JP4522139B2 - 基板処理ユニット、基板載置状態検出方法および基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板に各種処理を行う基板処理ユニット、基板載置状態検出方法および基板処理装置に関する。
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板または光ディスク用ガラス基板等の各種基板の処理工程においては、基板に加熱処理を行うための基板加熱装置が用いられている（例えば、特許文献１参照）。
このような基板加熱装置においては、加熱プレート上に基板が載置されることにより、基板の加熱処理が行われる。基板の加熱処理時には、基板の面内の温度を均一に変化させることが望ましい。これにより、処理工程の精度が向上する。
処理工程の精度向上を目的として、次のような対策が提案されてきた。
例えば、加熱プレート上に基板を覆う蓋部を設けることにより、基板加熱装置の上方から流れる気流（ダウンフロー）が処理対象となる基板にあたることが防止される。それにより、加熱処理時における基板の面内の温度がダウンフローの影響を受けない。
また、加熱処理時において、加熱処理雰囲気を減圧することにより不要な気体が基板に接触することによる基板の反応が防止される。
このような対策とともに、加熱処理時においては、基板の載置位置が正確であることが要求されている。加熱プレート上に基板がずれた状態で載置されると、基板の一部が加熱プレートからはみ出す。その結果、基板の全面に対して均一な加熱処理が行われない場合がある。
ところで、従来から、基板の搬送状況または載置状態を知るために、光電センサ、近接センサ等により基板の状態を直接検出する方法が用いられている。そこで、加熱プレート上の基板の載置状態についても、光電センサ、近接センサ等により何らかの情報が得られないかと提案されてきた。
ところが、上述のような加熱処理装置においては、加熱プレートからの熱影響または基板加熱装置の他の周辺ユニットとのレイアウト上での制約および干渉等により、基板の載置状態を知る上で光電センサまたは近接センサを設置することは困難であった。
また、光電センサまたは近接センサの他、高耐熱性の光電センサや基板の質量を測定する重量測定センサおよび基板加熱装置内の温度変化を検出する温度測定センサ等があるが、いずれも、スペース的な問題、複数台設置することによるコスト的な問題および検知精度の問題等により、基板加熱装置の載置状態の検出に適用するには困難であった。
そこで、従来の基板加熱装置においては、加熱プレートの基板載置位置を囲むようにテーパー部を有する位置決めガイドを設け、基板の載置位置のずれを防止していた。この場合、基板がずれた状態で搬入されても、位置決めガイドのテーパー部により基板の外周端面が案内されることにより、基板が加熱プレート上の所定の位置に誘導される。
これにより、基板加熱装置においては、位置決めガイドにより正確な位置に基板が載置されているものとして、基板に加熱処理が行われる。
特開２００１−１８９３６８号公報
しかしながら、加熱プレートの基板載置位置を囲むように位置決めガイドが設けられた基板加熱装置では、所定の範囲を超えた大きなずれ（基板の外周部がテーパー部を超えるようなずれ）が生じると、基板が位置決めガイドに乗り上げてしまう場合がある。この場合、基板が加熱プレート上の所定の位置に誘導されず、基板の位置がずれた状態で加熱処理が行われる。その結果、基板全面についての均一な加熱処理が行われない。
本発明の目的は、簡単な構成で、基板の位置ずれの検出が可能な基板処理ユニット、基板載置状態検出方法および基板処理装置を提供することである。
第１の発明に係る基板処理ユニットは、基板に所定の処理を行う基板処理ユニットであって、基板が載置される基板載置台と、基板を基板載置台上で上昇および下降させる昇降手段と、昇降手段による基板の上昇中または下降中における基板と基板載置台との間の空間における気流の変化を検出する検出手段と、検出手段により検出される気流の変化に基づいて基板載置台における基板の載置状態を判定する判定手段とを備えたものである。
第１の発明に係る基板処理ユニットにおいては、基板が昇降手段により基板載置台上で上昇または下降される。そして、昇降手段による基板の上昇中または下降中における基板と基板載置台との間の空間における気流の変化が検出手段により検出され、検出された気流の変化に基づいて判定手段により基板載置台における基板の載置状態が判定される。
これにより、基板の上昇または下降により発生する気流の変化に基づいて基板の載置状態を判定することができるので、簡単な構成で基板の位置ずれの検出が可能となる。
検出手段は、気流の変化による圧力変化を検出する圧力検出手段を含んでもよい。この場合、圧力検出手段により圧力変化が検出されるので、簡単な構成で基板の位置ずれの検出が可能となる。
圧力検出手段は第１の空間と第２の空間との圧力差を検出するための差圧センサであり、第１の空間は、基板載置台と基板との間の空間であり、第２の空間は、第１の空間に連通する空間であってもよい。
この場合、第１の空間と第２の空間とが連通しているので、第１の空間と第２の空間との圧力差が過大とならない。その結果、差圧センサが、過大な圧力差により故障することが防止される。
基板載置台を収容する密閉容器と、密閉容器内の雰囲気を排気するための排気配管とをさらに備え、第２の空間は、排気配管の内部空間であってもよい。この場合、密閉容器内の雰囲気が排気配管により排気される。これにより、密閉容器の内部を減圧することができる。
また、第１の空間と排気配管の内部空間である第２の空間とが連通しているので、第１の空間と第２の空間との圧力差が過大とならない。その結果、差圧センサが、過大な圧力差により故障することが防止される。
基板載置台を収容する密閉容器と、密閉容器内の雰囲気を排気するための排気配管とをさらに備え、第２の空間は、基板載置台と基板との間の空間を除く密閉容器の内部空間であってもよい。この場合、密閉容器内の雰囲気が排気配管により排気される。これにより、密閉容器の内部を減圧することができる。
また、第１の空間と第２の空間とがともに密閉容器の内部空間に含まれるので、第１の空間と第２の空間との圧力差が過大とならない。その結果、差圧センサが、過大な圧力差により故障することが防止される。
検出手段は、気流の変化による流量変化を検出する流量検出手段を含んでもよい。この場合、流量検出手段により流量変化が検出されるので、簡単な構成で基板の位置ずれの検出が可能となる。
基板載置台は、上下に貫通する貫通孔を有し、検出手段は、昇降手段による基板の上昇中または下降中における貫通孔を通る気流の変化を検出してもよい。
この場合、基板載置台の貫通孔を通る気流の変化が検出手段により検出される。これにより、簡単な構成で基板の位置ずれの検出が可能となる。
基板載置台は、上下に貫通する複数の貫通孔を有し、昇降手段は、複数の貫通孔内に上下動可能に設けられた複数の支持部材と、複数の支持部材を上昇および下降させる駆動手段とを含み、検出手段は、駆動手段による複数の支持部材の上昇中または下降中における複数の貫通孔の少なくとも１つを通る気流の変化を検出してもよい。
この場合、複数の貫通孔内で複数の支持部材が駆動手段により上昇および下降されることにより基板が上昇および下降される。そして、複数の支持部材の上昇中または下降中における貫通孔を通る気流の変化が検出手段により検出される。これにより、気流の変化の検出のために気体の通路を別途設ける必要がないので簡単な構成で基板の位置ずれの検出が可能となる。
基板載置台は、上下に貫通する複数の貫通孔を有し、昇降手段は、複数の貫通孔内に上下動可能に設けられた複数の支持部材と、複数の支持部材を上昇および下降させる駆動手段とを含み、支持部材の少なくとも１つは、基板載置台と基板との間の空間に開口する通路を有し、検出手段は、駆動手段による複数の支持部材の上昇中または下降中における通路を通る気流の変化を検出してもよい。
この場合、複数の貫通孔内で複数の支持部材が駆動手段により上昇および下降されることにより基板が上昇および下降される。
そして、複数の支持部材の上昇中または下降中における通路を通る気流の変化が検出手段により検出される。これにより、気流の変化の検出のために気体の通路を別途設ける必要がないので、簡単な構成で基板の位置ずれの検出が可能となる。
検出手段は、圧力または流量を検出する少なくとも１つのセンサを含み、少なくとも１つのセンサの出力信号を処理する処理手段と、昇降手段による昇降動作を制御するとともに処理手段の処理結果に基づいて基板載置台における基板の載置状態を判定する制御手段とをさらに備えてもよい。
この場合、少なくとも１つのセンサにより圧力または流量が検出され、処理手段により少なくとも１つのセンサの出力信号が処理され、制御手段により昇降手段の昇降動作が制御され、処理手段の処理結果に基づいて基板載置台における基板の載置状態が判定される。
このように、処理手段と制御手段とが別個に設けられるので、制御手段の負担を増加させることなく、基板の載置状態を検出することが可能となる。
センサは、複数設けられ、処理手段は、複数のセンサの出力信号を処理し、制御手段は、処理手段により得られる複数の処理結果に基づいて基板載置台における基板の載置状態を判定してもよい。
この場合、処理手段により複数のセンサの出力信号が処理され、制御手段により複数の処理結果に基づいて基板の載置状態が判定される。このように、複数のセンサの出力信号の処理結果に基づいて基板の載置状態が判定されるので、基板の載置状態の判定精度が向上する。
制御手段は、処理手段により得られる複数の処理結果の各々に基づいて基板載置台における基板の載置状態が正常か否かを判別し、複数の判別結果の全てが正常である場合に、基板載置台における基板の載置状態が正常であると判定してもよい。
この場合、基板と基板載置台との間の空間における気流の変化が複数のセンサにより検出され、複数のセンサの複数の出力信号に基づいて、基板の載置状態が判定されるので、基板の載置状態の判定精度がより向上する。それにより、基板の位置ずれのみならず、基板載置台に載置された基板の処理異常についても判定を行うことができる。
処理手段は、少なくとも１つのセンサの出力信号を予め定められたしきい値と比較し、比較結果を示す比較信号を出力し、制御手段は、処理手段により出力された比較信号に基づいて基板載置台における基板の載置状態を判定してもよい。
この場合、処理手段により少なくとも１つのセンサの出力信号が予め定められたしきい値と比較され、比較信号が出力される。また、制御手段により比較信号に基づいて基板載置台における基板の載置状態が判定される。これにより、簡単な処理で基板の位置ずれの検出が可能となる。
処理手段は、少なくとも１つのセンサの出力信号に移動平均処理を行い、処理された出力信号をしきい値と比較してもよい。この場合、処理手段により少なくとも１つのセンサの出力信号が移動平均処理される。これにより、少なくとも１つのセンサの出力信号のノイズが低減される。
処理手段は、少なくとも１つのセンサの出力信号としきい値とを比較し、比較された少なくとも１つのセンサの出力信号にディレイフィルタ処理を行ってもよい。
この場合、処理手段によりしきい値と比較された少なくとも１つのセンサの出力信号にディレイフィルタ処理が行われる。これにより、誤った比較信号が生成されることが防止される。
基板載置台は、基板を所定の処理温度に調整する温度調整手段を含み、処理手段は、処理温度に応じた遅延時間に基づいてディレイフィルタ処理を行ってもよい。
ここで、基板の処理温度によってセンサの出力信号は異なる。この場合、基板載置台に載置される基板の温度が、温度調整手段により所定の処理温度に調整される。そして、処理手段により処理温度に応じた遅延時間に基づいてディレイフィルタ処理が行われる。
これにより、基板の処理温度に応じて、基板載置台における基板の載置状態が判定される。
処理温度に応じて遅延時間を設定するための設定手段をさらに備え、処理手段は、設定手段により設定された遅延時間に基づいてディレイフィルタ処理を行ってもよい。
この場合、処理温度に応じた遅延時間が設定手段により設定され、設定された遅延時間に基づくディレイフィルタ処理が処理手段により行われる。
制御手段は、駆動手段による複数の支持部材の上昇前または下降前に、処理手段の比較信号を所定の状態にリセットし、駆動手段による複数の支持部材の上昇後または下降後に、処理手段から比較信号を受け取ってもよい。
この場合、制御手段により、複数の支持部材の上昇前または下降前に、処理手段の比較信号が所定の状態にリセットされ、複数の支持部材の上昇後または下降後に処理手段から比較信号が受け取られる。これにより、容易に比較信号を取り出すことができる。
第２の発明に係る基板載置状態検出方法は、基板載置台における基板の載置状態を検出する基板載置状態検出方法であって、基板を基板載置台上で上昇または下降させるステップと、基板の上昇中または下降中における基板と基板載置台との間の空間における気流の変化を検出するステップと、前検出される気流の変化に基づいて基板載置台における基板の載置状態を判定するステップとを備えたものである。
第２の発明に係る基板処理方法においては、基板が基板載置台上で上昇または下降される。そして、基板の上昇中または下降中における基板と基板載置台との間の空間における気流の変化が検出され、検出された気流の変化に基づいて基板載置台における基板の載置状態が判定される。
これにより、基板の上昇または下降により発生する気流の変化に基づいて基板の載置状態を判定することができるので、簡単な構成で基板の位置ずれの検出が可能となる。
第３の発明に係る基板処理装置は、第１の発明に係る基板処理ユニットと、基板処理ユニットに基板を搬入および搬出する搬送手段とを備えたものである。
第３の発明に係る基板処理装置においては、搬送手段により基板処理ユニットに基板が搬入および搬出される。そして、第１の発明に係る基板処理ユニットにおいて、基板が昇降手段により基板載置台上で上昇または下降される。そして、昇降手段による基板の上昇中または下降中における基板と基板載置台との間の空間における気流の変化が検出手段により検出され、検出された気流の変化に基づいて判定手段により基板載置台における基板の載置状態が判定される。
これにより、基板の上昇または下降により発生する気流変化に基づいて、基板の載置状態を判定することができるので、簡単な構成で基板の位置ずれの検出が可能となる。
本発明に係る基板処理ユニットにおいては、基板が昇降手段により基板載置台上で上昇または下降される。そして、昇降手段による基板の上昇中または下降中における基板と基板載置台との間の空間における気流の変化が検出手段により検出され、検出された気流の変化に基づいて判定手段により基板載置台における基板の載置状態が判定される。
これにより、基板の上昇または下降により発生する気流の変化に基づいて基板の載置状態を判定することができるので、簡単な構成で基板の位置ずれの検出が可能となる。
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理ユニット、基板載置状態検出方法および基板処理装置について図１〜図２０に基づき説明する。
（第１の実施の形態）
以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。
また、基板処理ユニットとして、下記の説明では基板に熱処理を行う熱処理ユニットを一例に挙げて説明する。
図１は、第１の実施の形態に係る熱処理ユニットの構成の一例を示す模式図である。
図１に示すように、第１の実施の形態に係る熱処理ユニット１は基板載置検出装置２０に接続されており、基板載置検出装置２０はベークユニットコントローラ３０と接続されている。また、ベークユニットコントローラ３０は図示しない上位のコントローラまたは警報発生装置等と接続されている。
熱処理ユニット１は、温調プレート２および昇降装置８を含む。これら、温調プレート２および昇降装置８はベークユニットコントローラ３０と接続されている。これにより、温調プレート２および昇降装置８の動作はベークユニットコントローラ３０により制御される。
温調プレート２の上面側周縁部には、基板Ｗの温調プレート２上への載置時に基板Ｗのずれを防止するための複数の位置決め部材（位置決めガイド）３がほぼ等間隔に配置されている。位置決め部材３の数は、例えば３個である。
温調プレート２の上面側中央部には、基板Ｗの加熱処理時に基板Ｗを支持するための複数の半球状の基板載置片４が離散的に配置されている。基板載置片４の数は、例えば１０個である。
温調プレート２の中央部には、複数のピン導入孔２Ｈが所定の同心円上にほぼ等間隔に形成されている。ピン導入孔２Ｈの数は、例えば３個である。
各ピン導入孔２Ｈには、温調プレート２の下方から基板昇降ピン６が挿入されている。なお、ピン導入孔２Ｈの内径は、基板昇降ピン６の外径よりもやや大きくなるように設定されており、ピン導入孔２Ｈと基板昇降ピン６との間には隙間が形成されている。また、図１に示すように、温調プレート２の基板載置片４上に基板Ｗが載置されている場合、複数の基板昇降ピン６の上端部は基板Ｗの下面側に接触しないように位置する。
複数の基板昇降ピン６の下端は連結部材７により連結されている。連結部材７は、複数の基板昇降ピン６を連結するとともに、矢印Ｇに示すように、昇降装置８により昇降可能に保持されている。
昇降装置８は所定のタイミングで連結部材７の昇降動作を行う。これにより、連結部材７に連結された複数の基板昇降ピン６が昇降動作を行う。
基板Ｗの搬入時において、昇降装置８は連結部材７を上昇させる。これにより、複数の基板昇降ピン６が上昇し、温調プレート２のピン導入孔２Ｈから基板昇降ピン６が所定の高さまで突出する。
そこで、図示しない搬送装置から送られる基板Ｗが、所定の高さまで突出した基板昇降ピン６の上端部で支持される。
次に、昇降装置８は連結部材７を下降させる。これにより、所定の高さまで突出されている基板昇降ピン６が基板載置片４の高さよりも低い高さまで下降する。それにより、基板昇降ピン６の上端部に支持されていた基板Ｗが複数の基板載置片４により支持される。
さらに、昇降装置８は基板Ｗの搬出時に、再び連結部材７を上昇させる。これにより、複数の基板昇降ピン６が上昇し、温調プレート２のピン導入孔２Ｈから基板昇降ピン６が所定の高さまで突出する。
そこで、基板載置片４により支持されていた基板Ｗが、基板昇降ピン６により支持され、所定の高さまで上昇される。上昇された基板Ｗは図示しない搬送装置により搬出される。
昇降装置８の内部には、上部センサ９Ａおよび下部センサ９Ｂが設けられている。上部センサ９Ａは、昇降装置８により連結部材７が所定の高さまで上昇している場合にオンし、下降した場合にオフする。また、下部センサ９Ｂは昇降装置８により連結部材７が所定の高さまで下降している場合にオンし、上昇した場合にオフする。
これら上部センサ９Ａおよび下部センサ９Ｂは、ベークユニットコントローラ３０に接続されており、上記のオン／オフの信号（上昇下降判別信号）をベークユニットコントローラ３０に与える。これにより、ベークユニットコントローラ３０は基板昇降ピン６の昇降状態（上昇しているか下降しているか）を認識することができる。
温調プレート２の複数のピン導入孔２Ｈのうち、少なくとも１つの下方には圧力測定管５が設けられている。圧力測定管５は、径大の直管部５ａと径小の枝管部５ｂからなる。直管部５ａの一端部がピン導入孔２Ｈの下端部、すなわち温調プレート２の下面側に取り付けられている。
直管部５ａは、ピン導入孔２Ｈの内径を維持しつつピン導入孔２Ｈと同軸となるように、所定の長さで形成されている。枝管部５ｂは、圧力測定管５の長手方向の中央部に設けられている。枝管部５ｂは微差圧センサＰＳに接続されている。なお、枝管部５ｂは直管部５ａの下端に設けられてもよいが、中央部から上方に設けられることが好ましい。また、枝管部５ｂはオリフィス部として形成されている。
これにより、上述のピン導入孔２Ｈと基板昇降ピン６との間に生じる隙間と、枝管部５ｂとが連通される。換言すれば、基板Ｗと温調プレート２の上面により囲まれる空間と枝管部５ｂとが連通される。
その結果、微差圧センサＰＳは、基板Ｗと温調プレート２の上面により囲まれる空間から枝管部５ｂを通じて排気される気流の圧力を検出する。なお、微差圧センサＰＳは枝管部５ｂを通じて基板Ｗと温調プレート２の上面により囲まれる空間に供給される気流の圧力を検出してもよい。
この微差圧センサＰＳは、枝管部５ｂにおける圧力に対応する圧力信号を基板載置検出装置２０に与える。
基板載置検出装置２０は、微差圧センサＰＳから与えられる圧力信号に基づいて、後述の比較検出値信号を生成し、ベークユニットコントローラ３０に与える。
ベークユニットコントローラ３０は基板載置検出装置２０に対して後述の比較検出値リセット信号を与える。
また、ベークユニットコントローラ３０は、基板載置検出装置２０から与えられる比検出値信号に基づいて警報を発生させる旨の信号(警報信号）を図示しない上位のコントローラまたは警報発生装置等に与える。なお、ベークユニットコントローラ３０は警報発生装置を有してもよい。この場合、ベークユニットコントローラ３０は警報信号に基づいて警報を発生させる。警報はブザー等の音により聴覚的に発生されてもよく、ランプ等の点灯により視覚的に発生されてもよい。
温調プレート２上への基板Ｗの載置時または温調プレート２からの基板Ｗの搬出時において、基板Ｗと温調プレート２の上面により囲まれる空間の微小な圧力変動、すなわち上述の枝管部５ｂにおける圧力の変動について説明する。
図２は、基板Ｗが温調プレート２上の所定の位置に正常に載置される様子を示す模式図である。ここで、温調プレート２上の所定の位置とは、温調プレート２により基板Ｗの全面を均一に熱処理することが可能な位置であり、基板Ｗが複数の位置決め部材３間に存在する状態をいう。
例えば、図２（ａ）に示すように、基板昇降ピン６が上昇された状態で熱処理ユニット１内に搬入された基板Ｗが基板昇降ピン６により支持される。そして、基板昇降ピン６が下降することにより、基板Ｗと温調プレート２の上面との間に形成される空間Ｋ内の雰囲気が圧縮され圧力が上昇する。
これにより、基板Ｗの外周部と温調プレート２の外周部との隙間およびピン導入孔２Ｈと基板昇降ピン６との間の隙間に矢印Ｎ１で示すような気流が発生する。また、圧力測定管５と基板昇降ピン６との隙間にも矢印Ｎ１で示すような気流が発生する。その結果、圧力測定管５の圧力が上昇する。
圧力測定管５内の圧力の上昇は、上記の各部の隙間の大きさ、基板Ｗの面積および基板昇降ピン６の下降速度等により変化する。
その後、基板Ｗが基板載置片４に支持されることにより空間Ｋの圧力は熱処理ユニット１内の周囲の圧力と同一となる。
一方、図２（ｂ）に示すように、基板昇降ピン６が下降された状態では熱処理ユニット１内に載置されている基板Ｗは基板載置片４により支持されている。そして、基板昇降ピン６が上昇することにより、基板Ｗは基板昇降ピン６により支持され上昇する。その結果、基板Ｗと温調プレート２の上面との間に形成される空間Ｋ内の雰囲気が負圧となり圧力が低下する。
これにより、基板Ｗの外周部と温調プレート２の外周部との隙間およびピン導入孔２Ｈと基板昇降ピン６との間の隙間に矢印Ｎ２で示すような気流が発生する。また、圧力測定管５と基板昇降ピン６との隙間にも矢印Ｎ２で示すような気流が発生する。その結果、圧力測定管５内の圧力が低下する。
圧力測定管５内の圧力の低下は、上記の各部の隙間の大きさ、基板Ｗの面積および基板昇降ピン６の上昇速度等により変化する。
その後、基板昇降ピン６の上昇が停止することにより基板Ｗの上昇が停止する。これにより、空間Ｋの圧力は熱処理ユニット１内の周囲の圧力と同一となる。
基板Ｗが温調プレート２上の所定の位置に正常に載置されない場合、基板Ｗと温調プレート２の上面により囲まれる空間Ｋの圧力変動は、基板Ｗが温調プレート２に正常に載置される場合と異なる。
図３は、基板Ｗが温調プレート２上の所定の位置に正常に載置されない様子を示す模式図である。
図３に示すように、位置決め部材３は、上部がテーパー状に形成されている。したがって、基板Ｗが正常な位置からわずかにずれた状態で温調プレート２上に載置される場合、基板Ｗの外周部が位置決め部材３のテーパー部に接触し、正常な載置位置まで誘導される。
しかしながら、基板Ｗの外周部が位置決め部材３のテーパー部を越えてずれている場合、図３（ｂ）に示すように基板Ｗの周縁部の一部が位置決め部材３に乗り上げてしまう場合がある。したがって、正常に載置されない場合とは、基板Ｗの周縁部の一部が位置決め部材３に乗り上げてしまう場合をいう。
例えば、図３（ａ）に示すように、基板昇降ピン６が上昇された状態で熱処理ユニット１内に搬入された基板Ｗが正常な支持位置からずれて基板昇降ピン６により支持される場合を想定する。この場合、基板昇降ピン６が下降することにより、基板Ｗと温調プレート２の上面との間に形成される空間Ｋ内の雰囲気が圧縮され圧力が上昇する。
これにより、基板Ｗの外周部と温調プレート２の外周部との隙間およびピン導入孔２Ｈと基板昇降ピン６との間の隙間に矢印Ｍ１で示すような気流が発生する。また、圧力測定管５と基板昇降ピン６との隙間にも矢印Ｍ１で示すような気流が発生する。その結果、圧力測定管５内の圧力が上昇する。
しかしながら、基板Ｗが正常な支持位置からずれた状態で基板昇降ピン６により支持されると、基板Ｗの周縁部の一部が位置決め部材３に乗り上げることにより、基板Ｗが温調プレート２上に傾斜した状態で載置される。それにより、気流が一側方へ逃げやすくなる。
その結果、基板Ｗの下降時における圧力測定管５の圧力の上昇は、基板Ｗが正常に温調プレート２上に載置される場合に比べて小さくなる。
その後、基板Ｗが基板載置片４に支持されることにより空間Ｋの圧力は熱処理ユニット１内の周囲の圧力と同一となる。
一方、図３（ｂ）に示すように、基板昇降ピン６が下降された状態で基板Ｗの周縁部の一部が位置決め部材３に乗り上げている場合を想定する。この場合、基板昇降ピン６が上昇することにより、基板Ｗは基板昇降ピン６により支持され上昇する。その結果、基板Ｗと温調プレート２の上面との間に形成される空間Ｋ内の雰囲気が負圧となり圧力が下降する。
これにより、基板Ｗの外周部と温調プレート２の外周部との隙間およびピン導入孔２Ｈと基板昇降ピン６との間の隙間に矢印Ｍ２で示すような気流が発生する。また、圧力測定管５と基板昇降ピン６との隙間にも矢印Ｍ２で示すような気流が発生する。その結果、圧力測定管５内の圧力が低下する。
しかしながら、基板Ｗが温調プレート２上に傾斜した状態で載置されていると、基板Ｗが温調プレート２上に正常に載置されている場合に比べ、気流が一側方から流入しやすくなる。
その結果、基板Ｗの上昇時における圧力測定管５内の圧力の低下は、基板Ｗが温調プレート２上に正常に載置されている場合に比べて小さくなる。
その後、基板昇降ピン６の上昇が停止することにより基板Ｗの上昇が停止する。これにより、空間Ｋの圧力は熱処理ユニット１内の周囲の圧力と同一となる。
上述のように、第１の実施の形態では、図２および図３の空間Ｋの圧力変動を圧力測定管５に設けられた微差圧センサＰＳが枝管部５ｂの圧力を検出することにより測定し、載置時における基板Ｗのずれを検出する。
ここで、温調プレート２上に基板Ｗが正常に載置される場合の基板昇降ピン６の上昇に伴う圧力変動と、温調プレート２上に基板Ｗがずれて載置されている場合（基板Ｗの周縁部の一部が位置決め部材３に乗り上げる場合）の基板昇降ピン６の上昇に伴う圧力変動とを比較する。
図４は、温調プレート２に基板Ｗが正常に載置されている場合と温調プレート２に基板Ｗがずれて載置されている場合とで基板Ｗ上昇時の圧力変動の差異を比較するためのグラフである。
図４（ａ）が温調プレート２に基板Ｗが正常に載置されている場合の基板Ｗ上昇時の圧力変動を示し、図４（ｂ）が温調プレート２に基板Ｗがずれて載置されている場合の基板Ｗ上昇時の圧力変動を示す。
図４（ａ），（ｂ）において、縦軸は電圧を示し、横軸は時間を示す。実線が図２および図３の空間Ｋの圧力変動に伴う微差圧センサＰＳの枝管部５ｂの圧力の検出値（圧力信号）を示す。さらに、図４（ａ），（ｂ）中の破線は図１の下部センサ９Ｂのオン／オフ（上昇下降判別信号）を示す。上述のように、基板Ｗを支持する基板昇降ピン６が上昇を開始することにより、下部センサ９Ｂの上昇下降判別信号がオンからオフに切り替わる。
図４（ａ）に示すように、基板Ｗが温調プレート２上に正常に載置されている場合、微差圧センサＰＳの圧力信号は基板昇降ピン６の上昇開始から微小時間の経過の後、最大約１．８Ｖまで上昇している。その後、微差圧センサＰＳの圧力信号は徐々に減少している。
一方、図４（ｂ）に示すように、基板Ｗが温調プレート２上にずれて載置されている場合、微差圧センサＰＳの圧力信号は基板昇降ピン６の上昇開始から微小時間の経過の後、最大約１．２Ｖまで上昇している。その後、微差圧センサＰＳの圧力信号は徐々に減少している。
このように、基板Ｗが温調プレート２上に正常に載置される場合と、基板Ｗが温調プレート２上にずれて載置される場合とで、枝管部５ｂにおける圧力、すなわち、空間Ｋの圧力変動には大きな差異が認められる。
温調プレート２上にずれて載置されている基板Ｗが上昇される場合の圧力変動は、温調プレート２に正常に載置されている基板Ｗが上昇される場合の圧力変動に比べて非常に小さい。
図１〜図３の微差圧センサＰＳは、上記のような圧力信号を基板載置検出装置２０へ与える。
これにより、基板載置検出装置２０は下記の要領で比較検出値信号を生成する。基板載置検出装置２０により生成された比較検出値信号がベークユニットコントローラ３０に与えられることにより、ベークユニットコントローラ３０が比較検出値信号に基づいて温調プレート２上の基板Ｗの載置状態を判別する。
図５は、図１の基板載置検出装置２０による比較検出値信号の生成方法を説明するための図である。
ここで、基板載置検出装置２０には予めベークユニットコントローラ３０から比較検出値リセット信号が与えられるとともに、種々のコマンドパラメータが与えられている。コマンドパラメータとは、例えば、後述のしきい値ＳＨおよび遅延時間ＤＴ等を指す。
図５（ａ）は、図１の微差圧センサＰＳからの圧力信号に基づいて基板載置検出装置２０により生成される圧力値検出波形が示されている。ここで、縦軸は電圧を示し、横軸は時間を示す。なお、縦軸の電圧は図１の枝管部５ｂにおける圧力、すなわち図２および図３の圧力測定管５内の圧力に比例している。
第１の実施の形態において、微差圧センサＰＳから基板載置検出装置２０に与えられる圧力信号はアナログ信号である。そこで、基板載置検出装置２０は微差圧センサＰＳから与えられる圧力信号に基づいて移動平均処理を行うことにより圧力値検出波形を生成する。
移動平均処理は、所定のタイミングで入力されるデータを所定数バッファリングし、平均化することにより行われる。これにより、アナログ信号に付帯されたノイズが平均化されるので、図５（ａ）に示すような滑らかな波形を得ることができる。
ここで、基板載置検出装置２０にはベークユニットコントローラ３０からのコマンドパラメータにより破線で示される所定のしきい値ＳＨが設定されている。
図５（ｂ）に示すように、基板載置検出装置２０は圧力値検出波形がしきい値ＳＨ以上である場合に論理「１」の比較値を生成し、しきい値ＳＨよりも小さい場合に論理「０」の比較値を生成する。
その結果、比較値は基板Ｗの載置状態が正常である場合に論理「１」を示し、基板Ｗの載置状態が異常である場合（ずれている場合）に論理「０」を示す。
なお、上記において、ベークユニットコントローラ３０には上部センサ９Ａおよび下部センサ９Ｂから上昇下降判別信号が与えられており、図１の基板昇降ピン６の昇降状態を判別する。
基板載置検出装置２０は、生成された比較値およびコマンドパラメータにより設定される遅延時間ＤＴに基づいて、図５（ｃ）に示す比較検出値を生成する。比較検出値は上記の比較値と同様に、論理「１」および「０」からなる。
遅延時間ＤＴは、例えば、圧力値検出波形のチャタリングに起因して論理「１」の比較値が誤って生成されることを防止するために用いられる。すなわち、基板載置検出装置２０は、圧力値検出波形がしきい値ＳＨ以上となることにより、比較値が論理「１」となった場合でも、遅延時間ＤＴの間、比較値が積算して同じ値でない場合、比較検出値の値を論理「１」とはしない（ディレイフィルタ処理）。このように、遅延時間ＤＴを圧力検出波形のチャタリング期間より長く設定することによって、誤った比較値が生成されることが防止される。
逆に、基板載置検出装置２０は、比較値が論理「１」となり、遅延時間ＤＴの間、比較値が積算して論理「１」を示した場合、比較検出値の値を論理「１」とする。
基板載置検出装置２０において、比較検出値信号は、ベークユニットコントローラ３０から所定のタイミングで与えられる比較検出値リセット信号によりリセットされ、論理「０」となる。また、基板載置検出装置２０により生成される比較検出値信号は所定のタイミングでベークユニットコントローラ３０に送信される。なお、所定のタイミングとは、上述のコマンドパラメータにより予め基板載置検出装置２０に設定されたタイミングである。
基板Ｗの載置状態を検出する基板載置検出装置２０およびベークユニットコントローラ３０の動作について、図６〜図８のフローチャートに基づき説明する。
図６は図１の基板昇降ピン６が上昇する際に基板Ｗの載置状態を検出する場合のベークユニットコントローラ３０の動作を示すフローチャートである。
以下の説明において、ベークユニットコントローラ３０は、温調プレート２および昇降装置８の動作を制御することができる。
初めに、ベークユニットコントローラ３０は基板Ｗを支持した基板昇降ピン６を下降させる旨の信号を昇降装置８に与える。これにより、基板昇降ピン６が下降され、基板Ｗが温調プレート２上に載置される(ステップＳ１１)。
次に、ベークユニットコントローラ３０は、温調プレート２に基板Ｗの熱処理を開始する旨の信号を与える。これにより、基板Ｗの温調プレート２による熱処理が開始される(ステップＳ１２)。
続いて、ベークユニットコントローラ３０は基板載置検出装置２０に比較値リセット信号を送信する(ステップＳ１３)。ここで、ベークユニットコントローラ３０は、比較値リセット信号とともに上述のコマンドパラメータを基板載置検出装置２０に与えてもよい。
その後、基板Ｗの温調プレート２に基板Ｗの熱処理を停止する旨の信号を与える。これにより、基板Ｗの温調プレート２による熱処理が終了される(ステップＳ１４)。
ベークユニットコントローラ３０は基板昇降ピン６を上昇させる旨の信号を昇降装置８に与える。これにより、基板昇降ピン６が上昇され、基板Ｗを支持する(ステップＳ１５)。それにより、基板Ｗが上昇される。
ベークユニットコントローラ３０は基板昇降ピン６を所定の高さまで上昇させると、基板昇降ピン６の上昇を停止させる旨の信号を昇降装置８に与える。これにより、基板昇降ピン６の上昇が停止する(ステップＳ１６)。それにより、基板Ｗが所定の高さに支持される。
ここで、ベークユニットコントローラ３０は基板載置検出装置２０から比較検出値信号を受信したか否かを判別する(ステップＳ１７)。
基板載置検出装置２０から比較検出値信号を受信した場合、ベークユニットコントローラ３０は、受信した比較検出値信号が論理「１」であるか否か（基板Ｗがずれていないか）を判別する(ステップＳ１８)。
ベークユニットコントローラ３０は、受信した比較検出値信号が論理「１」である場合、基板Ｗの載置状態が正常であると判別して、基板Ｗの載置状態の検出動作を終了する。
一方、ベークユニットコントローラ３０は、受信した比較検出値信号が論理「０」である場合、基板Ｗの載置状態が異常であると判別して、警報信号を図示しない上位のコントローラまたは警報発生装置等に与える(ステップＳ１９）。
このような、ベークユニットコントローラ３０の動作に対して基板載置検出装置２０は次のように動作する。
図７は図１の基板昇降ピン６が上昇する際に基板Ｗの載置状態を検出する場合の基板載置検出装置２０の動作を示すフローチャートである。
初めに、基板載置検出装置２０はベークユニットコントローラ３０から比較検出値リセット信号が受信されたか否かを判別する(ステップＳ３１)。
基板載置検出装置２０は、比較検出値リセット信号を受信した場合、自己の比較検出値をリセットする(ステップＳ３２)。ここで、上記ステップＳ３１においては、ベークユニットコントローラ３０から比較検出値リセット信号とともにコマンドパラメータが受信されているものとする。
その後、基板載置検出装置２０は図１の微差圧センサＰＳから圧力信号を受信したか否かを判別する(ステップＳ３３)。
基板載置検出装置２０は、微差圧センサＰＳから圧力信号を受信した場合、入力された圧力信号とコマンドパラメータにより得られるしきい値とを比較し、圧力信号がしきい値以上であるか否かを判別する(ステップＳ３４)。
圧力信号がしきい値以上である場合、基板載置検出装置２０は論理「１」の比較検出値信号を生成する(ステップＳ３５)。そして、基板載置検出装置２０は生成された比較検出値信号をベークユニットコントローラ３０へ送信する(ステップＳ３６)。
上記ステップＳ３４において、圧力信号がしきい値以上でない場合、基板載置検出装置２０は論理「０」の比較検出値信号をベークユニットコントローラ３０へ送信する(ステップＳ３６)。
これにより、基板載置検出装置２０による基板Ｗの載置状態の検出動作が終了する。
ベークユニットコントローラ３０は、基板昇降ピン６が下降する際に基板Ｗの載置状態を検出してもよい。この場合、ベークユニットコントローラ３０は次のように動作する。
図８は図１の基板昇降ピン６が下降する際に基板Ｗの載置状態を検出する場合のベークユニットコントローラ３０の動作を示すフローチャートである。
以下の説明において、ベークユニットコントローラ３０は、温調プレート２および昇降装置８の動作を制御することができる。
初めに、ベークユニットコントローラ３０は基板載置検出装置２０に比較値リセット信号を送信する(ステップＳ４１)。上記と同様に、ベークユニットコントローラ３０は、比較値リセット信号とともに上述のコマンドパラメータを基板載置検出装置２０に与えてもよい。
続いて、ベークユニットコントローラ３０は基板Ｗを支持した基板昇降ピン６を下降させる旨の信号を昇降装置８に与える。これにより、基板昇降ピン６が下降される(ステップＳ４２)。
ベークユニットコントローラ３０は基板昇降ピン６を所定の高さまで下降させると、基板昇降ピン６の下降を停止させる旨の信号を昇降装置８に与える。これにより、基板昇降ピン６の下降が停止する(ステップＳ４３)。それにより、基板Ｗが温調プレート２上に載置される。
次に、ベークユニットコントローラ３０は、温調プレート２に基板Ｗの熱処理を開始する旨の信号を与える。これにより、基板Ｗの温調プレート２による熱処理が開始される(ステップＳ４４)。
ここで、ベークユニットコントローラ３０は基板載置検出装置２０から比較検出値信号を受信したか否かを判別する(ステップＳ４５)。
基板載置検出装置２０から比較検出値信号を受信した場合、ベークユニットコントローラ３０は、受信した比較検出値信号が論理「１」であるか否か（基板Ｗがずれていないか）を判別する(ステップＳ４６)。
ベークユニットコントローラ３０は、受信した比較検出値信号が論理「１」である場合、基板Ｗの載置状態が正常であると判別して、基板Ｗの温調プレート２に基板Ｗの熱処理を停止する旨の信号を与える。これにより、基板Ｗの温調プレート２による熱処理が終了される(ステップＳ４７)。
そして、ベークユニットコントローラ３０は基板昇降ピン６を上昇させる旨の信号を昇降装置８に与える。これにより、基板昇降ピン６が上昇され、基板Ｗを支持する(ステップＳ４８)。それにより、基板Ｗが上昇され、ベークユニットコントローラ３０による基板Ｗの載置状態の検出動作が終了する。
一方、ベークユニットコントローラ３０は、受信した比較検出値信号が論理「０」である場合、基板Ｗの載置状態が異常であると判別して、警報信号を図示しない上位のコントローラまたは警報発生装置等に与える(ステップＳ４９）。その後、上記ステップＳ４８の動作を行う。
このようなベークユニットコントローラ３０による基板昇降ピン６が下降する際の基板Ｗの載置状態の検出時において、図１の基板載置検出装置２０の動作は図７のフローチャートに示される動作と同じである。
以上のように、第１の実施の形態に係る熱処理ユニット１、基板載置検出装置２０、ベークユニットコントローラ３０によれば、基板Ｗが基板昇降ピン６により温調プレート２上で上昇または下降される。そして、基板昇降ピン６による基板Ｗの上昇時または下降時における基板Ｗと温調プレート２との間の空間における気流の変化、すなわち圧力の変化が圧力測定管５および微差圧センサＰＳにより検出され、検出された圧力の変化に基づいて基板載置検出装置２０およびベークユニットコントローラ３０により温調プレート２における基板Ｗの載置状態が判定される。
これにより、基板Ｗの上昇または下降により発生する圧力の変化に基づいて基板Ｗの載置状態を判定することができるので、簡単な構成で基板Ｗの位置ずれの検出が可能となる。
なお、図１の熱処理ユニット１の例では、圧力測定管５の枝管部５ｂに微差圧センサＰＳを接続し、基板Ｗの上昇または下降により発生する圧力の変化を検出しているが、微差圧センサＰＳに代えて、枝管部５ｂに流量センサを接続してもよい。この場合、基板Ｗの上昇または下降により発生する圧力に基づいて枝管部５ｂを流れる流体の流量の変化が、流量センサにより検出される。そして、流量センサにより検出された流量の変化に基づいて、基板Ｗの載置状態が判定される。
また、温調プレート２のピン導入孔２Ｈを通る気流の変化、すなわち圧力の変化が検出手段により検出される。これにより、気体の通路を別途設ける必要がなく簡単な構成で基板Ｗの位置ずれの検出が可能となっている。
また、第１の実施の形態においては、微差圧センサＰＳまたは流量センサにより圧力または流量が検出され、基板載置検出装置２０により微差圧センサＰＳまたは流量センサの検出する信号が処理され、ベークユニットコントローラ３０により基板昇降ピン６、連結部材７および昇降装置８の昇降動作が制御され、基板載置検出装置２０の処理結果に基づいて温調プレート２における基板Ｗの載置状態が判定される。
このように、基板載置検出装置２０とベークユニットコントローラ３０とが別個に設けられるので、ベークユニットコントローラ３０の負担を増加させることなく、基板Ｗの載置状態を検出することが可能となる。
基板載置検出装置２０により微差圧センサＰＳまたは流量センサの出力信号が予め定められたしきい値と比較され、比較検出値信号が出力される。また、ベークユニットコントローラ３０により比較検出値信号に基づいて温調プレート２における基板Ｗの載置状態が判定される。これにより、簡単な処理で基板Ｗの位置ずれの検出が可能となっている。
さらに、ベークユニットコントローラ３０により、複数の基板昇降ピン６の上昇前または下降前に、基板載置検出装置２０の比較検出値が比較検出値リセット信号により所定の状態にリセットされ、複数の基板昇降ピン６の上昇後または下降後に基板載置検出装置２０から比較検出値信号が受け取られる。これにより、容易に比較検出値信号を取り出すことができる。なお、比較検出値信号は次回リセットされるまで基板載置検出装置２０内で保持される。
第１の実施の形態に係る熱処理ユニット１は、図１に示すように圧力測定管５および微差圧センサＰＳを用いる代わりに、以下の構成を有してもよい。
図９は、図１の熱処理ユニット１に流量センサを用いた場合の構成例を示す図である。図９の熱処理ユニット１は以下の点で図１の熱処理ユニット１と異なる。
図９の熱処理ユニット１においては、温調プレート２の所定の位置に流体導入孔２Ｊが設けられている。
そして、流体導入孔２Ｊの下端には流量測定管５Ｂが設けられている。流量測定管５Ｂは、流体導入孔２Ｊの内径を維持しつつ流体導入孔２Ｊと同軸となるように、所定の長さで形成されている。流量測定管５Ｂには流量センサＦＬが設けられている。流量センサＦＬは、基板Ｗと温調プレート２の上面により囲まれる空間から流体導入孔２Ｊおよび流量測定管５Ｂを通じて排気される流体の流量を検出する。
この場合、流量センサＦＬにより基板Ｗの上昇時または下降時における基板Ｗと温調プレート２との間の空間における気流の変化、すなわち流量の変化に基づいて基板Ｗの載置状態を判定することができるので、簡単な構成で基板Ｗの位置ずれの検出が可能となる。
また、温調プレート２の流体導入孔２Ｊを通る気流の変化、すなわち流量の変化が検出手段により検出される。これにより、簡単な構成Ｗで基板の位置ずれの検出が可能となっている。
さらに、上記の図１の例と同様に、ベークユニットコントローラ３０により、複数の基板昇降ピン６の上昇前または下降前に、基板載置検出装置２０の比較検出値が比較検出値リセット信号により所定の状態にリセットされ、複数の基板昇降ピン６の上昇後または下降後に基板載置検出装置２０から比較検出値信号が受け取られる。これにより、容易に比較検出値信号を取り出すことができる。なお、比較検出値信号は次回リセットされるまで基板載置検出装置２０内で保持される。
図１０（ａ）は温調プレート２上に正常に基板Ｗが載置された場合の流体の流れを示す図であり、図１０（ｂ）は温調プレート２上にずれた状態で基板Ｗが載置された場合の流体の流れを示す図である。
図１０（ａ），（ｂ）に示すように、基板昇降ピン６により温調プレート２上で基板Ｗが上昇および下降すると、基板Ｗと温調プレート２の上面との間に形成される空間の圧力変動に伴い、流量測定管５Ｂの端部では矢印Ｑの方向に流体の流れが発生する。
この流体の流れは上記の空間の圧力変動に起因して変化する。例えば、圧力変動が大きければ、流体の速度は増加する。また、圧力変動が小さければ、流体の速度は減少する。
この場合、上記の図４に示すように、温調プレート２上に正常に基板Ｗが載置されると圧力変動が大きくなる。その結果、図１０（ａ）の流量センサＦＬは高い流量を検出する。また、温調プレート２上にずれた状態で基板Ｗが載置されると圧力変動が小さくなる。その結果、図１０（ａ）の流量センサＦＬは低い流量を検出する。
したがって、流量センサＦＬにより検出される流量値を上述の圧力信号と同様に用いることで、図１０の熱処理ユニット１においては、基板Ｗの載置状態が検出される。
なお、図９の熱処理ユニット１の例では、流体導入孔２Ｊに流量センサＦＬが設けられた流量測定管５Ｂが接続されているが、これに代えて、流体導入孔２Ｊに図１の微差圧センサＰＳが設けられた圧力測定管５が接続されてもよい。この場合、上述のように基板Ｗの上昇または下降により発生する圧力の変化に基づいて、基板Ｗの載置状態が判定される。
以下、第１の実施の形態に係る熱処理ユニット１、基板載置検出装置２０およびベークユニットコントローラ３０を用いた基板処理装置について説明する。
図１１は、第１の実施の形態に係る熱処理ユニット１、基板載置検出装置２０およびベークユニットコントローラ３０を用いた基板処理装置の平面図である。
図１１から後述の図１３までの各図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
図１１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理用ブロック１２およびインターフェースブロック１３を含む。インターフェースブロック１３に隣接するようにステッパ部１４が配置される。
インデクサブロック９は、複数のキャリア載置台６０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨを有する。また、インデクサブロック９には、後述する熱処理ユニットの動作を制御するとともに基板Ｗの載置状態を検出する図１のベークユニットコントローラ３０が設けられる。反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部７０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部７０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１を有する。
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部８０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部８０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ２を有する。
現像処理用ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部９０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部９０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３を有する。
インターフェースブロック１３は、第４のセンターロボットＣＲ４、バッファＳＢＦ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよびエッジ露光部ＥＥＷを含む。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ４を有する。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ８とステッパ部１４との間で基板Ｗの受け渡しを行う。
第１の実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理用ブロック１２およびインターフェースブロック１３の順に並設されている。
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理用ブロック１２およびインターフェースブロック１３の各々を処理ブロックと呼ぶ。
基板処理装置５００には、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（図示せず）が設けられている。
また、各処理ブロックの間には隔壁が設けられている。この各隔壁には、各処理ブロック間に基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６が２個ずつ上下に近接して設けられている。
また、現像処理用ブロック１２の現像用熱処理部１２１には、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ７が設けられ、インターフェースブロック１３のエッジ露光部ＥＥＷには、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ８が設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。
基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ５は、未処理の基板Ｗを受け渡す場合に用いられ、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ６は、処理済みの基板Ｗを受け渡す場合に用いられる。
次に、第１の実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について簡潔に説明する。
インデクサブロック９のキャリア載置台６０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗの受け渡しをするためのハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に移載する。
また、第１の実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第４のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ４およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
基板載置部ＰＡＳＳ１に移載された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部７０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部７０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるためフォトレジスト膜の下部に反射防止膜が後述の塗布ユニットＢＡＲＣにより塗布形成される。
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部７０から基板Ｗを取り出し、反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。反射防止膜用熱処理部１００，１０１において所定の処理が施された後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ３に移載する。
基板載置部ＰＡＳＳ３に移載された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２のハンドＣＲＨ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部８０では、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜が後述の塗布ユニットＲＥＳにより塗布形成される。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部８０から基板Ｗを取り出し、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。レジスト膜用熱処理部１１０，１１１において所定の処理が施された後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ５に移載する。
基板載置部ＰＡＳＳ５に移載された基板Ｗは、現像処理用ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に移載する。基板載置部ＰＡＳＳ７に移載された基板Ｗは、インターフェースブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４のハンドＣＲＨ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。エッジ露光部ＥＥＷにおいて所定の処理が施された後、第４のセンターロボットＣＲ４は、エッジ露光部ＥＥＷから基板Ｗを取り出し、エッジ露光部ＥＥＷに設けられた基板載置部ＰＡＳＳ８に移載する。
基板載置部ＰＡＳＳ８に移載された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲにより受け取られる。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗをステッパ部１４に搬入する。ステッパ部１４において、所定の処理が基板Ｗに施される。その後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ステッパ部１４より基板Ｗを受け取り、エッジ露光部ＥＥＷに設けられた基板載置部ＰＡＳＳ８に移載する。
基板載置部ＰＡＳＳ８に移載された基板Ｗは、インターフェースブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４のハンドＣＲＨ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗを現像用熱処理部１２１に搬入する。現像用熱処理部１２１においては、基板Ｗに対して熱処理が行われる。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像用熱処理部１２１から基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ７に移載する。
基板載置部ＰＡＳＳ７に移載された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗを現像処理部９０に搬入する。現像処理部９０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部９０から基板Ｗを取り出し、現像用熱処理部１２０に搬入する。現像用熱処理部１２０において所定の処理が施された後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０から基板Ｗを取り出し、レジスト膜用処理ブロック１１に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ６に移載する。
基板載置部ＰＡＳＳ６に移載された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に移載される。基板載置部ＰＡＳＳ４に移載された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に移載される。
基板載置部ＰＡＳＳ２に移載された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。
次に、図１２は、図１１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た側面図である。
インデクサブロック９のキャリア載置台６０上に基板Ｗを収納したキャリアＣが載置される。インデクサロボットＩＲのハンドＩＲＨは、±θ方向に回転または±Ｙ方向に進退してキャリアＣ内の基板Ｗを受け取る。
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００には、２個の受け渡し部付き熱処理ユニットＰＨＰ（以下、単に熱処理ユニットと呼ぶ。）と３個のホットプレートＨＰが上下に積層配置され、反射防止膜用熱処理部１０１には、２個の密着強化剤塗布処理部ＡＨＬおよび４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰ、密着強化剤塗布処理部ＡＨＬおよびクーリングプレートＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
ここで、熱処理ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰ、密着強化剤塗布処理部ＡＨＬおよびクーリングプレートＣＰは上記図１の熱処理ユニット１の構成を有する。また、ローカルコントローラＬＣは上記図１の基板載置検出装置２０の構成および動作を有する。
これにより、熱処理ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰ、密着強化剤塗布処理部ＡＨＬおよびクーリングプレートＣＰの動作時における基板Ｗの載置状態が検出される。
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０には、６個の熱処理ユニットＰＨＰが上下に積層配置され、レジスト膜用熱処理部１１１には、４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰおよびクーリングプレートＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
ここで、熱処理ユニットＰＨＰおよびクーリングプレートＣＰは上記図１の熱処理ユニット１の構成を有する。また、ローカルコントローラＬＣは上記図１の基板載置検出装置２０の構成および動作を有する。
これにより、熱処理ユニットＰＨＰおよびクーリングプレートＣＰの動作時における基板Ｗの載置状態が検出される。
現像処理用ブロック１２の現像用熱処理部１２０には、４個のホットプレートＨＰおよび４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置され、現像熱処理部１２１には、基板載置部ＰＡＳＳ７、５個の熱処理ユニットＰＨＰおよびクーリングプレートＣＰが上下に積層配置されている。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
ここで、熱処理ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰは上記図１の熱処理ユニット１の構成を有する。また、ローカルコントローラＬＣは上記図１の基板載置検出装置２０の構成および動作を有する。
これにより、熱処理ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰの動作時における基板Ｗの載置状態が検出される。
インターフェースブロック１３には、２個のエッジ露光部ＥＥＷ、バッファ部ＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ８が上下に積層配置されるとともに、第４のセンターロボットＣＲ４およびインターフェース搬送機構ＩＦＲ（図示せず）が配置される。
図１３は、図１１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た側面図である。
インデクサブロック９の上方には、図１のベークユニットコントローラ３０が配置されている。反射防止膜用塗布処理部７０には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。レジスト膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。現像処理部９０には、５個の現像処理装置ＤＥＶが上下に積層配置されている。
上記図１１の基板処理装置５００においては、熱処理ユニット１の構成を有するホットプレートＰＨＰ，ＨＰ、密着強化剤塗布処理部ＡＨＬおよびクーリングプレートＣＰが設けられている。また、ホットプレートＰＨＰ，ＨＰ、密着強化剤塗布処理部ＡＨＬおよびクーリングプレートＣＰの動作時における基板Ｗの載置状態を検出する基板載置検出装置２０の動作および構成を有するローカルコントローラＬＣが設けられている。また、図１のベークユニットコントローラ３０が設けられている。
これにより、基板ＷのホットプレートＰＨＰ，ＨＰ、密着強化剤塗布処理部ＡＨＬおよびクーリングプレートＣＰにおける各種処理時に基板の載置状態が検出される。
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態に係る基板処理ユニットは以下の点で第１の実施の形態に係る基板処理ユニットと異なる。
第２の実施の形態においても、基板に熱処理を行う熱処理ユニットを一例に挙げて説明する。
図１４は、第２の実施の形態に係る熱処理ユニットを説明するための模式図である。図１４（ａ）に、第２の実施の形態に係る熱処理ユニット１の温調プレート２の構造が平面図で示されている。図１４（ａ）では、温調プレート２上の基板Ｗの載置位置が破線で示されている。図１４（ｂ）に、第２の実施の形態に係る熱処理ユニットの構成が示され、主として図１４（ａ）のＥ−Ｅ線断面が示されている。
図１４（ａ）に示すように、温調プレート２上には第１の実施の形態と同様に、複数（例えば、３個）の位置決め部材３および複数（例えば、１０個）の基板載置片４が設けられている。温調プレート２の中央部には、所定の同心円上に複数（例えば、３個）のピン導入孔２Ｈが形成されている。
さらに、温調プレート２には複数の流体導入孔２１ａ，２１ｂが設けられている。図１４の例では、温調プレート２に２個の流体導入孔２１ａ，２１ｂが設けられているが、温調プレート２に３個以上の流体導入孔を設けてもよい。
図１４（ｂ）に示すように、温調プレート２の複数の流体導入孔２１ａ，２１ｂの下端には、それぞれ圧力測定管５が設けられている。圧力測定管５の構造は図１の圧力測定管５と同様である。圧力測定管５は枝管部５ｂを通じて微差圧センサＰＳに接続されている。
これにより、流体導入孔２１ａ，２１ｂのそれぞれに対応して設けられた微差圧センサＰＳは、基板Ｗと温調プレート２の上面により囲まれる空間から枝管部５ｂを通じて排気される気流の圧力を検出する。
なお、微差圧センサＰＳは枝管部５ｂを通じて基板Ｗと温調プレート２の上面とにより囲まれる空間に供給される気流の圧力を検出してもよい。
複数の微差圧センサＰＳは、それぞれ基板載置検出装置２０に接続されている。それにより、複数の微差圧センサＰＳの各々は、枝管部５ｂにおける圧力に対応する圧力信号を基板載置検出装置２０に与える。
基板載置検出装置２０は、複数の微差圧センサＰＳから与えられる圧力信号およびベークユニットコントローラ３０から予め与えられる遅延時間に基づいて複数の比較検出値信号を生成し、ベークユニットコントローラ３０に与える。ベークユニットコントローラ３０は基板載置検出装置２０に対して、比較検出値リセット信号を与える。
このように、ベークユニットコントローラ３０は複数の比較検出値信号を得ることができる。そこで、ベークユニットコントローラ３０は複数の比較検出値信号がそれぞれ論理「１」であるか否かを判別する。
ベークユニットコントローラ３０は複数の比較検出値信号の全てが論理「１」である場合に、基板Ｗの載置状態が正常であると判別して、基板Ｗの載置状態の検出動作を終了する。
一方、ベークユニットコントローラ３０は複数の比較検出値信号の全てが論理「１」でない場合に、基板Ｗの載置状態が異常であると判別して、警報信号を図示しない上位のコントローラまたは警報発生装置等に与える。
図１４（ｂ）においては、温調プレート２上に載置される基板Ｗを所定の温度に調整するための温度調整装置２Ｔおよび温調部２Ｚが示されている。
温度調整装置２Ｔはベークユニットコントローラ３０に接続されており、ベークユニットコントローラ３０から与えられる後述の温調設定信号に基づいて温調部２Ｚの制御を行う。温調部２Ｚは、例えばヒータまたはペルチェ素子であり、温度調整装置２Ｔの制御に応じて温調プレート２上の基板Ｗの温度を調整する。
上記構成を有する第２の実施の形態に係る熱処理ユニット１においては、温調プレート２上の複数の箇所で、基板Ｗと温調プレート２の上面との間に形成される空間における気流の変化、すなわち圧力の変化が複数の圧力測定管５および複数の微差圧センサＰＳにより検出される。そして、複数の検出結果に基づいて温調プレート２上における基板Ｗの載置状態が基板載置検出装置２０およびベークユニットコントローラ３０により判定される。
その結果、基板Ｗの上昇または下降により発生する圧力の変化の複数の検出結果に基づいて基板Ｗの載置状態が判定されるので、基板Ｗの位置ずれの検出精度が向上する。さらに、基板Ｗの位置ずれの検出精度が向上することにより、基板Ｗの処理工程の異常を検出することが可能となる。
基板Ｗの処理工程の異常（以下、処理異常と呼ぶ。）とは、破損された基板Ｗの破片等の微小な異物が温調プレート２上に残留することにより、基板Ｗの一部がその異物に乗り上げることをいう。この場合、基板Ｗの全面に対して均一な処理が行われない。
なお、上記では、基板Ｗと温調プレート２の上面との間に形成される空間における気流の変化を検出するために微差圧センサＰＳを用いているが、この気流の変化の検出は第１の実施の形態と同様に流量センサＦＬにより行ってもよい。
ここで、温調プレート２に設けられる複数の流体導入孔２１ａ，２１ｂの配置位置は以下の内容を考慮して決定されることが好ましい。
第１の実施の形態で示したように、基板載置検出装置２０およびベークユニットコントローラ３０による基板Ｗの載置状態の検出は、基板Ｗと温調プレート２の上面により囲まれる空間の微小な圧力変動に基づいて行われる。
温調プレート２上で基板Ｗが所定の方向に傾斜する場合、微小な圧力変動は温調プレート２上の位置に応じて変化する。
これは、基板Ｗが所定の方向に傾斜することにより、基板Ｗと温調プレート２との間の距離が温調プレート２上の位置に応じて異なるためである。以下、温調プレート２上の特定の位置における基板Ｗと温調プレート２との間の距離をギャップと呼ぶ。
次に、温調プレート２上での流体導入孔２１ａ，２１ｂの好ましい配置位置について説明する。
図１５は、傾斜した基板Ｗと温調プレート２とのギャップを示す模式図である。
図１５では、熱処理ユニット１の平面図および側面図が示されている。図１５の側面図では、温調プレート２上で、所定の方向に基板Ｗが傾斜して載置された状態が示されている。
図１５の平面図においては、温調プレート２のプレート中心２Ｃから距離ｒの同心円上に等間隔で位置Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４が定義されている。
ここで、温調プレート２のプレート中心２Ｃを原点とし、プレート中心２Ｃと位置Ｘ１とを結ぶ太線ＣＬを基準としたときの時計回りの回転角度を角度θと定義する。これにより、位置Ｘ１は角度θが０度の方向に位置し、位置Ｘ２は角度θが９０度の方向に位置し、位置Ｘ３は角度θが１８０度の方向に位置し、位置Ｘ４は角度θが２７０度の方向に位置する。
なお、図１５の側面図に示すように、基板Ｗは角度θが１８０度の位置で最大のギャップが生じるように傾斜しているものとする。
この場合、ギャップの大きさは、角度θが０度から９０度に増加するにつれて大きくなり、角度θが９０度から１８０度に増加するにつれてさらに大きくなり、角度θが１８０度から２７０度に増加するにつれて小さくなり、角度θが２７０度から３６０度に増加するにつれてさらに小さくなる。
したがって、位置Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４のそれぞれの位置におけるギャップは、ギャップＧＸ１が最も小さく、ギャップＧＸ２，ＧＸ４が中程度であり、ギャップＧＸ３が最も大きい。
上述のように、基板Ｗと温調プレート２との間の空間に生じる微小な圧力変動はギャップの大きさに応じて異なる。圧力変動の大きさはギャップが大きくなるほど小さくなり、ギャップが小さくなるほど大きくなる。
基板Ｗが温調プレート２上に正常に載置される場合には、ギャップがほとんど発生しないため、温調プレート２上のいずれの位置においても圧力変動の大きさは最大となる。
一方、基板Ｗが温調プレート２上に傾斜して載置される場合には、正常に載置される場合に比べて、ギャップが大きくなり圧力変動の大きさが小さくなる。
しかしながら、基板Ｗが温調プレート２上に傾斜して載置される場合でも、ギャップが小さい位置では圧力変動の大きさが、正常に載置される場合の圧力変動に近くなる。これにより、流体導入孔の位置におけるギャップが小さい場合には、基板Ｗが温調プレート２上で傾斜しているにもかかわらず、基板Ｗの載置状態が正常であると誤判別される場合がある。
図１５の例では、位置Ｘ１に流体導入孔が設けられる場合に誤判別の確率が最も高く、位置Ｘ２，Ｘ４に流体導入孔が設けられる場合に誤判別の確率が中程度となり、位置Ｘ３に流体導入孔が設けられる場合に誤判別の確率が最も低くなる。
ところが、基板Ｗの傾斜方向が変化すると、基板の傾斜方向に応じて各位置Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４における誤判別の確率も変化する。
基板Ｗの傾斜方向、温調プレート２上の位置および誤判別の確率を考慮すると、温調プレート２に２個の流体導入孔２１ａ，２１ｂを設ける場合、各流体導入孔２１ａ，２１ｂは、それぞれ図１５の位置Ｘ１，Ｘ３に設けるか、または図１５の位置Ｘ２，Ｘ４に設けることが好ましい。
流体導入孔２１ａ，２１ｂを上記のように温調プレート２に設けることにより、流体導入孔２１ａ，２１ｂのいずれかの位置においては、基板Ｗの傾斜方向にかかわらず、ギャップが中程度以上となる。それにより、流体導入孔２１ａ，２１ｂのいずれかの位置においては、誤判別の確率が中程度以下となる。その結果、基板Ｗの載置状態の検出精度が向上する。
上述のように、第２の実施の形態に係る熱処理ユニット１において、温調プレート２には、３個の流体導入孔が設けられてもよい。この場合、例えば、３個の流体導入孔の各々を図１５の位置Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４のいずれかに配置する。
この場合、基板Ｗの傾斜方向にかかわらず３個の流体導入孔のいずれかにおいて、誤判別の確率が中程度以下となるとともに、基板Ｗの載置状態の検出箇所が増加するので基板Ｗの載置状態の検出精度がさらに向上する。
温調プレート２に３個の流体導入孔を設ける場合、流体導入孔の各々は以下のように配置されることがより好ましい。図１６は、３つの流体導入孔が設けられた温調プレート２の平面図である。
図１６においては、温調プレート２のプレート中心２Ｃから距離ｒの同心円上に等間隔で流体導入孔２１ａ，２１ｂ，２１ｃが設けられている。
図１５のようにプレート中心２Ｃと位置Ｘ１とを結ぶ太線ＣＬを基準としたときの時計回りの回転角度を角度θと定義する。この場合、流体導入孔２１ａは角度θが０度の方向に位置し、流体導入孔２１ｂは角度θが１２０度の方向に位置し、流体導入孔２１ｃは角度θが２４０度の方向に位置する。
ここで、基板Ｗの傾斜方向により発生する流体導入孔２１ａ，２１ｂ，２１ｃの各位置におけるギャップをギャップＧＸａ、ＧＸｂ，ＧＸｃとする。
この場合、ギャップＧＸａ、ＧＸｂ，ＧＸｃのうち少なくとも１つは、基板Ｗの傾斜方向にかかわらず、図１５において説明した中程度の大きさのギャップよりも大きくなる。
それにより、流体導入孔２１ａ，２１ｂ，２１ｃのいずれかの位置における誤判別の確率が中程度よりもさらに低くなる。その結果、基板Ｗの載置状態の検出精度がさらに向上する。
第２の実施の形態に係る熱処理ユニット１において、温調プレート２には、４個の流体導入孔が設けられてもよい。この場合、例えば、４個の流体導入孔の各々を図１５の位置Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４に配置する。
この場合、基板Ｗの傾斜方向にかかわらず４個の流体導入孔のいずれかにおいて、誤判別の確率が中程度以下となるとともに、基板Ｗの載置状態の検出箇所が増加するので基板Ｗの載置状態の検出精度がさらに向上する。
上記のように、第２の実施の形態において、温調プレート２に設けられる流体導入孔の数は複数であればよく、個数が多くなるとともに基板Ｗの載置状態の検出感度が向上する。そして、流体導入孔の数が増加した場合の各流体導入孔の配置位置は、上記の内容を考慮することが好ましい。
なお、図１５において、基板Ｗの載置時に温調プレート２上で発生する圧力変動の大きさは位置Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４およびプレート中心２Ｃ間の距離ｒによっても大きく変化する。
図１５において位置Ｘ３における圧力変動の大きさは、プレート中心２Ｃからの距離ｒが大きくなるにつれて大きくなる。それにより、位置Ｘ３に流体導入孔を設ける場合、距離ｒが大きく設定されるにつれて誤判別の確率が順次低くなる。
例えば、直径３００ｍｍの基板Ｗに対応する温調プレート２に、流体導入孔２１ａ，２１ｂを図１５の位置Ｘ１，Ｘ３に、プレート中心２Ｃとの間の距離ｒが８０ｍｍ以上となるように設ける。
このように、流体導入孔２１ａ，２１ｂを距離ｒが８０ｍｍ以上となるように設ける場合、基板載置検出装置２０およびベークユニットコントローラ３０は流体導入孔２１ａ，２１ｂにおける圧力変動に基づいて、基板Ｗの位置ずれまたは処理異常により発生する０．５ｍｍ以上のギャップを検出することが可能となる。
上述のように、温度調整装置２Ｔにベークユニットコントローラ３０から温調設定信号が入力されると、温度調整装置２Ｔは温調部２Ｚの制御を行う。これにより、温調プレート２上に載置される基板Ｗが所定の温度に調整される。この場合の所定の温度を処理温度と呼ぶ。なお、処理温度は、予めベークユニットコントローラ３０に設定される。
ベークユニットコントローラ３０からの温調設定信号により温調プレート２上の処理温度が変化すると、上述の圧力値検出波形はその処理温度に応じて変化する。
ここで、ベークユニットコントローラ３０は予め処理温度と基板載置検出装置２０に設定すべき遅延時間との関係を示すテーブルを記憶している。使用者により上述の温調設定信号が生成されることにより、ベークユニットコントローラ３０はテーブルに基づいて温調設定信号により示される処理温度に応じた遅延時間を抽出し、基板載置検出装置２０に与える。
図１７は、基板Ｗの処理温度に応じた圧力値検出波形、比較値および比較検出値の一例を示す図である。
図１７（ａ）に、処理温度が比較的低い場合の圧力値検出波形が実線で示され、処理温度が比較的高い場合の圧力値検出波形が一点鎖線で示されている。図１７（ａ）においては、図５（ａ）に示したように、縦軸が電圧を表し、横軸が時間を表す。ここでも、基板載置検出装置２０には破線で示される所定のしきい値ＳＨが設定されている。
図１７（ａ）によれば、処理温度が低い場合の変化に比べて、処理温度が高い場合の圧力値検出波形の変化は時間軸方向に延びている。このように、圧力値検出波形が延びるのは処理温度が上昇することにより温調プレート２上の空間の気体が熱膨張するためと考えられる。
図１７（ａ）のしきい値ＳＨにより、処理温度が低い場合に生成される比較値は図１７（ｂ）に示す通りである。処理温度が低い場合、基板載置検出装置２０にはベークユニットコントローラ３０から低い温度に対応する遅延時間ＤＴ１が与えられている。
これにより、基板載置検出装置２０には、遅延時間ＤＴ１が設定される。この遅延時間ＤＴ１に基づいて図１７（ｃ）の比較検出値が生成される。
これに対して、図１７（ａ）のしきい値ＳＨにより、処理温度が高い場合に生成される比較値は図１７（ｄ）に示す通りである。処理温度が高い場合、基板載置検出装置２０にはベークユニットコントローラ３０から高い温度に対応する遅延時間ＤＴ２が与えられている。
これにより、基板載置検出装置２０には、遅延時間ＤＴ２が設定される。この遅延時間ＤＴ２に基づいて図１７（ｅ）の比較検出値が生成される。
このように、第２の実施の形態においては、処理温度に応じて遅延時間が設定されるので、処理温度による圧力値検出波形の相違に起因する基板Ｗの載置状態の誤判別が防止される。この場合の誤判別とは、例えば次のことをいう。
基板載置検出装置２０において図１７（ｃ）の遅延時間が処理温度にかかわらず一定の遅延時間ＤＴ１に設定されている場合を想定する。
処理温度が高い場合、上述のように圧力値検出波形の変化は時間軸方向に長く延びる。そのため、基板Ｗの載置状態が異常である場合でも、比較値が遅延時間ＤＴ１の経過前に論理「０」にならない場合が生じる。それにより、ベークユニットコントローラ３０は基板Ｗの載置状態が異常であるにもかかわらず、基板Ｗの載置状態が正常であると誤判別する。
また、基板載置検出装置２０において図１７（ｃ）の遅延時間が処理温度にかかわらず一定の遅延時間ＤＴ２に設定されている場合を想定する。
処理温度が低い場合、圧力値検出波形の変化は時間軸方向に短く縮む。この場合、基板Ｗの載置状態が正常である場合でも、比較値が遅延時間ＤＴ２の経過前に論理「０」となる場合が生じる。それにより、ベークユニットコントローラ３０は基板Ｗの載置状態が正常であるにもかかわらず、基板Ｗの載置状態が異常であると誤判別する。
第２の実施の形態において、ベークユニットコントローラ３０に記憶されるテーブルは、例えば、複数の処理温度において、基板Ｗが下降する際の複数の載置状態に対応する圧力値検出波形を測定し、その測定結果に基づいて各処理温度に応じた最適な遅延時間を算出することにより作成する。
図１８は、ベークユニットコントローラ３０に記憶されるテーブルの一例を示す図である。図１８において、縦軸は遅延時間を表し、横軸は処理温度（温調プレート２上の温度）を表す。図１８によれば、最適な遅延時間は処理温度が上昇するとともに二次曲線的に上昇している。
第２の実施の形態に係る熱処理ユニット１において、図１８に示すテーブルから基板Ｗの処理温度に応じた遅延時間が抽出され、基板載置検出装置２０およびベークユニットコントローラ３０により抽出された遅延時間を用いた基板Ｗの載置状態の判別が行われる。
それにより、基板Ｗの載置状態の誤判別が防止されるとともに、高い精度で基板Ｗの位置ずれおよび処理異常を検出することが可能となる。
上記では、第２の実施の形態に係る基板処理ユニットとして熱処理ユニット１について説明したが、上記の構成は第１の実施の形態に係る熱処理ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰ、クーリングプレートＣＰおよび密着強化剤塗布処理部ＡＨＬに適用できる。
なお、基板が下降する際の圧力値検出波形の時間軸方向の変化の長さは、基板が上昇する際の圧力値検出波形の時間軸方向の変化の長さに比べて長い。圧力値検出波形の時間軸方向の変化の長さが長い場合、基板Ｗの載置状態の判別が容易になる。したがって、基板Ｗの載置状態の判別は、基板Ｗが下降する際の基板Ｗと温調プレート２との間の圧力の変化に基づいて行われることが好ましい。
特に、熱処理ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰおよび密着強化剤塗布処理部ＡＨＬにおいては、常温の基板Ｗが搬入され、基板昇降ピン６により下降される際に安定した圧力値検出波形を得ることができる。
一方、クーリングプレートＣＰに搬入される基板Ｗは、一般に所定の処理温度に加熱されている。所定の処理温度に加熱された基板Ｗが温調プレート２上で基板昇降ピン６により下降されると、基板Ｗと温調プレート２との温度差に起因する急激な熱移動が発生する。それにより、基板Ｗの中心部と周縁部との間で温度差が発生し、基板Ｗが変形する。これにより、微差圧センサＰＳは、基板Ｗの載置状態に異常がない場合でも、図５（ａ）または図１７（ａ）に示す安定した圧力値検出波形を得ることが困難となる。
したがって、第２の実施の形態において、熱処理ユニット１の構成をクーリングプレートＣＰに適用する場合には、基板Ｗが図１の基板昇降ピン６により上昇される際の基板Ｗと温調プレート２との間の圧力の変化に基づいて基板Ｗの載置状態の判別を行うことが好ましい。
上記第２の実施の形態においては、基板載置検出装置２０により複数の微差圧センサＰＳの圧力値検出波形が処理され、ベークユニットコントローラ３０により複数の比較検出値信号に基づいて基板Ｗの載置状態が判定される。このように、複数の微差圧センサＰＳの圧力値検出波形により得られる比較検出値信号に基づいて基板Ｗの載置状態が判定されるので、基板Ｗの載置状態の判定精度が向上する。
また、基板Ｗと温調プレート２との間の空間における気流の変化が複数の微差圧センサＰＳにより検出され、複数の微差圧センサＰＳの複数の圧力値検出波形に基づいて、基板Ｗの載置状態が判定されるので、基板Ｗの載置状態の判定精度がより向上する。それにより、基板Ｗの位置ずれのみならず、温調プレート２に載置された基板Ｗの処理異常についても判定を行うことができる。
上述のように、基板Ｗの処理温度によって微差圧センサＰＳの圧力値検出波形は異なる。この場合、温調プレート２に載置される基板Ｗの温度が、温度調整装置２Ｔおよび温調部２Ｚにより所定の処理温度に調整される。そして、基板載置検出装置２０により処理温度に応じた遅延時間に基づいてディレイフィルタ処理が行われる。
これにより、基板Ｗの処理温度に応じて、温調プレート２における基板Ｗの載置状態が判定される。なお、基板Ｗの処理温度に応じた遅延時間は、基板載置検出装置２０およびベークユニットコントローラ３０により設定される。
（第３の実施の形態）
第３の実施の形態に係る基板処理ユニットは以下の点で第１の実施の形態に係る基板処理ユニット１と異なる。
第３の実施の形態に係る熱処理ユニット１の構成は主に第１の実施の形態において説明した密着強化剤塗布処理部ＡＨＬに用いられる。以下、密着強化剤塗布処理部ＡＨＬについて説明する。
図１９は第３の実施の形態に係る密着強化剤塗布処理部ＡＨＬの構成を示す模式図である。
図１９に示すように、第３の実施の形態に係る密着強化剤塗布処理部ＡＨＬは、第１の実施の形態に係る熱処理ユニット１の構成に加えて、密閉蓋Ｃ１０およびプレート収容台座Ｃ１１を含む。
プレート収容台座Ｃ１１は温調プレート２の下方を覆うように設けられる。密閉蓋Ｃ１０はプレート収容台座Ｃ１１上で開閉自在に設けられている。密閉蓋Ｃ１０が閉じることにより、温調プレート２上の空間が密閉空間Ｖとなる。
プレート収容台座Ｃ１１の側面には排気管Ｃ１４が設けられている。排気管Ｃ１４の内部空間ＮＥは上述の密閉空間Ｖに連通している。排気管Ｃ１４の内部空間ＮＥを通じて密閉空間Ｖ内の内部雰囲気が排気される。それにより、密閉空間Ｖの内部が減圧される。
一方、密閉蓋Ｃ１０の上部にはガス供給配管Ｃ１３が設けられている。ガス供給配管Ｃ１３は密閉空間Ｖの内部に、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）または窒素ガス（不活性ガス）を供給する。ここで、ＨＭＤＳは密着強化剤として用いられる。
このような構成を有する密着強化剤塗布処理部ＡＨＬにおいては、初めに密閉蓋Ｃ１０が開かれた状態で基板Ｗが温調プレート２上に搬入され、載置される。その後、密閉蓋Ｃ１０が閉じられ、排気管Ｃ１４から密閉空間Ｖの内部雰囲気が排気される。これにより、密閉空間Ｖ内の圧力が減圧される。その後、ガス供給配管Ｃ１３からＨＭＤＳが供給され、温調プレート２により所定の処理温度に保たれた基板Ｗに対して密着強化処理が施される。
ＨＭＤＳによる密着強化処理が終了すると、再び排気管Ｃ１４から密閉空間Ｖ内の内部雰囲気が排気される。その後、ガス供給配管Ｃ１３から密閉空間Ｖ内に窒素ガスが供給され、密閉空間Ｖの内部雰囲気の置換が行われる。
最後に、密閉蓋Ｃ１０が開かれ、密着強化処理の行われた基板Ｗが温調プレート２上から取り出される。
ところで、微差圧センサＰＳは図１９に示すように２個のポートＰＨＳ，ＰＬＳを有する。そして、２個のポートＰＨＳ，ＰＬＳのそれぞれが所定の空間に接続される。それにより、微差圧センサＰＳは一方のポートＰＨＳが接続される空間と、他方のポートＰＬＳが接続される空間との差圧を測定する。
第３の実施の形態では、微差圧センサＰＳの一方のポートＰＨＳは温調プレート２の下部に設けられる圧力測定管５を介して密閉空間Ｖに接続される。さらに、微差圧センサＰＳの他方のポートＰＬＳは差圧測定配管ＳＹを介して排気管Ｃ１４の内部空間ＮＥに接続されている。
微差圧センサＰＳは、基板Ｗが上昇または下降することにより発生する基板Ｗと温調プレート２との間の空間のわずかな圧力変動を検出するために用いられている。
上述の密着強化剤塗布処理部ＡＨＬのように、密閉空間Ｖの内部が減圧される場合、一方のポートＰＨＳを圧力測定管５に接続し、他方のポートＰＬＳを大気中に開放させると、密閉空間Ｖが減圧されたときに測定される差圧が非常に大きくなる。それにより、微差圧センサＰＳが故障する場合がある。
したがって、本例では、上述のように２個のポートＰＨＳ，ＰＬＳを互いに連通する空間（密閉空間Ｖおよび内部空間ＮＥ）に接続している。これにより、２個のポートＰＨＳ，ＰＬＳが互いに連通する密閉空間Ｖおよび内部空間ＮＥに接続されるので、密閉空間Ｖ内部が減圧された場合でも、一方のポートＰＨＳが接続される空間の圧力と、他方のポートＰＬＳが接続される空間の圧力との差圧は小さくなる。それにより、微差圧センサＰＳの故障が防止される。
なお、第３の実施の形態において、微差圧センサＰＳの一方のポートＰＨＳが圧力測定管５を介して基板Ｗと温調プレート２との間の空間に接続されている場合、微差圧センサＰＳの他方のポートＰＬＳは密閉空間Ｖ内でかつ基板Ｗと温調プレート２との間以外の空間に接続されてもよい。
例えば、図１９の点線で示すように、密閉蓋Ｃ１０の一部に開口Ｃ１５を設け、その開口Ｃ１５とポートＰＬＳとを接続するような差圧測定配管ＳＹｂを設ける。この場合においても、微差圧センサＰＳの一方のポートＰＨＳが接続される基板Ｗと温調プレート２との間の空間が、他方のポートＰＬＳが接続される密閉空間Ｖに含まれるので、一方のポートＰＨＳが接続される空間の圧力と、他方のポートＰＬＳが接続される空間の圧力との差圧は小さくなる。それにより、微差圧センサＰＳの故障が防止される。
上記第３の実施の形態においては、密閉空間Ｖ内の雰囲気が排気管Ｃ１４により排気され、減圧される。このように、密閉空間Ｖの内部雰囲気が減圧された場合でも、基板Ｗと温調プレート２との間の空間と、排気管Ｃ１４の内部空間ＮＥとが連通しているので、これらの空間の圧力差が過大とならない。その結果、微差圧センサＰＳの２個のポートＰＨＳ，ＰＬＳの各々が、基板Ｗと温調プレート２との間の空間および排気管Ｃ１４の内部空間ＮＥに接続された場合に、微差圧センサＰＳが過大な圧力差により故障することが防止される。
また、微差圧センサＰＳの２個のポートＰＨＳ，ＰＬＳが、基板Ｗと温調プレート２との間の空間および基板Ｗと温調プレート２との間の空間を除く密閉空間Ｖにそれぞれ接続される場合においても、これらの空間の圧力差が過大とならない。その結果、微差圧センサＰＳが過大な圧力差により故障することが防止される。
なお、第３の実施の形態において、温調プレート２に設けられる流体導入孔の数および微差圧センサＰＳの数について言及していないが、第２の実施の形態と同様に、流体導入孔および微差圧センサＰＳは複数設けられてもよい。
さらに、第２の実施の形態と同様に、第３の実施の形態においても、基板載置検出装置２０およびベークユニットコントローラ３０は、基板Ｗの処理温度に対応した遅延時間を用いて、基板Ｗの載置状態の判別を行ってもよい。
（第４の実施の形態）
第４の実施の形態に係る基板処理ユニットは以下の点で第１の実施の形態に係る基板処理ユニット１と異なる。
図２０は、第４の実施の形態に係る熱処理ユニットおよび基板昇降ピンの構成および構造の一例を示す模式図である。図２０（ａ）に第４の実施の形態に係る熱処理ユニット１の構成が示されている。
図２０（ａ）に示すように、第４の実施の形態に係る熱処理ユニット１には図１の圧力測定管５が設けられない。また、第４の実施の形態に係る基板昇降ピン６は第１の実施の形態に係る基板昇降ピン６と構造が異なる。
図２０（ｂ）に第４の実施の形態に係る基板昇降ピン６の構造の詳細が示されている。図２０（ｂ）に示すように、複数の基板昇降ピン６の内部には気流通路６ｉが設けられている。また、基板昇降ピン６の上端部近傍には、基板Ｗと温調プレート２の上面との間に形成される空間Ｋと気流通路６ｉとを連通する上開口部６ｕが設けられている。
さらに、基板昇降ピン６において、基板昇降ピン６が昇降動作した場合でも温調プレート２の下方となる位置に、枝管部６ｒの一端が接続されている。枝管部６ｒはその他端が微差圧センサＰＳに接続されている。
これにより、基板Ｗの昇降動作が行われる際には、矢印Ｑ１に示すように、気流通路６ｉ内で吸気または排気に伴う気流が発生する。
そして、気流通路６ｉ内で発生する気流の圧力が、枝管部６ｒに接続された微差圧センサＰＳにより検出される。これにより、微差圧センサＰＳは、気流通路６ｉ内で発生する気流の圧力に対応する信号を第１の実施の形態で示した圧力信号として基板載置検出装置２０に与える。
このように、第４の実施の形態では、基板昇降ピン６の内部に設けられた気流通路６ｉ、基板昇降ピン６に接続された枝管部６ｒおよび微差圧センサＰＳにより基板Ｗと温調プレート２との間の空間Ｋの圧力変動を検出することが可能であり、基板Ｗの温調プレート２上への載置状態の判別を行うことが可能である。
したがって、第１の実施の形態において用いられた圧力測定管５を設ける必要なく、簡単な構成で基板Ｗの温調プレート２上への載置状態の判別を行うことができる。
さらに、基板昇降ピン６の上端部近傍に上開口部６ｕが設けられるので微差圧センサＰＳは基板Ｗの直下の圧力変動を検出することができる。したがって、圧力変動の検出精度が向上する。
上記第４の実施の形態においては、複数のピン導入孔２Ｈ内で複数の基板昇降ピン６が昇降装置８により上昇および下降されることにより基板Ｗが上昇および下降される。
そして、複数の基板昇降ピン６の上昇時または下降時における気流通路６ｉを通る気流の変化が微差圧センサＰＳにより検出される。これにより、気流の変化の検出のために気体の通路を別途設ける必要がないので、簡単な構成で基板Ｗの位置ずれの検出が可能となる。
なお、第３の実施の形態においては、微差圧センサＰＳの代わりに流量センサＦＬを設けて、気流通路６ｉ内で発生する気流の変化を検出することにより基板Ｗの載置状態の判別を行ってもよい。
以上、第１〜第４の実施の形態において、熱処理ユニット１、基板載置検出装置２０およびベークユニットコントローラ３０は基板処理ユニットに相当し、温調プレート２は基板載置台に相当し、基板昇降ピン６、連結部材７および昇降装置８は昇降手段に相当し、圧力測定管５、流量測定管５Ｂ、微差圧センサＰＳおよび流量センサＦＬは検出手段に相当し、基板載置検出装置２０およびベークユニットコントローラ３０は判定手段に相当し、微差圧センサＰＳは圧力検出手段に相当し、流量センサＦＬは流量検出手段に相当し、ピン導入孔２Ｈ、流体導入孔２Ｊおよび流体導入孔２１ａ，２１ｂ，２１ｃは貫通孔に相当する。
また、ピン導入孔２Ｈは複数の貫通孔に相当し、基板昇降ピン６は複数の支持部材に相当し、昇降装置８は駆動手段に相当し、微差圧センサＰＳおよび流量センサＦＬはセンサに相当し、圧力信号は出力信号に相当し、基板載置検出装置２０は処理手段に相当し、ベークユニットコントローラ３０は制御手段に相当し、比較検出値信号は比較信号に相当する。
さらに、微差圧センサＰＳは差圧センサに相当し、基板Ｗと温調プレート２との間の空間は第１の空間に相当し、排気管Ｃ１４の内部空間ＮＥは第２の空間に相当し、密閉蓋Ｃ１０およびプレート収容台座Ｃ１１は密閉容器に相当し、排気管Ｃ１４は排気配管に相当する。
気流通路６ｉおよび上開口部６ｕが通路に相当する。比較値および比較検出値信号が処理結果に相当し、温度調整装置２Ｔおよび温調部２Ｚは温度調整手段に相当し、遅延時間ＤＴ１，ＤＴ２は遅延時間に相当し、基板載置検出装置２０およびベークユニットコントローラ３０は設定手段に相当する。
本発明は、基板の載置状態を検出する基板処理ユニット、基板載置状態検出方法および基板処理装置として有用である。
第１の実施の形態に係る熱処理ユニットの構成の一例を示す模式図である。 基板が温調プレート上の所定の位置に正常に載置される様子を示す模式図である。 基板が温調プレート上の所定の位置に正常に載置されない様子を示す模式図である。 温調プレートに基板が正常に載置されている場合と温調プレートに基板Ｗがずれて載置されている場合とで基板上昇時の圧力変動の差異を比較するためのグラフである。 図１の基板載置検出装置による比較検出値信号の生成方法を説明するための図である。 図１の基板昇降ピンが上昇する際に基板の載置状態を検出する場合のベークユニットコントローラの動作を示すフローチャートである。 図１の基板昇降ピンが上昇する際に基板の載置状態を検出する場合の基板載置検出装置の動作を示すフローチャートである。 図１の基板昇降ピンが下降する際に基板の載置状態を検出する場合のベークユニットコントローラの動作を示すフローチャートである。 図１の熱処理ユニットに流量センサを用いた場合の構成例を示す図である。 （ａ）は温調プレート上に正常に基板が載置された場合の流体の流れを示す図であり、（ｂ）は温調プレート上にずれた状態で基板が載置された場合の流体の流れを示す図である。 第１の実施の形態に係る熱処理ユニット、基板載置検出装置およびベークユニットコントローラを用いた基板処理装置の平面図である。 図１１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た側面図である。 図１１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た側面図である。 第２の実施の形態に係る熱処理ユニットを説明するための模式図である。 傾斜した基板と温調プレートとのギャップを示す模式図である。 ３つの流体導入孔が設けられた温調プレートの平面図である。 基板の処理温度に応じた圧力値検出波形、比較値および比較検出値の一例を示す図である。 ベークユニットコントローラに記憶されるテーブルの一例を示す図である。 第３の実施の形態に係る密着強化剤塗布処理部の構成を示す模式図である。 第４の実施の形態に係る熱処理ユニットおよび基板昇降ピンの構成および構造の一例を示す模式図である。
符号の説明
１ 熱処理ユニット
２ 温調プレート
２Ｈ ピン導入孔
２Ｊ 流体導入孔
２Ｔ 温度調整装置
２Ｚ 温調部
５ 圧力測定管
５Ｂ 流量測定管
６ 基板昇降ピン
６ｉ 気流通路
６ｕ 上開口部
７ 連結部材
８ 昇降装置
２０ 基板載置検出装置
２１ａ，２１ｂ，２１ｃ 流体導入孔
３０ ベークユニットコントローラ
５００ 基板処理装置
Ｃ１０ 密閉蓋
Ｃ１１ プレート収容台座
Ｃ１４ 排気管
ＤＴ１，ＤＴ２ 遅延時間
ＦＬ 流量センサ
ＮＥ 内部空間
ＰＳ 微差圧センサ

Claims (20)

  1. 基板に所定の処理を行う基板処理ユニットであって、
    基板が載置される基板載置台と、
    基板を前記基板載置台上で上昇および下降させる昇降手段と、
    前記昇降手段による基板の上昇中または下降中における基板と前記基板載置台との間の空間における気流の変化を検出する検出手段と、
    前記検出手段により検出される気流の変化に基づいて前記基板載置台における基板の載置状態を判定する判定手段とを備えたことを特徴とする基板処理ユニット。
  2. 前記検出手段は、前記気流の変化による圧力変化を検出する圧力検出手段を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理ユニット。
  3. 前記圧力検出手段は第１の空間と第２の空間との圧力差を検出するための差圧センサであり、
    前記第１の空間は、前記基板載置台と基板との間の空間であり、
    前記第２の空間は、前記第１の空間に連通する空間であることを特徴とする請求項２記載の基板処理ユニット。
  4. 前記基板載置台を収容する密閉容器と、
    前記密閉容器内の雰囲気を排気するための排気配管とをさらに備え、
    前記第２の空間は、前記排気配管の内部空間であることを特徴とする請求項３記載の基板処理ユニット。
  5. 前記基板載置台を収容する密閉容器と、
    前記密閉容器内の雰囲気を排気するための排気配管とをさらに備え、
    前記第２の空間は、前記基板載置台と基板との間の空間を除く前記密閉容器の内部空間であることを特徴とする請求項３記載の基板処理ユニット。
  6. 前記検出手段は、前記気流の変化による流量変化を検出する流量検出手段を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理ユニット。
  7. 前記基板載置台は、上下に貫通する貫通孔を有し、
    前記検出手段は、前記昇降手段による基板の上昇中または下降中における前記貫通孔を通る気流の変化を検出することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理ユニット。
  8. 前記基板載置台は、上下に貫通する複数の貫通孔を有し、
    前記昇降手段は、
    前記複数の貫通孔内に上下動可能に設けられた複数の支持部材と、
    前記複数の支持部材を上昇および下降させる駆動手段とを含み、
    前記検出手段は、前記駆動手段による前記複数の支持部材の上昇中または下降中における前記複数の貫通孔の少なくとも１つを通る気流の変化を検出することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理ユニット。
  9. 前記基板載置台は、上下に貫通する複数の貫通孔を有し、
    前記昇降手段は、
    前記複数の貫通孔内に上下動可能に設けられた複数の支持部材と、
    前記複数の支持部材を上昇および下降させる駆動手段とを含み、
    前記支持部材の少なくとも１つは、前記基板載置台と基板との間の空間に開口する通路を有し、
    前記検出手段は、前記駆動手段による前記複数の支持部材の上昇中または下降中における前記通路を通る気流の変化を検出することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理ユニット。
  10. 前記検出手段は、圧力または流量を検出する少なくとも１つのセンサを含み、
    前記少なくとも１つのセンサの出力信号を処理する処理手段と、
    前記昇降手段による昇降動作を制御するとともに前記処理手段の処理結果に基づいて前記基板載置台における基板の載置状態を判定する制御手段とをさらに備えたことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の基板処理ユニット。
  11. 前記センサは、複数設けられ、
    前記処理手段は、前記複数のセンサの出力信号を処理し、
    前記制御手段は、前記処理手段により得られる複数の処理結果に基づいて前記基板載置台における基板の載置状態を判定することを特徴とする請求項１０記載の基板処理ユニット。
  12. 前記制御手段は、前記処理手段により得られる複数の処理結果の各々に基づいて前記基板載置台における基板の載置状態が正常か否かを判別し、複数の判別結果の全てが正常である場合に、前記基板載置台における基板の載置状態が正常であると判定することを特徴とする請求項１１記載の基板処理ユニット。
  13. 前記処理手段は、前記少なくとも１つのセンサの出力信号を予め定められたしきい値と比較し、比較結果を示す比較信号を出力し、
    前記制御手段は、前記処理手段により出力された比較信号に基づいて前記基板載置台における基板の載置状態を判定することを特徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載の基板処理ユニット。
  14. 前記処理手段は、前記少なくとも１つのセンサの出力信号に移動平均処理を行い、処理された出力信号を前記しきい値と比較することを特徴とする請求項１３記載の基板処理ユニット。
  15. 前記処理手段は、前記少なくとも１つのセンサの出力信号と前記しきい値とを比較し、比較された前記少なくとも１つのセンサの出力信号にディレイフィルタ処理を行うことを特徴とする請求項１４または１５記載の基板処理ユニット。
  16. 前記基板載置台は、基板を所定の処理温度に調整する温度調整手段を含み、
    前記処理手段は、前記処理温度に応じた遅延時間に基づいて前記ディレイフィルタ処理を行うことを特徴とする請求項１５記載の基板処理ユニット。
  17. 前記処理温度に応じて前記遅延時間を設定するための設定手段をさらに備え、
    前記処理手段は、前記設定手段により設定された前記遅延時間に基づいて前記ディレイフィルタ処理を行うことを特徴とする請求項１６記載の基板処理ユニット。
  18. 前記制御手段は、前記駆動手段による前記複数の支持部材の上昇前または下降前に、前記処理手段の前記比較信号を所定の状態にリセットし、前記駆動手段による前記複数の支持部材の上昇後または下降後に、前記処理手段から前記比較信号を受け取ることを特徴とする請求項１３〜１７のいずれかに記載の基板処理ユニット。
  19. 基板載置台における基板の載置状態を検出する基板載置状態検出方法であって、
    基板を前記基板載置台上で上昇または下降させるステップと、
    前記基板の上昇中または下降中における基板と前記基板載置台との間の空間における気流の変化を検出するステップと、
    前記検出される気流の変化に基づいて前記基板載置台における基板の載置状態を判定するステップとを備えたことを特徴とする基板載置状態検出方法。
  20. 請求項１〜１８のいずれかに記載の基板処理ユニットと、
    前記基板処理ユニットに基板を搬入および搬出する搬送手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
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