JP3577436B2 - 処理装置、処理システム、判別方法及び検出方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板、例えば特に半導体ウェハやLCD用基板等にレジストの塗布や現像処理を施す装置等に具備され基板に熱処理を適切に施すための処理装置、処理システム、判別方法及び検出方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
この種の塗布・現像処理システムでは、一般に基板上にレジストを塗布して露光装置に受け渡し、更に露光装置から露光された基板を受け取り、現像処理を施すことが行われており、更にその露光の前後等においては基板に対して加熱処理や冷却処理が施されている。
【0003】
図23は半導体ウェハ(以下、単に「ウェハ」と呼ぶ。)に対して加熱処理を施す加熱処理ユニットの概略的な正面図である。
【0004】
図23において、101はウェハWに対して加熱処理を施すためのホットプレートであり、このホットプレート101上にはホットプレート101上でウェハWを浮かせて保持するためのプロキシミティピン102及びプロキシミティシート102’が配置され、更にホットプレート101上のほぼ中央のウェハ載置位置103に向けて傾斜面104を有する複数のガイド105がウェハ載置位置103を取り囲むように設けられている。
【0005】
また、このユニットには、システム内でウェハWを搬送するための搬送装置との間でウェハWの受け渡しを行うための昇降ピン(図示を省略)がホットプレート101表面から出没可能に配置されている。そして、昇降ピンがホットプレート101表面から突き出た状態で搬送装置からウェハWを受け取って下降し、ホットプレート101表面から没入する。これにより、ウェハWはホットプレート101表面上に載置されることになる。
【0006】
その際、搬送装置が昇降ピンに対してウェハWを正確な位置に受け渡さないとウェハWをウェハ載置位置103の正確な載置位置に載置できない。そのため、上記のようにガイド105を設け、搬送装置が昇降ピンに対してウェハWを多少ずれた位置に対して受け渡したときでも、ウェハWをガイド105を介してウェハ載置位置103の正確な載置位置に導かれるようにしている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、搬送装置が昇降ピンに対してウェハWを受け渡した位置が相当ずれているときには、ウェハWがガイド105の上に乗り上げてしまい、熱処理が正確に行われず製品不良が発生する。そして、このような不良の発生は後工程の検査工程で発見されるのが通常であり、しかもこのような搬送装置による昇降ピンに対するウェハWの受け渡しの位置ずれは偶発的ではなく、連続的に発生することが多いことから、不良が発見されたときは既に相当数の不良が発生していることになり、その被害は甚大である。
【0008】
本発明はかかる課題を解決するためになされもので、処理板上に搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていない状態等を迅速に検知し、加熱処理や冷却処理の際の不良を最小限に食い止めることができる技術を提供することを目的としている。
【0009】
本発明の別の目的は、処理板上に搬送された基板の基板載置位置からのずれ位置を迅速に検出し、調整を迅速かつ正確に行うことができる技術を提供することを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため、本発明の処理装置は、基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けられた基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、異常が発生したものとみなす手段(例えば前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手段)とを具備することを特徴とする。
【0011】
処理板上に搬送された基板が案内部材上に乗り上げて基板載置位置からずれると、基板が案内部材上に乗り上げた位置とは反対側の当該基板の端部が処理板表面と接触するだけで、当該基板は処理板上から浮いた状態となる。一方、例えば基板を加熱処理する処理板では、当該処理板上に基板が載置されると処理板が基板から熱を奪われ温度が一旦低下する。そして、基板が処理板上から浮いた状態となった場合、基板が基板載置位置に正確に載置された場合と比較すると、基板が処理板上に載置された際の温度の低下が小さくなる。本発明はかかる点に着目し、処理板上に基板が載置された際の温度センサにより検出された処理板の温度が所定以上変化しないとき、例えば処理板上に搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていないものとみなすことで、処理板上に搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていない状態を迅速に検知している。従って、本発明によれば、加熱処理や冷却処理の際の不良を最小限に食い止めることができる。
【0012】
本発明の処理装置は、基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処理板の基板載置位置の中心から所定距離離れた位置に設けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度に基づき、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する手段とを具備する。
【0013】
処理板上に搬送された基板が案内部材上に乗り上げて基板載置位置からずれると、基板が案内部材上に乗り上げた位置とは反対側の当該基板の端部が処理板表面と接触するだけで、当該基板は処理板上から浮いた状態となる。一方、例えば基板を加熱処理する処理板では、当該処理板上に基板が載置されると処理板が基板から熱を奪われ温度が一旦低下する。そして、基板が処理板上から浮いた状態となった場合、基板が基板載置位置に正確に載置された場合と比較すると、基板が処理板上に載置された際の温度の低下が小さくなり、しかもこのような温度の低下は処理板上の位置に応じて異なる。例えば、基板が案内部材上に乗り上げた位置の近くとその反対側(基板が案内部材上に乗り上げた位置とは反対側の当該基板の端部が接触する位置の近く)とでは、基板が処理板上に載置された際の温度の低下が異なる。即ち、基板が案内部材上に乗り上げた位置の近くにおける基板と処理板との間隔は、その反対側における基板と処理板との間隔と比べると、より大きいため、基板が案内部材上に乗り上げた位置の近くにおける、基板が処理板上に載置された際の温度の低下はより小さい。本発明はかかる点に着目し、処理板上に基板が載置された際の処理板の所定位置における温度センサにより検出された温度に基づき、処理板上に搬送された基板の基板載置位置からのずれ位置を推定することで、処理板上に搬送された基板の基板載置位置からのずれ位置を迅速に検出し、調整を迅速かつ正確に行うことができるようにしたものである。
【0014】
本発明の処理システムは、基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処理板のそれぞれ別個の位置に設けられた複数の温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際の前記各温度センサにより検出された温度の差異に基づき、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する手段とを具備する。
【0015】
本発明では、処理板上に基板が載置された際の処理板における異なる位置に配置された各温度センサにより検出された温度の差異に基づき、処理板上に搬送された基板の基板載置位置からのずれ位置を推定することで、処理板上に搬送された基板の基板載置位置からのずれ位置を迅速に検出し、調整を迅速かつ正確に行うことができるようにしたものである。
【0016】
本発明の処理システムは、基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手段とを具備する複数の処理装置と、少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするための搬送装置と、1つの前記処理装置で前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなされたとき、当該処理装置による処理を禁止して残りの処理装置で処理を行わせる手段とを具備する。
【0017】
本発明では、1つの処理装置で処理板上に搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていないものとみなされたとき、当該処理装置による処理を禁止して残りの処理装置で処理を行わせるようにしているので、加熱処理または冷却処理による不良が連続的に発生するのを防止することができ、しかもかかる不良が発生してもシステムを停止することなく通常の処理を続行できる。
【0018】
本発明の処理システムは、基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手段とを具備する複数の処理装置と、少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするための搬送装置と、1つの前記処理装置で前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものと連続してみなされたとき、当該処理装置による処理を禁止して残りの処理装置で処理を行わせる手段とを具備する。
【0019】
本発明では、1つの処理装置で処理板上に搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていないものと連続してみなされたとき、当該処理装置による処理を禁止して残りの処理装置で処理を行わせるようにしているので、加熱処理または冷却処理による不良が連続的に発生するのを防止することができ、しかもかかる不良が発生してもシステムを停止することなく通常の処理を続行でき、更に偶発的に処理板上に搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていなかったときには当該処理装置による処理が禁止されるこはなくなる。
【0020】
本発明の処理システムは、基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手段とを具備する複数の処理装置と、少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするための搬送装置と、1つの前記処理装置で前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなされたとき、当該処理装置による処理された基板にマーキングを施す手段とを具備する。
【0021】
本発明では、1つの処理装置で処理板上に搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていないものとみなされたとき、当該処理装置による処理された基板にマーキングを施すようにしているので、加熱処理または冷却処理による不良が発生してもシステムを停止することなく通常の処理を続行でき、しかも不良基板を正常基板から容易に区分することができる。なお、ここで、マーキングとは、基板に実際に直接付されるマーキングの他、ソフトウェア上で正常基板から区別できるように不良基板にマーキングするような場合も含まれる。
【0022】
本発明は、基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内で、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されているかどうか判別する方法であって、前記処理板の所定位置の温度を検出する工程と、前記検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす工程とを具備する。
【0023】
本発明は、基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内で、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を検出する方法であって、前記処理板の所定位置の温度を検出する工程と、前記検出された温度に基づき、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する工程とを具備する。
【0024】
本発明は、基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内で、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を検出する方法であって、前記処理板の複数位置の温度を検出する工程と、前記検出された複数位置での温度の差異に基づき、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する工程とを具備する。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、半導体ウェハに化学増幅型レジストを塗布し、現像するレジスト塗布現像システムに本発明を適用した実施形態を図面に基づき説明する。
【0026】
図1はこの実施形態に係るレジスト塗布現像システムの平面図、図2は図1に示したレジスト塗布現像システムの正面図、図3は図1に示したレジスト塗布現像システムの背面図、図4は図1に示したレジスト塗布現像システムにおける空気の流れを示す正面図である。
【0027】
図1に示すように、このレジスト塗布現像システム1は、カセットステーション10、処理ステーション11及びインターフェイス部12を一体に接続した構成を有している。カセットステーション10では、ウェハWがカセットC単位で複数枚、例えば25枚単位で外部からレジスト塗布現像システム1に搬入され、またレジスト塗布現像システム1から外部に搬出される。また、カセットCに対してウェハWが搬出・搬入される。処理ステーション11では、塗布現像処理工程の中で1枚ずつウェハWに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットが所定位置に多段に配置されている。インターフェイス部12では、このレジスト塗布現像システム1に隣接して設けられる露光装置13との間でウェハWが受け渡される。
【0028】
カセットステーション10では、カセット載置台20上の位置決め突起20aの位置に複数個、例えば4個のカセットCが、それぞれのウェハW出入口を処理ステーション11側に向けてX方向(図1中の上下方向)一列に載置される。このカセットC配列方向(X方向)およびカセットC内に収容されたウェハWのウェハW配列方向(Z方向;垂直方向)に移動可能なウェハ搬送装置21が、搬送路21aに沿って移動自在であり、各カセットCに選択的にアクセスする。
【0029】
ウェハ搬送装置21は、θ方向に回転自在に構成されており、後述するように処理ステーション11側の第3の処理装置群G3の多段ユニット部に属するアライメントユニット(ALIM)およびエクステンションユニット(EXT)にもアクセスできるようになっている。
【0030】
処理ステーション11では、図1に示すように、その中心部には垂直搬送型の搬送装置22が設けられ、その周りに処理室としての各種処理ユニットが1組または複数の組に亙って多段集積配置されて処理ユニット群を構成している。このレジスト塗布現像システム1においては、5つの処理ユニット群G1、G2、G3、G4、G5が配置可能な構成であり、第1および第2の処理ユニット群G1、G2はシステム正面側に配置され、第3の処理ユニット群G3はカセットステーション10に隣接して配置され、第4の処理ユニット群G4はインターフェイス部12に隣接して配置され、さらに破線で示した第5の処理ユニット群G5を背面側に配置することが可能となっている。搬送装置22は、θ方向に回転自在でZ方向に移動可能に構成されており、各処理ユニットとの間でウェハWの受け渡しが可能とされている。
【0031】
第1の処理ユニット群G1では、図2に示すように、カップCP内でウェハWをスピンチャックに載せて所定の処理を行う2台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット(COT)および現像処理ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられている。そして第1の処理ユニット群G1と同様に、第2の処理ユニット群G2においても、2台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット(COT)及び現像処理ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられている。
【0032】
第3の処理ユニット群G3では、図3に示すように、ウェハWを載置台(図示せず)に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う冷却処理ユニット(COL)、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョン処理ユニット(AD)、位置合わせを行うアライメントユニット(ALIM)、エクステンションユニット(EXT)、プリベークを行う加熱処理ユニット(PREBAKE)及びポストベークを行う加熱処理ユニット(POBAKE)が下から順に、例えば8段に重ねられている。
【0033】
同様に、第4の処理ユニット群G4では、ウェハWを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う冷却処理ユニット(COL)、冷却処理も兼ねたエクステンション・冷却処理ユニット(EXTCOL)、エクステンションユニット(EXT)、アドヒージョン処理ユニット(AD)、プリベークを行う加熱処理ユニット(PREBAKE)及びポストベークを行う加熱処理ユニット(POBAKE)が下から順に、例えば8段に重ねられている。
【0034】
インターフェイス部12では、図1に示すように、奥行き方向(X方向)については、上記処理ステーション11と同じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズに設定されている。図1及び図2に示すように、このインターフェイス部12の正面側には、可搬性のピックアップカセットCRと、定置型のバッファカセットBRが2段に配置され、他方背面部には周辺露光装置24が配設されている。
【0035】
インターフェイス部12の中央部には、ウェハ搬送装置25が設けられている。ウェハ搬送装置25は、X方向、Z方向(垂直方向)に移動して両カセットCR、BR及び周辺露光装置24にアクセスできるようになっている。ウェハ搬送装置25は、θ方向にも回転自在となるように構成されており、処理ステーション11側の第4の処理ユニット群G4に属するエクステンションユニット(EXT)や、さらには隣接する露光装置側のウェハ受け渡し台(図示せず)にもアクセスできるようになっている。
【0036】
図4に示すように、カセットステーション10の上部にはフィルタ26が、処理ステーション11の上部にはフイルタ27が、インタフェース部12の上部にはフィルタ28がそれぞれ取り付けられている。これらのフィルタは上部空間29を共有している。この上部空間29はダクト(図示を省略)を介して下方の空調装置(図示を省略)に連通し、アンモニアを除去し、湿度及び温度が制御された清浄空気が空調装置から上部空間29に供給されるようになっている。清浄空気は、上部空間29から各フィルタを通って下方に向けて吹き出され、これにより清浄空気のダウンフローが各部10、11、12に形成されるようになっている。
【0037】
図5は上述した加熱処理ユニットの正面図、図6はその平面図である。
【0038】
図5及び図6に示すように、上記の加熱処理ユニットのほぼ中央には、ウェハWを加熱処理するための処理板としてのホットプレート31が配置されている。このホットプレート31では、例えばウェハWより少し大きな直径で円形状の保持板32の裏面側に、例えばこの保持板32とほぼ同形状の発熱素子33、例えばヒーター或いはペルチェ素子等が保持板32と密着するように配置されている。発熱素子33は、例えば電流が流されることで発熱する抵抗体により構成され、制御機構としての制御部40によりこの電流値が制御されることで加熱処理のための温度が制御されるようになっている。
【0039】
ホットプレート31の表面と裏面との間に、複数カ所、例えば3カ所に貫通穴34が設けられている。これら貫通穴34には、それぞれ、ウェハWの受け渡しのための複数本、例えば3本の支持ピン35が出没可能に介挿されている。これら支持ピン35は、保持板32の裏面側に配置された結合部材36により、保持板32の裏面側で一体に結合されている。結合部材36は、保持板32の裏面側に配置された昇降機構37に接続されている。昇降機構37の昇降動作により、支持ピン35は保持板32の表面から突き出たり、没したりする。支持ピン35は、保持板32の表面から突き出た状態で、搬送装置22との間でウェハWの受け渡しを行う。搬送装置22からウェハWを受け取った支持ピン35は、下降して保持板32内に没し、これによりウェハWが保持板32の表面に密着し、ウェハWの加熱処理が行われるようになっている。
【0040】
保持板32の上方には、保持板32により保持されるウェハWを覆うように、蓋体51が配置されている。蓋体51は、図示を省略した昇降機構により昇降可能とされている。該ユニット内では、蓋体51が上昇し蓋体51が開いた状態で、搬送装置22との間でウェハWの受け渡しを行い、蓋体51が下降し蓋体51が閉じた状態で、密閉空間を形成し、ウェハWの加熱処理が行われるようになっている。
【0041】
蓋体51は、そのほぼ中央に向かって上向きに傾斜する構造を有し、そのほぼ中央、つまり保持板32により保持されたウェハWのほほ中央に対応する位置に排気口52が設けられている。排気口52には、真空ポンプ等の排気装置53が接続され、密閉空間内の排気が行われるようになっている。
【0042】
また、ホットプレート31の周囲には、ホットプレート31を取り囲むようにシャッター部材54が出没可能に配置されている。シャッター部材54は、ホットプレート31の裏面に配置された昇降機構55により昇降されるようになっている。さらに、シャッター部材54の内壁には、例えば高温の不活性ガスを噴出するための噴出孔56が多数設けられている。噴出孔56は噴出孔56へ高温ガスを供給する高温ガス供給装置106に接続されている。保持板32上にウェハWを保持し、ウェハWを加熱処理するとき、シャッター部材54がホットプレート31表面から突き出て、噴出孔56から保持板32上に保持されたウェハWの表面に向けて高温ガスが噴出されるようになっている。
【0043】
ここで、加熱処理ユニット内でウェハWの加熱処理を良好に行うためには、ウェハWは温度分布のばらつきが少ないホットプレート31上のほぼ中心に載置される必要がある。このようにホットプレート31上でウェハWが本来載置されるべき位置を基板載置位置と呼び、図6中点線で囲まれた領域41が基板載置位置である。
【0044】
そして、ウェハWをホットプレート31上に密着することなくホットプレート31上で浮かせて、つまりホットプレートとウェハWとが直接接しないように所定の間隔にホットプレート31上にウェハWを離間して保持するためのプロキシミティシート42’が基板載置位置41の外周部の複数カ所、例えば6カ所に配置され、更に基板載置位置41の中央にプロキシミティピン42が配置されている。
【0045】
また、基板載置位置41の外周部に配置されたプロキシミティシート42’は、それぞれ基板載置位置41の外側に延在しており、各プロキシミティシート42’の延在した位置には、それぞれ基板案内用の案内ガイド43が配置されている。従って、本実施の形態においては、6個の案内ガイド43が基板載置位置41を取り囲むようにホットプレート31上に設けられている。案内ガイド43は例えば断面が矩形で、高さ(少なくとも基板載置位置41側の壁面のほぼ垂直部分の高さ)が1mmを越えるもの、より好ましくは3mm前後とされている。
【0046】
また、基板載置位置41の中央から所定距離離れた位置、例えば基板載置位置41の外周に近い位置には、ホットプレート31の裏面から表面に向けて所定の深さの有底の穴38が設けられている。この穴38の底部(穴38内で保持板32の表面に最も近い位置)には、例えば熱伝対である温度センサ39が配置されている。この温度センサ39による検出結果は制御部40に送られるようになっており、制御部40ではこの検出結果に基づき発熱機構としての発熱素子33に対する電流の制御や後述するウェハW載置不良の検出等が行われる。また、制御部40には、警報等を発するためのスピーカや表示部(図示を省略)が接続されている。その際、表示部では、処理をそのまま続行するかどうかを作業者に提示し、作業者からはこの提示に応じて図示を省略したキーボードや入力部を兼ねる表示部等から作業の続行を指示してもよいし、処理を中断するようにしてもよい。そして、加熱処理を中断するようにすれば、後述する搬送装置22と支持ピン35との位置ずれを即座に修正することができる。また、そのまま処理を続行すればシステムにおけるスループットを落とさずに処理を行うことができる。ただし、この場合、加熱不良のウェハWが良品と混在してシステム内を流れることになる。そこで、このように処理を続行するような場合にはウェハWに対して不良であることを示すマーキングを行うようにすればよい。このようなマーキング方法としては、実際にウェハWに対してマーキングを行う他、ソフトウェア上で良品から区別できるように不良ウェハWにマーキングするように構成しても構わない。
【0047】
次に、このように構成された加熱処理装置の動作を図7〜図10に基づき説明する。
【0048】
まず、図7に示すように、ホットプレート31の表面から支持ピン35が突き出た状態で、搬送装置22から支持ピン35上にウェハWが受け渡される。
【0049】
次に、図8に示すように、搬送装置22からウェハWを受け取った支持ピン35が下降してホットプレート31内に没入し、これによりウェハWがホットプレート31上に載置される。そして、ウェハWの加熱処理が行われるようになっている。
【0050】
その後、ウェハWの加熱処理が終了すると、再び支持ピン35が突き出て、搬送装置22が支持ピン35上に載置されたウェハWを受け取る。
【0051】
図7は及び図8は搬送装置22と支持ピン35との間でのウェハWの受け渡しが位置ずれすることなく行われ、ウェハWがホットプレート31の基板載置位置41内に正確に載置された例を示している。
【0052】
ところが、図9に示すように、搬送装置22から支持ピン35へウェハWを受け渡す際に、ウェハWが支持ピン35上の所望の位置(点線で示す。)からずれた位置に受け渡されると、その後支持ピン35が下降してホットプレート31内に没入したときに、図10に示すように、ウェハWは基板載置位置41内に正確に載置されずに案内ガイド43上に乗り上げてしまう。
【0053】
図11は加熱処理の際に温度センサ39により検出されるホットプレート31の温度変化を示している。図11▲1▼は図8に示したようにウェハWがホットプレート31の基板載置位置41内に正確に載置されたときの温度変化、図11▲2▼は図10に示したようにウェハWは基板載置位置41内に正確に載置されずに案内ガイド43上に乗り上げたときの温度変化を示している。この図から分かるように、ウェハWがホットプレート31の基板載置位置41内に正確に載置されたときとウェハWが基板載置位置41内に正確に載置されずに案内ガイド43上に乗り上げたときとでは、温度変化が異なる。具体的には、前者が後者と比べ温度が一旦より大きく下がる。これは、ウェハWが基板載置位置41内に正確に載置された方がこれらの間の近接面積が大きくホットプレート31から奪う熱量が大きいからである。
【0054】
そこで、本実施形態では、制御部40がこのような温度変化の差異に基づき図10に示したようなウェハWの載置不良の検出を行っている。即ち、制御部40では、温度センサ39からホットプレート31の温度検出結果を入力しており、ホットプレート31上にウェハWが載置されたときにホットプレート31が所定のしきい値以下、図11の例でいうと例えば89℃以下になったときに、図8に示したようにウェハWがホットプレート31の基板載置位置41内に正確に載置されたものとみなし、ホットプレート31上にウェハWが載置されたときにホットプレート31が所定のしきい値以上、図11の例でいうと例えば89℃以上になったときに、図10に示したようにウェハWが基板載置位置41内に正確に載置されずに案内ガイド43上に乗り上げたものとみなしている。そして、ウェハWが案内ガイド43上に乗り上げたものとみなしたときには、スピーカや表示部より警報を発している。なお、所定のしきい値としては、上記のように絶対温度としてもよいし、ウェハWが載置される以前のホットプレート31の温度を基準としてその基準温度からの低下温度としてもよい。
【0055】
このように本実施形態の加熱処理装置では、ホットプレート31上にウェハWが載置されたときにホットプレート31の温度が所定のしきい値以上になったときに、ウェハWが案内ガイド43上に乗り上げたものとみなし、スピーカや表示部より警報を発しているので、ホットプレート31上に搬送されたウェハWが基板載置位置41に正確に載置されていない状態を迅速に検知し、加熱処理の不良を最小限に食い止めることができる。また、温度センサ39はホットプレート31の温度制御のために従来から必要なデバイスであるので、特別なハード構成を必要とせずに、上記の効果を奏する。
【0056】
また、本実施形態では、特にウェハWを基板載置位置41内に案内するための案内ガイド43の断面が矩形でその高さが3mm前後とされているので、ウェハWが基板載置位置41内に正確に載置されずに案内ガイド43上に乗り上げたときのホットプレート31の低下温度がより小さくなる。即ち、ウェハWがホットプレート31の基板載置位置41内に正確に載置されたときとウェハWが基板載置位置41内に正確に載置されずに案内ガイド43上に乗り上げたときとの温度低下の差異がより大きくなる。従って、これらの状態の差異をより明確に区別できて誤検出がなくなると共に、上記のしきい値の調整が容易となる。しかしながら、本発明では、図12に示すように、案内ガイド43が基板載置位置41内に向けてウェハ案内用の斜面43aを有し、その高さを1mm以下とするように構成しても勿論構わない。そして、このような案内ガイド43がウェハ案内用の斜面43aを有することで基板載置位置41内へのウェハWの案内をより確実に行うことができる。
【0057】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。
【0058】
ここで、図13に示すように、ウェハWが案内ガイド43上に乗り上げた位置が異なると(例えば図中実線のウェハWと点線のウェハWの如く。)、図14に示すように、ウェハWが乗り上げた位置に応じて温度変化が異なる。例えば、図13の実線で示す場合の方(図14▲1▼)が図13の点線で示した場合(図14▲2▼)と比べて温度変化が大きい。つまり、前者が後者と比べ温度が一旦より大きく下がる。
【0059】
そこで、本実施形態では、制御部40がこのような温度変化の差異に基づきホットプレート31上に搬送されたウェハWの基板載置位置41からのずれ位置を推定し、この推定結果を例えば表示部45に表示している。従って、例えば作業者は、この表示内容に基づいて搬送装置22と支持ピン35との位置ずれを簡単に修正することができる。また、このように推定されたずれ位置に応じて搬送装置22と支持ピン35との位置ずれを自動的に修正しても構わない。
【0060】
なお、ホットプレート31上の複数の位置、より好ましくは3カ所以上例えば図15に示すように3カ所に温度センサ39を配置し、複数位置での検出結果を用いることで、より正確にホットプレート31上のウェハWのずれ位置を推定することができる。
【0061】
次に、本発明の更に別の実施形態を説明する。
【0062】
この実施形態は、本発明を図1乃至図4に示した塗布現像処理システムにおける冷却処理ユニットに適用したものである。図16は冷却処理ユニットにおける冷却プレートの構成を示す正面図であり、前述の加熱処理ユニットとほぼ同様の構成を有する。
【0063】
即ち、図16に示すように、上記の冷却処理ユニットのほぼ中央には、ウェハWを冷却処理するための処理板としての冷却プレート61が配置されている。この冷却プレート61内には、例えば多数のペルチェ素子62が埋め込まれている。そして、制御部(図示を省略)によりペルチェ素子62に流れる電流値が制御されることで冷却処理のための温度が制御されるようになっている。
【0064】
冷却プレート61の表面と裏面との間に、複数カ所、例えば3カ所に貫通穴64が設けられている。これら貫通穴64には、それぞれ、ウェハWの受け渡しのための複数本、例えば3本の支持ピン65が出没可能に介挿されている。これら支持ピン65は、冷却プレート61の裏面側に配置された結合部材66により、冷却プレート61の裏面側で一体に結合されている。結合部材66は、冷却プレート61の裏面側に配置された昇降機構67に接続されている。昇降機構67の昇降動作により、支持ピン65は冷却プレート61の表面から突き出たり、没したりする。なお、冷却プレート61の上方には、図示を省略した昇降可能な蓋体が配置されている。
【0065】
そして、プロキシミティシート72’が基板載置位置71の外周部の複数カ所、例えば6カ所に配置され、更に基板載置位置71の中央に配置されている。基板載置位置71の外周部に配置されたプロキシミティシート72’は、それぞれ基板載置位置71の外側に延在しており、各プロキシミティシート72’の延在した位置には、それぞれ基板案内用の案内ガイド73が配置されている。
【0066】
また、基板載置位置71の中央から所定距離離れた位置、その裏面より有底の穴78が設けられており、この穴78の底部には温度センサ79が配置されている。この温度センサ79による検出結果は制御部に送られるようになっている。
【0067】
そして、制御部が冷却プレート61の温度変化の差異に基づきウェハWの載置不良の検出を行っている。即ち、制御部では、温度センサ79から冷却プレート61の温度検出結果を入力しており、冷却プレート61上にウェハWが載置されたときに冷却プレート61が所定のしきい値以上となったときに、ウェハWが冷却プレート61の基板載置位置71内に正確に載置されたものとみなし、冷却プレート61上にウェハWが載置されたときに冷却プレート61が所定のしきい値以下であったときに、ウェハWが基板載置位置71内に正確に載置されずに案内ガイド73上に乗り上げたものとみなしている。そして、ウェハWが案内ガイド73上に乗り上げたものとみなしたとき、支持ピン65を一旦昇降してウェハWを冷却プレート61から浮かして再び支持ピン65を下降してウェハWを冷却プレート61表面に戻し、これによりウェハWが冷却プレート61の基板載置位置71内に正確に載置される試みをしている。そして、再試行してもウェハWが冷却プレート61の基板載置位置71内に正確に載置されないときに警報等を発している。
【0068】
従って、本実施形態の冷却処理ユニットでは、ウェハWの冷却不良を激減することができる。特に、加熱処理の場合にはそれまでの熱履歴が重要であることから、一旦加熱処理した不良品を再度加熱処理しても良品化することは非常に困難であるが、冷却処理では熱履歴はそれ程問題とならないので、本実施形態の如く位置決めを再試行し、正しい基板載置位置71内で再度冷却処理することは有効である。
【0069】
なお、位置決めの再試行の手段としては、例えば冷却プレート61に振動を付与する振動装置を設けても良いし、支持ピンを35を少なくとも1回以上上下動させるように構成しても構わない。
【0070】
また、前述の加熱処理ユニットの場合と同様に、冷却処理ユニットにおいてもずれ位置の推定を行うように構成しても構わない。
【0071】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。
【0072】
ここで、図17に示すように、搬送されたウェハWの裏面にパーティクル等のゴミ80が付着、或いはホットプレート31上にゴミ80が付着していた場合、前述のような案内ガイド43上に乗り上げた位置が異なるのと同様にホットプレート31の温度センサー39による温度検出にバラツキが生ずることとなる。
【0073】
このような要因は他に図18に示すように、ウェハW自体の形状の変化、例えばそり81等の凸凹が発生している場合において、他の正常なフラットなウエハWに比べホットプレート31の温度センサー39による温度検出にバラツキが生ずることとなる。
【0074】
このような要因でのウェハWの温度処理の不具合は、搬送装置22又は支持ピン35とウェハWの位置ずれを自動的に修正が容易に出来できうるものではないのであるので、例えば図19に示すようなシーケンスにて判断することが可能である。すなわち、ホットプレート31上にウエハWを搬送した際に複数の温度センサー39により温度検出にバラツキが生ずるか否かを判断する(ステップ82)。このときのバラツキ量が所定の量以下であれば正常とみなすことが出来るので終了する。
【0075】
一方、バラツキ量が所定の量以上であれば異常であるので所定回数ループ処理(ステップ83)を繰り返す、この繰り返しにおいて、搬送装置22又は支持ピン35によりウェハWの位置ずれを修正する動作(ステップ87)を所定回数、例えば3回(カウンター値3)行う。
【0076】
この所定回数の間にホットプレート31上にウエハWを搬送した際の複数の温度センサー39による温度検出バラツキ量が所定の量以下、つまり正常とみなしても良い状態となればカウンターの値を0にし(ステップ85)、搬送装置22によるウェハWの搬送の位置ずれから次のウェハWを搬送する位置情報を校正して記憶し動作を終了する。
【0077】
また、所定回数ループ処理(ステップ83)を繰り返しても、バラツキ量が所定の量以上である場合、つまり搬送装置22又は支持ピン35によりウェハWの位置ずれを修正出来ない要因に起因する原因(例えば前述のようなパーティクルの付着によるもの或いはウエハWの形状或いは搬送装置22又は支持ピン35の動作不良等)であるとみなし、ルート84に進み異常対応(ステップ88)を行いカウンターの値を0にし(ステップ85)、終了する。
【0078】
前述の異常対応(ステップ88)においては、例えば前述のように警報を作業員等に発してもよいし、さらにそのウエハWは実質的に処理が不完全であるのでそのウエハWは不具合として情報を記憶し、また所定の手段、例えば表示で見れたり、通信等で外部にその情報を伝達するようにするのが好ましい。これにより不完全なウエハWをこの処理の後工程で処理することなくカセットC等に排出したりでき、処理の無駄を省くことが可能となる。
【0079】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。
【0080】
ホットプレート31上にウエハWを搬送した際の温度センサー39による温度検出は、例えば図20に示すようにしきい値を例えば、89℃とした場合、温度検出値が第1の領域90に存在する場合を正常とみなし、温度検出値が第2の領域91に存在する場合を搬送装置22又は支持ピン35によりウェハWの位置ずれを修正出来ない要因に起因する原因(前述のようにパーティクル等の原因)によるものとみなし、温度検出値が第3の領域92に存在する場合を搬送装置22又は支持ピン35によりウェハWの位置ずれを修正出来る要因に起因する原因(例えば案内ガイド34等にウェハWが乗り上げている場合等)によるものとみなすものである。
【0081】
第2の領域91と第3の領域92との差は、ホットプレート31とウエハWとの間の距離にも比例し、案内ガイド34等にウェハWが乗り上げている場合のホットプレート31とウエハWとの間の距離はパーティクル等の原因等によるホットプレート31とウエハWとの間の距離より大きいため、その分ある程度温度に差が生じるのを区別するものである。
【0082】
このような領域における温度センサー39による温度検出値で搬送装置22又は支持ピン35によりウェハWの位置ずれを修正するのか、それともウェハWの位置ずれを修正出来ない要因に起因する原因によるものかを判断することにより毎回、搬送装置22又は支持ピン35によりウェハWの位置ずれを修正することなく正確に異常時の対応動作を行うことが可能となる。これにより処理のスループット或いは装置の稼働率を向上することが可能となる。
【0083】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。
【0084】
図21は、ホットプレート31の発熱素子33、例えばヒーターを径方向に複数例えば四つH1〜H4備えた例である。これらの発熱素子33には、温度センサー39が各1つ以上設けられ、領域毎に温度を検出することが出来るよう構成されている。
【0085】
このような、発熱素子33を複数設けるのは発熱素子33を一つ設けたシステムに比べてよりウェハWの温度の面内均一性をコントロールすることが出来るものである。
【0086】
このような構成において、ホットプレート31上にウェハWが搬送された際に前述したしきい値以下に温度が低下するか否か或いは所定の領域に温度が低下したか否かによって各温度センサー39の情報に基づいて判断しても良いが、例えばホットプレート31の各発熱素子33毎の面積に対する総発熱量と各発熱素子33毎に対応し熱を一時的に奪うウェハWの面積当たりの熱の消費量とが各発熱素子33H1〜H4で異なることが考えられる。したがって温度の低下点が正常な領域に存在するか否かについては、図22に示すように異なる領域Z1〜Z4を設定し、対応するのが好ましい。この異なる領域Z1〜Z4を設定し、各Z1〜Z4毎に図20にて説明したように、ウェハWの位置ずれを修正出来ない要因に起因する原因によるものか否を判断する領域を設定しても良い。
【0087】
更に、前述の実施形態の如くレジスト塗布現像システム1内に複数の加熱処理ユニット(或いは冷却処理ユニット)が設けられた場合には、次のように構成する。
【0088】
例えば、1つの加熱処理ユニットでホットプレート上に搬送されたウェハWが基板載置位置に正確に載置されていないものとみなされたときには、該加熱処理ユニットによる加熱処理を禁止して以降残りの加熱処理ユニットで加熱処理を行わせるように構成する。これにより、加熱処理による不良が連続的に発生するのを防止することができ、しかもかかる不良が発生してもシステムを停止することなく通常の加熱処理を続行できる。
【0089】
また、このような加熱処理ユニットによる加熱処理の禁止は連続的にウェハWが基板載置位置に正確に載置されていないものとみなされたときだけ行うようにしてもよい。これにより、加熱処理による不良が連続的に発生するのを防止することができ、しかもかかる不良が発生してもシステムを停止することなく通常の加熱処理を続行でき、更に偶発的にホットプレート上に搬送されたウェハWが基板載置位置に正確に載置されていなかったときには当該加熱処理ユニットによる加熱処理が禁止されるこはなくなる。
【0090】
更に、上記の実施の形態においては、警報等を発するための手段としてスピーカや表示部が制御部40に接続されているとしたが、本発明はかかる例には限定されず、例えば制御部40に警報情報として記憶媒体、例えばハードデイスク或いはRAM等の記憶メモリー或いはフロッピーディスク等に記憶しておいても良いし、装置外部のCPUに対して警報情報を所定の通信により発するようにしても良い。
【0091】
更に、上記の実施の形態においては、複数位置での温度を検出する温度センサ39を配置したが、複数ではなく一箇所での検出でもよいことに言うまでも無く発明はかかる例には限定されない。
【0092】
更に、上記の実施の形態においては、基板にウェハWを用いた例について説明したが、本発明はかかる例には限定されず、例えばLCD基板を使用する例についても適用が可能である。
【0093】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、処理板上に搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていない状態等を迅速に検知し、加熱処理や冷却処理の際の不良を最小限に食い止めることができる。また、本発明によれば、処理板上に搬送された基板の基板載置位置からのずれ位置を迅速に検出し、調整を迅速かつ正確に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係るレジスト塗布現像システムの平面図である。
【図2】図1に示したレジスト塗布現像システムの正面図である。
【図3】図1に示したレジスト塗布現像システムの背面図である。
【図4】図1に示したレジスト塗布現像システムにおける空気の流れを示す正面図である。
【図5】図3に示した加熱処理ユニットを示す正面図である。
【図6】図5に示した加熱処理ユニットの平面図である。
【図7】本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニットの動作(その1)の説明図である。
【図8】本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニットの動作(その2)の説明図である。
【図9】本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニットの動作(その3)の説明図である。
【図10】は本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニットの動作(その4)の説明図である。
【図11】本発明の一実施形態における加熱処理ユニットでの温度変化を示す図である。
【図12】本発明の他の実施形態に係る加熱処理ユニットの説明図である。
【図13】本発明の更に別の実施形態に係る加熱処理ユニットの説明図である。
【図14】本発明の更に別の実施形態に係る加熱処理ユニットでの温度変化を示す図である。
【図15】本発明のまた更に別の実施形態に係る加熱処理ユニットの平面図である。
【図16】本発明のまた別の実施形態に係る冷却処理ユニットの正面図である。
【図17】本発明のまた別の実施形態に係る加熱処理ユニットの断面図である。
【図18】本発明のまた別の実施形態に係る加熱処理ユニットの断面図である。
【図19】本発明の一実施形態における動作を説明する処理フロー図である。
【図20】本発明のまた別の実施形態における加熱処理ユニットでの温度変化を示す図である。
【図21】本発明の更に別の実施形態に係る加熱処理ユニットの説明図である。
【図22】本発明のまた別の実施形態における加熱処理ユニットでの温度領域を示す図である。
【図23】従来技術を説明するための加熱処理ユニットの概略的な正面図である。
【符号の説明】
W ウェハ
22 搬送装置
31 ホットプレート
35 支持ピン
39 温度センサ
40 制御部
41 基板載置位置
43 案内ガイド
61 冷却プレート
65 支持ピン
71 基板載置位置
73 案内ガイド
79 温度センサ
Claims (25)
- 基板を加熱処理または冷却処理する処理装置において、
基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、
前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けられた基板案内用の案内部材と、
前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、
前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、異常が発生したものとみなす手段と
を具備することを特徴とする処理装置。 - 請求項1に記載の処理装置において、
前記異常発生みなし手段が、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなすことを特徴とする処理装置。 - 請求項1に記載の処理装置において、
前記異常発生みなし手段が、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、前記基板が不良であるとみなすことを特徴とする処理装置。 - 請求項1に記載の処理装置において、
前記異常発生みなし手段が、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、前記基板にゴミが付着したものとみなすことを特徴とする処理装置。 - 請求項1に記載の処理装置において、
前記異常発生みなし手段が、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が第1の値以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなし、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が前記第1の温度よりも小さくかつ前記第1の値よりも小さい第2の値以上変化しないとき前記基板が不良または前記基板にゴミが付着したものとみなすことを特徴とする処理装置。 - 請求項1に記載の処理装置において、
前記前記異常発生みなし手段により異常が発生したものとみなされたとき、警報を発する手段を具備することを特徴とする処理装置。 - 請求項1に記載の処理装置において、
前記処理板表面から出没可能配置され、基板の受け渡しを行うための複数のピンと、
前記異常発生みなし手段により異常が発生したものとみなされたとき前記ピンを処理板表面から突き出し再び処理板表面より没入させる没入手段と
を具備することを特徴とする処理装置。 - 請求項7に記載の処理装置において、
前記没入手段が前記ピンを処理板表面から突き出し再び処理板表面より没入させた後に、前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、前記基板が不良または前記基板にゴミが付着したものとみなす手段を具備することを特徴とする処理装置。 - 請求項1に記載の処理装置において、
前記異常発生みなし手段により異常が発生したものとみなされたとき前記処理板に振動を付与する手段を具備することを特徴とする処理装置。 - 請求項9に記載の処理装置において、
前記処理板が、基板を冷却処理するものであることを特徴とする処理装置。 - 請求項1に記載の処理装置において、
前記案内部材の前記基板載置位置側の壁面のほぼ垂直部分の高さが1mmを越えることを特徴とする処理装置。 - 請求項1に記載の処理装置において、
前記異常発生みなし手段により異常が発生したものとみなすために前記温度センサにより検出される温度変化は、前記温度センサにより検出された温度と予め定められた温度との比較によって行われることを特徴とする処理装置。 - 請求項1に記載の処理装置において、
前記異常発生みなし手段により異常が発生したものとみなすために前記温度センサにより検出される温度変化は、前記温度センサにより検出された温度の変化と予め定められた変化温度との比較によって行われることを特徴とする処理装置。 - 基板を加熱処理または冷却処理する処理装置において、
基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、
前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、
前記処理板の基板載置位置の中心から所定距離離れた位置に設けられた温度センサと、
前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度に基づき、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する手段と
を具備することを特徴とする処理装置。 - 基板を加熱処理または冷却処理する処理装置において、
基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、
前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、
前記処理板のそれぞれ別個の位置に設けられた複数の温度センサと、
前記処理板上に基板が載置された際の前記各温度センサにより検出された温度の差異に基づき、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する手段と
を具備することを特徴とする処理装置。 - 請求項15に記載の処理装置において、
前記温度センサが、前記処理基板上の3カ所以上の位置に設けられていることを特徴とする処理装置。 - 基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手段とを具備する複数の処理装置と、
少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするための搬送装置と、
1つの前記処理装置で前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなされたとき、当該処理装置による処理を禁止して残りの処理装置で処理を行わせる手段と
を具備することを特徴とする処理システム。 - 基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手段とを具備する複数の処理装置と、
少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするための搬送装置と、
1つの前記処理装置で前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものと連続してみなされたとき、当該処理装置による処理を禁止して残りの処理装置で処理を行わせる手段と
を具備することを特徴とする処理システム。 - 基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手段とを具備する複数の処理装置と、
少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするための搬送装置と、
1つの前記処理装置で前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなされたとき、当該処理装置による処理された基板にマーキングを施す手段と
を具備することを特徴とする処理システム。 - 基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内で、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されているかどうか判別する方法であって、
前記処理板の所定位置の温度を検出する工程と、
前記検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす工程と
を具備することを特徴とする判別方法。 - 基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内で、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を検出する方法であって、
前記処理板の所定位置の温度を検出する工程と、
前記検出された温度に基づき、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する工程と
を具備することを特徴とする検出方法。 - 基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内で、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を検出する方法であって、
前記処理板の複数位置の温度を検出する工程と、
前記検出された複数位置での温度の差異に基づき、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する工程と
を具備することを特徴とする検出方法。 - 載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、
この処理板と前記基板とを所定の間隔に維持するシートと、
前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、
前記処理板上に基板が載置された際に前記温度センサにより検出された温度が所定値以上変化しないとき、異常と判断及び/または前記処理板上に基板を再載置するよう判断する制御機構と
を具備することを特徴とする処理装置。 - 請求項23に記載の処理装置において、
前記処理板には、発熱機構が複数設けられ、その発熱機構には各々温度センサが設けられ、前記処理板上に基板が載置された際に前記各温度センサにより検出された温度の正常とみなす許容範囲は各々異なることを特徴とする処理装置。 - 請求項23に記載の処理装置において、
前記処理板上に基板が載置された際に前記各温度センサにより検出された温度により搬送装置及び/または支持ピンにより基板の位置ずれを修正出来ない要因に起因する原因か否かを判断することを特徴とする処理装置。
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