JP4569354B2 - 半導体基板 - Google Patents
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Description
第1の形態の半導体基板100は,図1に示すようにFZ法により形成された面方位(100)のN型シリコンウェハ10を有している。シリコンウェハ10は,直径が200mmで,厚さが725μmである。さらに,シリコンウェハ10は,デバイス形成面側に位置するデバイス機能領域10aと,デバイス形成面の裏面(以下,この面を「裏面」,あるいはデバイス形成後に研削される側の面であることから,「研削面」とする。)側に位置する保護領域10bとからなっている。デバイス機能領域10aの厚さは,80μm〜400μmの範囲内である。保護領域10bは,デバイス形成中はデバイス機能領域10aと一体であるが,デバイス形成後には研削される。また,シリコンウェハ10の酸素濃度は,1.0×1018atoms/cm3 以下である。
第2の形態の半導体基板200は,図8に示すようにFZ法により形成された低酸素濃度のシリコンウェハ20の研削面上にシリコン酸化膜23を有している。そして,シリコン酸化膜23内に,そのシリコン酸化膜23を貫通するトレンチ22が設けられている。すなわち,シリコン酸化膜23内にパターン層21が設けられている。この点,シリコンウェハ内にパターン層が設けられている第1の形態と異なる。
第3の形態の半導体基板300は,図10に示すように低酸素濃度のシリコンウェハ30の研削面に形成されたトレンチの開口部を低カバレッジ膜34が覆い隠している。つまり,半導体基板300の内部に空洞32によるパターン層31が設けられている。この点,パターン層が半導体基板の表層面に設けられている第1の形態と異なる。
第4の形態の半導体基板400は,図12に示すように低酸素濃度のシリコンウェハ40下にパターン層41が形成されたポリシリコン膜46を有している。パターン層41は,ポリシリコン膜46内の空洞42によってなっている。この点,パターン層が半導体基板の表層面に設けられている第2の形態と異なる。
第5の形態の半導体基板500は,図15に示すように低酸素濃度のシリコンウェハ50内であって裏面側にパターン層51を有している。パターン層51は,シリコンウェハ50の内部に形成されており,空洞52によって構成されている。この点,パターン層が半導体基板の表層面に設けられているとともに,トレンチによって構成されている第1の形態と異なる。
第6の形態の半導体基板600は,図17に示すようにFZ法により形成された低酸素濃度のシリコンウェハ60下に高熱伝導率膜69を有している。そして,この高熱伝導率膜69によってスリップの発生を抑制する。この点,半導体基板内にトレンチあるいは空洞が形成されたパターン層を設け,スリップの伸展を抑止するこれまでの形態と異なる。
10a デバイス機能領域
10b 保護領域
11 パターン層
12 トレンチ
30 シリコンウェハ
31 パターン層
32 空洞
34 低カバレッジ膜
35 保護膜
60 シリコンウェハ
63 シリコン酸化膜
65 保護膜
69 高熱伝導率膜
100 半導体基板
Claims (4)
- 半導体素子形成面側に位置する素子機能領域と,
研削面側に位置する保護領域とを有する半導体ウェハを備え,
前記半導体ウェハ中の酸素濃度が1.0×1018atoms/cm3 以下である半導体基板において,
前記保護領域に位置し,溝または空洞によってなるパターン層と,
前記パターン層よりも半導体基板の裏面側に位置し,前記半導体ウェハよりも被酸化レートが低い第1特性と,前記半導体ウェハよりも被エッチングレートが低い第2特性との,少なくとも一方の特性を有する保護膜と,
を備えることを特徴とする半導体基板。 - 請求項1に記載する半導体基板において,
前記パターン層は,溝によってなり,
前記パターン層と前記保護膜との間に,前記パターン層の溝の開口部を覆う被覆膜を備えることを特徴とする半導体基板。 - 請求項1または請求項2に記載する半導体基板において,
前記半導体ウェハは,面方位(100)のシリコンウェハであり,
前記パターン層を構成する溝または空洞の高さは,溝または空洞の間隔の√3倍以上であることを特徴とする半導体基板。 - 請求項1から請求項3のいずれか1つに記載する半導体基板において,
前記パターン層を構成する溝または空洞は,前記半導体ウェハの厚さ方向から見て外周部に設けられていることを特徴とする半導体基板。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005102005A JP4569354B2 (ja) | 2005-03-31 | 2005-03-31 | 半導体基板 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2006286756A JP2006286756A (ja) | 2006-10-19 |
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JP (1) | JP4569354B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02164040A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Nec Corp | シリコン半導体基板の処理方法 |
JPH0562867A (ja) * | 1991-09-03 | 1993-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | シリコンウエハおよび半導体装置の製法 |
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JP2001332559A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Sharp Corp | シリコン基板の製造方法 |
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2005
- 2005-03-31 JP JP2005102005A patent/JP4569354B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2006286756A (ja) | 2006-10-19 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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