JP4533807B2 - 磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - Google Patents
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Description
本発明の第1乃至第3の実施形態では、磁気抵抗効果素子としてMTJ素子を用いた場合について説明する。
図4は、本発明の第1の実施形態に係るMTJ素子の概略的な構成図を示す。以下に、第1の実施形態に係るMTJ素子の概略的な構成について説明する。
上述するように合金キャップ層114の材料としては、第1の金属材M1と第2の金属材M2とからなる合金が用いられる。以下に、耐熱性の向上とMR比の向上との両立を図る観点に基づいて、第1及び第2の金属材M1,M2からなる合金キャップ層114の具体的な合金材料及び混合比について説明する。
上述するように、合金キャップ層114を構成する各金属材M1,M2の標準電極電位V1,V2は、合金キャップ層114と隣接する記憶層113の標準電極電位Vに対して、V1<V,V2>Vの関係を満たすことが望ましいが、ここでは、合金キャップ層114の合金の標準電極電位Vaについて説明する。
図7は、本発明の第1の実施形態に係る合金キャップ層としてRu−Ta及びRu−Cr合金キャップ層を用いた場合、このRu−Ta及びRu−Cr合金キャップ層の標準電極電位(イオン化傾向)の金属組成依存性の関係図を示す。尚、図7の横軸は、左端に近づくほどRuの混合率が高まってRu純金属となり、右端に近づくほどTa,Crの混合率が高まってTa,Cr純金属となることを示している。
(実施例1)
図16は、本発明の実施例1に係るMTJ素子の断面図を示す。以下に、実施例1に係るMTJ素子の構造について説明する。
図17は、本発明の実施例2に係るMTJ素子の断面図を示す。以下に、実施例2に係るMTJ素子の構造について説明する。
図18は、本発明の実施例3に係るMTJ素子の断面図を示す。以下に、実施例3に係るMTJ素子の構造について説明する。
図19A乃至図19Fは、本発明の実施例4に係るMTJ素子の記憶セル近傍部分の製造工程の断面図を示す。以下に、MTJ素子の記憶セル近傍部分の製造方法について説明する。尚、ここでは、図16及び図17に示すような合金キャップ層114より下の下層を簡略化してキャップ層の下部層202として示す。
第2の実施形態は、上記第1の実施形態と合金キャップ層の材料が異なり、合金キャップ層として磁性材を利用するものである。
第3の実施形態では、上記第1及び第2の実施形態において、合金キャップ層とこの合金キャップ層に隣接する磁性層との間に拡散防止層を設けたものである。
次に、本発明の一実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリについて説明する。この磁気ランダムアクセスメモリでは、上述した合金キャップ層114を有するMTJ素子100をメモリセルの記憶素子として用いる。尚、ここでは、磁気ランダムアクセスメモリのメモリセル構造の一例である、[2−1]選択トランジスタ型、[2−2]選択ダイオード型、[2−3]クロスポイント型、[2−4]トグル(Toggle)型のセルについて説明する。
図23(a)及び(b)は、本発明の一実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの選択トランジスタ型のメモリセルを示す。以下に、選択トランジスタ型におけるセル構造について説明する。
図24(a)及び(b)は、本発明の一実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの選択ダイオード型のメモリセルを示す。以下に、選択ダイオード型におけるセル構造について説明する。
図25(a)及び(b)は、本発明の一実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのクロスポイント型のメモリセルを示す。以下に、クロスポイント型におけるセル構造について説明する。
図26は、本発明の一実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのトグル型のメモリセルの平面図を示す。以下に、トグル型におけるセル構造について説明する。
Claims (4)
- 第1の面と第2の面とを備える第1の磁性層と、
第2の磁性層と、
前記第1の磁性層の前記第1の面と前記第2の磁性層との間に設けられたトンネルバリア層と、
前記第1の磁性層の前記第2の面と接し、磁性材と金属材との合金で形成され、非磁性材料からなるキャップ層とを具備し、
前記磁性材と前記金属材との合金は、NiFeZrである
ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 前記キャップ層と前記第1の磁性層との間に設けられ、金属酸化物、金属窒化物及び金属酸窒化物のいずれかからなり、2nm以下の厚さを有する拡散防止層をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記拡散防止層は、Al,Mg,B,Ti,Zr,Hf,Taのうち1元素以上を含有する元素の酸化物、窒化物又は酸窒化物であることを特徴とする請求項2に記載の磁気抵抗効果素子。
- 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子に対してデータの書き込み又は読み出しを行う手段とを具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
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