10に記載の液晶表示素子。
- 前記第1有機層は、ドーパントを含む、請求項7から11のいずれかに記載の液晶表示素子。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH055889A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-14 | Showa Denko Kk | 液晶素子 |
JPH0764098A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-03-10 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子 |
JPH0786600A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-03-31 | Ricoh Co Ltd | 電界効果型トランジスタ |
JPH10209459A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに液晶素子と有機発光素子 |
JP2002512451A (ja) * | 1998-04-16 | 2002-04-23 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | ポリマー製素子 |
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JP2003092407A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Sharp Corp | トランジスタ及びそれを用いた表示装置 |
WO2003058721A1 (en) * | 2001-12-28 | 2003-07-17 | Motorola, Inc. | Organic semiconductor and method |
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Patent Citations (9)
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---|---|---|---|---|
JPH055889A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-14 | Showa Denko Kk | 液晶素子 |
JPH0786600A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-03-31 | Ricoh Co Ltd | 電界効果型トランジスタ |
JPH0764098A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-03-10 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子 |
JPH10209459A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに液晶素子と有機発光素子 |
JP2002512451A (ja) * | 1998-04-16 | 2002-04-23 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | ポリマー製素子 |
WO2003008472A1 (en) * | 2001-07-17 | 2003-01-30 | Rolic Ag | Photoactive materials |
JP2003092407A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Sharp Corp | トランジスタ及びそれを用いた表示装置 |
WO2003058721A1 (en) * | 2001-12-28 | 2003-07-17 | Motorola, Inc. | Organic semiconductor and method |
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