JPS6149466A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPS6149466A JPS6149466A JP59171889A JP17188984A JPS6149466A JP S6149466 A JPS6149466 A JP S6149466A JP 59171889 A JP59171889 A JP 59171889A JP 17188984 A JP17188984 A JP 17188984A JP S6149466 A JPS6149466 A JP S6149466A
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 20
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 8
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体カメラに用いることができる固体撮像装置
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、固体カメラは感度、解像度等の改善が図られてき
ている。とシわけ、固体撮像素子の前面に集光構造体を
取り付け、それらを改善する研究がさかんである（特開
昭５８−１１４６８４号公報）０ 以下、図面を参照しガから、上述したような従来の集光
構造体の取付は方法について説明する。
ている。とシわけ、固体撮像素子の前面に集光構造体を
取り付け、それらを改善する研究がさかんである（特開
昭５８−１１４６８４号公報）０ 以下、図面を参照しガから、上述したような従来の集光
構造体の取付は方法について説明する。
第１図は従来の集光構造体を取シ付けた固体撮像素子の
断面構造図を示すものである。第１図において、１は透
光性ガラス基板（屈折率約１．５）である。２は遮光物
質層である。３はレンズ形状の集光構造体（屈折率約１
．５）、４は表面を保護するだめの保護膜（屈折率約１
．５）である。５は空気層で、６は固体撮像素子の光感
細部であるホトダイオードである。なお、透光性ガラス
基板１は固体撮像素子のパッケージに固定されている。
断面構造図を示すものである。第１図において、１は透
光性ガラス基板（屈折率約１．５）である。２は遮光物
質層である。３はレンズ形状の集光構造体（屈折率約１
．５）、４は表面を保護するだめの保護膜（屈折率約１
．５）である。５は空気層で、６は固体撮像素子の光感
細部であるホトダイオードである。なお、透光性ガラス
基板１は固体撮像素子のパッケージに固定されている。
以上のように構成された固体撮像素子について、以下そ
の動作を説明する。
の動作を説明する。
まず、固体カメラのレンズを通過して来た入射光７は透
光性ガラス基板１、レンズ形状の集光構造体３、保護膜
４を通過するが、それらは全て屈折率が約１゜５である
ため、直進する。ところが次の空気層５との界面で屈折
を起し、撮像素子のホトダイオード６上で集光する。
光性ガラス基板１、レンズ形状の集光構造体３、保護膜
４を通過するが、それらは全て屈折率が約１゜５である
ため、直進する。ところが次の空気層５との界面で屈折
を起し、撮像素子のホトダイオード６上で集光する。
しかしながら、上記のような構成では、カメラレンズの
絞シを大きく開いた場合、斜めに入射して来た光は、直
進して来た光よりも集光位置がずれることになる。その
ため、空気層５の厚さによってはホトダイオード６に入
らない斜め入射光が存在し、受光量が減少する。まだ、
撮像素子の中心と、周辺とでは斜め入射光の状況が異な
るため、同様に、空気層６の厚さによっては、ホトダイ
オード６の受光量が場所によって異々るという欠点を有
していた。
絞シを大きく開いた場合、斜めに入射して来た光は、直
進して来た光よりも集光位置がずれることになる。その
ため、空気層５の厚さによってはホトダイオード６に入
らない斜め入射光が存在し、受光量が減少する。まだ、
撮像素子の中心と、周辺とでは斜め入射光の状況が異な
るため、同様に、空気層６の厚さによっては、ホトダイ
オード６の受光量が場所によって異々るという欠点を有
していた。
発明の目的
本発明は上記欠点に鑑み、各集光構造体を通過して来た
光が全て、対応するホトダイオードに入るようにするこ
とのできる固体撮像装置の製造方法を提供するものであ
る。
光が全て、対応するホトダイオードに入るようにするこ
とのできる固体撮像装置の製造方法を提供するものであ
る。
発明の構成
１ｆ この目的を達成するために
本発明の固体撮像装置の製造方法は、一方の面に２汐元
的に配列した多数の集光構造体を形成した透光性ガラス
基板と前記集光構造体に対応した画素ピッチを有する固
体撮像素子とを、光及び熱反応性樹脂を介して、接合し
、前記透光性ガラス基板側から露光し、さらに熱を加え
て前記光及び熱反応性樹脂を硬化させることを特徴とす
・るものであり、これによって、各集光構造体を通過し
て来た光を全て、対応するホトダイオードに入射させる
ことのできる固体撮像装置を製造することができる。
本発明の固体撮像装置の製造方法は、一方の面に２汐元
的に配列した多数の集光構造体を形成した透光性ガラス
基板と前記集光構造体に対応した画素ピッチを有する固
体撮像素子とを、光及び熱反応性樹脂を介して、接合し
、前記透光性ガラス基板側から露光し、さらに熱を加え
て前記光及び熱反応性樹脂を硬化させることを特徴とす
・るものであり、これによって、各集光構造体を通過し
て来た光を全て、対応するホトダイオードに入射させる
ことのできる固体撮像装置を製造することができる。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第２図は本発明の実施例における固体撮像素子の作製方
法のプロセスを示すものである。
法のプロセスを示すものである。
第２図ａにおいて、１１は透光性ガラス基板（屈折率１
．５）、１２は遮光物質層、１３はレンズ状の集光構造
体（屈折率１．６）、１４は保護膜（屈折率１．５）、
１５は未硬化の光及び熱反応性樹脂層（屈折率１．３）
、１６はホトダイオードである。
．５）、１２は遮光物質層、１３はレンズ状の集光構造
体（屈折率１．６）、１４は保護膜（屈折率１．５）、
１５は未硬化の光及び熱反応性樹脂層（屈折率１．３）
、１６はホトダイオードである。
ただし、光及び熱反応性樹脂層１５の厚さを６０μとし
た。この状態で、透光性ガラス基板１１側から垂直に入
射光１９を入れる。入射光１９は保護膜１４までは直進
するが、樹脂層１５との界面で屈折し、対応するホトダ
イオード１６まで行き、一部反射する。ここで、樹脂層
１６は光反応し硬化し始め、それと同時に屈折率も変化
し始める（一般的に光及び熱反応性樹脂では硬化ととも
に、屈折率が増大し始める）。その後、光照射を止め、
撮像素子全体を一時加熱する。ただし、樹脂全体の硬化
反応が完了する前に、加熱をやめる。この加熱によって
、第２図すに示すように光及び、熱反応性樹脂膜１５に
おいて屈折率ｎ１ の領域１７と屈折率ｎ２の領域１８
とが形成される。何故なら、領域１７では光及び熱によ
シ光及び熱反応性樹脂の硬化が進み、領域１８では熱に
よる硬化のみなので、硬化度及び屈折率が異なる。本実
施例ではｎｌ−ｎ２＝ｏ、５（ｎｌ〉ｎ２）となるよう
に硬化条件を決めた。
た。この状態で、透光性ガラス基板１１側から垂直に入
射光１９を入れる。入射光１９は保護膜１４までは直進
するが、樹脂層１５との界面で屈折し、対応するホトダ
イオード１６まで行き、一部反射する。ここで、樹脂層
１６は光反応し硬化し始め、それと同時に屈折率も変化
し始める（一般的に光及び熱反応性樹脂では硬化ととも
に、屈折率が増大し始める）。その後、光照射を止め、
撮像素子全体を一時加熱する。ただし、樹脂全体の硬化
反応が完了する前に、加熱をやめる。この加熱によって
、第２図すに示すように光及び、熱反応性樹脂膜１５に
おいて屈折率ｎ１ の領域１７と屈折率ｎ２の領域１８
とが形成される。何故なら、領域１７では光及び熱によ
シ光及び熱反応性樹脂の硬化が進み、領域１８では熱に
よる硬化のみなので、硬化度及び屈折率が異なる。本実
施例ではｎｌ−ｎ２＝ｏ、５（ｎｌ〉ｎ２）となるよう
に硬化条件を決めた。
このように作製した固体撮像素子に対して、レンズの絞
シをＦ１１〜Ｆ１．４まで変えて光を入射させたが、領
域１７が光導波路となシ、入射光を全て対応するホトダ
イオード１６に入れることが出樹脂を介して、接合し、
光照射後さらに、熱を加えて前記光及び熱反応性樹脂を
硬化することにより、光導波路を作り、レンズ絞りがＦ
１１〜Ｆ１．４までの斜め入射光でも全て、対応するホ
トダイオードに入れることが出来る。
シをＦ１１〜Ｆ１．４まで変えて光を入射させたが、領
域１７が光導波路となシ、入射光を全て対応するホトダ
イオード１６に入れることが出樹脂を介して、接合し、
光照射後さらに、熱を加えて前記光及び熱反応性樹脂を
硬化することにより、光導波路を作り、レンズ絞りがＦ
１１〜Ｆ１．４までの斜め入射光でも全て、対応するホ
トダイオードに入れることが出来る。
発明の効果
以上のように本発明は、一方の面に２次元的に配列した
多数の集光構造体を形成した透光性ガラス基板と前記集
光構造体に対応した画素ピッチを有する固体撮像素子と
を、光及び熱反応性樹脂を介して接合し、前記透光性ガ
ラス基板側から露光し、さらに熱を加えて前記光及び熱
反応性樹脂を硬化させることによシ、光導波路を作り、
入射光を全て対応するホトダイオードに入れることがで
き、その実用的効果は大なるものがある。
多数の集光構造体を形成した透光性ガラス基板と前記集
光構造体に対応した画素ピッチを有する固体撮像素子と
を、光及び熱反応性樹脂を介して接合し、前記透光性ガ
ラス基板側から露光し、さらに熱を加えて前記光及び熱
反応性樹脂を硬化させることによシ、光導波路を作り、
入射光を全て対応するホトダイオードに入れることがで
き、その実用的効果は大なるものがある。
第１図は従来の集光構造体を取付けた固体撮像素子の断
面図、第２図は本発明の実施例における固体撮像装置の
作製プロセスを示す図である。 １１・・・・・・透光性ガラス基板、１２・・・・・・
遮光物質層、１３・・・・・・レンズ状の集光構造体、
１４・・・・・・保護膜、１６・・・・・・光及び熱反
応性樹脂層、１６・・・・・・ホトダイオード、１７・
・・・・・光及び熱で硬化した樹脂領域、１８・・・・
・熱で硬化した樹脂領域。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ２図 （０Ｌ） ｑ
面図、第２図は本発明の実施例における固体撮像装置の
作製プロセスを示す図である。 １１・・・・・・透光性ガラス基板、１２・・・・・・
遮光物質層、１３・・・・・・レンズ状の集光構造体、
１４・・・・・・保護膜、１６・・・・・・光及び熱反
応性樹脂層、１６・・・・・・ホトダイオード、１７・
・・・・・光及び熱で硬化した樹脂領域、１８・・・・
・熱で硬化した樹脂領域。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ２図 （０Ｌ） ｑ
Claims (1)
- 一方の面に２次元的に配列した多数の集光構造体を形成
した透光性ガラス基板と前記集光構造体に対応した画素
ピッチを有する固体撮像素子とを、光及び熱反応性樹脂
を介して、接合し、前記透光性ガラス基板側から露光し
、さらに加熱して前記光及び熱反応性樹脂を硬化させる
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171889A JPH061824B2 (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171889A JPH061824B2 (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6149466A true JPS6149466A (ja) | 1986-03-11 |
| JPH061824B2 JPH061824B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=15931678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59171889A Expired - Lifetime JPH061824B2 (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061824B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6410665A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Sony Corp | Solid-state image sensing device |
| JPH04103923U (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-08 | 株式会社クボタ | 屋根パネルを使用した屋根の隅棟構造 |
| FR2829876A1 (fr) * | 2001-09-18 | 2003-03-21 | St Microelectronics Sa | Cellule photosensible incorporant un guide de lumiere et matrice composee de telles cellules |
| US6831311B2 (en) * | 1999-04-12 | 2004-12-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging device |
| JP2005294749A (ja) * | 2004-04-05 | 2005-10-20 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| US7126638B2 (en) * | 2002-05-09 | 2006-10-24 | Eastman Kodak Company | Image sensor having multiple layers of dielectrics adjacent the photosensitive area for improved quantum efficiency |
| JP2008103757A (ja) * | 2002-12-25 | 2008-05-01 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| US7442973B2 (en) | 2002-12-13 | 2008-10-28 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and production method therefor |
| JP2010161180A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法、カメラ |
| JP2011135096A (ja) * | 2011-03-07 | 2011-07-07 | Sony Corp | 固体撮像装置、カメラ |
| US20180313911A1 (en) * | 2014-07-25 | 2018-11-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Magnetic sensor device having an enclosure with step portions and grooves continuous with the step portions and method of manufacture thereof |
-
1984
- 1984-08-17 JP JP59171889A patent/JPH061824B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6410665A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Sony Corp | Solid-state image sensing device |
| JPH04103923U (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-08 | 株式会社クボタ | 屋根パネルを使用した屋根の隅棟構造 |
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| FR2829876A1 (fr) * | 2001-09-18 | 2003-03-21 | St Microelectronics Sa | Cellule photosensible incorporant un guide de lumiere et matrice composee de telles cellules |
| US6858828B2 (en) | 2001-09-18 | 2005-02-22 | Stmicroelectronics S.A. | Photocell incorporating a lightguide and matrix composed of such photocells |
| US7126638B2 (en) * | 2002-05-09 | 2006-10-24 | Eastman Kodak Company | Image sensor having multiple layers of dielectrics adjacent the photosensitive area for improved quantum efficiency |
| US7442973B2 (en) | 2002-12-13 | 2008-10-28 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and production method therefor |
| US7842986B2 (en) * | 2002-12-13 | 2010-11-30 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method for fabricating the same related application data |
| JP2008103757A (ja) * | 2002-12-25 | 2008-05-01 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP2005294749A (ja) * | 2004-04-05 | 2005-10-20 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| JP4556475B2 (ja) * | 2004-04-05 | 2010-10-06 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP2010161180A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法、カメラ |
| US8619176B2 (en) | 2009-01-07 | 2013-12-31 | Sony Corporation | Solid state imaging device having lens and material with refractive index greater than 1 between the lens and imaging chip |
| US9313385B2 (en) | 2009-01-07 | 2016-04-12 | Sony Corporation | Solid-state image-taking apparatus to focus incoming light into an image, manufacturing method thereof, and camera |
| JP2011135096A (ja) * | 2011-03-07 | 2011-07-07 | Sony Corp | 固体撮像装置、カメラ |
| US20180313911A1 (en) * | 2014-07-25 | 2018-11-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Magnetic sensor device having an enclosure with step portions and grooves continuous with the step portions and method of manufacture thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH061824B2 (ja) | 1994-01-05 |
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