JP4556475B2 - 固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
シリコン基板等の半導体基体51の素子分離層53によって分離された領域に、受光部(フォトダイオード)52が形成されている。
この受光部(フォトダイオード)52の左側の半導体基体51上には、ゲート絶縁膜54を介して転送ゲート電極55が形成されている。
また、コンタクト層(導電プラグ)57を介して半導体基体51に接続された、2層の配線層58が設けられている。
これら2層の配線層58は、絶縁層59により覆われている。
この絶縁層59の上に、パッシベーション膜(保護膜)61、平坦化膜62、カラーフィルタ63、オンチップレンズ64が形成されている。
なお、図中56は、エッチングストッパ膜であり、絶縁層59に孔部を形成するエッチングの際のエッチングストッパとなるものである。
導波路内部のコア材となる高屈折率材料層60がクラッド部となる絶縁層59に比して屈折率が高いことを利用して、高屈折率材料層60と絶縁層59との界面において、臨界角θよりも大きい入射角をもつ入射光を全反射させることができる。
この界面での反射により、入射光を受光部(フォトダイオード)52へ向かうようにすることができるため、受光部(フォトダイオード)52への集光効率を高めることができる。
また、例えば、図4に示したように多層の配線層58を有する構成においては、配線層58を覆う絶縁層59の高さが高くなるため、導波路が深く形成される。これによっても、孔部のアスペクト比が大きくなる。
このように孔部のアスペクト比が大きくなることにより、孔部に高屈折率材料を充填する際に埋め込み性が悪くなる。そのため、集光性の悪化や、画素の特性ばらつきが懸念される。
しかし、この場合には、導波路から放出される斜め光が、受光部(フォトダイオード)52に集光されなくなるおそれがある。
この場合にも、導波路の径を広げたことにより、導波路から放出される斜め光が受光部(フォトダイオード)52に集光されなくなるおそれがある。
さらに、層内レンズ上に接続して形成された孔部内に、この孔部の周囲の酸化シリコン層よりも屈折率の高いポリイミド樹脂が充填されることにより、導波路が構成されているので、導波路をコア部、周囲の層をクラッド部として作用させ、入射光を導波路の外壁で反射させて、受光部へ導くことが可能になる。
従って、入射光の受光部への集光度を高めて、より多くの入射光を受光部に入射させることができる。
同時に、導波路の深さを低減して、アスペクト比を低減することができるため、導波路の充填材料の埋め込み性を向上させることができる。
また、受光部付近の半導体基体に対するダメージを抑制することができるため、半導体基体に対するダメージに起因する白点の発生を抑制することができる。
従って、良好な特性を有する固体撮像素子を実現することができる。
従って、信頼性の高い固体撮像素子を実現することができる。
本実施の形態は、本発明をCMOS型の固体撮像素子に適用した場合である。
この受光部(フォトダイオード)2の左側の半導体基体1上には、ゲート絶縁膜4を介して転送ゲート電極5が形成されている。
また、コンタクト層(導電プラグ)7を介して半導体基体1に接続された、2層の配線層8が設けられている。
これら2層の配線層8は、絶縁層9により覆われている。
そして、この絶縁層9の上に、パッシベーション膜(保護膜)11、平坦化膜12、カラーフィルタ13、オンチップレンズ14が形成されている。
この層内レンズ6は、受光部2側に下に凸の曲面から成るレンズ面6Aが形成され、周囲の絶縁層9よりも屈折率の高い材料から成る。
層内レンズ6の材料としては、例えば、シリコン窒化膜(屈折率n=2.0)等の窒化膜を用いることができる。
そして、窒化膜として、特に、プラズマCVD法により形成された窒化膜を用いることにより、後述するように、水素供給によって白点の発生を抑制する効果が得られる。
この導波路10は、層内レンズ6の上方の絶縁層9に形成された孔部内に、周囲の絶縁層9よりも屈折率の高い材料が充填されて成る。
導波路10の充填材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂(屈折率n=1.7)等の比較的屈折率の高い樹脂を用いることができる。
これにより、導波路10と層内レンズ6との境界面で、入射光が反射して上方に戻ってしまわないようにすることが可能になる。
これに対して、本実施の形態の構成では、導波路10の下に層内レンズ6が接続され、この層内レンズ6が導波路10の充填材料のポリイミド系樹脂よりも屈折率の高いシリコン窒化膜から成るため、導波路10と層内レンズ6との界面での反射を生じないようにすることができる。
これに対して、本実施の形態の構成では、フォトダイオード2と導波路10との間に層内レンズ6があることから、導波路10の充填材料にポリイミド系樹脂を用いても、層内レンズ6のシリコン窒化膜により金属の拡散を抑制することが可能である。これにより、金属の拡散に起因する白点の発生を抑制することが可能になる。
ただし、その場合、上述した金属の拡散を抑制すると共に、良好な埋め込み性を有することが望ましいため、材料がさらに制限されたり、製造工程に工夫を要したりする。
まず、従来の製造方法と同様にして、例えばシリコン層から成る半導体基体1内にフォトダイオード2を、半導体基体1上にゲート絶縁膜4を介して転送ゲート電極5を、それぞれ形成する。
その後、転送ゲート電極5を覆って、例えば酸化シリコン等の絶縁層21を形成する(以上図2A参照)。
その後、エッチバック法により、絶縁層21の表面までプラズマシリコン窒化膜を削って、図2Cに示すように、絶縁層21の凹型溝(凹面)21A上に層内レンズ6を形成する。このとき、例えば、エッチングガスとしてCH2F2,O2,Ar等のガスを用いる。
さらに、アニール(例えば400℃)を行って、層内レンズ6を構成するプラズマシリコン窒化膜から、受光部2の半導体基体1へ水素22を供給する。
このとき、層内レンズ6のプラズマシリコン窒化膜がエッチングストッパとして作用する。そして、絶縁層(例えば酸化シリコン)9と層内レンズ(プラズマシリコン窒化膜)6との間で、10程度のエッチング選択比を確保することが可能である。
続いて、エッチバック法又はCMP(化学的機械的研磨)法により、透明膜を絶縁層9の表面まで全面的に除去して、グローバル平坦化処理を施す。これにより、孔部内のみに透明膜が残り、導波路10が形成される(以上図3F参照)。
このようにして、図1に示した固体撮像素子を製造することができる。
これにより、感度の向上を図ることが可能になる。
これにより、受光部2付近の半導体基体1に対するダメージを抑制することができる。
同時に、層内レンズ6の分だけ導波路10の深さを低減することができ、孔部のアスペクト比を低減することができるため、導波路10の充填材料の埋め込み性を向上させることができる。
これにより、ダングリングボンドを終端させて、白点の発生を抑制することができる。
また、容易に良好な特性を有する固体撮像素子を製造することができ、製造歩留まりを向上することが可能になる。
従って、信頼性の高い固体撮像素子を実現することができる。
例えば、PSG(リン珪酸ガラス)やBPSG(ボロン・リン珪酸ガラス)等により、配線層等の段差を利用して凹部を形成し、さらにリフローさせて凹部の曲面の形状を整えてレンズ面を形成した後に、この凹部内に窒化膜等の屈折率の高い材料を埋めて層内レンズとする方法がある。
例えばCCD固体撮像素子にも、本発明を適用することが可能である。
いずれの構成の固体撮像素子においても、本発明を適用して、受光部の上方に層内レンズを設け、この層内レンズ上に接続して導波路を設けることにより、本発明の効果が得られる。
Claims (4)
- 半導体基体と、
前記半導体基体に光電変換素子が形成されて成る受光部と、
前記受光部の上方に設けられ、プラズマCVD法により形成されたシリコン窒化膜により形成され、前記受光部側にレンズ面が形成された層内レンズと、
前記層内レンズ上に接続して形成された孔部内にポリイミド樹脂が充填されることにより構成された、導波路と、
前記層内レンズの周囲及び前記孔部の周囲の酸化シリコン層とを含む
固体撮像素子。 - 前記層内レンズの前記導波路側の面が水平面である請求項1に記載の固体撮像素子。
- 半導体基体に受光部の光電変換素子を形成した後、前記半導体基体上に酸化シリコン層を形成する工程と、
前記酸化シリコン層に、等方性エッチングにより、層内レンズを形成するための凹型溝を形成する工程と、
プラズマCVD法により、全面にシリコン窒化膜を形成する工程と、
エッチバックにより、前記酸化シリコン層の表面まで前記シリコン窒化膜を削って、前記凹型溝上に層内レンズを形成する工程と、
全体を酸化シリコン層で覆う工程と、
前記酸化シリコン層に、異方性エッチングにより、導波路となる孔部を形成する工程と、
塗布法により、ポリイミド樹脂を前記孔部に埋める工程とを含む
固体撮像素子の製造方法。 - 前記等方性エッチングを、ダウンフロープラズマを用いて行う請求項3に記載の固体撮像素子の製造方法。
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