JP5359323B2 - 固体撮像装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
CMOSセンサあるいはCCDセンサなどの固体撮像素子は、半導体基板の表面に形成されたフォトダイオード(光電変換部)に光を入射させ、そのフォトダイオードで発生した信号電荷によって映像信号を得る構成となっている。
撮像装置は、例えば、センサ部101とレンズモジュール102とを有する。
また、絶縁膜112の上層に、赤(R)、緑(G)及び青(B)などのカラーフィルタ113が設けられており、その上層にオンチップマイクロレンズ114が設けられている。
オンチップマイクロレンズ114と光導波路により、センサ部101に入射する光が画素に入射する効率が高められている。
レンズモジュール102は、センサ部101に入射する光のトレランス及び画角依存性などを考慮して、光がセンサ部101に最適なスポットを形成するように設計されている。
例えば、図のように2×2の画素を1つの画素ユニットPUとし、対角に緑(G)の画素を2つ、もう一方の対角に赤(R)と青(B)の画素を1つずつ配置する構成となっている。
センサ部は、フォトダイオードを含む画素が受光面にアレイ状に配置された半導体基板を有する。
レンズモジュールは、レンズを含む複数枚の光学部材を有し、撮像する画像情報を含んだ光がセンサ部の受光面に入射するように配置されている。
位相シフトマスクは、光の全体を複数に区分する領域が設定され、光に対して領域ごとに異なる位相シフトを生じさせる。
図1は、本実施形態に係る固体撮像装置の模式構成図である。
例えば、センサ部1、レンズモジュール2及びセンサ部1とレンズモジュール2の間に配置された位相シフトマスク3とを有する。
また、例えば、半導体基板11上に絶縁膜12が形成されており、絶縁膜12中には金属配線及び光導波路などが設けられている。
オンチップマイクロレンズ14と光導波路により、半導体基板11の画素に入射する光が画素に入射する効率が高められている。
レンズモジュール2は、センサ部1への入射光Lのトレランス及び画角依存性などを考慮して、撮像する画像情報を含んだ光がセンサ部の受光面に入射して、センサ部1に最適なスポットを形成するように設計されている。
位相シフトマスクは、光の全体を複数に区分する領域が設定され、光に対して領域ごとに異なる位相シフトを生じさせる構成である。
図2(a)及び(b)はレンズ面の振幅分布の焦点面上の振幅分布の関係を示す。図2(a)はレンズ面の焦点面の位置を示し、図2(b)はレンズ面の振幅分布の焦点面上の振幅分布を示している。
ただし、これは近似式でありx’y’面上での集光スポット系をDとした場合、下記式(3)で示されるフラウンホーファー近似が満たされることが重要である。
この原理を利用すると逆にレンズ面上(遠視野像)の振幅分布を位相シフトマスクにより変化させることにより、その合焦点におけるスポット分布(ビームパターン)をフーリエ変換則に基づき変化させることができる。
例えば、センサ部1とレンズモジュール2の中間に配置される。
あるいは、位相シフトマスク3がレンズモジュール2の内部に組み込まれていてもよい。
図3(a)及び(b)に示す位相シフトマスクは、光の全体を2つに区分する領域が設定されており、光に対して一方の領域A1では0、他方の領域A2ではπとなるように位相シフトを生じさせる構成となっている。
上記のような段差により発生する位相差は下記式(4)のように表される。
ここでは、挿入部のFナンバーは十分大きく透過するビームはほぼ平行光とみなしている。
一方の領域A1で0、他方の領域A2でπとなるように位相シフトを生じさせるには、上記の式(4)の値が1/2となるように、n,t1,t2をそれぞれ設定すればよい。
このビームパターンは円形であって、エアリーディスクと呼ばれ、通常の集光においてはこのスポット分布に近い形状を示す。
図8は、本実施形態に係る固体撮像装置の模式構成図である。
例えば、センサ部1、レンズモジュール2及びセンサ部1とレンズモジュール2の間に配置された位相シフトマスク3とを有する。
位相シフトマスク3は、第1マスク31と第2マスク32の複数枚から構成されている。上記の式(3)より位相シフト量は波長に反比例するので波長により位相を変化させることができる。
レンズモジュール2もまた、第1実施形態と同様のレンズモジュールであってよい。
図9(a)はセンサ部1における光入射側(カラーフィルタ側)から見た画素のレイアウトの一例である。
例えば、図のように2×2の画素を1つの画素ユニットPUとし、対角に緑(G)の画素を2つ、もう一方の対角に赤(R)と青(B)の画素を1つずつ配置する構成となっている。上記の構成の2×2の4画素からなる画素ユニットが、受光面上に繰り返し配置されている。
第1マスクは、緑色の光に作用させる位相シフトマスクである。緑色の波長ではπの奇数倍の位相差、青色と赤色ではπの偶数倍の位相差となるマスクとする。青色、緑色、赤色の波長をそれぞれ450nm,550nm,650nmとすると、550nmの波長において位相差凡そ5πに相当する段差を形成したとき、上記の条件をほぼ実現できる。
第2マスクは、青色と赤色の光に作用させる位相シフトマスクである。青色と赤色の波長に作用させる位相シフトマスクは、緑色の波長ではπの偶数倍の位相差、青色の波長と赤色の波長ではそれぞれπ/2の(4m+1)倍、(4m−1)倍(ここでmは整数)の位相差とすればよい。これには、緑色の550nmの波長において位相差凡そ2πに相当する段差を形成したとき、上記の条件をほぼ実現できる。
領域A3とA4を区分する区分線は、領域A1とA2を区分する区分線と直交する。
即ち、緑色の光(波長550nm)に対して、領域A1と領域A3の重なり領域A13が位相差5πとなる。また、領域A2と領域A3の重なり領域A23が位相差0となる。また、領域A2と領域A4の重なり領域A24が位相差2πとなる。また、領域A1と領域A4の重なり領域A14が位相差7πとなる。
図10(a)は上記の画素レイアウトの一例であり、図10(b)、図10(c)、図10(d)は、それぞれ緑色(G)の光、青色(B)の光、赤色(R)の光に対して実効的に生じる位相差を示す。
即ち、緑色(G,550nm)の光に対して、領域A1で位相差π、領域A2で位相差0となる。
また、青色(B,450nm)の光に対して、実効的に、領域A4で位相差π/2、領域A3で位相差0となる。
また、赤色(R,650nm)の光に対して、実効的に、領域A4で位相差−π/2、領域A3で位相差0となる。
緑色の光に対しては、実質的に図10(b)に示す位相差が作用し、受光面上のビームパターンは分割方向に広がった対称なパターンとなり、即ち、2つの緑色の画素に入射するパターンが得られた。
青色の光に対しては、実質的に図10(c)に示す位相差が作用し、受光面上のビームパターンは分割方向に広がった非対称なパターンとなり、特に、位相差π/2のA4の領域側に偏ったパターンとなり、即ち、青色の画素に偏ったパターンが得られた。
赤色の光に対しては、実質的に図10(d)に示す位相差が作用し、受光面上のビームパターンは分割方向に広がった非対称なパターンとなり、特に、位相差0のA3の領域側に偏ったパターンとなり、即ち、赤色の画素に偏ったパターンが得られた。
図14(a)及び図14(b)、図15(a)及び図15(b)、図16(a)及び図16(b)、図17(a)及び図17(b)は、上記の実施形態の固体撮像装置の効果の説明のための図である。
上記のパターンの画素に対して、合焦点となる受光面で3つのスポット(SP1〜SP3)が入射する場合を考える。
図14(a)中の矢印で示した位置における緑色(G)、青色(B)及び赤色(R)の各画素が受光する光の強度は、図14(b)のようになる。
図15(a)中の矢印で示した位置における緑色(G)、青色(B)及び赤色(R)の各画素が受光する光の強度は、図15(b)のようになる。
即ち、青色(B)及び赤色(R)の信号強度の振幅が小さくなっており、画素間のクロストークCTが発生したことを示している。
図16(a)は緑色(G)、青色(B)及び赤色(R)の各画素が上述のパターンで繰り返して配置されたレイアウトを示す。
本実施形態においては、合焦点となる受光面で、それぞれ2つに分割されている緑色の光の3つのスポット(SPG1〜SPG3)、青色の光の3つのスポット(SPB1〜SPB3)、赤色の光の3つのスポット(SPR1〜SPR3)が入射する。
図16(a)中の矢印で示した位置における緑色(G)、青色(B)及び赤色(R)の各画素が受光する光の強度は、図16(b)のようになる。
上記における図17(a)中の矢印で示した位置における緑色(G)、青色(B)及び赤色(R)の各画素が受光する光の強度は、図17(b)で示される。
即ち、緑色(G)、青色(B)及び赤色(R)の信号強度の振幅が小さくなっておらず、画素間のクロストークCTが抑制されたことを示している。
図18は、本実施形態に係る電子機器であるカメラの概略構成図である。本実施形態に係るカメラは、静止画撮影又は動画撮影可能なビデオカメラの例である。
本実施形態に係るカメラは、センサ部51、レンズモジュールを含む光学系52、位相シフトマスク53及び信号処理回路54などを有する。位相シフトマスク53は光学系52内に組み込まれていてもよい。
本実施形態において、上記のセンサ部51、レンズモジュール、位相シフトマスク53としては、上記の第1及び第2実施形態に係る固体撮像装置と同等の構成が組み込まれている。
これによりセンサ部51内に一定期間当該信号電荷が蓄積される。蓄積された信号電荷は出力信号Voutとして取り出される。
シャッタ装置は、センサ部51への光照射期間および遮光期間を制御する。
例えば、固定焦点カメラなどのデフォーカスとなりやすい撮像装置に採用することで、クロストークによる画質の劣化を抑制できる。
例えば、実施形態においてはCMOSセンサとCCD素子のいずれにも適用できる。
また、位相シフトマスクの構成は、上記のように位相差を発生させるものであれば特に限定はなく、種々の材料や膜厚のものを用いることができる。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
Claims (4)
- フォトダイオードを含む画素が受光面にアレイ状に配置された半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜中に形成された配線及び光導波路と、前記絶縁膜上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成されたオンチップマイクロレンズとを有するセンサ部と、
レンズを含む複数枚の光学部材を有し、撮像する画像情報を含んだ光が前記センサ部の受光面に入射するように配置されたレンズモジュールと、
前記光の全体を複数に区分する領域が設定され、前記光に対して前記領域ごとに異なる位相シフトを生じさせる位相シフトマスクと
を有し、
前記センサ部において、一方の対角に2つの緑色のカラーフィルタを有する緑画素を有し、他方の対角に赤色のカラーフィルタを有する赤画素と青色のカラーフィルタを有する青画素を有する2×2の4画素からなる画素ユニットが、前記受光面上に繰り返し配置されており、
前記位相シフトマスクとして、前記画素ユニットの各画素を区分する区分線に対して前記受光面と平行な面上で45°回転して得られる直交する区分線で前記光の全体を4つに区分する領域が設定されており、前記光のうち緑色の光に対して、ある領域から時計周りまたは反時計周り方向に、0、2π、7π、5πとなるように位相シフトを生じさせる
固体撮像装置。 - 前記位相シフトマスクが前記光の非焦点領域である遠視野領域に配置されている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記位相シフトマスクが前記レンズモジュール内部に組み込まれている
請求項1または2に記載の固体撮像装置。 - フォトダイオードを含む画素が受光面にアレイ状に配置された半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜中に形成された配線及び光導波路と、前記絶縁膜上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成されたオンチップマイクロレンズとを有するセンサ部と、
レンズを含む複数枚の光学部材を有し、撮像する画像情報を含んだ光が前記センサ部の受光面に入射するように配置されたレンズモジュール、及び、前記光の全体を複数に区分する領域が設定され、前記光に対して前記領域ごとに異なる位相シフトを生じさせる位相シフトマスクを含む光学系と、
前記センサ部の出力信号を処理する信号処理回路と
を有し、
前記センサ部において、一方の対角に2つの緑色のカラーフィルタを有する緑画素を有し、他方の対角に赤色のカラーフィルタを有する赤画素と青色のカラーフィルタを有する青画素を有する2×2の4画素からなる画素ユニットが、前記受光面上に繰り返し配置されており、
前記位相シフトマスクとして、前記画素ユニットの各画素を区分する区分線に対して前記受光面と平行な面上で45°回転して得られる直交する区分線で前記光の全体を4つに区分する領域が設定されており、前記光のうち緑色の光に対して、ある領域から時計周りまたは反時計周り方向に、0、2π、7π、5πとなるように位相シフトを生じさせる
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